JP2645153B2 - 薄膜温度センサー素子 - Google Patents

薄膜温度センサー素子

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JP2645153B2
JP2645153B2 JP20652589A JP20652589A JP2645153B2 JP 2645153 B2 JP2645153 B2 JP 2645153B2 JP 20652589 A JP20652589 A JP 20652589A JP 20652589 A JP20652589 A JP 20652589A JP 2645153 B2 JP2645153 B2 JP 2645153B2
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thin
film
thin film
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temperature sensor
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千春 石倉
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は被測定物の表面温度を測定する薄膜温度セン
サー素子に関する。
(従来の技術) 従来の薄膜温度センサー素子は、第6図に示す如くAl
N、Al2O3等の基板1の一面に、Pt等の薄膜測温抵抗体2
が設けられ、その両端に薄膜リード線3が接続して設け
られ、その薄膜リード線3の両端に形成された端子部4
に各々Pt等より成る出力取出用ワイヤー5が取付けられ
たものである。
斯かる構成の薄膜温度センサー素子6は、被測定物の
表面温度を測定する際、第7図に示す如く被測定物7の
表面に基板1の他面を接触させて測定するか、または第
8図に示す如く被測定物7の表面に薄膜測温抵抗体2を
接触させて測定するかしている。
(発明が解決しようとする課題) ところで、第7図に示す測温の方法では、薄膜測温抵
抗体2と被測定物7との間に基板1が介在する為、熱応
答性が悪く、また薄膜測温抵抗体2の表面が外気にさら
されている為大きな温度勾配が生じ、その結果常温から
100℃の範囲内での測温で薄膜測温抵抗体2の抵抗値に
1%の誤差が生じ、正確な測温ができなかった。また第
8図に示す測温の方法では、図示の如く出力取出用ワイ
ヤー5が邪魔になって薄膜測温抵抗体2を被測定物7に
うまく接触できず、端子部3側が浮き上がって正しい測
温ができなかった。
そこで本発明は、薄膜測温抵抗体を被測定物の表面に
直接密着させて正確に測温できる薄膜温度センサー素子
を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決するための本発明の薄膜温度センサー
素子は、基板の一面に、両端薄膜リード線付薄膜測温抵
抗体又は薄膜熱電対が設けられ、該薄膜リード線又は薄
膜熱電対の両端部位置にて夫々基板の他面に端子用薄膜
が設けられ、各端子用薄膜と前記薄膜リード線又は薄膜
熱電対の両端部とが基板に穿設せる貫通孔の内面に設け
られた薄膜にて接続され、各端子用薄膜に出力取出用ワ
イヤーが取付けられていることを特徴とするものであ
る。
(作用) 上述の如く構成された本発明の薄膜温度センサー素子
は、出力取出用ワイヤーが取付けられている端子用薄膜
が薄膜測温抵抗体又は薄膜熱電対とは反対側の面に設け
られ、薄膜測温抵抗体又は薄膜熱電対はフラットである
ので、被測定物の表面温度を測定する際、薄膜測温抵抗
体又は薄膜熱電対を直接被測定物の表面に密着させるこ
とができる。従って熱応答性が良く、また薄膜測温抵抗
体又は薄膜熱電対の表面が外気にさらされないので、被
測定物の表面温度を正確に測定できる。
(実施例) 本発明の薄膜温度センサー素子の一実施例を図によっ
て説明する。第1図に示す如く幅20mm、長さ30mm、厚さ
1mmのAlN基板10の一端部に、内径2mmの貫通孔11をレー
ザー加工(超音波加工でも良い)により2個並べて穿設
した。次にこのAlN基板10の一面及び貫通孔11にスパッ
タリングにてPtを0.3μmコーティングした後、パター
ニングを行って第2図に示す如く薄膜リード線12の左端
間に位置させた幅0.1mm、長さ10mmで抵抗値R=100Ωの
薄膜測温抵抗体13を形成した。次いでAlN基板10の他面
の貫通孔11を含む位置にスパッタリングにてPtを1μm
コーティングして幅5mm、長さ8mmの2個の端子用薄膜14
を形成した。然る後各端子用薄膜14に、第4図に示す如
く線径0.5mmの焼鈍上がりのPtより成る出力取出用ワイ
ヤー15をPtペーストにより焼成固定して接続し、薄膜温
度センサー素子16を作った。
こうして作った実施例の薄膜温度センサー素子16は、
薄膜測温抵抗体13がフラットで、出力取出用ワイヤー15
を取付けた端子用薄膜14は反対面にあるので、薄膜測温
抵抗体13を第5図に示す如く被測定物7の表面に直接隙
間無く密着させて表面温度を測定でき、従ってこの温度
測定においては薄膜測温抵抗体13の熱応答性が良く、ま
た薄膜測温抵抗体13の表面が外気にさらされない為、正
確に被測定物の表面温度を測定できた。そして常温から
100℃の範囲内での被測定物7の表面温度の測定におい
て薄膜測温抵抗体13の抵抗値は0.5%以内の誤差を維持
していた。
尚、上記実施例の薄膜温度センサー素子16の基板10は
AlNより成るが、Al2O3、SiO2等でも良いものである。ま
た基板10の貫通孔11は、グリーンシート状に穴を明け、
焼成しても良い。さらに出力取出用ワイヤー15はPtに限
るものではなく、薄膜温度センサー素子16の使用温度に
よって、Cu、Au等が用いられるものである。
また、上記実施例は被測定物6が絶縁物の場合の例で
あるが、被測定物6が金属等の導電物の場合は、薄膜リ
ード線12及び薄膜測温抵抗体13の表面にAlN、Al2O3、Si
O2等の絶縁薄膜(0.1μm程度)をコーティングしてお
くことにより正確な測温が可能となる。更に、上記実施
例では薄膜測温抵抗体の場合について述べたが、これに
限るものではなく薄膜熱電対の場合についても同様の効
果の得られるものである。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明の薄膜温度センサー素
子は、薄膜測温抵抗体又は薄膜熱電対がフラットで、出
力取出用ワイヤーが取付けられている端子用薄膜が反対
側の面に設けられているので、被測定物の表面に薄膜測
温抵抗体又は薄膜熱電対を直接密着させることができ
て、熱応答性が良く、また薄膜測温抵抗体又は薄膜熱電
対の表面が外気にさらされず、従って被測定物の表面温
度を正確に測定できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の薄膜温度センサー素子の一
実施例の製作工程図、第5図は本発明の薄膜温度センサ
ー素子により被測定物の表面温度を測定する状態を示す
図、第6図は従来の薄膜温度センサー素子を示す図、第
7、8図は夫々その薄膜温度センサー素子により被測定
物の表面温度を測定する状態を示す図である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の一面に、両端薄膜リード線付薄膜測
    温抵抗体又は薄膜熱電対が設けられ、該薄膜リード線又
    は薄膜熱電対の両端部位置にて夫々基板の他面に端子用
    薄膜が設けられ、各端子用薄膜と前記薄膜リード線又は
    薄膜熱電対の両端部とが基板に穿設せる貫通孔の内面に
    設けられた薄膜にて接続され、各端子用薄膜に出力取出
    用ワイヤーが取付けられていることを特徴とする薄膜温
    度センサー素子。
JP20652589A 1989-08-09 1989-08-09 薄膜温度センサー素子 Expired - Lifetime JP2645153B2 (ja)

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