JPS60157223A - レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置Info
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- JPS60157223A JPS60157223A JP59011856A JP1185684A JPS60157223A JP S60157223 A JPS60157223 A JP S60157223A JP 59011856 A JP59011856 A JP 59011856A JP 1185684 A JP1185684 A JP 1185684A JP S60157223 A JPS60157223 A JP S60157223A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 39
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 27
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-M 2-chloroacrylate Chemical compound [O-]C(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、レジストの感度を制御して高精度のレジスト
パターンを形成する方法及びそれを実現するためのレジ
スト処理装置に関する。
パターンを形成する方法及びそれを実現するためのレジ
スト処理装置に関する。
超LSIをはじめとして、半導体素子の集積密度が高ま
るにつれて、微細にして且つ高精度のパターン形成技術
が要求されている。とのため、最先端分野では、ロイン
チロマスク或いは5インチ径ウェハの場合、パターンの
基板面内平均寸法値に対する寸法誤差として例えば3σ
<0.ICμm〕が要求されている。また、量産ライン
では、パターン形成プロセスの迅速性も必須であシ、レ
ジストの感度としては高いものが望1れている。しかし
従来高感度のレジストは解像性が劣るために所定のパタ
ーン寸法精度を得ることが困難であシ、逆に高解像性を
有するレジストは低感度であるために量産ラインにおい
てパターン形成の高スループツト化が図れない等の問題
があった。
るにつれて、微細にして且つ高精度のパターン形成技術
が要求されている。とのため、最先端分野では、ロイン
チロマスク或いは5インチ径ウェハの場合、パターンの
基板面内平均寸法値に対する寸法誤差として例えば3σ
<0.ICμm〕が要求されている。また、量産ライン
では、パターン形成プロセスの迅速性も必須であシ、レ
ジストの感度としては高いものが望1れている。しかし
従来高感度のレジストは解像性が劣るために所定のパタ
ーン寸法精度を得ることが困難であシ、逆に高解像性を
有するレジストは低感度であるために量産ラインにおい
てパターン形成の高スループツト化が図れない等の問題
があった。
第1図は、従来技術によるレジストパターン形成プロセ
スを示すフローチャートである。まず、被処理基板上に
周知の回転塗布法によシ所定の膜厚にレジストを塗布す
る。次に、塗布溶媒の除去並びにレジストと基板との密
着性を向上させるために、オーブン等を用いレジストに
応じた所定の温1(Tb)でレジストのベーク(プリベ
ーク)を行なう。この後、オーブンから取シ出されたレ
ジスト膜付被処理基板を大気中(〜1気圧)で支持台に
て自然放冷することにより、室温まで20〜30分かけ
て冷却する。冷却を完了したレジスト膜に対して、レジ
ストの種類に応じた所定の照射量(露光量)で所定波長
域の電磁波、例えば紫外光あるいは所定エネルギーの粒
子線、例えば電子線などを選択的に照射(以下露光と称
す)する。
スを示すフローチャートである。まず、被処理基板上に
周知の回転塗布法によシ所定の膜厚にレジストを塗布す
る。次に、塗布溶媒の除去並びにレジストと基板との密
着性を向上させるために、オーブン等を用いレジストに
応じた所定の温1(Tb)でレジストのベーク(プリベ
ーク)を行なう。この後、オーブンから取シ出されたレ
ジスト膜付被処理基板を大気中(〜1気圧)で支持台に
て自然放冷することにより、室温まで20〜30分かけ
て冷却する。冷却を完了したレジスト膜に対して、レジ
ストの種類に応じた所定の照射量(露光量)で所定波長
域の電磁波、例えば紫外光あるいは所定エネルギーの粒
子線、例えば電子線などを選択的に照射(以下露光と称
す)する。
その後、現像・リンス処理工程を経て所望のレジストパ
ターンが形成されることになる。
ターンが形成されることになる。
ところで、上述した自然放冷中の被処理基板上のレジス
ト膜について、ある時点における膜面全体の温度分布を
赤外線放射温度計によって本発明者等が調べたところ、
′第2図に示すような結果が得られた。、なお、この場
合の自然冷却に先立つベーク時の温度Tbは〜1 ’6
0 (℃〕であった。第2図において、レジスト膜付被
処理基板21の中央部上方(A、a)では温度が高く(
冷却のされ方が遅く)、中心領域(B点)を経て下方(
0点)に進むにつれて温度が低く(冷却のされ方が速く
)なっている。なお、図中の各曲線は等温線である。
ト膜について、ある時点における膜面全体の温度分布を
赤外線放射温度計によって本発明者等が調べたところ、
′第2図に示すような結果が得られた。、なお、この場
合の自然冷却に先立つベーク時の温度Tbは〜1 ’6
0 (℃〕であった。第2図において、レジスト膜付被
処理基板21の中央部上方(A、a)では温度が高く(
冷却のされ方が遅く)、中心領域(B点)を経て下方(
0点)に進むにつれて温度が低く(冷却のされ方が速く
)なっている。なお、図中の各曲線は等温線である。
第3図は第2図のA、B、O各点における時間に対する
温度変化を示したもので、曲線31,32.33は夫々
A、B、0点に対応する冷却特性である。A点とB点の
最大温度差は15 (t、)程度、A点と0点の最大温
度差はθO〔℃〕程度であった。これらの温度測定はレ
ジスト膜上の被測定部分に熱伝対を接触させて行なった
。このような温度分布(冷却速度むら)が応じる原因と
しては、自然放冷中破処理基板が支持台等の上に立てら
れているために、熱放散による雰囲気の自然対流が基板
面に沿って上向きに起こり易いこと、及び基板下方部が
支持台によυ熱を奪われ易いこと等が考えられる。
温度変化を示したもので、曲線31,32.33は夫々
A、B、0点に対応する冷却特性である。A点とB点の
最大温度差は15 (t、)程度、A点と0点の最大温
度差はθO〔℃〕程度であった。これらの温度測定はレ
ジスト膜上の被測定部分に熱伝対を接触させて行なった
。このような温度分布(冷却速度むら)が応じる原因と
しては、自然放冷中破処理基板が支持台等の上に立てら
れているために、熱放散による雰囲気の自然対流が基板
面に沿って上向きに起こり易いこと、及び基板下方部が
支持台によυ熱を奪われ易いこと等が考えられる。
また、本発明者等は上記レジスト膜付被処理基板の冷却
時の温度分布と照射・現像処理後のレジストパターンの
寸法精度との関係について着目し、第2図の温度測定点
A、B、C!領域における形成パターンの寸法を測定し
たところ、本来例えば2〔μm〕の同一寸法であるべき
パターンにB点において0.1(μm〕、0点において
0.2〔μm″1程度の誤差が生じており、レジスト膜
付基板の冷却時の温度分布と形成されるレジストパター
ンの寸法分布とが、レジストの感度分布を通して完全に
対応していることを確認した。したがって、パターン寸
法むらのない高精度のレジストパターンを得るには、レ
ジストベーク後基板面内で温度分布を生じせしめない様
な均一な冷却が不可欠であることが判った。
時の温度分布と照射・現像処理後のレジストパターンの
寸法精度との関係について着目し、第2図の温度測定点
A、B、C!領域における形成パターンの寸法を測定し
たところ、本来例えば2〔μm〕の同一寸法であるべき
パターンにB点において0.1(μm〕、0点において
0.2〔μm″1程度の誤差が生じており、レジスト膜
付基板の冷却時の温度分布と形成されるレジストパター
ンの寸法分布とが、レジストの感度分布を通して完全に
対応していることを確認した。したがって、パターン寸
法むらのない高精度のレジストパターンを得るには、レ
ジストベーク後基板面内で温度分布を生じせしめない様
な均一な冷却が不可欠であることが判った。
一方、発明者等がベーク後のレジスト膜の冷却過程とレ
ジストの感度との関係に着目し、種々実験・研究を重ね
た結果、レジストを該レジストのガラス転移温度以上の
所定の温度’11’ bでベークした後、該レジスト膜
の温度をまずりbがら任意の中間冷却温度Tmまで下げ
、次いでTmから例えば室温以下の任意の最終冷却温度
Tcまで急速冷させる。QTb≧Trn)Tc )こと
によって、レジストの感度を完全に且つ再現性良く制御
できることを見い出した。さらに、これら冷却過程を制
御して形成したレジストパターンの解像性は何れも、レ
ジスト本来のパターン解像性に比べて、いささかも劣下
していなりことも判った。加えて、上記′11b→Tm
−+Tcのレジスト膜冷却を基板面上全体に亘って均一
に行なうことにょシ寸法精度の極めて高いレジストパタ
ーンを形成できることも判明した。
ジストの感度との関係に着目し、種々実験・研究を重ね
た結果、レジストを該レジストのガラス転移温度以上の
所定の温度’11’ bでベークした後、該レジスト膜
の温度をまずりbがら任意の中間冷却温度Tmまで下げ
、次いでTmから例えば室温以下の任意の最終冷却温度
Tcまで急速冷させる。QTb≧Trn)Tc )こと
によって、レジストの感度を完全に且つ再現性良く制御
できることを見い出した。さらに、これら冷却過程を制
御して形成したレジストパターンの解像性は何れも、レ
ジスト本来のパターン解像性に比べて、いささかも劣下
していなりことも判った。加えて、上記′11b→Tm
−+Tcのレジスト膜冷却を基板面上全体に亘って均一
に行なうことにょシ寸法精度の極めて高いレジストパタ
ーンを形成できることも判明した。
上記した結果を基に、露光前のレジストのべ一り・冷却
プロセスを制御して高精度レジストパターンを得る方法
については、本発明者等によって既に提案されている。
プロセスを制御して高精度レジストパターンを得る方法
については、本発明者等によって既に提案されている。
本発明者等は、更に鋭意研究を重ねた結果、露光後で現
像処理の前に制御されたレジストのベーク・冷却プロセ
スを加えることによっても、上記した場合と同様の高精
度レジストパターンが得られることを見い出した。即ち
、パターン露光後で現像処理の前にガラス転移点Tg以
上の温度Tbでレジスト膜をベーク(以下現像前ベーク
と称す)した後、該レジスト膜の温度をまずTbから任
意の中間冷却温度1゛mまで下げ、然る後Tmから最終
冷却温度Tcまで急速冷却させれば(Tb上Tm)Tc
)、レジストの感度を再現性良く制御でき、しかも、寸
法精度の高いレジストパターンを形成できると七が分か
った。
像処理の前に制御されたレジストのベーク・冷却プロセ
スを加えることによっても、上記した場合と同様の高精
度レジストパターンが得られることを見い出した。即ち
、パターン露光後で現像処理の前にガラス転移点Tg以
上の温度Tbでレジスト膜をベーク(以下現像前ベーク
と称す)した後、該レジスト膜の温度をまずTbから任
意の中間冷却温度1゛mまで下げ、然る後Tmから最終
冷却温度Tcまで急速冷却させれば(Tb上Tm)Tc
)、レジストの感度を再現性良く制御でき、しかも、寸
法精度の高いレジストパターンを形成できると七が分か
った。
上記Tm→Tcのレジスト膜均一急速冷却法として、任
意温度Tmにあるレジスト膜付基板の全体を温度Tc(
Tm>Tc)にある水等の液体冷媒中へ急速に浸漬させ
る方法があり、既に本発明者等によって提案されている
。しがし、この方法を大気圧(〜1気圧)下で種々試み
たところ、レジスト感度は均一性、再現性良く制御でき
るものの、急速冷却前の該基板温度Tmが冷却用液体冷
媒の大気圧(〜1気圧)下の沸点よシも高い場合には、
ベーク基板を冷却液体中へ浸漬した際に、液体沸騰に伴
なう気泡が多数発生して該レジスト膜表面を粗面化させ
、その結果レジストパターンが悪化する場合があること
が判った。
意温度Tmにあるレジスト膜付基板の全体を温度Tc(
Tm>Tc)にある水等の液体冷媒中へ急速に浸漬させ
る方法があり、既に本発明者等によって提案されている
。しがし、この方法を大気圧(〜1気圧)下で種々試み
たところ、レジスト感度は均一性、再現性良く制御でき
るものの、急速冷却前の該基板温度Tmが冷却用液体冷
媒の大気圧(〜1気圧)下の沸点よシも高い場合には、
ベーク基板を冷却液体中へ浸漬した際に、液体沸騰に伴
なう気泡が多数発生して該レジスト膜表面を粗面化させ
、その結果レジストパターンが悪化する場合があること
が判った。
本発明の目的は、解像性を劣下させることなく、レジス
トの電磁波若しくは粒子線照射に対する感度を任意に制
御し、高精度のレジストパターンを効率良く且つ迅速に
形成し得るレジストパターン形成方法及びそれを実現す
るためのレジスト処理装置を提供することにある。
トの電磁波若しくは粒子線照射に対する感度を任意に制
御し、高精度のレジストパターンを効率良く且つ迅速に
形成し得るレジストパターン形成方法及びそれを実現す
るためのレジスト処理装置を提供することにある。
本発明の骨子は、ガラス転移温度以上の温度でベークさ
れたレジストを一旦所望の温度Tmtで徐冷したのち、
冷却用液体にて急速冷却すると共に、該急速冷却時冷却
用液体が収容される空間を該液体の沸点が上記温度Tm
よシ高くなるよう彦圧力下に保持することにある。本発
明によるレジストパターン形成プロセスの概要を第4図
に示す。
れたレジストを一旦所望の温度Tmtで徐冷したのち、
冷却用液体にて急速冷却すると共に、該急速冷却時冷却
用液体が収容される空間を該液体の沸点が上記温度Tm
よシ高くなるよう彦圧力下に保持することにある。本発
明によるレジストパターン形成プロセスの概要を第4図
に示す。
まず、被処理基板上にレジスト膜を冷布形成する。
次いで、このレジスト膜をプリベークし、通常の冷却を
行なう。次に該レジスト膜に対して所定のパターン露光
を行なう。然る後、前記レジスト膜を該レジストのガラ
ス転移温度Tg以上の所定温度Tbでベーク(現像前ベ
ーク)する。前記現像前ベーク後、該レジスト膜付基板
の温度(即ちレジスト膜の温度)をベーク温度Tbから
任意の中間冷却温度Tm(Tb上Tm )へ下げる第1
の冷却、を行なう。次いで、沸点がTm以上となる圧力
状態下で、最終冷却温度Tcにある液体冷媒中へ該基板
の全体を急速浸漬させることによっ℃、中間冷却温度T
mから最終冷却温度T c (Tm>Tc )への急速
且つ均一な第2の冷却を連続して行なう。
行なう。次に該レジスト膜に対して所定のパターン露光
を行なう。然る後、前記レジスト膜を該レジストのガラ
ス転移温度Tg以上の所定温度Tbでベーク(現像前ベ
ーク)する。前記現像前ベーク後、該レジスト膜付基板
の温度(即ちレジスト膜の温度)をベーク温度Tbから
任意の中間冷却温度Tm(Tb上Tm )へ下げる第1
の冷却、を行なう。次いで、沸点がTm以上となる圧力
状態下で、最終冷却温度Tcにある液体冷媒中へ該基板
の全体を急速浸漬させることによっ℃、中間冷却温度T
mから最終冷却温度T c (Tm>Tc )への急速
且つ均一な第2の冷却を連続して行なう。
この場合、上記第2の冷却時の急速冷却温度差Tm−’
I’ cを任意に変化させることによって、或いは最終
冷却温度下Cが固定されている場合には中間冷却温度、
即ち急速冷却開始温度Tmを任意の値に設定することに
よって、最終的に得られるレジスト感度を任意の値に制
御することができる。然る後斯かるレジスト膜に対し現
像・リンス処理を施すことによシ所定のレジストパター
ンを形成する。
I’ cを任意に変化させることによって、或いは最終
冷却温度下Cが固定されている場合には中間冷却温度、
即ち急速冷却開始温度Tmを任意の値に設定することに
よって、最終的に得られるレジスト感度を任意の値に制
御することができる。然る後斯かるレジスト膜に対し現
像・リンス処理を施すことによシ所定のレジストパター
ンを形成する。
また、本発明は、被処理基板上に形成されたレジスト膜
をベークしたのち冷却するレジスト処理装置において、
前記レジスト膜付基板を収容し、該基板を該レジストの
ガラス転移温度Tg以上の温度Tbまで加熱すると共に
、加熱した基板を徐冷し該基板の温度を加熱温度Tbか
ら中間温度Tmまで下降せしめる加熱室と、上記加熱徐
冷した基板を浸漬して該基板を冷却するための冷却用液
体を収容し、かつその内部を該液体の沸点が前記温度T
m以上となる圧力下に保持する冷却室とを具備し、上記
温度Tmからの冷却を急速に行なうようにしたものであ
る。
をベークしたのち冷却するレジスト処理装置において、
前記レジスト膜付基板を収容し、該基板を該レジストの
ガラス転移温度Tg以上の温度Tbまで加熱すると共に
、加熱した基板を徐冷し該基板の温度を加熱温度Tbか
ら中間温度Tmまで下降せしめる加熱室と、上記加熱徐
冷した基板を浸漬して該基板を冷却するための冷却用液
体を収容し、かつその内部を該液体の沸点が前記温度T
m以上となる圧力下に保持する冷却室とを具備し、上記
温度Tmからの冷却を急速に行なうようにしたものであ
る。
本発明によれば、レジストの電磁波若しくは粒子線照射
に対する感度を、その解像性を劣下させることなく、任
意に設定することができる。したがって、低感度のレジ
ストでも本発明の方法によって解像性を劣下させること
なく高感度化され、電磁波若しくは粒子線による照射処
理時間を短縮することができる。しかも、本発明によれ
ば、ベーク後のシスト膜が膜全体にわたって均一に冷却
されるほか、レジスト膜面が粗面下するとともないので
、被処理基板上全体にわたって寸法ばらつきの少ない極
めて高精度のレジストパターンを形成することができる
。
に対する感度を、その解像性を劣下させることなく、任
意に設定することができる。したがって、低感度のレジ
ストでも本発明の方法によって解像性を劣下させること
なく高感度化され、電磁波若しくは粒子線による照射処
理時間を短縮することができる。しかも、本発明によれ
ば、ベーク後のシスト膜が膜全体にわたって均一に冷却
されるほか、レジスト膜面が粗面下するとともないので
、被処理基板上全体にわたって寸法ばらつきの少ない極
めて高精度のレジストパターンを形成することができる
。
また、本発明の効果は露光時及び露光前のレジストの熱
履歴には無関係に得られるので、露光時にレジストの温
度上昇が生じても構わないし、従来のプリベーク・冷却
プロセス条件を特に変更する必要もない。さらにレジス
ト感度を任意の値に制御できるので、露光装置のレジス
ト適用範囲即ち利用し得るレジストの種類を拡大するこ
とができる。加えて、露光時のレジストに対する電磁波
や粒子線の照射量が適正でなかったシ、照射量を間違え
て露光した場合でも、現像前ベークと上記制御された冷
却を行なうことによシ、露光後でもレジストの感度を制
御し、高精度パターンを得るためのプロセス上の修正を
施すことができる。
履歴には無関係に得られるので、露光時にレジストの温
度上昇が生じても構わないし、従来のプリベーク・冷却
プロセス条件を特に変更する必要もない。さらにレジス
ト感度を任意の値に制御できるので、露光装置のレジス
ト適用範囲即ち利用し得るレジストの種類を拡大するこ
とができる。加えて、露光時のレジストに対する電磁波
や粒子線の照射量が適正でなかったシ、照射量を間違え
て露光した場合でも、現像前ベークと上記制御された冷
却を行なうことによシ、露光後でもレジストの感度を制
御し、高精度パターンを得るためのプロセス上の修正を
施すことができる。
〈実施例1〉
本発明ではポリ(2,2,2−)リフルオロエチル−α
−クロロアクリレート)よシなるポジ型電子線感応レジ
ストを用いた場合のレジスト膜くターン形成方法につい
て述べる。まず、上記レジストを周知の回転塗布法によ
シ被処理基板上に塗布する。塗布膜厚は、例えば0,3
〜1 (pm)程度でよいがJここでは0.8Cμm〕
とした。被処理基板としては、半導体ウエノ・やガラス
基板等様々あるが、ここでは金属膜付ガラス基板を用い
た。次に前記レジスト膜をプリベークし、自然放冷した
。プリベーク温度は160℃であり、プリベーク時間は
30分であった。自然放冷時におけるレジスト膜全体に
わたる温度分布については、特別な注意は払わなかった
。即ちレジスト膜付基板全体にわたる意図的な均一冷却
は行なわなかった。次いで、前記レジスト膜に対して所
定の条件で電子線露光を行なった。然る後、後述するよ
うなレジスト処理装置を用いて前記レジストの現像前ベ
ークと制御された均一冷却処理を行なった。ベーク温度
Tbは上記レジストのガラス転移温度Tg〜133℃か
ら200℃の範囲で選択してよいが、ここでは180℃
とした。現像前ベークは約10分間行なった。プリベー
ク工程でレジストの溶剤は十分に取り除かれているので
、該現像前ベーク時間をあまシ長くする必要はない。本
実施例では取シ敢えず10分間とした。次いで、該レジ
スト膜付基板の温度を任意の中間冷却温度Tm(Tb≧
Tm )まで下げたのち、該レジスト膜付基板温度をT
mに保持したまま該基板の周囲の圧力を高めた。到達圧
力が約10気圧になってから、同じ圧力下にある所定最
終冷却温度T c (、Trn>Tc )の冷却水の中
へ温度Tmの該レジスト膜付被処理基板の全体を急速(
3秒以内)に浸漬させレジストの均一急速冷却を行なっ
た。本実施例では中間冷却温度(急速冷却開始温度)T
mは該レジストのガラス転移温度Tg(〜133℃)を
挾んだ、180〜4.0C℃)の範囲で10 〔℃)ず
つ変化させた。また、最終冷却温度Tcとして室温(2
5℃)を選んだ。第5図は中間冷却温度即ち急速冷却開
始温度Tmが、例えば150〔℃〕の場合の上記レジス
ト膜付被処理基板の冷却時の温度変化T b−+T m
−+T cを示したもので、被処理基板上のレジスト面
で第2図に示したA、B、O領域と略同等の3領域にお
ける温度変化を測定した結果である。上記A、B、O各
領域の温度変化に対応する特性が夫々曲線51,52.
53で第3図の従来法の場合の冷却特性に比べ全体にわ
たって(Tb−+Tc )均一な冷却がなされ、特にT
m→TCの冷却領域では均−且つ急速な冷却が行なわれ
ていることがよく判る。このような均一(’I”b→T
m−+Tc )で急速(Tm−+Tc )な冷却は他の
任意のTmについても同様に認められた。なお、被処理
基板の冷却水浸漬後における夫々のTmからTcまでの
冷却時間は、本実施例の場合例れも〜3秒以下であった
。中間冷却温度即ち急速冷却開始温度Tmの値を種々変
えた場合の上記ベーク、冷却プoセx (Tb= 18
0℃−+ ’l’ m−+ T C= 25℃)を経た
夫々のレジスト試料について電子線に対する感度(所定
現像条件下でレジスト膜の膜厚残存率がゼロとなる場合
の電子線照射量)を調べた結果、第6図(a)に示す特
性が得られた。第6図の特性は、上記レジスト膜に20
KeVの電子線を照射後、前記夫々の現像前ベーク・冷
却プロセスを施し、然る後室温でメチルインブチルケト
ンCMIBK):イソプロピルアルコール(IPA、)
=7:3現像液で10分間の現像処理、次いでIPA液
にて30秒間のリンス処理を施こして得られたものであ
る。第6図(a)に見られるように、Tb→Tm−+T
cのレジスト冷却過程で、中間冷却温度即ち急速冷却開
始温度Tmが該レジストのガラス転移温度1′g(〜1
33℃)と略等しくなる温度領域でレジスト感度に幅広
い変化があられれる。
−クロロアクリレート)よシなるポジ型電子線感応レジ
ストを用いた場合のレジスト膜くターン形成方法につい
て述べる。まず、上記レジストを周知の回転塗布法によ
シ被処理基板上に塗布する。塗布膜厚は、例えば0,3
〜1 (pm)程度でよいがJここでは0.8Cμm〕
とした。被処理基板としては、半導体ウエノ・やガラス
基板等様々あるが、ここでは金属膜付ガラス基板を用い
た。次に前記レジスト膜をプリベークし、自然放冷した
。プリベーク温度は160℃であり、プリベーク時間は
30分であった。自然放冷時におけるレジスト膜全体に
わたる温度分布については、特別な注意は払わなかった
。即ちレジスト膜付基板全体にわたる意図的な均一冷却
は行なわなかった。次いで、前記レジスト膜に対して所
定の条件で電子線露光を行なった。然る後、後述するよ
うなレジスト処理装置を用いて前記レジストの現像前ベ
ークと制御された均一冷却処理を行なった。ベーク温度
Tbは上記レジストのガラス転移温度Tg〜133℃か
ら200℃の範囲で選択してよいが、ここでは180℃
とした。現像前ベークは約10分間行なった。プリベー
ク工程でレジストの溶剤は十分に取り除かれているので
、該現像前ベーク時間をあまシ長くする必要はない。本
実施例では取シ敢えず10分間とした。次いで、該レジ
スト膜付基板の温度を任意の中間冷却温度Tm(Tb≧
Tm )まで下げたのち、該レジスト膜付基板温度をT
mに保持したまま該基板の周囲の圧力を高めた。到達圧
力が約10気圧になってから、同じ圧力下にある所定最
終冷却温度T c (、Trn>Tc )の冷却水の中
へ温度Tmの該レジスト膜付被処理基板の全体を急速(
3秒以内)に浸漬させレジストの均一急速冷却を行なっ
た。本実施例では中間冷却温度(急速冷却開始温度)T
mは該レジストのガラス転移温度Tg(〜133℃)を
挾んだ、180〜4.0C℃)の範囲で10 〔℃)ず
つ変化させた。また、最終冷却温度Tcとして室温(2
5℃)を選んだ。第5図は中間冷却温度即ち急速冷却開
始温度Tmが、例えば150〔℃〕の場合の上記レジス
ト膜付被処理基板の冷却時の温度変化T b−+T m
−+T cを示したもので、被処理基板上のレジスト面
で第2図に示したA、B、O領域と略同等の3領域にお
ける温度変化を測定した結果である。上記A、B、O各
領域の温度変化に対応する特性が夫々曲線51,52.
53で第3図の従来法の場合の冷却特性に比べ全体にわ
たって(Tb−+Tc )均一な冷却がなされ、特にT
m→TCの冷却領域では均−且つ急速な冷却が行なわれ
ていることがよく判る。このような均一(’I”b→T
m−+Tc )で急速(Tm−+Tc )な冷却は他の
任意のTmについても同様に認められた。なお、被処理
基板の冷却水浸漬後における夫々のTmからTcまでの
冷却時間は、本実施例の場合例れも〜3秒以下であった
。中間冷却温度即ち急速冷却開始温度Tmの値を種々変
えた場合の上記ベーク、冷却プoセx (Tb= 18
0℃−+ ’l’ m−+ T C= 25℃)を経た
夫々のレジスト試料について電子線に対する感度(所定
現像条件下でレジスト膜の膜厚残存率がゼロとなる場合
の電子線照射量)を調べた結果、第6図(a)に示す特
性が得られた。第6図の特性は、上記レジスト膜に20
KeVの電子線を照射後、前記夫々の現像前ベーク・冷
却プロセスを施し、然る後室温でメチルインブチルケト
ンCMIBK):イソプロピルアルコール(IPA、)
=7:3現像液で10分間の現像処理、次いでIPA液
にて30秒間のリンス処理を施こして得られたものであ
る。第6図(a)に見られるように、Tb→Tm−+T
cのレジスト冷却過程で、中間冷却温度即ち急速冷却開
始温度Tmが該レジストのガラス転移温度1′g(〜1
33℃)と略等しくなる温度領域でレジスト感度に幅広
い変化があられれる。
Tb≧Tm)Tg領領域は高いレジスト感度が得られ、
TmがTbに近づくにつれて感度が高くなり、最大レジ
スト感度として〜1.2X 10 (0/J)が得られ
るo Tg>Tm>Tc (−25℃)領域では、急速
冷却開始温度Tmが下降するにつれて・レジスト感度が
低くなシ、従来の自然放冷の場合の感度〜8×1O−6
(0/d)に近づく。
TmがTbに近づくにつれて感度が高くなり、最大レジ
スト感度として〜1.2X 10 (0/J)が得られ
るo Tg>Tm>Tc (−25℃)領域では、急速
冷却開始温度Tmが下降するにつれて・レジスト感度が
低くなシ、従来の自然放冷の場合の感度〜8×1O−6
(0/d)に近づく。
一方、上記レジストを〜08μmの厚さに塗布したレジ
スト膜付基板(金属膜付6インチロガラス基板)を用意
し、上記と同様のプリベーク自然放冷を行なった後、該
レジスト膜付基板の周辺部分を除く全面へ20KeV電
子線描画装置を用いて、上記夫々の感度で対応する照射
量で選択的パターン露光を行ない、前記夫々の感度に対
応する現像前ベーク(Tb=180℃)と’f b−+
Tm−+T c(T C:25℃)の冷却プロセスを施
し、然る後室温におけるMIBK/IPA (=773
)現像、iPAリンス処理を行なってレジストパター
ンを形成した。これらレジストパターンは清浄であう、
パターンの解像性はすべて良好であった。また、例えば
線幅05〜2.0〔μm〕の範囲のレジストパターンの
寸法精度を測定評価した結果、いずれの場合のレジスト
パターンもすべて高精度で、基板面内の寸法変動誤差3
σ(:0.1(μm〕を十分に満足するものであった。
スト膜付基板(金属膜付6インチロガラス基板)を用意
し、上記と同様のプリベーク自然放冷を行なった後、該
レジスト膜付基板の周辺部分を除く全面へ20KeV電
子線描画装置を用いて、上記夫々の感度で対応する照射
量で選択的パターン露光を行ない、前記夫々の感度に対
応する現像前ベーク(Tb=180℃)と’f b−+
Tm−+T c(T C:25℃)の冷却プロセスを施
し、然る後室温におけるMIBK/IPA (=773
)現像、iPAリンス処理を行なってレジストパター
ンを形成した。これらレジストパターンは清浄であう、
パターンの解像性はすべて良好であった。また、例えば
線幅05〜2.0〔μm〕の範囲のレジストパターンの
寸法精度を測定評価した結果、いずれの場合のレジスト
パターンもすべて高精度で、基板面内の寸法変動誤差3
σ(:0.1(μm〕を十分に満足するものであった。
〈実施例2〉
本実施例では、レジストとしてポリメチルメタクリレー
トを用いた。基本的な実施態様は実施例1の場合と略同
様である。レジスト塗布後のプリベークは160℃で3
0分間行ない、プリベーク後自然放冷によってレジスト
膜付基板の冷却を行なった。電子線露光は加速電圧20
kVにて行なった。
トを用いた。基本的な実施態様は実施例1の場合と略同
様である。レジスト塗布後のプリベークは160℃で3
0分間行ない、プリベーク後自然放冷によってレジスト
膜付基板の冷却を行なった。電子線露光は加速電圧20
kVにて行なった。
露光後のレジスト膜に対し現像前ベーク七、本発明の冷
却プロセスを施した。現像前ベーク時のベーク温度Tb
は、本レジストのガラス転移温度′1゛g〜110℃を
越える170℃に設定した。ベーク時間は10分間とし
た。レジスト膜冷却時の基板層Hの圧力は約8気圧で、
現像前ベーク温度Tb−、,170〔℃〕から種々の中
間冷却温度Tmを経て最終冷却温度Tc=25(℃’J
に至るレジスト冷却を行なった。中間冷却温度即ち急速
冷却開始温度Tnlは170〜40 (℃〕の範囲で1
0C℃alずつ変化させた。最終冷却のための液体冷媒
は、実施例1と同様、室温25 (℃)にある水である
。’J” rn→’]−’ c(=25℃)の均一急速
冷却は、温度’I” m Kあるレジスト膜付基板の全
体を、温度Tc(−25℃)にある水の中へ急速(3秒
以内)に浸漬させることによって行なった。上記種々の
冷却プロセスを経た夫々のレジスト試料に、室温にて1
3分間のMIBK現像、30秒間のIPAリンスを行な
って、夫々の感度特性を調べた。第6図(b)は中間冷
却温度、即ち急速冷却開始温度Tmに対するレジスト感
度の変化を現わしたものである。本実施例においても、
急速冷却開始温度Tmがレジストのガラス転移温度Tg
=110C℃)に略等しくなる領域で広い範囲の感度変
化が現われる。Tb≧T m )T g領域ではTmを
高くする程レジスト感度は高くなシ、〜2X10 ’(
0/crI)もの感度に達する。Tg>Tm>T c
(=25℃)領域では、Tmを下げる程レジスト感度は
低くなシ、従来の自然放冷の場合の感度〜1 x 10
1[:O/c++l)に近づく。
却プロセスを施した。現像前ベーク時のベーク温度Tb
は、本レジストのガラス転移温度′1゛g〜110℃を
越える170℃に設定した。ベーク時間は10分間とし
た。レジスト膜冷却時の基板層Hの圧力は約8気圧で、
現像前ベーク温度Tb−、,170〔℃〕から種々の中
間冷却温度Tmを経て最終冷却温度Tc=25(℃’J
に至るレジスト冷却を行なった。中間冷却温度即ち急速
冷却開始温度Tnlは170〜40 (℃〕の範囲で1
0C℃alずつ変化させた。最終冷却のための液体冷媒
は、実施例1と同様、室温25 (℃)にある水である
。’J” rn→’]−’ c(=25℃)の均一急速
冷却は、温度’I” m Kあるレジスト膜付基板の全
体を、温度Tc(−25℃)にある水の中へ急速(3秒
以内)に浸漬させることによって行なった。上記種々の
冷却プロセスを経た夫々のレジスト試料に、室温にて1
3分間のMIBK現像、30秒間のIPAリンスを行な
って、夫々の感度特性を調べた。第6図(b)は中間冷
却温度、即ち急速冷却開始温度Tmに対するレジスト感
度の変化を現わしたものである。本実施例においても、
急速冷却開始温度Tmがレジストのガラス転移温度Tg
=110C℃)に略等しくなる領域で広い範囲の感度変
化が現われる。Tb≧T m )T g領域ではTmを
高くする程レジスト感度は高くなシ、〜2X10 ’(
0/crI)もの感度に達する。Tg>Tm>T c
(=25℃)領域では、Tmを下げる程レジスト感度は
低くなシ、従来の自然放冷の場合の感度〜1 x 10
1[:O/c++l)に近づく。
一方、上記したレジスト〜0.87zmの厚さに塗布し
たレジスト膜付基板(金属膜付6インチロガラス基板)
を用意し、上記と同様のプリベーク、露光(電子線照射
量は上記夫々の電子線感度に対応)現像前ベーク、’1
” b−+Tm−+T c冷却プロセス(上記夫々の感
度に対応する冷却プロセス)、現像、リンスなどの処理
を施し、レジストパターンを形成した。すべての基板上
全体にわたシ、レジストパターンは清浄で、パターン解
像性は良好であった。
たレジスト膜付基板(金属膜付6インチロガラス基板)
を用意し、上記と同様のプリベーク、露光(電子線照射
量は上記夫々の電子線感度に対応)現像前ベーク、’1
” b−+Tm−+T c冷却プロセス(上記夫々の感
度に対応する冷却プロセス)、現像、リンスなどの処理
を施し、レジストパターンを形成した。すべての基板上
全体にわたシ、レジストパターンは清浄で、パターン解
像性は良好であった。
また、本実施例においても、線幅0.5〜2.0〔μm
〕の範囲のレジストパターンの寸法精度を測定評価した
結果、何れの場合のレジストパターンも高精度で、基板
面内の寸法変動誤差はすべて3σ〈0゜1〔μm〕であ
った。
〕の範囲のレジストパターンの寸法精度を測定評価した
結果、何れの場合のレジストパターンも高精度で、基板
面内の寸法変動誤差はすべて3σ〈0゜1〔μm〕であ
った。
なお、本発明の主眼は、露光後の被処理基板上のレジス
ト膜を現像前ベーク、昇圧急速均一冷却することによシ
、レジスト処理の高速化やレジストパターンの高精度化
をはかることもさることながら、特に、ベーク温度Tb
(Tb≧’I’g)から最終冷却温度Tcへ現像前ベー
ク後のレジスト膜を冷却する過程で任意の中間冷却温度
Tm(Tb≧Tm>Tc )を設け、Tmを急速冷却開
始温度としてレジスト膜付基板を最終冷却温度Tcの液
体冷媒中へ急速浸漬冷却させることによシ、レジストの
感度を任意に制御することにある。したがって、本発明
の方法を用いれば、例えば種々のレジスト照射(露光)
装置の性能に適合するように、レジ □ストの感度を任
意に且つ均一に設定することができる。
ト膜を現像前ベーク、昇圧急速均一冷却することによシ
、レジスト処理の高速化やレジストパターンの高精度化
をはかることもさることながら、特に、ベーク温度Tb
(Tb≧’I’g)から最終冷却温度Tcへ現像前ベー
ク後のレジスト膜を冷却する過程で任意の中間冷却温度
Tm(Tb≧Tm>Tc )を設け、Tmを急速冷却開
始温度としてレジスト膜付基板を最終冷却温度Tcの液
体冷媒中へ急速浸漬冷却させることによシ、レジストの
感度を任意に制御することにある。したがって、本発明
の方法を用いれば、例えば種々のレジスト照射(露光)
装置の性能に適合するように、レジ □ストの感度を任
意に且つ均一に設定することができる。
上記実施例では2種類のレジストに関してのレジストパ
ターン形成例について述べたが、レジストの種類や更に
はレジスト膜が被着される基板材料、レジストの溶媒(
上記実施例のレジストの溶媒としては通常メチルセロン
ルブアセテートが用いられている)、現像及びリンス方
法についても上述した実施例に限定されるものではなく
、公知の種々の材料、レジスト溶媒、現像、リンス方法
についても本発明の諸効果が達成されることを認認して
いる。現像前ベーク時のベーク温度Tb(Tb21g)
についても上述した実施例に限定されるものではない。
ターン形成例について述べたが、レジストの種類や更に
はレジスト膜が被着される基板材料、レジストの溶媒(
上記実施例のレジストの溶媒としては通常メチルセロン
ルブアセテートが用いられている)、現像及びリンス方
法についても上述した実施例に限定されるものではなく
、公知の種々の材料、レジスト溶媒、現像、リンス方法
についても本発明の諸効果が達成されることを認認して
いる。現像前ベーク時のベーク温度Tb(Tb21g)
についても上述した実施例に限定されるものではない。
また、上記実施例では現像前ベーク後のレジストの冷却
媒体である液体として水を用いたが、熱容量(比熱)が
大きく且つ浸漬中のレジストに対して実質的に物理・化
学的変質をもたらさない液体冷媒(例えば高級アルコー
ル。
媒体である液体として水を用いたが、熱容量(比熱)が
大きく且つ浸漬中のレジストに対して実質的に物理・化
学的変質をもたらさない液体冷媒(例えば高級アルコー
ル。
グリセリンなど)ならば何でもよい。さらに冷却処理時
の圧力は、少くとも中間冷却温度(急速冷却開始温度)
1゛mにおける液体冷媒の蒸気圧以上であれば、何れの
値に設定してもよい。
の圧力は、少くとも中間冷却温度(急速冷却開始温度)
1゛mにおける液体冷媒の蒸気圧以上であれば、何れの
値に設定してもよい。
また、上記実施例においても述べたように、本発明者等
の研究結果によると、レジストの現像前ベーク温度Tb
及び中間冷却温度(急速冷却開始温度)Tmが該レジス
トのガラス転移温度Tg以上である場合には、Tgよシ
低い温度Tcにある液体冷媒中ヘレジストを急速浸漬さ
せる(Tb≧Tm≧Tg>’I’c )ことによって、
レジスト感度の大幅な向上化が達成できることが確認さ
れている。
の研究結果によると、レジストの現像前ベーク温度Tb
及び中間冷却温度(急速冷却開始温度)Tmが該レジス
トのガラス転移温度Tg以上である場合には、Tgよシ
低い温度Tcにある液体冷媒中ヘレジストを急速浸漬さ
せる(Tb≧Tm≧Tg>’I’c )ことによって、
レジスト感度の大幅な向上化が達成できることが確認さ
れている。
さらに、該冷媒の温度TCが1g以下の領域で、低けれ
ば低い程レジスト急速冷却後のレジスト感度は増々高ま
ることも確認されている。したがって、Tb≧Tm≧T
g>Tcの関係を満たす範囲で、中間冷却温度、即ち急
速冷却開始温度Tmとレジスト冷却用液体冷媒の温度T
cとを任意の値に選べば、レジストの高感度化の範囲を
更に拡大することができる。また、中間冷却温度Tmか
ら最終冷却温度Tcにある液体冷媒中ヘレジスト膜付被
処理基板の全体を浸漬させるに要する時間は、べ−り→
冷却の過程における基板移動の際に発生する該基板の温
度降下むら(レジスト感度むらを誘発)を抑制するため
に、短ければ短い程良く、5〜6秒以下、できれば3秒
以下にすることが望ましい。
ば低い程レジスト急速冷却後のレジスト感度は増々高ま
ることも確認されている。したがって、Tb≧Tm≧T
g>Tcの関係を満たす範囲で、中間冷却温度、即ち急
速冷却開始温度Tmとレジスト冷却用液体冷媒の温度T
cとを任意の値に選べば、レジストの高感度化の範囲を
更に拡大することができる。また、中間冷却温度Tmか
ら最終冷却温度Tcにある液体冷媒中ヘレジスト膜付被
処理基板の全体を浸漬させるに要する時間は、べ−り→
冷却の過程における基板移動の際に発生する該基板の温
度降下むら(レジスト感度むらを誘発)を抑制するため
に、短ければ短い程良く、5〜6秒以下、できれば3秒
以下にすることが望ましい。
また、レジスト照射(露光)方法については、上記した
電子線以外に光線、X線、イオンビーム等の所定波長域
の電磁波やD「定エネルギーの粒子線等を用いても本発
明の効果が得られる。
電子線以外に光線、X線、イオンビーム等の所定波長域
の電磁波やD「定エネルギーの粒子線等を用いても本発
明の効果が得られる。
〈実施例3〉
次に本発明の寸法を実施するのに適合する1ノジスト処
理装置の一例について、第7図を参照して説明する。第
7図の装置は、レジスト膜をガラス転移温度以上の温度
でベークし、ベーク後のレジスト膜を均一に徐冷し、さ
らに急速冷却するための全自動処理装置である。まず、
露光済みのレジスト膜付被処理基板71aが予めカセッ
ト72aに収納されており、所定の搬送シーケンスの下
にベルトコンベア73aによって所定位置へ順次搬送さ
れる。次いで、レジスト膜付基板71aは回転・上下・
水平移動機能を有する真空チャック搬送器74aによっ
て、本発明のレジスト処理装置の中枢であるレジストベ
ーク・冷却器75内の被処理基板支持具76上に移送さ
れ載置される。以上の処理はすべて大気圧(〜1気圧)
下で行なわれる。
理装置の一例について、第7図を参照して説明する。第
7図の装置は、レジスト膜をガラス転移温度以上の温度
でベークし、ベーク後のレジスト膜を均一に徐冷し、さ
らに急速冷却するための全自動処理装置である。まず、
露光済みのレジスト膜付被処理基板71aが予めカセッ
ト72aに収納されており、所定の搬送シーケンスの下
にベルトコンベア73aによって所定位置へ順次搬送さ
れる。次いで、レジスト膜付基板71aは回転・上下・
水平移動機能を有する真空チャック搬送器74aによっ
て、本発明のレジスト処理装置の中枢であるレジストベ
ーク・冷却器75内の被処理基板支持具76上に移送さ
れ載置される。以上の処理はすべて大気圧(〜1気圧)
下で行なわれる。
ベーク・冷却器75は、ヒーター77が内包されたベー
ク室(加熱室)78と冷却用液体(例えば水)79が収
容された冷却室80とから成っている。ベーク室78と
冷却室80との間には被処理基板71bを載置した基板
支持具76が通過できる程度の開口があシ、ゲートパル
プ81によって該開口の開閉を行なうようKしである。
ク室(加熱室)78と冷却用液体(例えば水)79が収
容された冷却室80とから成っている。ベーク室78と
冷却室80との間には被処理基板71bを載置した基板
支持具76が通過できる程度の開口があシ、ゲートパル
プ81によって該開口の開閉を行なうようKしである。
ベーク室78側には被処理基板の搬入出口となる開口が
設けられており、パルプ82a、82bによってそれら
の開閉を行なう仕組にしである。さらに、べ〜り室78
側には昇圧用管83a、 リーク用管83b等が設けら
れており、夫々は開閉パルプ84a、84bを有してい
る。また、冷却室80側には液体冷媒の注入管85aと
排出管85bが設けられており、夫々は開閉バルブ86
a、86bを有している。液体冷媒79の温度(Tc)
は、ベーク・冷却器75の外に置かれた液温調整器(図
示せず2等を用い、予め所定値に設定しておく。上記全
てのパルプを閉じると、ベーク室78と冷却室8oは夫
々完全に密閉された状態になる。搬送器74aによって
被処理基板71aが基板支持具76上に搬送される際に
は、パルプ82aのみ開き他のパルプはすべて閉じてい
る。また、この時点ではベーク室78と冷却室80の内
部の圧力は大気圧(〜1気圧ンになっている。基板支持
具76上への被処理基板71aの搬送が終了すると、パ
ルプ82aが閉じて、べ−り室78は密閉される。次に
、基板71b上のレジスト面とヒーター77とが所定の
間隔で略平行に面対向するように、基板支持具76を移
動させる。
設けられており、パルプ82a、82bによってそれら
の開閉を行なう仕組にしである。さらに、べ〜り室78
側には昇圧用管83a、 リーク用管83b等が設けら
れており、夫々は開閉パルプ84a、84bを有してい
る。また、冷却室80側には液体冷媒の注入管85aと
排出管85bが設けられており、夫々は開閉バルブ86
a、86bを有している。液体冷媒79の温度(Tc)
は、ベーク・冷却器75の外に置かれた液温調整器(図
示せず2等を用い、予め所定値に設定しておく。上記全
てのパルプを閉じると、ベーク室78と冷却室8oは夫
々完全に密閉された状態になる。搬送器74aによって
被処理基板71aが基板支持具76上に搬送される際に
は、パルプ82aのみ開き他のパルプはすべて閉じてい
る。また、この時点ではベーク室78と冷却室80の内
部の圧力は大気圧(〜1気圧ンになっている。基板支持
具76上への被処理基板71aの搬送が終了すると、パ
ルプ82aが閉じて、べ−り室78は密閉される。次に
、基板71b上のレジスト面とヒーター77とが所定の
間隔で略平行に面対向するように、基板支持具76を移
動させる。
対向するレジスト面を均一温度にてベークする必要があ
るので、ヒーター77は略平面状の加熱源が得られる様
にその形状を工夫しである。次いでヒーター加熱が始ま
シ、レジストがガラス転移温度Tg以上の所定温度(T
b)でベークされる。
るので、ヒーター77は略平面状の加熱源が得られる様
にその形状を工夫しである。次いでヒーター加熱が始ま
シ、レジストがガラス転移温度Tg以上の所定温度(T
b)でベークされる。
所定温度T b (Tb≧Tg)で所定時間のレジスト
ベークを行なった後は、レジスト膜面の温度が任意の中
間冷却温度Tmになる用にヒーター加熱が自動調整され
、レジスト膜のベーク温度Tbから温度Tm(Tb上T
m )への第一の均一冷却がなさィしゐ。レジスト膜付
基板温度が所定のTm値に安定すると、該Tm値を変え
ない様に加熱及び基板支持具の位置等はそのままの状態
にして、パルプ81を開放し、続いてパルプ84aを開
放する。パルプ84aの開放と同時に、ベーク室78及
び冷却室80内の圧力は同一圧力の下に昇圧用管83a
を通して高められる。ベーク・冷却器75内の圧力が所
定圧力値に達するまでは、レジスト膜付基板71bはベ
ーク室78において所定温度Tmに保持されている。ベ
ーク室78と冷却室8oの圧力が所定値に達するとパル
プ84aが閉じられ、基板支持具76が急速下降してレ
ジスト膜付被処理基板71bの全体が急速に冷却室8o
の所定温度Tcにある液体冷媒79中へ浸漬され第二の
冷却がなされる( Tm:>Tc )。この時液体冷媒
の圧力は十分に高く設定しであるので、該冷媒の沸騰は
生じない。この時点でベーク室78内のヒーター加熱は
停止されるが、ベーク室78の構造如何によっては、後
続レジスト膜付基板のベーク処理を効率よく行なうため
に、ヒーター加熱は継続させておくこともできる。次い
で、基板支持具76が上方向に移動、被処理基板71b
は液体冷媒79中から引き揚げられてベーク室の所定位
置まで移送される。
ベークを行なった後は、レジスト膜面の温度が任意の中
間冷却温度Tmになる用にヒーター加熱が自動調整され
、レジスト膜のベーク温度Tbから温度Tm(Tb上T
m )への第一の均一冷却がなさィしゐ。レジスト膜付
基板温度が所定のTm値に安定すると、該Tm値を変え
ない様に加熱及び基板支持具の位置等はそのままの状態
にして、パルプ81を開放し、続いてパルプ84aを開
放する。パルプ84aの開放と同時に、ベーク室78及
び冷却室80内の圧力は同一圧力の下に昇圧用管83a
を通して高められる。ベーク・冷却器75内の圧力が所
定圧力値に達するまでは、レジスト膜付基板71bはベ
ーク室78において所定温度Tmに保持されている。ベ
ーク室78と冷却室8oの圧力が所定値に達するとパル
プ84aが閉じられ、基板支持具76が急速下降してレ
ジスト膜付被処理基板71bの全体が急速に冷却室8o
の所定温度Tcにある液体冷媒79中へ浸漬され第二の
冷却がなされる( Tm:>Tc )。この時液体冷媒
の圧力は十分に高く設定しであるので、該冷媒の沸騰は
生じない。この時点でベーク室78内のヒーター加熱は
停止されるが、ベーク室78の構造如何によっては、後
続レジスト膜付基板のベーク処理を効率よく行なうため
に、ヒーター加熱は継続させておくこともできる。次い
で、基板支持具76が上方向に移動、被処理基板71b
は液体冷媒79中から引き揚げられてベーク室の所定位
置まで移送される。
次いで、リークパルプ84bが開放され、リーク用管8
3bを通して、ベーク室78及び冷却室80の圧力が大
気圧(〜1気圧)に戻される。ベーク室78及び冷却室
80の圧力が略大気圧(〜1気圧)になった時点でパル
プ81及びパルプ84bは閉じられ、次いでパルプ82
bが開けられる。この時点以降の工程はすべて大気圧下
で表される。次に、冷却器レジスト膜付被処理基板71
bは、パルプ82b部分の開口を通して、回転・上下・
水平移動機構を有する真空チャック搬送器74bによっ
てベーク・冷却器75の外へ出され、乾燥用回転台87
上へ載せられる。回転台87によシ被処理基板71Cは
回転し、その結果被処理基板71cに付着していた液体
冷媒が飛散して強制的な乾燥がなされる。
3bを通して、ベーク室78及び冷却室80の圧力が大
気圧(〜1気圧)に戻される。ベーク室78及び冷却室
80の圧力が略大気圧(〜1気圧)になった時点でパル
プ81及びパルプ84bは閉じられ、次いでパルプ82
bが開けられる。この時点以降の工程はすべて大気圧下
で表される。次に、冷却器レジスト膜付被処理基板71
bは、パルプ82b部分の開口を通して、回転・上下・
水平移動機構を有する真空チャック搬送器74bによっ
てベーク・冷却器75の外へ出され、乾燥用回転台87
上へ載せられる。回転台87によシ被処理基板71Cは
回転し、その結果被処理基板71cに付着していた液体
冷媒が飛散して強制的な乾燥がなされる。
回転乾燥中、被処理基板71cは回転台87上へ真空チ
ャック等の手段で固定されている。乾燥が終了した被処
理基板71cは、次に回転・上下動機構を有する真空チ
ャック搬送器74cによってベルトコンベア73b上の
所定位置へ移される。そして、現像前ベーク、昇圧冷却
、乾燥をすべて終えた被処理基板71dは、所定のシー
ケンスの下にベルトコンベア73bによってカセット7
2bに収納される。上述した処理がすべての被処理基板
に対して順次なされた時点で、本発明のレジスト処理装
置による工程は完了する。
ャック等の手段で固定されている。乾燥が終了した被処
理基板71cは、次に回転・上下動機構を有する真空チ
ャック搬送器74cによってベルトコンベア73b上の
所定位置へ移される。そして、現像前ベーク、昇圧冷却
、乾燥をすべて終えた被処理基板71dは、所定のシー
ケンスの下にベルトコンベア73bによってカセット7
2bに収納される。上述した処理がすべての被処理基板
に対して順次なされた時点で、本発明のレジスト処理装
置による工程は完了する。
なお、本装置は枚葉式の処理方法を採用しているので、
状況によってはベーク・冷却器の部分における処理時間
が長くなって、他の部分との処理時間+7)バランスを
崩し、高スループツト化がはかれない場合も生じ得る。
状況によってはベーク・冷却器の部分における処理時間
が長くなって、他の部分との処理時間+7)バランスを
崩し、高スループツト化がはかれない場合も生じ得る。
このような場合には、該べ−り・冷却器を例えばサーク
ル状若しくは並列上に複数個配置し、他の部分の処理時
間及びべ−り・冷却処理時間を考慮した適正な遅延時間
を設定して、サークル的若しくは並列的にベーク・冷却
処理を行なうことによシ、装置全体としての高スループ
ツト化をはかることが可能である。さらには、ベーク・
冷却器を所定許容範囲内で大型化し、該部分だけをバッ
チ処理方式にすることもできる。また上述したベーク・
冷却器においては、処理するレジストの溶媒やベーク温
度、使用する冷却用冷媒の種類に応じてベーク室及び冷
却室の圧力や温度を加減するが、該ベーク・冷却器の機
械的強度、気密性、耐熱性は十分高いことが望ましい。
ル状若しくは並列上に複数個配置し、他の部分の処理時
間及びべ−り・冷却処理時間を考慮した適正な遅延時間
を設定して、サークル的若しくは並列的にベーク・冷却
処理を行なうことによシ、装置全体としての高スループ
ツト化をはかることが可能である。さらには、ベーク・
冷却器を所定許容範囲内で大型化し、該部分だけをバッ
チ処理方式にすることもできる。また上述したベーク・
冷却器においては、処理するレジストの溶媒やベーク温
度、使用する冷却用冷媒の種類に応じてベーク室及び冷
却室の圧力や温度を加減するが、該ベーク・冷却器の機
械的強度、気密性、耐熱性は十分高いことが望ましい。
また、レジストベーク用ヒーターはベーク室よシ出し、
外部から赤外線透過材を通してレジストの加熱を行なっ
てもよい。この場合、赤外線透過部分は上記ベーク・冷
却器のベーク室を構成する器材の所定箇所に設けること
に彦るが、機械的強度、気密性を十分考慮しておかねば
ならないことは言うまでもない。また、ベーク温度Tb
から急速冷却開始温度Tmへの第一の冷却は、レジスト
ベーク後、ベーク・冷却器内の圧力を大気圧から所定圧
力へ昇圧させてゆく過程と並行して進行させてもよい。
外部から赤外線透過材を通してレジストの加熱を行なっ
てもよい。この場合、赤外線透過部分は上記ベーク・冷
却器のベーク室を構成する器材の所定箇所に設けること
に彦るが、機械的強度、気密性を十分考慮しておかねば
ならないことは言うまでもない。また、ベーク温度Tb
から急速冷却開始温度Tmへの第一の冷却は、レジスト
ベーク後、ベーク・冷却器内の圧力を大気圧から所定圧
力へ昇圧させてゆく過程と並行して進行させてもよい。
上記第一の冷却を迅速に行なうために、上記ベーク、冷
却器内に中間冷却温度′1′mにある液体冷媒を更に追
加して、ベーク温度TbからTmへの急速冷却を行なう
ようにしてもよい。
却器内に中間冷却温度′1′mにある液体冷媒を更に追
加して、ベーク温度TbからTmへの急速冷却を行なう
ようにしてもよい。
勿論、この場合の急速冷却も前記液体冷媒の沸点がTm
を越えるように、圧力状態を調整した上で行なうことが
肝要である。また、液体冷媒の温度の制御に関しては、
上述したような冷却室の外に置かれた液温調整器によっ
て制御する方法の外、冷却室の液体冷媒中へヒーターと
温度検知器を直接浸漬させ、冷媒温度を直接的に自動制
御する等の方法もある。
を越えるように、圧力状態を調整した上で行なうことが
肝要である。また、液体冷媒の温度の制御に関しては、
上述したような冷却室の外に置かれた液温調整器によっ
て制御する方法の外、冷却室の液体冷媒中へヒーターと
温度検知器を直接浸漬させ、冷媒温度を直接的に自動制
御する等の方法もある。
さらに上記実施例では、レジストベークを大気圧下で行
なった場合について述べたが、各種パルプ操作及び圧力
操作によシ、レジストベークは冷却時の圧力まで高めた
状態で行なってもよい。父上記実施例では、ベーク室と
冷却室とをゲートパルプを介して分離したが、液体冷媒
の温度Tcが処理工程中、同一温度に保たれるならば、
ベーク室と冷却室とを分離する必要はなく、従ってその
ような場合にはベーク室、冷却室間のゲートパルプを含
む隔壁も不要になる。被処理基板の搬送形態は、上述の
形態にとられれる必要はなく、処理装置に最適々ものを
導入すればよい。
なった場合について述べたが、各種パルプ操作及び圧力
操作によシ、レジストベークは冷却時の圧力まで高めた
状態で行なってもよい。父上記実施例では、ベーク室と
冷却室とをゲートパルプを介して分離したが、液体冷媒
の温度Tcが処理工程中、同一温度に保たれるならば、
ベーク室と冷却室とを分離する必要はなく、従ってその
ような場合にはベーク室、冷却室間のゲートパルプを含
む隔壁も不要になる。被処理基板の搬送形態は、上述の
形態にとられれる必要はなく、処理装置に最適々ものを
導入すればよい。
要するに本発明のレジストパターン形成方法及びレジス
ト処理装置は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
応用が可能である。
ト処理装置は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形
応用が可能である。
第1図は従来のレジストパターン形成工程を概略的に示
す流れ作業図、第2図は従来工程におけるレジストベー
ク後の被処理基板の各点の温度変化の様子を等温曲線で
示す模式図、第3図は前記温度変化の様子を時間対温度
曲線で示す特性図、第4図は本発明によるレジストパタ
ーン形成工程を概略的に示す流れ作業図、第5図は本発
明におけるレジスト冷却時の基板温度変化を示す特性図
、第6図(a)の)は本発明の方法によって得られるレ
ジスト感度に関する特性図、第7図は本発明の方法実施
に適合するレジスト処理装置の一例を示す概略構成図で
ある。 71a〜71d・・・被処理基板、72a、72b・・
・カセット、73 a 、 73 b−ベルトコンベア
、74a〜74C・・・真空チャック搬送器、75.・
、ベーク、冷却器、76・・基板支持具、77・・ヒー
ター、78・・・ぺ−り室、79・・・液体冷媒、80
・・・冷却室、81・・ゲートバルブ、82a、82b
・・・開閉バルブ、83a・・昇圧用管、83b・・・
リーク用管、84a、84b・・・開閉バルブ、85a
・・冷媒注入管、85b・冷媒排出管、86a、86b
・・・開閉バルブ、87・・・回転台。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第1.
図 第2図 第3図 第6図 (d) tb> 、軟いせ開始韻’bn(”C’J−
す流れ作業図、第2図は従来工程におけるレジストベー
ク後の被処理基板の各点の温度変化の様子を等温曲線で
示す模式図、第3図は前記温度変化の様子を時間対温度
曲線で示す特性図、第4図は本発明によるレジストパタ
ーン形成工程を概略的に示す流れ作業図、第5図は本発
明におけるレジスト冷却時の基板温度変化を示す特性図
、第6図(a)の)は本発明の方法によって得られるレ
ジスト感度に関する特性図、第7図は本発明の方法実施
に適合するレジスト処理装置の一例を示す概略構成図で
ある。 71a〜71d・・・被処理基板、72a、72b・・
・カセット、73 a 、 73 b−ベルトコンベア
、74a〜74C・・・真空チャック搬送器、75.・
、ベーク、冷却器、76・・基板支持具、77・・ヒー
ター、78・・・ぺ−り室、79・・・液体冷媒、80
・・・冷却室、81・・ゲートバルブ、82a、82b
・・・開閉バルブ、83a・・昇圧用管、83b・・・
リーク用管、84a、84b・・・開閉バルブ、85a
・・冷媒注入管、85b・冷媒排出管、86a、86b
・・・開閉バルブ、87・・・回転台。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)第1.
図 第2図 第3図 第6図 (d) tb> 、軟いせ開始韻’bn(”C’J−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)被処理基板上にレジスト膜を塗布形成し、プリベ
ークした後、所定波長の電磁波或いは所定エネルギーの
粒子線を前記レジスト膜に選択的に照射(以下露光と称
す)シ、現像処理することによ勺レジストパターンを形
成する方法において、前記露光後で前記現像処理の前に
前記レジスト膜を該レジストのガラス転移温度Tg以上
の所定温度Tbにてベークし、次いで前記レジスト膜の
形成された基板を前記温度Tbから任意の中間温度Tm
− まで徐冷によって下げ、然る後沸点がTm以上となる圧
力下にある所定温度Tcの冷却用液体に前記レジスト膜
の形成された基板を浸漬して、上記レジストを急速且つ
均一に冷却することを特徴とするレジストパターンの形
成方法。 +21Tb≧Tm≧Tg>Tcなる関係を満たすことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレジストパター
ンの形成方法。 (3)前記基板の前記冷却用液体中への浸漬を、前記レ
ジストの徐冷終了時から3秒以内に行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のレジストパターン形成
方法。 (4)前記レジストのベーク及び徐冷を、同一の加熱室
内で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のレジストパターン形成方法。 (5)被処理基板上に塗布されたレジストをベークした
のち徐冷するレジスト処理装置において、前記基板を収
容し該基板を該レジストのガラス転移温度Tg以上の温
度TbJで加熱すると共に、加熱した基板を徐冷し該基
板の温度を加熱温度1゛bから中間温度Tmまで下降せ
しめる加熱室と、上記加熱徐冷した基板を浸漬して、該
基板を冷却するための冷却用液体を収容し、且つその内
部を該液体の沸点が前記温度Tm以上となる圧力下に保
持する冷却室とを具備してなることを特徴とするレジス
ト処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59011856A JPS60157223A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59011856A JPS60157223A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60157223A true JPS60157223A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11789365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59011856A Pending JPS60157223A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60157223A (ja) |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59011856A patent/JPS60157223A/ja active Pending
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