JPS60168133A - 照明光学装置 - Google Patents
照明光学装置Info
- Publication number
- JPS60168133A JPS60168133A JP59022891A JP2289184A JPS60168133A JP S60168133 A JPS60168133 A JP S60168133A JP 59022891 A JP59022891 A JP 59022891A JP 2289184 A JP2289184 A JP 2289184A JP S60168133 A JPS60168133 A JP S60168133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser light
- light sources
- light source
- mask
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はエキシマ（ｅｘｃｉｍｅｒ ）レーザ等を光源
とする、半導体露光装置に用いるに適した照明光学装置
に関する。
とする、半導体露光装置に用いるに適した照明光学装置
に関する。
近年、微細パターンを形成する要求が高まり、その為に
波長領域２００〜ａａｏ（ｎｍ）のデイ−−プＵＶ領域
の光を用いた光学系によるリソグラフィーが開発されて
いる。その場合、光源としては超高圧水銀灯又はキセノ
ン水銀ランプが用いられることか多いが、光源の指向性
がないこと＼、その輝度が必らずしも十分でないことか
ら、その光源を半導体露光装置に用いると露光時間が長
くなり、そのスループットを悪くする傾向があった。
波長領域２００〜ａａｏ（ｎｍ）のデイ−−プＵＶ領域
の光を用いた光学系によるリソグラフィーが開発されて
いる。その場合、光源としては超高圧水銀灯又はキセノ
ン水銀ランプが用いられることか多いが、光源の指向性
がないこと＼、その輝度が必らずしも十分でないことか
ら、その光源を半導体露光装置に用いると露光時間が長
くなり、そのスループットを悪くする傾向があった。
最近では短波長領域のレーザ光を射出するレーザの開発
が進んでおシ、上記のようなディープＵＶ領域の波長を
有する高輝度のレーザ光を半導体露光装置に用いること
が可能になってきている。
が進んでおシ、上記のようなディープＵＶ領域の波長を
有する高輝度のレーザ光を半導体露光装置に用いること
が可能になってきている。
ところで、通常半導体露光装置の場合、マスクパターン
による光の回折効果によりウェハ上にできる像の品位が
損なわれるのを防ぐ為に複数の２次光源を形成すること
が知られている。
による光の回折効果によりウェハ上にできる像の品位が
損なわれるのを防ぐ為に複数の２次光源を形成すること
が知られている。
しかし、たとえ上記のような波長領域内のレーザ光を射
出する単一のレーザを用いて２次光源を形成したとして
も、レーザ光の高い可干渉性の為にマスク面上に干渉縞
が現われ、著るしい露光ムラを生ずるという重大な欠点
が生ずる。
出する単一のレーザを用いて２次光源を形成したとして
も、レーザ光の高い可干渉性の為にマスク面上に干渉縞
が現われ、著るしい露光ムラを生ずるという重大な欠点
が生ずる。
本発明は上記の点に鑑み、上記欠点を解消するために提
案されたもので、複数の２次光源間による光の可干渉を
なくシ、たとえば被照射面上に干渉縞が現われるとと々
く、露光量の一様性を確保しつメ、レーザ光源による高
エネルギーの露光を可能とする、半導体露光装置等に用
いられる照明光学装置を提供することを目的とする。
案されたもので、複数の２次光源間による光の可干渉を
なくシ、たとえば被照射面上に干渉縞が現われるとと々
く、露光量の一様性を確保しつメ、レーザ光源による高
エネルギーの露光を可能とする、半導体露光装置等に用
いられる照明光学装置を提供することを目的とする。
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
第１図は本発明に係る照明光学装置の一実施例の説明図
である。図中、ｌａ、ｌｂはたとえばインジェクション
・ロッキングさレタエキシマＶ −ザのようなレーザ光
源で、光軸３と直角な方向にレーザ光を射出するように
配置されている。１ｃは同じくレーザ光源で、光軸８の
方向にレーザ光を射出するように配置されている。２ａ
、 ２ｂはミラーで、レーザ光源ｌａ、ｌｂからのレー
ザ光を夫々反射して光軸３の方向に向けるだめのもので
ある。４ａ、４ｂ、４ｃは２次光源形成用の凸レンズで
、レーザ光源１ａ、１１）’、ＩＣからの光軸３の方向
のレーザ光を夫々入射して集光し、２次光源ＡＩ、Ａ２
．Ａ３を夫々形成する。５は光の収束性を有するレンズ
で、たとえば２次光源Ａｘ。
である。図中、ｌａ、ｌｂはたとえばインジェクション
・ロッキングさレタエキシマＶ −ザのようなレーザ光
源で、光軸３と直角な方向にレーザ光を射出するように
配置されている。１ｃは同じくレーザ光源で、光軸８の
方向にレーザ光を射出するように配置されている。２ａ
、 ２ｂはミラーで、レーザ光源ｌａ、ｌｂからのレー
ザ光を夫々反射して光軸３の方向に向けるだめのもので
ある。４ａ、４ｂ、４ｃは２次光源形成用の凸レンズで
、レーザ光源１ａ、１１）’、ＩＣからの光軸３の方向
のレーザ光を夫々入射して集光し、２次光源ＡＩ、Ａ２
．Ａ３を夫々形成する。５は光の収束性を有するレンズ
で、たとえば２次光源Ａｘ。
Ａ２．Ａ３を含む面もしくはその近傍に焦平面を有する
ように配置されている。６は微細なパターンを有する半
導体露光用のマスクで、レンズ５のもう一方の帰平面も
しくはその近傍に配置されており、たとえばシリコンウ
ェハ７はこのマスク６の後方に配置され〜でいる。
ように配置されている。６は微細なパターンを有する半
導体露光用のマスクで、レンズ５のもう一方の帰平面も
しくはその近傍に配置されており、たとえばシリコンウ
ェハ７はこのマスク６の後方に配置され〜でいる。
レーザ光源１ａ、ｌｂより射出されたレーザ光はミラー
２ａ、 ２ｂにより夫々反射されて凸レンズ４ａ、４ｂ
に夫々溝びかれ、一方レーザ光源ＩＣよシ射出されたレ
ーザ光はそのまメ直接凸レンズ４Ｃに導びかれ、凸レン
ズ４ａ、４ｂ、４ｃを夫々通過後のレーザ光は２次光源
ＡＸ、Ａ２．Ａ３を形成する。それらの２次光源ＡＩ、
Ａ２．Ａ３から出た夫々の発散光束はマスク６の面を一
様に照明する。この時、２次光源ＡＩ、Ａ２．Ａａよシ
夫々出た発散光束はマスク６の面上で重ね合わされるが
、本発明においては各２次光源ＡＩ、Ａ２゜Ａ３は各別
個のレーザ光源ｌａ、ｌｂ、ｌｃによシ形成されたもの
である為、２次光源ＡＩ、Ａ２゜八３より夫々出た光束
間の可干渉性は十分に低“く、マスク６０面上に干渉縞
が現われてウエノ・７の露光の一様性を損うということ
は無い。
２ａ、 ２ｂにより夫々反射されて凸レンズ４ａ、４ｂ
に夫々溝びかれ、一方レーザ光源ＩＣよシ射出されたレ
ーザ光はそのまメ直接凸レンズ４Ｃに導びかれ、凸レン
ズ４ａ、４ｂ、４ｃを夫々通過後のレーザ光は２次光源
ＡＸ、Ａ２．Ａ３を形成する。それらの２次光源ＡＩ、
Ａ２．Ａ３から出た夫々の発散光束はマスク６の面を一
様に照明する。この時、２次光源ＡＩ、Ａ２．Ａａよシ
夫々出た発散光束はマスク６の面上で重ね合わされるが
、本発明においては各２次光源ＡＩ、Ａ２゜Ａ３は各別
個のレーザ光源ｌａ、ｌｂ、ｌｃによシ形成されたもの
である為、２次光源ＡＩ、Ａ２゜八３より夫々出た光束
間の可干渉性は十分に低“く、マスク６０面上に干渉縞
が現われてウエノ・７の露光の一様性を損うということ
は無い。
第２図は本発明の他の一実施例の構成図にして、図中、
９ａ、９ｂ、９ｃは半導体レーザ光源で、それらの光の
射出口はたとえばレンズ５の帰平面上にあるものとする
。１０はマスク６とウエノ・７との間に配置された投影
用のレンズであり、なお、ここで半導体レーザ光源９ａ
、ｇｂ、９ｃが２次光源の役割をになっている所が上記
実施例と異なる所である。
９ａ、９ｂ、９ｃは半導体レーザ光源で、それらの光の
射出口はたとえばレンズ５の帰平面上にあるものとする
。１０はマスク６とウエノ・７との間に配置された投影
用のレンズであり、なお、ここで半導体レーザ光源９ａ
、ｇｂ、９ｃが２次光源の役割をになっている所が上記
実施例と異なる所である。
半導体レーザ光源９ ａ＋ ９ ｂ＋ ９ ｃより射出
したレーザ光は上記実施例と同様にレンズ５によシマス
フ６を一様に照明する光束に変換される。一様に照明さ
れたマスク６上のパターンは投影レンズｌＯによりウェ
ハ７の上に転写される。この場合も半導体レーザ９ａ、
９ｂ、９ｃから夫々出た光束の間の可干渉性は十分に低
いのでマスク６の面に干渉縞が現われることは無く、ウ
エノ・７は一様に露光される。
したレーザ光は上記実施例と同様にレンズ５によシマス
フ６を一様に照明する光束に変換される。一様に照明さ
れたマスク６上のパターンは投影レンズｌＯによりウェ
ハ７の上に転写される。この場合も半導体レーザ９ａ、
９ｂ、９ｃから夫々出た光束の間の可干渉性は十分に低
いのでマスク６の面に干渉縞が現われることは無く、ウ
エノ・７は一様に露光される。
特に半導体レーザは小型であるので、第８図に示す如く
、多数個をマ） ＩＪラックス状配列することが容易で
、本発明の実施には好都合である。
、多数個をマ） ＩＪラックス状配列することが容易で
、本発明の実施には好都合である。
なお、上記実施例では２次光源形成用に凸レンズを用い
だが凹レンズであっても構わないことは言うまでもない
。
だが凹レンズであっても構わないことは言うまでもない
。
以上説明したように、複数のレーザ光源を用いることに
より被照射面上の干渉縞の発生を押え、その一様々露光
を可能にした。又、本発明を半導体露光装置に適用した
場合、高照度、高スループツトにできる効果を有する。
より被照射面上の干渉縞の発生を押え、その一様々露光
を可能にした。又、本発明を半導体露光装置に適用した
場合、高照度、高スループツトにできる効果を有する。
第１図は本発明の第１実施例で、複数台のレーザ光源を
用いた照明光学系の構成図、第２図は第２の実施例で、
複数の半導体レーザ光源を用いた露光光学系の構成図、
第８図は複数の半導体レーザの配列を示す図である。 ｌａ、ｌｂ＋ ｌｃ：レーザ光源、２ａ、２ｂ：ミラー
、８：（照明光学系の）光軸、４ａ、４ｂ＋４Ｃ：（ビ
ーム拡大用）凸レンズ、５：レンズＪ６：マスク、７：
ウェハ、９ａ、９ｂ、９ｃ：半導体レーザ光源、１０：
投影レンズ 特許出願人 キャノン株式会社 ロロロロ ロロロロ 口０口口 第３図
用いた照明光学系の構成図、第２図は第２の実施例で、
複数の半導体レーザ光源を用いた露光光学系の構成図、
第８図は複数の半導体レーザの配列を示す図である。 ｌａ、ｌｂ＋ ｌｃ：レーザ光源、２ａ、２ｂ：ミラー
、８：（照明光学系の）光軸、４ａ、４ｂ＋４Ｃ：（ビ
ーム拡大用）凸レンズ、５：レンズＪ６：マスク、７：
ウェハ、９ａ、９ｂ、９ｃ：半導体レーザ光源、１０：
投影レンズ 特許出願人 キャノン株式会社 ロロロロ ロロロロ 口０口口 第３図
Claims (1)
- 配置された複数のレーザ光源もしくは複数のレーザ光源
によシ形成された夫々の２次光源と、前記レーザ光源も
しくは前記２次光源からの光束を被照射面上にて重ね合
わせる光学的手段とを備えたことを特徴とする照明光学
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022891A JPH0769576B2 (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 照明光学装置 |
| US07/715,743 US5091744A (en) | 1984-02-13 | 1991-06-18 | Illumination optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022891A JPH0769576B2 (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 照明光学装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129642A Division JPH09102456A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 照明光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60168133A true JPS60168133A (ja) | 1985-08-31 |
| JPH0769576B2 JPH0769576B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12095282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022891A Expired - Lifetime JPH0769576B2 (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | 照明光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769576B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6325640A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Oak Seisakusho:Kk | 平行光投射光学系 |
| JPH09102456A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-04-15 | Canon Inc | 照明光学装置 |
| US5715089A (en) * | 1991-09-06 | 1998-02-03 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
| JP2008047897A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射源、放射源コントローラおよび制御方法 |
| JP2012009872A (ja) * | 2011-07-11 | 2012-01-12 | Ricoh Co Ltd | 照明光学系、露光装置及び投射装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096183A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP59022891A patent/JPH0769576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5096183A (ja) * | 1973-12-24 | 1975-07-31 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6325640A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Oak Seisakusho:Kk | 平行光投射光学系 |
| US5715089A (en) * | 1991-09-06 | 1998-02-03 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
| US6094305A (en) * | 1991-09-06 | 2000-07-25 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
| JPH09102456A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-04-15 | Canon Inc | 照明光学装置 |
| JP2008047897A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射源、放射源コントローラおよび制御方法 |
| JP4660513B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2011-03-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置、放射源、および、放射源を制御する方法 |
| JP2012009872A (ja) * | 2011-07-11 | 2012-01-12 | Ricoh Co Ltd | 照明光学系、露光装置及び投射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769576B2 (ja) | 1995-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2655465B2 (ja) | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 | |
| JP2536023B2 (ja) | 露光装置、及び露光方法 | |
| JP2732498B2 (ja) | 縮小投影式露光方法及びその装置 | |
| JP3275575B2 (ja) | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JPS61212816A (ja) | 照明装置 | |
| JP2677731B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH05159999A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS60168133A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPS60230629A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPH01114035A (ja) | 露光装置 | |
| JP2009205011A (ja) | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3392034B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPS622539A (ja) | 照明光学系 | |
| JP2770984B2 (ja) | 照明装置，投影露光装置及び素子製造方法 | |
| JPH1062710A (ja) | 照明光学系 | |
| JPH0666246B2 (ja) | 照明光学系 | |
| JP2765162B2 (ja) | 照明装置 | |
| JPS6225483A (ja) | 照明装置 | |
| JPS63216338A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPS60166951A (ja) | 照明光学装置 | |
| JP2501053B2 (ja) | 紫外パルスレ―ザによる投影式露光方法 | |
| JPS61279822A (ja) | 照明光学系 | |
| JPH09102456A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPS61177422A (ja) | 光の可干渉性の低下を図つた光学装置 | |
| JPH04250455A (ja) | 円弧照明装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |