JPS60169707A - 表面状態測定装置 - Google Patents
表面状態測定装置Info
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- JPS60169707A JPS60169707A JP2448584A JP2448584A JPS60169707A JP S60169707 A JPS60169707 A JP S60169707A JP 2448584 A JP2448584 A JP 2448584A JP 2448584 A JP2448584 A JP 2448584A JP S60169707 A JPS60169707 A JP S60169707A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、測定面の粗さとか非球面の様子を光学的に測
定する装置、特に非点収差素子を用l/Aる合焦検出光
学系を利用した表面状態測定装置に関するものである。
定する装置、特に非点収差素子を用l/Aる合焦検出光
学系を利用した表面状態測定装置に関するものである。
(従来技術)
半導体材料や磁気ヘッド材料等の研摩面には極めて正確
な表面精度が要求される。このような材料の表面精度を
測定するには、触診型の表面粗さ測定方法では正確に測
定できず、光学的測定方法1によらなければならない。
な表面精度が要求される。このような材料の表面精度を
測定するには、触診型の表面粗さ測定方法では正確に測
定できず、光学的測定方法1によらなければならない。
光学的測定方法の一つとして、光源から発した光束を対
物レンズで微小なスポットとして収束させて測定すべき
表面上に投射し、測定面からの反射光を非点収差素子を
介して受光することにより焦点状態を検出する合焦「・
・検出光学系を用いる方法が考えられるが、この方法は
表面状態を高い分解能で正確に測定でき、正確な表面精
度が要求される物体表面の表面状態を測定するのに極め
て有用である。
物レンズで微小なスポットとして収束させて測定すべき
表面上に投射し、測定面からの反射光を非点収差素子を
介して受光することにより焦点状態を検出する合焦「・
・検出光学系を用いる方法が考えられるが、この方法は
表面状態を高い分解能で正確に測定でき、正確な表面精
度が要求される物体表面の表面状態を測定するのに極め
て有用である。
第1図はこのような非点収差素子を用いる従来1の合焦
検出光学系を利用した表面状態測定装置の構成を示す線
図である。光源1から発した光束をハーフミラ−2と対
物レンズ8を経て微小スポットとして収束させて測定面
4上に垂直に投射する。
検出光学系を利用した表面状態測定装置の構成を示す線
図である。光源1から発した光束をハーフミラ−2と対
物レンズ8を経て微小スポットとして収束させて測定面
4上に垂直に投射する。
測定面令で反射された光束は対物レンズ8で集光・・さ
れ、ハーフミラ−2で反射された後、非点収差素子であ
るシリンドリカルレンズ5を経て、対物レンズ8の焦平
面近傍に配置されている光検出器6に入射する。この光
検出器6は4分割した構成とし、各素子6a〜6d上に
測定面4で反射されたビームスポットのパターンが投影
される。尚、破線はシリンドリカルレンズ5がない場合
の結像状態を示している。このビームスポットのバタ・
−ンは、測定面4が基準位置にあるときは光検出器6の
中心0を中心とした円形パターンとなり、測定面4が基
準位置より上下するとシリンドリカルレンズ5の作用に
より長軸と短軸がそれぞれ逆向きの楕円形のパターンと
なる。すなわち、測定面4に凹凸が存在して測定面4が
基準位置より光軸方向に上下すると、この先軸方向の距
離の変位量影されることになる。そして、各素子6a〜
6dの光電力を演算処理することにより測定面会の変位
量がデフォーカス量として算出される。4個の素子6a
〜6dからの光電出力をIa y Ib t 工C及び
工dとし、デフォーカス量をDとすると、となる。この
(1)式でまるデフォーカス量りと測定面4の変位量と
はけばリニアな関係となるので、デフォーカス量りを検
出することにより測定面4の表面状態を正確に測定する
ことができる。
れ、ハーフミラ−2で反射された後、非点収差素子であ
るシリンドリカルレンズ5を経て、対物レンズ8の焦平
面近傍に配置されている光検出器6に入射する。この光
検出器6は4分割した構成とし、各素子6a〜6d上に
測定面4で反射されたビームスポットのパターンが投影
される。尚、破線はシリンドリカルレンズ5がない場合
の結像状態を示している。このビームスポットのバタ・
−ンは、測定面4が基準位置にあるときは光検出器6の
中心0を中心とした円形パターンとなり、測定面4が基
準位置より上下するとシリンドリカルレンズ5の作用に
より長軸と短軸がそれぞれ逆向きの楕円形のパターンと
なる。すなわち、測定面4に凹凸が存在して測定面4が
基準位置より光軸方向に上下すると、この先軸方向の距
離の変位量影されることになる。そして、各素子6a〜
6dの光電力を演算処理することにより測定面会の変位
量がデフォーカス量として算出される。4個の素子6a
〜6dからの光電出力をIa y Ib t 工C及び
工dとし、デフォーカス量をDとすると、となる。この
(1)式でまるデフォーカス量りと測定面4の変位量と
はけばリニアな関係となるので、デフォーカス量りを検
出することにより測定面4の表面状態を正確に測定する
ことができる。
しかし、物体表面の凹凸面は傾斜している場合が多いた
め、測定面4が光軸に対して傾斜しても光軸方向の変位
量XTi:正確に測定できなけれならない。ところが、
上述した構成では測定面4が光軸に対して角度θだけ傾
斜すると、光検出器6の入射面上では2倍の角度2θも
光軸からずれてしまい光検出器6上に投影されるビーム
スポットパターンが第2図に示すように光検出器6の中
心から測定面の傾斜方向にずれて投影されてしまう不都
合が生じてしまう。第3図は、測定面会の光軸方向の変
位量Xと演算して得られたデフォーカス源りとの関係を
示すデフォーカス曲線である。横軸・は測定面の変位量
Xを示し、縦軸は演算して得られたデフォーカス量りを
示し、実線は測定面4が光軸に対して垂直な場合を示し
、破線は測定面が光軸に対して傾斜することにより第2
図に示すようなビームパターンが形成された場合のデフ
ォーカス曲線を示している。第8図から理解できるよう
に測定面会が入射光の光軸に対して垂直な場合はデフォ
ーカス量は測定面の変位量に対してほぼlJニアな関係
となるが、測定面会が入射光の光軸に対して傾斜すると
デフォーカス量りが大きくずれてしまい、測定面4の変
位量とリニアに対応しなくなってしまう。
め、測定面4が光軸に対して傾斜しても光軸方向の変位
量XTi:正確に測定できなけれならない。ところが、
上述した構成では測定面4が光軸に対して角度θだけ傾
斜すると、光検出器6の入射面上では2倍の角度2θも
光軸からずれてしまい光検出器6上に投影されるビーム
スポットパターンが第2図に示すように光検出器6の中
心から測定面の傾斜方向にずれて投影されてしまう不都
合が生じてしまう。第3図は、測定面会の光軸方向の変
位量Xと演算して得られたデフォーカス源りとの関係を
示すデフォーカス曲線である。横軸・は測定面の変位量
Xを示し、縦軸は演算して得られたデフォーカス量りを
示し、実線は測定面4が光軸に対して垂直な場合を示し
、破線は測定面が光軸に対して傾斜することにより第2
図に示すようなビームパターンが形成された場合のデフ
ォーカス曲線を示している。第8図から理解できるよう
に測定面会が入射光の光軸に対して垂直な場合はデフォ
ーカス量は測定面の変位量に対してほぼlJニアな関係
となるが、測定面会が入射光の光軸に対して傾斜すると
デフォーカス量りが大きくずれてしまい、測定面4の変
位量とリニアに対応しなくなってしまう。
この欠点を解消する方法として・対物レンズ8を測定面
4の傾斜に応じて光軸方向と対応する方向に変位させて
、傾斜した測定面からの反射光を入射光束と一致させる
ように構成する方法も考えられるが、対物レンズ8を精
密に駆動させる装置が必要となるはかりでなく、対物レ
ンズ駆動の応答が遅いと測定速度が遅くなる欠点がある
。
4の傾斜に応じて光軸方向と対応する方向に変位させて
、傾斜した測定面からの反射光を入射光束と一致させる
ように構成する方法も考えられるが、対物レンズ8を精
密に駆動させる装置が必要となるはかりでなく、対物レ
ンズ駆動の応答が遅いと測定速度が遅くなる欠点がある
。
(発明の目的)
本発明の目的は、上述した欠点を解消し、測定面が光軸
に対して傾斜しても、簡単な構成で正確に表面粗さ及び
表面形状などの表面状態を測定できる装置を提供するこ
とにある。
に対して傾斜しても、簡単な構成で正確に表面粗さ及び
表面形状などの表面状態を測定できる装置を提供するこ
とにある。
(発明の概要)
本発明は、光源と、この光源から発した光束を測定面上
に微小スポットとして投射する対物レンズと、測定面か
ら反射される対物レンズで集光された光束を二分割する
光学系と、分割されたそれぞれの光路に配設された符号
が逆で屈折力がほぼ等しい第1と第2の非点収差素子と
、これら非点収差素子からの光束をそれぞれ受光する第
1と第2の光検出器と、これら光検出器からの出力信号
に基いて測定表面の状態を測定する回路とを具えること
を特徴とするものである。
に微小スポットとして投射する対物レンズと、測定面か
ら反射される対物レンズで集光された光束を二分割する
光学系と、分割されたそれぞれの光路に配設された符号
が逆で屈折力がほぼ等しい第1と第2の非点収差素子と
、これら非点収差素子からの光束をそれぞれ受光する第
1と第2の光検出器と、これら光検出器からの出力信号
に基いて測定表面の状態を測定する回路とを具えること
を特徴とするものである。
(実施例)
第4図は本発明による表面状態測定装置の一例の構成を
示す線図である。本例では光源10としてレーザ光源を
用い、光源1oから発した光束ご・第1のハーフミラ−
11及び対物レンズ12を経て微小スポットとして収束
させ、測定面13上に投射する。測定面13上に入射し
た光束は測定面18で反射され、対物レンズ12で集光
された後、ハーフミラ−11で反射されてから第2のハ
ーフミラ−14に入射する。この第2のハーフミラ−1
4を50%の反射透過特性を有するように構成し、この
ハーフミラ−で光束を2分割する。本例では、2分割さ
れた光路に対物レンズ12の焦平面近傍に4分割された
光検出器である第4と第2の光検出器15及び16をそ
れぞれ配置すると共に、第2ハーフミラ−14と第1及
び第2光検出器15及び16との間にそれぞれ第1及び
第2の非点収差素子17と18とを配設する。本発明で
はこれら第1及び第2の非点収差素子17と18に屈折
力が等しく符号が逆特性を有する素子を用いるが、本例
では第1の非点収差素子17として正のシリンドリカル
レンズを用い、第2の非点収差素子18として負のシリ
ンドリカルレンズを用いる。
示す線図である。本例では光源10としてレーザ光源を
用い、光源1oから発した光束ご・第1のハーフミラ−
11及び対物レンズ12を経て微小スポットとして収束
させ、測定面13上に投射する。測定面13上に入射し
た光束は測定面18で反射され、対物レンズ12で集光
された後、ハーフミラ−11で反射されてから第2のハ
ーフミラ−14に入射する。この第2のハーフミラ−1
4を50%の反射透過特性を有するように構成し、この
ハーフミラ−で光束を2分割する。本例では、2分割さ
れた光路に対物レンズ12の焦平面近傍に4分割された
光検出器である第4と第2の光検出器15及び16をそ
れぞれ配置すると共に、第2ハーフミラ−14と第1及
び第2光検出器15及び16との間にそれぞれ第1及び
第2の非点収差素子17と18とを配設する。本発明で
はこれら第1及び第2の非点収差素子17と18に屈折
力が等しく符号が逆特性を有する素子を用いるが、本例
では第1の非点収差素子17として正のシリンドリカル
レンズを用い、第2の非点収差素子18として負のシリ
ンドリカルレンズを用いる。
測定面18が光軸に対して垂直な場合の第1及び第2光
検出器15及び16上に投影される測定面で反射された
ビームスポットのパターン形状は第5図に示すようにな
る。第5図から理解できるように、測定面13が光軸に
対して垂直な場合はビームスポットが第1及び第2の光
検出器15および16の中心に投影されると共に、測定
面18の光軸方向の変位により生ずる前ビン位置と後ビ
ン位置では正及び負のシリンドリカルレンズ1’l及び
18の作用により長軸と短軸がそれぞれ逆向きの楕円形
のビームパターンが投影される。一方、測定面13が光
軸に対して傾斜した場合のビームスポットパターンは第
6図に示すようになる。すなわち、測定面18が光軸に
対して傾斜すると、第1及び第2の光検出器′15及び
16に投影されるパターン形状は、光軸に垂直な場合の
パターンとほぼ同一であるが、測定面13の傾斜に伴な
い第1及び第2の光検出器15及び16の中心からずれ
て投影される。本例では、第1及び第2の光検出器15
及び16のそれぞれ4分割した各素子15a、16b
、15C,1511,16a、t6b 、160・及び
16dからの光電出力を以下に説明するように演算処理
を行ないビームスポットパターンの中心からのずれを補
正したデフォーカス量りを算出する。
検出器15及び16上に投影される測定面で反射された
ビームスポットのパターン形状は第5図に示すようにな
る。第5図から理解できるように、測定面13が光軸に
対して垂直な場合はビームスポットが第1及び第2の光
検出器15および16の中心に投影されると共に、測定
面18の光軸方向の変位により生ずる前ビン位置と後ビ
ン位置では正及び負のシリンドリカルレンズ1’l及び
18の作用により長軸と短軸がそれぞれ逆向きの楕円形
のビームパターンが投影される。一方、測定面13が光
軸に対して傾斜した場合のビームスポットパターンは第
6図に示すようになる。すなわち、測定面18が光軸に
対して傾斜すると、第1及び第2の光検出器′15及び
16に投影されるパターン形状は、光軸に垂直な場合の
パターンとほぼ同一であるが、測定面13の傾斜に伴な
い第1及び第2の光検出器15及び16の中心からずれ
て投影される。本例では、第1及び第2の光検出器15
及び16のそれぞれ4分割した各素子15a、16b
、15C,1511,16a、t6b 、160・及び
16dからの光電出力を以下に説明するように演算処理
を行ないビームスポットパターンの中心からのずれを補
正したデフォーカス量りを算出する。
第7図は第1および第2の光検出器15および16の各
素子からの充電出方信号を演算するための回路構成の一
例を示すiロック線図である。第1光検tB器15の素
子15′&とi 5 b %第2光検出器の素子16c
と16dとを加算回路2oの入力端子に接続し、これら
素子からの光電出力a。
素子からの充電出方信号を演算するための回路構成の一
例を示すiロック線図である。第1光検tB器15の素
子15′&とi 5 b %第2光検出器の素子16c
と16dとを加算回路2oの入力端子に接続し、これら
素子からの光電出力a。
b 、 c’ 、 d’を加算する。また、第1光検出
器15の素子150とxs、d及び光検出器16の素子
16aと16bとを加算回′路21の入力端子に接続し
てこれら素子からの光電出力c 、 a 、 a’ 、
b’を加算する。
器15の素子150とxs、d及び光検出器16の素子
16aと16bとを加算回′路21の入力端子に接続し
てこれら素子からの光電出力c 、 a 、 a’ 、
b’を加算する。
そして、これら加算回路2oと21の出方を減算回路2
2の久方に接続し、加算回路2oがらり出力値から加算
回路21の出方値を減算する。
2の久方に接続し、加算回路2oがらり出力値から加算
回路21の出方値を減算する。
第8図はこのような演算によりめたデフォーカス量りと
測定面18の光軸方向の変位量との関係を示すものであ
る。第1の光検出器15からの光電出力a〜dに基き1
、次式(2)にしたがってめたデフォーカスJiDと変
位fjlxとの関係を破線Aで示す。
測定面18の光軸方向の変位量との関係を示すものであ
る。第1の光検出器15からの光電出力a〜dに基き1
、次式(2)にしたがってめたデフォーカスJiDと変
位fjlxとの関係を破線Aで示す。
D=(a+b)−(c+d) −−−−−−−−−(2
)また、第2の光検出器16からの光電出力a’〜d′
を次g (8)にしたがってめたデフォーカス量りと変
位量Xとの関係を破線Bで示す。
)また、第2の光検出器16からの光電出力a’〜d′
を次g (8)にしたがってめたデフォーカス量りと変
位量Xとの関係を破線Bで示す。
D = (c’+d’) −(a’+b’) −−−−
−−−、(a)これらの曲線AとBを比較すると、これ
らは測定面18が入射光の光軸に対して垂直な場合の曲
線Cに対してほぼ対称的になっていることがわかる。
−−−、(a)これらの曲線AとBを比較すると、これ
らは測定面18が入射光の光軸に対して垂直な場合の曲
線Cに対してほぼ対称的になっていることがわかる。
従って、第1及び第2の光検出器15及び16の出力を
次式(4)にしたがって演算処理して得られるデフォー
カスiDと測定面13の変位量との関係は実線りで示す
ように曲線0にほぼ近いものとなる。
次式(4)にしたがって演算処理して得られるデフォー
カスiDと測定面13の変位量との関係は実線りで示す
ように曲線0にほぼ近いものとなる。
D = (a+b+c’+d’)−(a’+b’+c+
d)−−−(4)すなわち、第8図から明らかなように
、光路中に正のシリンドリカルレンズ17を配設した第
1光検出器15からの光電出力に基くデフォーカス量り
が曲線Cで示す基準値より正の方向に偏移すると、光路
中に負のシリンドリカルレンズ18を配設した第2の光
検出器16からの光電出力に基くデフォーカスiDは基
準値よりも負の方向に偏移している。従って、両光検出
器15及び16からの光電出力値を(4)式で示すよう
に加え合せることにより、はぼ基準値に等しいデフォー
カスffi D カ得られることになる。即ち、測定面
13が入射光の光軸に対して傾斜していても、測定面か
らの反射光を2分割しそれぞれの光路に屈折力がsb葦
等しく符号の異なる非点収差素子を配設して各々の光検
出器からの光電光力を(4)式に従う演算処理ヲ行すえ
ば、デフォーカス量りと測定面の光軸方向の変位量との
関係をほぼリニアな関係となるように定めることができ
る。実験の結果、傾き角θが±10°程度までは十分高
精度の測定を行なうことができることがわかった。
d)−−−(4)すなわち、第8図から明らかなように
、光路中に正のシリンドリカルレンズ17を配設した第
1光検出器15からの光電出力に基くデフォーカス量り
が曲線Cで示す基準値より正の方向に偏移すると、光路
中に負のシリンドリカルレンズ18を配設した第2の光
検出器16からの光電出力に基くデフォーカスiDは基
準値よりも負の方向に偏移している。従って、両光検出
器15及び16からの光電出力値を(4)式で示すよう
に加え合せることにより、はぼ基準値に等しいデフォー
カスffi D カ得られることになる。即ち、測定面
13が入射光の光軸に対して傾斜していても、測定面か
らの反射光を2分割しそれぞれの光路に屈折力がsb葦
等しく符号の異なる非点収差素子を配設して各々の光検
出器からの光電光力を(4)式に従う演算処理ヲ行すえ
ば、デフォーカス量りと測定面の光軸方向の変位量との
関係をほぼリニアな関係となるように定めることができ
る。実験の結果、傾き角θが±10°程度までは十分高
精度の測定を行なうことができることがわかった。
尚、別の演算方式として次式(5)に示すように、化し
て演算処理を行なえば、演算回路の構成は第7図に示し
たものよりもやや複雑となるが、第2ハーフミラ−14
の分割比、第1及び第2光検出器15と16の感度の相
異等により影響を受けないより正確な補正を行なうこと
ができる。
て演算処理を行なえば、演算回路の構成は第7図に示し
たものよりもやや複雑となるが、第2ハーフミラ−14
の分割比、第1及び第2光検出器15と16の感度の相
異等により影響を受けないより正確な補正を行なうこと
ができる。
(a+b)−(c+d)
D = −−−−−一−(5)
a+b+c+d
また、本例ではa−b又はc−dなどの値から測定面の
傾きを知ることができるので、さらに高次の補正も行な
うことができる。
傾きを知ることができるので、さらに高次の補正も行な
うことができる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば測定面が入射光の
光軸に対して傾斜しても、簡単な光学系と信号処理回路
により高精度に物体表面の光軸方向の微小な変位量を測
定することができ、したがって表面粗さや表面形状を正
確に測定することができる。
光軸に対して傾斜しても、簡単な光学系と信号処理回路
により高精度に物体表面の光軸方向の微小な変位量を測
定することができ、したがって表面粗さや表面形状を正
確に測定することができる。
また、測定面で反射したビームスポットの形状変化を測
定することにより測定面の凹凸の大きさを測定するもの
であるから、測定面の反射率や対物レンズの開口数に影
響を受けず測定精度が向上することになる。
定することにより測定面の凹凸の大きさを測定するもの
であるから、測定面の反射率や対物レンズの開口数に影
響を受けず測定精度が向上することになる。
更に、光検出器を構成する各素子からの光電出力値をそ
の光検出器への全入射光景で規格化する構成とすれば、
ビームスプリッタであるハーフミラ−の反射透過特性や
光検出器の感度のバラツキ等にも影響を受けず、さらに
高精度の測定を行なうことができる。
の光検出器への全入射光景で規格化する構成とすれば、
ビームスプリッタであるハーフミラ−の反射透過特性や
光検出器の感度のバラツキ等にも影響を受けず、さらに
高精度の測定を行なうことができる。
第1図番ま従来の非点収差素子を用いる合焦検出光学系
を利用した表面粗さ測定装置の構成を示す線図、 第2図は測定面が光軸に対して傾斜した場合に光検出器
上に投影されるビームスポットのパターンを示す線図、 第3図は測定面の光軸方向の変位量とデフォーカス量り
との関係を示すグラフ、 第4図は本発明による非点収差素子を用いる合焦検出光
学系を利用した表面状態測定装置の一例の構成を示す線
図、 第5図は測定面が光軸に対して垂直な場合の光検出器上
に投影されるビームスポットのパターンを示す線図、 第6図は測定面が光軸に対して傾斜している場合の光検
出器上に投影されるビームスボッ) (Z)パターンを
示す線図、 第7図は本発明による演算処理を行なうための回路構成
の一例を示すブロック図、 第8図は測定面の光軸方向の変位量とデフォーカス量り
との関係を示す1/s図である。 10・・・光源 11,14・・・第1.第2ハーフミ
ラ−12−・・対物レンズ 18・・・測定面15.1
6・・・第1.第2光検出器 17.18・・・第1.第2非点収差素子20.21・
・・加算回路 22・・・減算回路 第1図 第2図 前ヒ・ン 泊じ・ン @ 焦 4&ピッ 4麦ビン第3
図 第4図 第5図 前ピン 澄、帽 鍛ピッ 第6図 泊ピン 沿声、 稜ヒ1ン l々t
を利用した表面粗さ測定装置の構成を示す線図、 第2図は測定面が光軸に対して傾斜した場合に光検出器
上に投影されるビームスポットのパターンを示す線図、 第3図は測定面の光軸方向の変位量とデフォーカス量り
との関係を示すグラフ、 第4図は本発明による非点収差素子を用いる合焦検出光
学系を利用した表面状態測定装置の一例の構成を示す線
図、 第5図は測定面が光軸に対して垂直な場合の光検出器上
に投影されるビームスポットのパターンを示す線図、 第6図は測定面が光軸に対して傾斜している場合の光検
出器上に投影されるビームスボッ) (Z)パターンを
示す線図、 第7図は本発明による演算処理を行なうための回路構成
の一例を示すブロック図、 第8図は測定面の光軸方向の変位量とデフォーカス量り
との関係を示す1/s図である。 10・・・光源 11,14・・・第1.第2ハーフミ
ラ−12−・・対物レンズ 18・・・測定面15.1
6・・・第1.第2光検出器 17.18・・・第1.第2非点収差素子20.21・
・・加算回路 22・・・減算回路 第1図 第2図 前ヒ・ン 泊じ・ン @ 焦 4&ピッ 4麦ビン第3
図 第4図 第5図 前ピン 澄、帽 鍛ピッ 第6図 泊ピン 沿声、 稜ヒ1ン l々t
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 光源と、この光源から発した光束を測定面上に微小
スポットとして投射する対物レンスー。 と、測定面から反射され対物レンズで集光された光束を
二分割する光学系と、分割されたそれぞれの光路に配設
された符号力(逆で屈折力がほぼ等しい第1と第2の非
点収差素子と、これら非点収差素子からの光束をそれぞ
Illれ受光する第1と第2の光検出器と、これら光検
出器からの出力信号に基いて測定表面の状態を測定する
回路とを具えることを特徴とする表面状態測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2448584A JPS60169707A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 表面状態測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2448584A JPS60169707A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60169707A true JPS60169707A (ja) | 1985-09-03 |
JPH047804B2 JPH047804B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=12139485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2448584A Granted JPS60169707A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60169707A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2604515A1 (fr) * | 1986-09-29 | 1988-04-01 | Spectec Sa | Dispositif de mesure de position par mesure d'astigmatisme a l'aide d'une detection optique differentielle |
JP2014025699A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-02-06 | Dmg Mori Seiki Co Ltd | 変位検出装置 |
-
1984
- 1984-02-14 JP JP2448584A patent/JPS60169707A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2604515A1 (fr) * | 1986-09-29 | 1988-04-01 | Spectec Sa | Dispositif de mesure de position par mesure d'astigmatisme a l'aide d'une detection optique differentielle |
JP2014025699A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-02-06 | Dmg Mori Seiki Co Ltd | 変位検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH047804B2 (ja) | 1992-02-13 |
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