JPS60175417A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60175417A JPS60175417A JP3064284A JP3064284A JPS60175417A JP S60175417 A JPS60175417 A JP S60175417A JP 3064284 A JP3064284 A JP 3064284A JP 3064284 A JP3064284 A JP 3064284A JP S60175417 A JPS60175417 A JP S60175417A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、とぐに半導体基板と導
電層のコンタクトを形成する方法に関するものである。
電層のコンタクトを形成する方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、半導体集積回路装置の製造においては、シリコン
基板上に形成された不純物拡散層に多結晶シリコン層を
コンタクトする方法は一般的に用いられている。しかし
ながら、多結晶シリコン膜を成長する前に、コンタクト
窓部分の上記拡散層（シリコン基板）表面に自然酸化膜
（ＳｉＯｚ）が成長しやすく、コンタクト抵抗が増大す
るという問題が生じることが多い。
基板上に形成された不純物拡散層に多結晶シリコン層を
コンタクトする方法は一般的に用いられている。しかし
ながら、多結晶シリコン膜を成長する前に、コンタクト
窓部分の上記拡散層（シリコン基板）表面に自然酸化膜
（ＳｉＯｚ）が成長しやすく、コンタクト抵抗が増大す
るという問題が生じることが多い。
初めに従来技術を第１図を参照して説明する。
尚、便宜のため、半導体基板がｐ型シリコンで、ｎ型拡
散層にリンを含有した多結晶シリコン層をコンタクトす
る場合について説明する。まず、ホトレジストをマスク
にして、ｐ型シリコン基板１上に形成された酸化ケイ素
膜３をエツチングし、ｐ型シリコン基板１中のｎ型拡散
層２上にコンタクト窓４を開孔する。この後、ホトレジ
ストを除去した後、弗酸系水溶液を用いて洗浄する〔第
１図（ａ）〕。次に、多結晶シリコン膜を成長するため
化学気相成長装置の石英チューブ内に投入する。
散層にリンを含有した多結晶シリコン層をコンタクトす
る場合について説明する。まず、ホトレジストをマスク
にして、ｐ型シリコン基板１上に形成された酸化ケイ素
膜３をエツチングし、ｐ型シリコン基板１中のｎ型拡散
層２上にコンタクト窓４を開孔する。この後、ホトレジ
ストを除去した後、弗酸系水溶液を用いて洗浄する〔第
１図（ａ）〕。次に、多結晶シリコン膜を成長するため
化学気相成長装置の石英チューブ内に投入する。
尚、石英チューブ内の温度は一般に６００℃前後に保た
れている〔第１図（ｂ）〕。この後ただちに、石英チュ
ーブ内にシラン（ＳｉＨ４）ガスを流入し、多結晶シリ
コン膜を成長した後、この多結晶シリコン膜にリンを熱
拡散し、フォトレジストをマスクにしたエツチングによ
り多結晶シリコン層６を形成する〔第１図（Ｃ）〕。
れている〔第１図（ｂ）〕。この後ただちに、石英チュ
ーブ内にシラン（ＳｉＨ４）ガスを流入し、多結晶シリ
コン膜を成長した後、この多結晶シリコン膜にリンを熱
拡散し、フォトレジストをマスクにしたエツチングによ
り多結晶シリコン層６を形成する〔第１図（Ｃ）〕。
しかしながら、上述のような従来方法では、弗酸系水溶
液を用いて洗浄した後、シリコン基板ノ・−が空気中に
放置される間、また、気装成長炉にシリコンウェハーが
投入される間に、コンタクト窓４部分におけるｎ型拡散
層２上に自然酸化膜（酸化ケイ素）５が成長し、この自
然酸化膜５がｎ型拡散層２とｎ型多結晶シリコ７層６の
間のバリアーとなるため、コンタクト抵抗が非常に高く
なるという問題が生じる。例えば、６μｍ×６μｍの大
きさのコンタクト窓の場合、その抵抗は１にΩ以上とな
ることがしばしばである。
液を用いて洗浄した後、シリコン基板ノ・−が空気中に
放置される間、また、気装成長炉にシリコンウェハーが
投入される間に、コンタクト窓４部分におけるｎ型拡散
層２上に自然酸化膜（酸化ケイ素）５が成長し、この自
然酸化膜５がｎ型拡散層２とｎ型多結晶シリコ７層６の
間のバリアーとなるため、コンタクト抵抗が非常に高く
なるという問題が生じる。例えば、６μｍ×６μｍの大
きさのコンタクト窓の場合、その抵抗は１にΩ以上とな
ることがしばしばである。
発明の目的
本発明は常に抵抗の低いコンタクトを形成できる半導体
装置の製造方法を提供するものである。
装置の製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、シリコンウェハーを気相成長炉に投入した後
、多結晶シリコン膜を成長する前に、気相成長炉内に塩
化水素（ＨＣ＃）ガスを流入するととにより、コンタク
ト窓部分に成長した自然酸化膜をエツチングする。これ
により、コンタクト抵抗の低減が可能となる。
、多結晶シリコン膜を成長する前に、気相成長炉内に塩
化水素（ＨＣ＃）ガスを流入するととにより、コンタク
ト窓部分に成長した自然酸化膜をエツチングする。これ
により、コンタクト抵抗の低減が可能となる。
実施例の説明
第２図に従って、本発明の製造方法を詳しく説明する。
１ず、ｐ型シリコン基板１上に形成された酸化ケイ素膜
３をホトレジストをマスクにしてエツチングし、ｐ型シ
リコン基板１中のｎ型拡散層２上にコンタクト窓４を開
孔する。この後、ホトレジストを除去した後、弗酸水溶
液を用いて洗浄する〔第２図（ａ）〕。次に、多結晶シ
リコン膜を成長するため、化学気相成長装置の石英チュ
ーブ内に投入する。尚、この時、石英チューブ内の温度
は約６２０℃に保たれており、投入時は、チューブ内に
Ｎ２ガスを流入するが、外気のチューブ内への巻き込み
のため、更に、チューブ内に投入する前の空気中におけ
る自然酸化のために、コンタクト窓において自然酸化膜
（酸化ケイ素）６が成長する〔第２図（ｂ）〕。この後
、チューブ内に例えば１５秒間塩化水素（Ｈｕ）カスを
流し、自然酸化膜５をエツチングする。尚、この時当然
、若干の酸化ケイ素膜３もエツチングされる（第２図（
Ｃ） ）。
３をホトレジストをマスクにしてエツチングし、ｐ型シ
リコン基板１中のｎ型拡散層２上にコンタクト窓４を開
孔する。この後、ホトレジストを除去した後、弗酸水溶
液を用いて洗浄する〔第２図（ａ）〕。次に、多結晶シ
リコン膜を成長するため、化学気相成長装置の石英チュ
ーブ内に投入する。尚、この時、石英チューブ内の温度
は約６２０℃に保たれており、投入時は、チューブ内に
Ｎ２ガスを流入するが、外気のチューブ内への巻き込み
のため、更に、チューブ内に投入する前の空気中におけ
る自然酸化のために、コンタクト窓において自然酸化膜
（酸化ケイ素）６が成長する〔第２図（ｂ）〕。この後
、チューブ内に例えば１５秒間塩化水素（Ｈｕ）カスを
流し、自然酸化膜５をエツチングする。尚、この時当然
、若干の酸化ケイ素膜３もエツチングされる（第２図（
Ｃ） ）。
次に、Ｎ２カスをチューブ内に流入し、塩化水素カスを
放出した後、ＳｉＨ４ガスを流して多結晶シリコン膜を
成長し、この多結晶シリコン膜にリンを熱拡散した後、
フォトレジストをマスクにしてエツチングすることによ
って多結晶シリコン層６を形成する〔第２図（ｄ）〕。
放出した後、ＳｉＨ４ガスを流して多結晶シリコン膜を
成長し、この多結晶シリコン膜にリンを熱拡散した後、
フォトレジストをマスクにしてエツチングすることによ
って多結晶シリコン層６を形成する〔第２図（ｄ）〕。
発明の効果
本発明によれば、多結晶シリコン膜を成長する直前に、
塩化水素ガスによってコンタクト窓部分に成長した自然
酸化膜をエツチングするため、ｎ型拡散層とｎ型ポリシ
リコン層間のコンタクト部分に酸化ケイ素から成るバリ
アーが存在しなくなるだめ、コンタクト抵抗の低減が可
能となる。本実施例の場合、６μｍ×６μｍの大きさの
コンタクトの抵抗は常に、１０Ω程度のものが得られた
。
塩化水素ガスによってコンタクト窓部分に成長した自然
酸化膜をエツチングするため、ｎ型拡散層とｎ型ポリシ
リコン層間のコンタクト部分に酸化ケイ素から成るバリ
アーが存在しなくなるだめ、コンタクト抵抗の低減が可
能となる。本実施例の場合、６μｍ×６μｍの大きさの
コンタクトの抵抗は常に、１０Ω程度のものが得られた
。
尚、本実施例の場合、自然酸化膜をエツチングするガス
として塩化水素を用いだが、弗化水素その他のハロゲン
を含むガスを用いても同様の効果が期待できることは明
らかである。
として塩化水素を用いだが、弗化水素その他のハロゲン
を含むガスを用いても同様の効果が期待できることは明
らかである。
また、本実施例では、シリコン基板に多結晶シリコン層
がコンタクトする場合について説明したが、金属シリコ
ン化物層を気相成長することによりシリコン基板とコン
タクトする場合についても同様の効果が期待できる。
がコンタクトする場合について説明したが、金属シリコ
ン化物層を気相成長することによりシリコン基板とコン
タクトする場合についても同様の効果が期待できる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来技術を説明するだめの工程
断面図、第２図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の一実施例を説
明するだめの工程断面図である。 １・・・・・・ｐ型シ’Ｊコン基板、２・・・・・・ｎ
型拡散層、３・・・・・・酸化ケイ素膜、４・・・・・
・コンタクト窓、６・・・・・・自然酸化膜（酸化ケイ
素）、６・・・・・・ｎ型多結晶シリコン層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第２図
断面図、第２図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の一実施例を説
明するだめの工程断面図である。 １・・・・・・ｐ型シ’Ｊコン基板、２・・・・・・ｎ
型拡散層、３・・・・・・酸化ケイ素膜、４・・・・・
・コンタクト窓、６・・・・・・自然酸化膜（酸化ケイ
素）、６・・・・・・ｎ型多結晶シリコン層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成したのち、前記絶縁膜にコ
ンタクト窓を形成する工程、前記コンタクト窓を含む全
面をノ・ロゲン化物ガスによってエツチングしたのち、
連続的に前記コンタクト窓に接触する導電層膜を形成す
る工程をそなえた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064284A JPS60175417A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064284A JPS60175417A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175417A true JPS60175417A (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12309482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064284A Pending JPS60175417A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175417A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01136342A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-05-29 | Ncr Corp | 半導体製造方法および窒化物のデポジション方法 |
| US5096840A (en) * | 1990-08-15 | 1992-03-17 | At&T Bell Laboratories | Method of making a polysilicon emitter bipolar transistor |
| KR20030078548A (ko) * | 2002-03-30 | 2003-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 콘택플러그 형성 방법 |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP3064284A patent/JPS60175417A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01136342A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-05-29 | Ncr Corp | 半導体製造方法および窒化物のデポジション方法 |
| US5096840A (en) * | 1990-08-15 | 1992-03-17 | At&T Bell Laboratories | Method of making a polysilicon emitter bipolar transistor |
| KR20030078548A (ko) * | 2002-03-30 | 2003-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 콘택플러그 형성 방법 |
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