JPS60181268A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS60181268A JPS60181268A JP3607684A JP3607684A JPS60181268A JP S60181268 A JPS60181268 A JP S60181268A JP 3607684 A JP3607684 A JP 3607684A JP 3607684 A JP3607684 A JP 3607684A JP S60181268 A JPS60181268 A JP S60181268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- diameter
- sputtering target
- central part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタリングターゲットに係シ、特にターゲ
ットの構成に関するものである。
ットの構成に関するものである。
従来、スパッタリングに用いるターゲットは所定の組成
で構成された一定の厚さを有する一体の円板が用いられ
ている。そして、スパッタリングは周知のようにイオン
をターゲットに衝突させターゲット表面の分子を放出さ
せることによシ行なわれる。
で構成された一定の厚さを有する一体の円板が用いられ
ている。そして、スパッタリングは周知のようにイオン
をターゲットに衝突させターゲット表面の分子を放出さ
せることによシ行なわれる。
ところが、ターゲット表面からの分子の放出はターゲッ
ト表面全面から均一に行なわれず、ある特定の領域、す
なわち円板の周辺部分において著しく激しい。このため
、第１図に断面図で示すようにターゲット１の消耗は中
央部分１ａに比較して周辺部分１ｂで著るしい。このよ
うにターゲット１が同図に点線で示す周辺部分１ｂが消
耗すると、被着した膜の膜厚および膜質の不均一が生じ
、実用上不都合となシ、シたがって同図に示すように表
面に平担部１Ｃを有するターゲット１に取替を余儀なく
される。このことは特に枚葉処理スパッタの場合には頻
繁となり、製造コスト上昇の原因となっている。
ト表面全面から均一に行なわれず、ある特定の領域、す
なわち円板の周辺部分において著しく激しい。このため
、第１図に断面図で示すようにターゲット１の消耗は中
央部分１ａに比較して周辺部分１ｂで著るしい。このよ
うにターゲット１が同図に点線で示す周辺部分１ｂが消
耗すると、被着した膜の膜厚および膜質の不均一が生じ
、実用上不都合となシ、シたがって同図に示すように表
面に平担部１Ｃを有するターゲット１に取替を余儀なく
される。このことは特に枚葉処理スパッタの場合には頻
繁となり、製造コスト上昇の原因となっている。
しだがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、製造コスト
を低減させるスパッタリングターゲットを提供すること
にある。
れたものであり、その目的とするところは、製造コスト
を低減させるスパッタリングターゲットを提供すること
にある。
このような目的を達成するために本発明は、スパッタリ
ングターゲットを、均一微小消耗領域と大量消耗領域と
に分割して同一組成材料で製作し、組合せて一体化させ
、大量消耗領域のみを交換可能に構成したものである。
ングターゲットを、均一微小消耗領域と大量消耗領域と
に分割して同一組成材料で製作し、組合せて一体化させ
、大量消耗領域のみを交換可能に構成したものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明によるスパッタリン
グターゲットの一例を示す断面構成図、その平面図であ
る。同図において、ターゲット１０は、中央部分および
基体部分がそれぞｈ小、大の直径を有する円板状の第１
のターゲラ）１０ａと、この第１のターゲラ）ｌＱａの
周辺部分に嵌合された円環状の第２のターゲット１０ｂ
とから構成されており、この第１のターゲット１０ａお
よび第２のターゲット１０ｂは、ともに例えばＮｉ−Ｆ
ｅ合金材で形成され、両者は図示しない同一部材からな
るネジもしくはピン等により組合せ一体化されている。
グターゲットの一例を示す断面構成図、その平面図であ
る。同図において、ターゲット１０は、中央部分および
基体部分がそれぞｈ小、大の直径を有する円板状の第１
のターゲラ）１０ａと、この第１のターゲラ）ｌＱａの
周辺部分に嵌合された円環状の第２のターゲット１０ｂ
とから構成されており、この第１のターゲット１０ａお
よび第２のターゲット１０ｂは、ともに例えばＮｉ−Ｆ
ｅ合金材で形成され、両者は図示しない同一部材からな
るネジもしくはピン等により組合せ一体化されている。
すなわち均一微小消耗領域としての第１のターゲラＺＯ
ａと大量消耗領域としての第２のターゲット１０ｂとに
２分割して形成され、第２のターゲット１０ｂはネジも
しくはピンなどにより交換可能な状態で構成されている
。
ａと大量消耗領域としての第２のターゲット１０ｂとに
２分割して形成され、第２のターゲット１０ｂはネジも
しくはピンなどにより交換可能な状態で構成されている
。
次に具体例を用いて詳細に説明する。
まず、ターゲット１０の第１のターゲット１０Ｈの直径
Ｄｌを１００ｍｍ、全体の厚さＴｌを８ｍｍとし、また
第２のターゲット１０ｂの直径Ｉｈを２０９ｍｍ。
Ｄｌを１００ｍｍ、全体の厚さＴｌを８ｍｍとし、また
第２のターゲット１０ｂの直径Ｉｈを２０９ｍｍ。
その厚さＴ２を５ｍｍとし、両者の表面は均一な平面と
した。そして、このターゲット１０を用いてＲＦスパッ
タにより厚さ約２．０μｍの膜を連続して被着形成した
。この場合の被着回数と、膜厚ばらつきおよびターゲッ
ト１０の消耗との関係を第３図に示した。同図から明ら
かなようにスパッタ回数が約３００回程度から特性Ｉで
示すように膜厚のばらつきは大きくな）はしめ、約６０
０回程３一 度で約２倍となる。一方、ターゲット１０の消耗はスパ
ッタ回数約６００回程度で、第１のターゲット（均一消
耗領域）１０ａでは特性１ａに示すように約０．５ ｍ
ｍ 、第２のターゲット（大量消耗領域）１０ｂでは特
性１ｂに示すように２〜２．５ ｍｍとなシ、第１のタ
ーゲット（均一消耗領域）１０ａに比較して４〜５倍程
度に達する。
した。そして、このターゲット１０を用いてＲＦスパッ
タにより厚さ約２．０μｍの膜を連続して被着形成した
。この場合の被着回数と、膜厚ばらつきおよびターゲッ
ト１０の消耗との関係を第３図に示した。同図から明ら
かなようにスパッタ回数が約３００回程度から特性Ｉで
示すように膜厚のばらつきは大きくな）はしめ、約６０
０回程３一 度で約２倍となる。一方、ターゲット１０の消耗はスパ
ッタ回数約６００回程度で、第１のターゲット（均一消
耗領域）１０ａでは特性１ａに示すように約０．５ ｍ
ｍ 、第２のターゲット（大量消耗領域）１０ｂでは特
性１ｂに示すように２〜２．５ ｍｍとなシ、第１のタ
ーゲット（均一消耗領域）１０ａに比較して４〜５倍程
度に達する。
ここで、このターゲット１０の周辺部側に配設されてい
る第２のターゲラ） １０ｂのみを新規に取り替えて上
面を均一に平面化した後に前述と同様のスパッタを繰シ
返し、スパッタ回数ど膜厚のばらつきおよびターゲット
の消耗との関係をめたところ、第３図と全く同一の結果
が得られた。
る第２のターゲラ） １０ｂのみを新規に取り替えて上
面を均一に平面化した後に前述と同様のスパッタを繰シ
返し、スパッタ回数ど膜厚のばらつきおよびターゲット
の消耗との関係をめたところ、第３図と全く同一の結果
が得られた。
以上の構成から明らかなようにターゲット１０を２分割
し、大量消耗領域のみを、消耗量に応じて取シ替えれば
従来の如き一体構成からなるターゲットに比較して４〜
５倍程度寿命が長くな多、コストの面で極めて効果的で
ある。
し、大量消耗領域のみを、消耗量に応じて取シ替えれば
従来の如き一体構成からなるターゲットに比較して４〜
５倍程度寿命が長くな多、コストの面で極めて効果的で
ある。
なお、本発明は、ターゲットを２分割して消耗の著しい
周辺部分を交換することにあるが、重要４− な点は交換する部分の材料組成を常に同一とすることで
あり、ターゲットの製造において同一母材から製作する
。このとき、ターゲットの周辺部分を交換するので、大
きな母材が必要となる。これに対しては第４図に示すよ
うに第２図の第２のターゲット１０ｂをさらに３分割し
て第３のターゲット１０ｂｌ、第４のターゲット１０ｂ
２および第５のターゲラ）ｌＱｂｓで構成しても第３図
の場合と全く同一の結果が得られた。なお、ここでは３
分割したが、２分割もしくは４分割以上でも全く同様の
効果が得られることは言うまでもない。
周辺部分を交換することにあるが、重要４− な点は交換する部分の材料組成を常に同一とすることで
あり、ターゲットの製造において同一母材から製作する
。このとき、ターゲットの周辺部分を交換するので、大
きな母材が必要となる。これに対しては第４図に示すよ
うに第２図の第２のターゲット１０ｂをさらに３分割し
て第３のターゲット１０ｂｌ、第４のターゲット１０ｂ
２および第５のターゲラ）ｌＱｂｓで構成しても第３図
の場合と全く同一の結果が得られた。なお、ここでは３
分割したが、２分割もしくは４分割以上でも全く同様の
効果が得られることは言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、ターゲットを複数
分割して構成し、消耗の著しい部分のみを交換すること
ができるので、ターゲット自体のコストが安価となり、
したがって製造コストが大幅に低減できるという極めて
優れた効果が得られる。
分割して構成し、消耗の著しい部分のみを交換すること
ができるので、ターゲット自体のコストが安価となり、
したがって製造コストが大幅に低減できるという極めて
優れた効果が得られる。
第１図は従来のスパッタリングターゲットの−例を示す
要部断面図、第２図（ａ）、Φ）は本発明によるスパッ
タリングターゲットの一実施例を示す要部断面構成図、
その平面図、第３図はスパッタ回数に対する膜厚のばら
つきおよびターゲットの消耗の厚さの関係を示す図、第
４図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 １０命・・・スパッタリングターゲット、１０ａ・・・
・第１のターゲ゛ン）、１０ｂ・・・−第２のターゲッ
ト、１０ｂｌ・・ｅ・第３のターゲット、１Ｑｂ２ ＠
・・・第４のターゲット、１０ｂ８・・・・第５のター
ゲット。 ７一
要部断面図、第２図（ａ）、Φ）は本発明によるスパッ
タリングターゲットの一実施例を示す要部断面構成図、
その平面図、第３図はスパッタ回数に対する膜厚のばら
つきおよびターゲットの消耗の厚さの関係を示す図、第
４図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 １０命・・・スパッタリングターゲット、１０ａ・・・
・第１のターゲ゛ン）、１０ｂ・・・−第２のターゲッ
ト、１０ｂｌ・・ｅ・第３のターゲット、１Ｑｂ２ ＠
・・・第４のターゲット、１０ｂ８・・・・第５のター
ゲット。 ７一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一組成材料からなシかつ均一微小消耗領域と大量
消耗領域とに分割され、両者を組合せて一体構成してな
ることを特徴としたスパッタリングターゲット。 ２、前記微小消耗領域を円板状体とし、前記大量消耗領
域を円環状体としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のスパッタリングターゲット。 ３、前記円板状体の直径を前記円環状体の直径の０４〜
０．８倍としたことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3607684A JPS60181268A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3607684A JPS60181268A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181268A true JPS60181268A (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=12459646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3607684A Pending JPS60181268A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181268A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165567A (en) * | 1999-04-12 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Process of forming a semiconductor device |
| WO2007108313A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | アークイオンプレーティング方法及びこれに用いられるターゲット |
| WO2009157438A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社アルバック | カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置 |
| CN111519144A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-11 | 河南大学 | 一种应用于脉冲激光共沉积的靶托及安装方法 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3607684A patent/JPS60181268A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165567A (en) * | 1999-04-12 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Process of forming a semiconductor device |
| WO2007108313A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | アークイオンプレーティング方法及びこれに用いられるターゲット |
| KR101027879B1 (ko) | 2006-03-22 | 2011-04-07 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 아크 이온 플레이팅 방법 및 이것에 사용되는 타겟 |
| US8133365B2 (en) | 2006-03-22 | 2012-03-13 | Kobe Steel, Ltd. | Method of arc ion plating and target for use therein |
| WO2009157438A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 株式会社アルバック | カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置 |
| US8470145B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-25 | Ulvac, Inc. | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same |
| JP5717444B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2015-05-13 | 株式会社アルバック | カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置 |
| CN111519144A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-11 | 河南大学 | 一种应用于脉冲激光共沉积的靶托及安装方法 |
| CN111519144B (zh) * | 2020-05-19 | 2021-04-09 | 河南大学 | 一种应用于脉冲激光共沉积的靶托及安装方法 |
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