JPS60186824A - マトリクス表示装置 - Google Patents
マトリクス表示装置Info
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- JPS60186824A JPS60186824A JP59042745A JP4274584A JPS60186824A JP S60186824 A JPS60186824 A JP S60186824A JP 59042745 A JP59042745 A JP 59042745A JP 4274584 A JP4274584 A JP 4274584A JP S60186824 A JPS60186824 A JP S60186824A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業一Hの利用分I11f’:1
本発明は各画素にスイノチング素子を有する所謂「アク
ティブ・マトリクス表示装置」の改良にかかわり、簡便
な駆動回路で安定した表示を得る技術に関する3、 〔従来技術と問題点〕 近年、アクディブ・71・リクス型の表示装置の開発が
盛んである。この方法は例えば次の論文(Bernar
d.J.Leclu+cr等;proceedings
oftheIEゞElる,59、+1−1566〜15
79(1971’))て公知であり一電荷蓄積型のある
1・ランジスクや非線形抵抗素子といったスイノチング
素子を各画素の表示素子と接続して作り込む事により液
晶等のように閾値特性の悪い表示素子でも高分割の71
・リクス表示を可能にし得るものである。駆動方法は点
111+j次法と線順次法に大別され、いずれも前記+
3.J.Lec++net等の論文(p.1570)で
公知であり、点順次法は詳しくは特開昭49−7443
81’ig.6等に記載されているが、第1図、第2図
、第3図により従来技術を説明する。
ティブ・マトリクス表示装置」の改良にかかわり、簡便
な駆動回路で安定した表示を得る技術に関する3、 〔従来技術と問題点〕 近年、アクディブ・71・リクス型の表示装置の開発が
盛んである。この方法は例えば次の論文(Bernar
d.J.Leclu+cr等;proceedings
oftheIEゞElる,59、+1−1566〜15
79(1971’))て公知であり一電荷蓄積型のある
1・ランジスクや非線形抵抗素子といったスイノチング
素子を各画素の表示素子と接続して作り込む事により液
晶等のように閾値特性の悪い表示素子でも高分割の71
・リクス表示を可能にし得るものである。駆動方法は点
111+j次法と線順次法に大別され、いずれも前記+
3.J.Lec++net等の論文(p.1570)で
公知であり、点順次法は詳しくは特開昭49−7443
81’ig.6等に記載されているが、第1図、第2図
、第3図により従来技術を説明する。
まず第1図、第2図により点順次法を説明すると、第1
図は従来の表示装置のブロノク回路図で、1は表示部で
あり一行’tlN;極Cl−C2、...−CNと列電
極H.I、1{2、一・一IBMとーその交点に対応し
て配14された能動素子2一表示要素3を有ずる、、8
は行駆動部であり行電極に時分割された走査信号を供給
する。、9ぱ列駆動部であり一列電極にデータ信号を供
給する。点順次法の場合には列駆動部9はザンブリング
・パルス発生回路7とスイノチゲ−ト6,及び蓄積答鼠
5からなる。
図は従来の表示装置のブロノク回路図で、1は表示部で
あり一行’tlN;極Cl−C2、...−CNと列電
極H.I、1{2、一・一IBMとーその交点に対応し
て配14された能動素子2一表示要素3を有ずる、、8
は行駆動部であり行電極に時分割された走査信号を供給
する。、9ぱ列駆動部であり一列電極にデータ信号を供
給する。点順次法の場合には列駆動部9はザンブリング
・パルス発生回路7とスイノチゲ−ト6,及び蓄積答鼠
5からなる。
第2図はそのタイミング拳チャ−1・であり、シリアル
な画像信号VI)はザンブリング・バルスS1、S2−
・・・一SM及び走査信号C1、C2、一・、CNI/
i:.より1つの画素の表示要素に伝道さJLる。、 次に線順次法による駆動方法を第3図により説明する。
な画像信号VI)はザンブリング・バルスS1、S2−
・・・一SM及び走査信号C1、C2、一・、CNI/
i:.より1つの画素の表示要素に伝道さJLる。、 次に線順次法による駆動方法を第3図により説明する。
第1図との相違点は列,駆動部9のうち6oで示した部
分である。点順次法てはビデオ信号VDをスイノチゲ−
1・6により直接列電極に伝達したが、線順次法ではま
ず第」のアナログ・ラノチ61にサンプリング・パルス
発生器7に基づいてラノチし,タイミング合せのために
一括して第2のアナログ・ラノチ32Kラノヂずる。こ
のラノチされたデータをアンプ63を通じて各列電極に
供給する。
分である。点順次法てはビデオ信号VDをスイノチゲ−
1・6により直接列電極に伝達したが、線順次法ではま
ず第」のアナログ・ラノチ61にサンプリング・パルス
発生器7に基づいてラノチし,タイミング合せのために
一括して第2のアナログ・ラノチ32Kラノヂずる。こ
のラノチされたデータをアンプ63を通じて各列電極に
供給する。
以上のべた従来技術においては一点順次駆動法は回路が
簡単な反而各列電極に対する実質層き込み時間が一定に
ならず、各表示要素に対する肖き込み時間も短かい1,
一方線順次駆動法では1き込み時間は一定で十分長くと
れるが回路が複雑となる。これ等の欠点を作『消する方
法として前出願(特願昭58−032169)の,男動
法が提案されている。
簡単な反而各列電極に対する実質層き込み時間が一定に
ならず、各表示要素に対する肖き込み時間も短かい1,
一方線順次駆動法では1き込み時間は一定で十分長くと
れるが回路が複雑となる。これ等の欠点を作『消する方
法として前出願(特願昭58−032169)の,男動
法が提案されている。
第4図は非線形抵抗素子を用いた特1t’A昭58−0
32169のNLl−{型アクティブ・マトリクス表示
装置のブロノク図である。
32169のNLl−{型アクティブ・マトリクス表示
装置のブロノク図である。
116は表示部であり一行電極Y1〜YNと列電極X1
〜XM及び各行列′i+j,極に接続された表示素イ1
17及びNL11素子116よりなる表示安素118を
イコする。第5図は非線形抵抗素子の説明図であり−N
Llt素子125としては特願昭58−032169で
は126−127.128等の様なダイオ=−ド・リン
グを用℃・て℃・る。
〜XM及び各行列′i+j,極に接続された表示素イ1
17及びNL11素子116よりなる表示安素118を
イコする。第5図は非線形抵抗素子の説明図であり−N
Llt素子125としては特願昭58−032169で
は126−127.128等の様なダイオ=−ド・リン
グを用℃・て℃・る。
第6図は非線形抵抗素子の代表的電流〜電圧特性図であ
りitE負ほぼ対称で一低電圧領域では指数則、それよ
り高電圧領域では比例則で変化して(・る。
りitE負ほぼ対称で一低電圧領域では指数則、それよ
り高電圧領域では比例則で変化して(・る。
第4図において112は列電極駆動回路、119はビデ
オ変調回路であり、そのブロノク図及び連動波形の一例
を第7図一第8図に示す。
オ変調回路であり、そのブロノク図及び連動波形の一例
を第7図一第8図に示す。
Vl)は人カビデオ情号でありーv6はvI)の最犬振
11]の約半分の基準電位一CL1は各行毎の選択タイ
ミングで反転するクロノク信号である。ビデオ信号VI
)は増「]」器146、147及びスイノチ141、1
42によりvI)′の如き0を中rlrK各11−1毎
に反転した括号となり、補償回路出力によりゲインコン
ト1」−ルされた増11】器146によってVIHの如
きイハ号になる。
11]の約半分の基準電位一CL1は各行毎の選択タイ
ミングで反転するクロノク信号である。ビデオ信号VI
)は増「]」器146、147及びスイノチ141、1
42によりvI)′の如き0を中rlrK各11−1毎
に反転した括号となり、補償回路出力によりゲインコン
ト1」−ルされた増11】器146によってVIHの如
きイハ号になる。
144はタイミングパルス発生回路でありクロソク信号
C1、2に基づいてスイソチ群145を順次選択し、ビ
デオ信号線VINを各列電極×1−X2,X,+・・・
・・に接続し各電極容厳に信号を蓄積する。第11図は
1叱動波形図であり、蓄積されたデータ信号の一例はX
.でありーある行タイミングで−\l6が非点灯レベル
ー■6が点灯レベルなら、次の行タイミングでは■6が
非点月レベル、−■,が点灯レベルというように各xl
Nuに極性の反転した信号となっている。
C1、2に基づいてスイソチ群145を順次選択し、ビ
デオ信号線VINを各列電極×1−X2,X,+・・・
・・に接続し各電極容厳に信号を蓄積する。第11図は
1叱動波形図であり、蓄積されたデータ信号の一例はX
.でありーある行タイミングで−\l6が非点灯レベル
ー■6が点灯レベルなら、次の行タイミングでは■6が
非点月レベル、−■,が点灯レベルというように各xl
Nuに極性の反転した信号となっている。
第9図一第10図は行″?a:極駆動回路のブロノク図
及び波形図である。この回路は行電極に第11図Y,,
Y。−1、Y、、)′、→,1の如き行f1jに極性反
転(一だ走査信号を供給ずる。161ぱシフト1/ジス
ク又ぱデコーダ等により構成される/フ]・パルス発生
部であり、クロノクAI−A2に基づき131一B2−
・・・・・・を発生する。クロノクバルスA1、A2、
CL1及びB1、B2、・・団・により論理回路162
はc<x−x〜4)、C(2、1〜4)等のパルスを電
位選択回路163に供給ずる。
及び波形図である。この回路は行電極に第11図Y,,
Y。−1、Y、、)′、→,1の如き行f1jに極性反
転(一だ走査信号を供給ずる。161ぱシフト1/ジス
ク又ぱデコーダ等により構成される/フ]・パルス発生
部であり、クロノクAI−A2に基づき131一B2−
・・・・・・を発生する。クロノクバルスA1、A2、
CL1及びB1、B2、・・団・により論理回路162
はc<x−x〜4)、C(2、1〜4)等のパルスを電
位選択回路163に供給ずる。
163には第工】図Y7−2の所に示した電位±v.、
±■.あるいはこれに比例した電位が供給され、C(n
−1〜4)により選択される。
±■.あるいはこれに比例した電位が供給され、C(n
−1〜4)により選択される。
164は出力段のバッファアンプであり、Y1〜Y.が
表示部113に印加される。
表示部113に印加される。
特願昭58−032]69の特徴の一つは走査信号にあ
る。例えばY.についてみると選択期間181,182
と非選択期間186,184があり、前者では士■.、
後者では±V,の電位をとる。選択期間は行電極毎に線
1lNi次で走査されているがそれぞれ割り当てられた
111全部ではなく水平帰線区間のみとなっている。残
りの水平走査期間ではすべての走査信号ともに選択され
ておらず第7図、第8図で述べたように各列電極答はV
C線順次に信号がIき込んでいる。この様な構成とする
と線順次駆動でありながら点順次駆動と同様にサンプル
ホールド回路が不要であり、点順次駆動の様に実効的』
き込み時間が各列で異なる事による充電電荷量の違いが
生じない。4’fにNLItマトリクスでは1き込み時
間の相違は致命的な欠点であり一点順次法は無理で回路
が複雑であったが、特願昭58032J.69により点
順次法と同等の回路で済み非常に有利となった。
る。例えばY.についてみると選択期間181,182
と非選択期間186,184があり、前者では士■.、
後者では±V,の電位をとる。選択期間は行電極毎に線
1lNi次で走査されているがそれぞれ割り当てられた
111全部ではなく水平帰線区間のみとなっている。残
りの水平走査期間ではすべての走査信号ともに選択され
ておらず第7図、第8図で述べたように各列電極答はV
C線順次に信号がIき込んでいる。この様な構成とする
と線順次駆動でありながら点順次駆動と同様にサンプル
ホールド回路が不要であり、点順次駆動の様に実効的』
き込み時間が各列で異なる事による充電電荷量の違いが
生じない。4’fにNLItマトリクスでは1き込み時
間の相違は致命的な欠点であり一点順次法は無理で回路
が複雑であったが、特願昭58032J.69により点
順次法と同等の回路で済み非常に有利となった。
しかし特願昭58−032]69にも若干の問題点は残
っていた5,すなわち第7図の各列電極×1、x2+X
3はそ」しぞれ電極容量を持っておりデータ信号を蓄積
しうるが、この電極BFs5.’は一″般的には駆動回
路内に外fτ]けコンデンザ・−として設けるか、電極
自体の浮遊容量で代用している。前者は回路が複雑とな
り一後者は浮遊容辰を形成する隣接電極の+4位変化の
影響を受けやすく不安定である。
っていた5,すなわち第7図の各列電極×1、x2+X
3はそ」しぞれ電極容量を持っておりデータ信号を蓄積
しうるが、この電極BFs5.’は一″般的には駆動回
路内に外fτ]けコンデンザ・−として設けるか、電極
自体の浮遊容量で代用している。前者は回路が複雑とな
り一後者は浮遊容辰を形成する隣接電極の+4位変化の
影響を受けやすく不安定である。
発明の目的〕
本発明は液晶層を挾んだ対向側に基準電極を設け、液晶
に直流電圧が印加されにくい適当な基準信号を与える事
を要旨とし,何ら工程を{」加する事なく安定で均一な
f」加容量を与えることを目的とするものである。
に直流電圧が印加されにくい適当な基準信号を与える事
を要旨とし,何ら工程を{」加する事なく安定で均一な
f」加容量を与えることを目的とするものである。
第12図は本発明の表示装置の一実施例のブロノク図で
ある。116は表示部であり,ここでは2枚の基板間に
液晶を挾A,でなる液晶パネルである。一方の基板には
行電極Y,+y2,・旧・・,YNとNLIt素子11
6が形成され一他の基板上には列電極x,+X2−・・
・・・・、XMが形成されている。本実施例の特徴は行
電極Y,+y2−・・・゜・・・、YNの形成される基
板上で列電極x,+X2+山・・・、XMと対向する部
分に基準電極191を設けた点にある。192は基準電
極191に基準信号を与える手段である。この様にする
事により、各列電極には液晶を誘電体とした容量が付加
されて(・る。
ある。116は表示部であり,ここでは2枚の基板間に
液晶を挾A,でなる液晶パネルである。一方の基板には
行電極Y,+y2,・旧・・,YNとNLIt素子11
6が形成され一他の基板上には列電極x,+X2−・・
・・・・、XMが形成されている。本実施例の特徴は行
電極Y,+y2−・・・゜・・・、YNの形成される基
板上で列電極x,+X2+山・・・、XMと対向する部
分に基準電極191を設けた点にある。192は基準電
極191に基準信号を与える手段である。この様にする
事により、各列電極には液晶を誘電体とした容量が付加
されて(・る。
第13図は本発明の表示装1道の他の実施例のブ0.7
ク図である。前実施例と異なり本実施例では?″i駆動
回路が左半分111Lと右半分111kに,列駆動回路
が上半分112vと下半分1121Jにそれぞれ2分さ
れ、電極1本毎に交互に引き出されている。それに伴い
基準電極も191Lと191Rの2つに分けられそれぞ
れの駆動回路192L、192Itから基準信号が供給
されている。
ク図である。前実施例と異なり本実施例では?″i駆動
回路が左半分111Lと右半分111kに,列駆動回路
が上半分112vと下半分1121Jにそれぞれ2分さ
れ、電極1本毎に交互に引き出されている。それに伴い
基準電極も191Lと191Rの2つに分けられそれぞ
れの駆動回路192L、192Itから基準信号が供給
されている。
第14図は第12図の実施例の平面図である。
201はスイッチング素子207、表示電極206,行
電極Y,+Y2が形成されたア冬.ティプ基板へ202
は列電極XI.X2・・・・・・XMの形成された対向
基板−206はシーリング部であり,液晶はこの内側の
部分に封入されている。191は基準電極でありアク.
ティブ基板201上に列電極x,+X2+・・・・・・
,XMと液晶層を挾んて対向する事により容01:.C
l一・・・・・・−CMを形成している。容量部204
はマトリクス部205に比べて十分小さくてもよく面積
的な負荷は太き《ない。
電極Y,+Y2が形成されたア冬.ティプ基板へ202
は列電極XI.X2・・・・・・XMの形成された対向
基板−206はシーリング部であり,液晶はこの内側の
部分に封入されている。191は基準電極でありアク.
ティブ基板201上に列電極x,+X2+・・・・・・
,XMと液晶層を挾んて対向する事により容01:.C
l一・・・・・・−CMを形成している。容量部204
はマトリクス部205に比べて十分小さくてもよく面積
的な負荷は太き《ない。
又均一な液晶層厚は現状技術で十分達成されて.おり容
量のばらつきも十分小さい。この様に均一な容量が何ら
の工程増を伴う事な《実現される。
量のばらつきも十分小さい。この様に均一な容量が何ら
の工程増を伴う事な《実現される。
基単電極電位は一定であればどのような値でも容M,と
して作用させる事ができる。しかし液晶を誘電体層とし
て用いている関係上、液晶に直流が印加されな(・様K
注意しな《ではならない。又、容量部の面積を低減する
ためには実効誘電率を大きく使いた(・。
して作用させる事ができる。しかし液晶を誘電体層とし
て用いている関係上、液晶に直流が印加されな(・様K
注意しな《ではならない。又、容量部の面積を低減する
ためには実効誘電率を大きく使いた(・。
イぐ発明では以上の犬求を満足するために第15図に示
した如き基準信号φを月1いて℃・る。即ち、奇フィー
ルドI゛1と偶フィールドF2で互(・に反転した矩形
波信号である。信号レベルは±V.とじている。この様
な基準信号φと列信号、例えば第II図X,の間には直
流分のほとんどない、しかも液晶を励起するのに十分な
電圧が印加される第16図は液晶層の誘電率εと実効電
圧Vの関係を示す喝性図である。液晶の閾値電圧Vth
に対しV<V,,ではと=ε1であるがν〉■,、の印
加に応じてεは増加しε,1に近づく。第11図の駆動
波形でバイアス電圧■,は液晶の光学変化の中央値に設
定するため第16図の如くまだεは十分大きくな(・が
、■,に貴き込み電圧を上乗せした■.は液晶を励起す
るのに十分な電圧である。
した如き基準信号φを月1いて℃・る。即ち、奇フィー
ルドI゛1と偶フィールドF2で互(・に反転した矩形
波信号である。信号レベルは±V.とじている。この様
な基準信号φと列信号、例えば第II図X,の間には直
流分のほとんどない、しかも液晶を励起するのに十分な
電圧が印加される第16図は液晶層の誘電率εと実効電
圧Vの関係を示す喝性図である。液晶の閾値電圧Vth
に対しV<V,,ではと=ε1であるがν〉■,、の印
加に応じてεは増加しε,1に近づく。第11図の駆動
波形でバイアス電圧■,は液晶の光学変化の中央値に設
定するため第16図の如くまだεは十分大きくな(・が
、■,に貴き込み電圧を上乗せした■.は液晶を励起す
るのに十分な電圧である。
この様に本発明では基準信号として液晶を励起するのに
十分な実効電圧を有する信号を印加する事により、小さ
い面積で十分な容量を設ける串が町能である。A−.発
明では第15図の如く走査信号Y1〜YNの眠択4位十
■.を有する矩形波を用いたが、勿論他の電位でも■,
.より大きければ有効である。しか1.7±V.の使用
は電源数を増す必要がないため便利である。更に本発明
では基準信号として直流分欠含まない信号を用いていろ
。この事により液晶層の劣化を最小限にする事ができる
。
十分な実効電圧を有する信号を印加する事により、小さ
い面積で十分な容量を設ける串が町能である。A−.発
明では第15図の如く走査信号Y1〜YNの眠択4位十
■.を有する矩形波を用いたが、勿論他の電位でも■,
.より大きければ有効である。しか1.7±V.の使用
は電源数を増す必要がないため便利である。更に本発明
では基準信号として直流分欠含まない信号を用いていろ
。この事により液晶層の劣化を最小限にする事ができる
。
基準信号としては他にも例えば第11図の駆動波形に於
けるゼロ電位0を用いてもよい。この場合は誘電率εは
大きくはないが直流分を含まなし・0]発明の効果〕 以上述べた如《一本発明では液晶層を有効的に容量とし
て利用する律により安定した表示が可能であり、何等工
程増を伴う事なく簡素な駆動回路で高密度の表示がtX
f能となる。
けるゼロ電位0を用いてもよい。この場合は誘電率εは
大きくはないが直流分を含まなし・0]発明の効果〕 以上述べた如《一本発明では液晶層を有効的に容量とし
て利用する律により安定した表示が可能であり、何等工
程増を伴う事なく簡素な駆動回路で高密度の表示がtX
f能となる。
尚一実施例のスイノチング素子として非線形抵抗素子を
用いたが1・ランジスタを用いても同等の効果が得られ
る。
用いたが1・ランジスタを用いても同等の効果が得られ
る。
第1図は従来の表示装置のブロック図、第2図は第1図
の表示装置の駆動波形図、第3図は従来の線順次法を用
いた表示装置のブロノク図、第4図〜第11図は特願昭
58−032169の駆動方法を説明するもので,第4
図は非線形抵抗素子を用いたNLH型アクティブ・マト
リクス表171′.:装置のブロノク図、第5図,第6
図は非線形抵抗素子の説明図とその特性図、第7図一第
8図はビデオ変調回路及び列電極駆動回路を示す回路図
と使用波形図一第9、10図は行電極駆動回路と使用波
形図,第11図は駆動波形図一第12図は本発明の表示
装置の一実施例のブロソク図,第13図は本発明の表示
装置の他の実施例のブロノク図一第14図は第12図の
実施例の3F而図一第15図は本発明に用(・る基暴信
号の波形図,第16図は液晶の誘電率対実効電圧の!祐
性図である。 X1〜XN・・・・列電極、Y1〜YM・・・・・・行
′亀−極一2.116・・・・スイノチング素子一11
17・・・・表示素子、 191・・・・基準電4@一φ・・・・基準信号。 −157− =158= −159−
の表示装置の駆動波形図、第3図は従来の線順次法を用
いた表示装置のブロノク図、第4図〜第11図は特願昭
58−032169の駆動方法を説明するもので,第4
図は非線形抵抗素子を用いたNLH型アクティブ・マト
リクス表171′.:装置のブロノク図、第5図,第6
図は非線形抵抗素子の説明図とその特性図、第7図一第
8図はビデオ変調回路及び列電極駆動回路を示す回路図
と使用波形図一第9、10図は行電極駆動回路と使用波
形図,第11図は駆動波形図一第12図は本発明の表示
装置の一実施例のブロソク図,第13図は本発明の表示
装置の他の実施例のブロノク図一第14図は第12図の
実施例の3F而図一第15図は本発明に用(・る基暴信
号の波形図,第16図は液晶の誘電率対実効電圧の!祐
性図である。 X1〜XN・・・・列電極、Y1〜YM・・・・・・行
′亀−極一2.116・・・・スイノチング素子一11
17・・・・表示素子、 191・・・・基準電4@一φ・・・・基準信号。 −157− =158= −159−
Claims (3)
- (1)複数の行電極と複数の列電極と該両電極の交点毎
に設けられたスイッチング素子と、該スイノチング素子
に接続された表示素子よりなるマトリクス表示パネルと
、前記行電極に線順次走査信号を供給する行駆動回路と
−011記列電極にデ−タ信弓を供給ずる列駆動回路と
を有するマトリクス表示装置に於いて一誘電体層を介し
て前記列電極に対向した基準電極を設けると共に、該基
準電極に基準信号を供給する手段を有する事を特徴とす
るマトリクス表示装置。 - (2)表示素子は2枚の基板間に液晶が挾持されてなる
液晶表示素子であり、列電極は一方の基板上に設けられ
一基暴電極は液晶を誘電体層としてもう一方の基板上に
前記列電極に対向して設けられる事を特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のマ}リクス表示装置。 - (3)基単信号はその実効電圧値が液晶の閾値電圧より
も大きく、列電極と基準電極間の液晶層は励起されて(
・る小を特徴とする6許請求の範囲第2項記載の71・
リクス表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59042745A JPH061308B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | マトリクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59042745A JPH061308B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | マトリクス表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60186824A true JPS60186824A (ja) | 1985-09-24 |
JPH061308B2 JPH061308B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=12644549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59042745A Expired - Lifetime JPH061308B2 (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | マトリクス表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH061308B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6211829A (ja) * | 1985-03-28 | 1987-01-20 | Toshiba Corp | アクテイブマトリツクス形液晶表示装置 |
JPS6251210A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
JPS6269608A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58172626A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59042745A patent/JPH061308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58172626A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
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JPS6251210A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
JPS6269608A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH061308B2 (ja) | 1994-01-05 |
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