JPS601802A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS601802A JPS601802A JP11058783A JP11058783A JPS601802A JP S601802 A JPS601802 A JP S601802A JP 11058783 A JP11058783 A JP 11058783A JP 11058783 A JP11058783 A JP 11058783A JP S601802 A JPS601802 A JP S601802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- thermistor
- glass
- thermistor element
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ある。
渦流量計などにおいて温度検出器として用いられるサー
ミスタは、一般忙リード線が埋め込まれたガラス製のス
テムと、このステムの一方の面に配置されてリード線に
接続されたフレーク型のサーミスタ素子片と、この素子
片を覆ってステムの一方の面に設けられ、ステムト同’
1のガラスからなるカバーとで形成されている。
ミスタは、一般忙リード線が埋め込まれたガラス製のス
テムと、このステムの一方の面に配置されてリード線に
接続されたフレーク型のサーミスタ素子片と、この素子
片を覆ってステムの一方の面に設けられ、ステムト同’
1のガラスからなるカバーとで形成されている。
ところで、このようなサーミスタは、リード線を予め埋
め込んだステムの一方の面にサーミスタ素子片を配置し
、その素子片とリード線とを導電性ペーストの焼成でも
って接続した後に、粉末ガラス入りのペースト焼成でも
ってステムの一方の面にカバーを形成して製造される。
め込んだステムの一方の面にサーミスタ素子片を配置し
、その素子片とリード線とを導電性ペーストの焼成でも
って接続した後に、粉末ガラス入りのペースト焼成でも
ってステムの一方の面にカバーを形成して製造される。
しかしながら、このようなサーミスタでは、カバー形成
の焼成時にステムの溶融が生じ、リード線のステムによ
る保持が悪くな如、リード線がステムから脱落し、リー
ド線に接続されたサーミスタ素子片が破損される慮れが
ある。したがって、サーミスタの製造方法としては製品
の歩留抄が悪く、まな製品の信頼性に問題がある。
の焼成時にステムの溶融が生じ、リード線のステムによ
る保持が悪くな如、リード線がステムから脱落し、リー
ド線に接続されたサーミスタ素子片が破損される慮れが
ある。したがって、サーミスタの製造方法としては製品
の歩留抄が悪く、まな製品の信頼性に問題がある。
さらにまた、サーミスタのカバー形成の焼成時にリード
線の脱落が起きないように、保護膜のガラスは低軟化点
のものを使用しなければならない。低軟化点ガラスは結
合力の弱い成分、例えばPbO2を多量に含有している
ために、耐水性や耐薬品性に弱い欠点がある。さらにま
た、サーミスタのカバー形成の焼成時に1低融点の保護
膜ガラスを使用するため、焼成温度が低く、したがって
保護膜中の脱気を完全に行なうことが困難であるので、
サーミスタの感温精度を悪くする欠点が指摘される。
線の脱落が起きないように、保護膜のガラスは低軟化点
のものを使用しなければならない。低軟化点ガラスは結
合力の弱い成分、例えばPbO2を多量に含有している
ために、耐水性や耐薬品性に弱い欠点がある。さらにま
た、サーミスタのカバー形成の焼成時に1低融点の保護
膜ガラスを使用するため、焼成温度が低く、したがって
保護膜中の脱気を完全に行なうことが困難であるので、
サーミスタの感温精度を悪くする欠点が指摘される。
本発明は前記の問題点を解決するためになされ九もので
あって、その目的とするところは、製造中にリード線が
ステムから脱落するととがなく、かつ、サーミスタ素子
を覆うガラス被膜の作業温度を充分に高くしうるサーミ
スタの製造方法を提供するととKある。
あって、その目的とするところは、製造中にリード線が
ステムから脱落するととがなく、かつ、サーミスタ素子
を覆うガラス被膜の作業温度を充分に高くしうるサーミ
スタの製造方法を提供するととKある。
以下、本発明を図面とともに説明する。
第1図および第2図において、アルミナ(Al 20a
)等のセラミック材料を生地のままの状態で加圧成形
した円筒状ステム1には、予め一対の貫通孔2a、2b
を形成しておく。この貫通孔2a、2bにそれぞれのリ
ード線3a。
)等のセラミック材料を生地のままの状態で加圧成形
した円筒状ステム1には、予め一対の貫通孔2a、2b
を形成しておく。この貫通孔2a、2bにそれぞれのリ
ード線3a。
3bを通しておいて焼成すると、Al g03 は焼結
によりステム1が収縮して、第3図および第4図に示す
ように、リード線3a、3bt強固に緊締したステム1
を製造することができる。
によりステム1が収縮して、第3図および第4図に示す
ように、リード線3a、3bt強固に緊締したステム1
を製造することができる。
このようにしで焼成されたステム1の一方の面、例えば
13面に露出した一対のリード線3a。
13面に露出した一対のリード線3a。
3bの端面3’a 、 3’b□に接続するようにサー
ミスタ素子4を導電性ペースト5a、5b でマウント
し、導電性ペースト5a、5bを焼成する。
ミスタ素子4を導電性ペースト5a、5b でマウント
し、導電性ペースト5a、5bを焼成する。
さらに前記サーミスタ素子4を被覆するカッよ一ガラス
6として、例えば軟化点595℃、作業点620℃を有
する日本電気硝子■製のGA−1等の粉末ガラスペース
トを印刷する。このようにして、前記カバーガラス6の
規定された作業温度より20〜30%高い温度でカッζ
−ガラス6の焼成作業を行うと、サーミスタ素子4のカ
バーガラス6には全く気泡がなく表面が滑拵らかな保護
膜が形成される。
6として、例えば軟化点595℃、作業点620℃を有
する日本電気硝子■製のGA−1等の粉末ガラスペース
トを印刷する。このようにして、前記カバーガラス6の
規定された作業温度より20〜30%高い温度でカッζ
−ガラス6の焼成作業を行うと、サーミスタ素子4のカ
バーガラス6には全く気泡がなく表面が滑拵らかな保護
膜が形成される。
以上のように構成されているので、%気的絶縁性の高い
AI 20a材からなるステム1には、pt線等の金属
製のリード線3a、3bが強固に埋め込まれており、リ
ード線3a、3bの一端はAu、Ag−Pd、またはP
t等からなる導電性ベース)5a%5bを介してそれぞ
れサーミスタ素子4に電気的に接続されている。この場
合、ステム1の一方の面1aに配置されたサーミスタ素
子4と導電性ペースト5g、5bとを被覆するカッ(−
ガラス6の焼成作業は、ステムlの軟化温度よりも低い
作業温度を有するガラスが使用されなければならない。
AI 20a材からなるステム1には、pt線等の金属
製のリード線3a、3bが強固に埋め込まれており、リ
ード線3a、3bの一端はAu、Ag−Pd、またはP
t等からなる導電性ベース)5a%5bを介してそれぞ
れサーミスタ素子4に電気的に接続されている。この場
合、ステム1の一方の面1aに配置されたサーミスタ素
子4と導電性ペースト5g、5bとを被覆するカッ(−
ガラス6の焼成作業は、ステムlの軟化温度よりも低い
作業温度を有するガラスが使用されなければならない。
この点で本発明に係るAl 203製のステム1は焼成
温度は最高1500℃位であり、従来のガラス製ステム
(例えば旭硝子■製のA3P2O1では、軟化点650
℃、作業点1.015℃程度)の軟化温度と比較して、
850℃程度も高い作業温度でカバーガラス6の焼成作
業が可能となる。これにより、カバーガラス6は均一で
安定した薄い被膜とすることができ、外部温度の変化を
カバーガラス6t−介して素早くサーミスタ素子片4に
伝達することができる。
温度は最高1500℃位であり、従来のガラス製ステム
(例えば旭硝子■製のA3P2O1では、軟化点650
℃、作業点1.015℃程度)の軟化温度と比較して、
850℃程度も高い作業温度でカバーガラス6の焼成作
業が可能となる。これにより、カバーガラス6は均一で
安定した薄い被膜とすることができ、外部温度の変化を
カバーガラス6t−介して素早くサーミスタ素子片4に
伝達することができる。
第5図に示すサーミスタは第4図に示すサーミスタより
も更にサーミスタ素子片4の温度変化に対する感度を向
上させた実施例を示す。なお、第5図中、第4図と同一
構成については同一符号を付してその説明を省略する。
も更にサーミスタ素子片4の温度変化に対する感度を向
上させた実施例を示す。なお、第5図中、第4図と同一
構成については同一符号を付してその説明を省略する。
第5図のサーミスタにおいては、酸化ペリ1ノウム(B
ed) 等の熱伝導性の極めて良好な材料からなる冷却
フィン7が設けられている。この冷却フィン7は、一端
側がカッ(−ガラス6によシ保持されると共にその端面
がサーミスタ素子片4に当接し、他端側がカバーガラス
6の表面より外部に突出するように配置、固定されてい
る。
ed) 等の熱伝導性の極めて良好な材料からなる冷却
フィン7が設けられている。この冷却フィン7は、一端
側がカッ(−ガラス6によシ保持されると共にその端面
がサーミスタ素子片4に当接し、他端側がカバーガラス
6の表面より外部に突出するように配置、固定されてい
る。
このように構成したサーミスタに、リード線3a、3b
を通して電流を流すと、サーミスタ素子片4は周囲温度
に対し、所定温度だけ上昇する。しかし、カバーガラス
6の表面に流れ等があると周囲温度が変化する。この温
度変化の一部は第4図のものと同じくカバーガラス6を
介して、また、他の一部は熱伝導性のよい冷却フィン7
を介して直ちにサーミスタ素子片4に伝達される。した
がりて、冷却フィン7により周囲温度の変化を素早くサ
ーミスタ素子片4に伝達でき、応答性を高めることがで
きる。
を通して電流を流すと、サーミスタ素子片4は周囲温度
に対し、所定温度だけ上昇する。しかし、カバーガラス
6の表面に流れ等があると周囲温度が変化する。この温
度変化の一部は第4図のものと同じくカバーガラス6を
介して、また、他の一部は熱伝導性のよい冷却フィン7
を介して直ちにサーミスタ素子片4に伝達される。した
がりて、冷却フィン7により周囲温度の変化を素早くサ
ーミスタ素子片4に伝達でき、応答性を高めることがで
きる。
以上、説明した如く、本発明に係るサーミスタの製造方
法によれば、Al2O3等のセラミック材料からなるス
テムにリード線を強固に緊締させることができ、また、
ステムはAl2O3等のセラミック材料を焼成(最高1
500℃)したものであるから、耐熱性が良く、カバー
ガラスとして使用する材料の選択の幅を拡大できると共
にカバーガラスの作業温度を十分に高く選択可能となり
、保護膜中の気泡も完全に脱気され、表面が滑らかな保
護膜が形成される。したがって耐食性等圧優れた信頼性
の高いサーミスタを提供できる効果を奏するものである
。
法によれば、Al2O3等のセラミック材料からなるス
テムにリード線を強固に緊締させることができ、また、
ステムはAl2O3等のセラミック材料を焼成(最高1
500℃)したものであるから、耐熱性が良く、カバー
ガラスとして使用する材料の選択の幅を拡大できると共
にカバーガラスの作業温度を十分に高く選択可能となり
、保護膜中の気泡も完全に脱気され、表面が滑らかな保
護膜が形成される。したがって耐食性等圧優れた信頼性
の高いサーミスタを提供できる効果を奏するものである
。
第1.2図は本発明の一実施例について、加圧成形され
たサーミスタの焼成以前の状態を説明したものであって
、第1図はその平面図、第2図は第1図記載X−X@の
縦断面路、第3.4図は第2図記載のサーミスタを焼成
した後、サーミスタ素子の装着状態を説明した縦断面図
、第5図はサーミスタの他の実施例を示す縦断面図であ
る。 1・・・ステム 2a、2b・・・貫通孔、3a 、
3b・・・リード線、 4・・・サーミスタ素子5a、
5b・・・痺電性ペースト 6・・・カバーガラス 代理人 岡田喜久夫 才S図
たサーミスタの焼成以前の状態を説明したものであって
、第1図はその平面図、第2図は第1図記載X−X@の
縦断面路、第3.4図は第2図記載のサーミスタを焼成
した後、サーミスタ素子の装着状態を説明した縦断面図
、第5図はサーミスタの他の実施例を示す縦断面図であ
る。 1・・・ステム 2a、2b・・・貫通孔、3a 、
3b・・・リード線、 4・・・サーミスタ素子5a、
5b・・・痺電性ペースト 6・・・カバーガラス 代理人 岡田喜久夫 才S図
Claims (1)
- 焼成前のセラミック材料からなり一対のリード線が挿通
されたステムを仮形成し、該ステムを焼成してセラミッ
ク材料の収縮作用により前記リード線を前記ステムに緊
締させ、前記ステムの一面に前記リード線と電気的に導
通状3態としてサーミスタ素子を配置し、該サーミスタ
素子を覆って前記ステムの一面にガラス被膜を施してな
るサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11058783A JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11058783A JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS601802A true JPS601802A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14539631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11058783A Pending JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS601802A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0564744U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-27 | 株式会社チノー | 温度素子 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11058783A patent/JPS601802A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0564744U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-27 | 株式会社チノー | 温度素子 |
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