JPS60146234A - Positive type photosensitive resin composition - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a heat resistant resist high in sensitivity, resolution, and film retentivity, superior in developability and useful for fabrication of integrated circuits by using a specified quinonediazide. CONSTITUTION:The present resin compsn. consists of 100pts.wt. of an alkali- soluble resin, such as novolak resin or hydroxystyrene polymer, and 5-100pts.wt. of at least one quinonediazide compds. represented by formulae I and II in which R1, R2 and R5 are each 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl or 1,2-benzoquinone-diazide-4-sulfonyl; Z is alkylene or lxyalkylene. Said compd. is such as ethyleneglycol-di(3,4,5-trihydroxybenzoate)-1-, or oligo-naphthoquinonediazide-5- sulfonic acid triester.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物に関し、さらに詳し
くはアルカリ可溶性樹脂と特定の１，２ＩＩ）−キノン
ジアジド化合物とを配合してなる、高感度、高解像度お
よび高残膜率を有し、かつ現像性に優れ、集積回路作製
のための耐熱性ホトレジストとして好適六ポジ型感光性
樹脂組成物に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a positive-working photosensitive resin composition, and more specifically, the present invention relates to a positive photosensitive resin composition, and more particularly, it is a positive photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin and a specific 1,2II)-quinonediazide compound. The present invention relates to a six-positive type photosensitive resin composition that has a high residual film rate, excellent developability, and is suitable as a heat-resistant photoresist for producing integrated circuits.

従来、集積回路を作製するためのホトレジストとしでは
、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネ
ガ型ホトレジストが知られている。Conventionally, as a photoresist for producing integrated circuits, a negative photoresist in which a bisazide compound is blended with cyclized isoprene rubber is known.

しかしこのネガ型ホトレジストは解像度に限界があるた
め、集積回路の高集積化に十分対応できない欠点を自す
る。一方、このネガ型ホトレジストに対し、ポジ型ホト
レジストは、解像度が優れているため、集積回路の高集
積化に十分対応しうるちのであると考えられている。However, since this negative photoresist has a limited resolution, it has the drawback of not being able to adequately respond to higher integration of integrated circuits. On the other hand, in contrast to negative photoresists, positive photoresists have superior resolution and are therefore considered to be fully compatible with higher integration of integrated circuits.

現在、この分野で一般的に使用されているポジ型ホトレ
ジストは、アルカリ可溶性樹脂に感光剤として１，２−
キノンジアジド化合物を配合したものである。Currently, the positive photoresists commonly used in this field are 1,2-
Contains a quinonediazide compound.

しかしながら、従来のポジ型ホトレジストは、感度、解
像度、残膜率、耐熱性等の諸性能において必ずしも満足
な結果が得られていない。However, conventional positive photoresists do not always provide satisfactory results in various performances such as sensitivity, resolution, residual film rate, and heat resistance.

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、高感度
、高解像度および高残膜率を有し、現像性に優れた耐熱
性を有するポジ型感光性樹脂組成物を提供することにあ
る。The purpose of the present invention is to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional techniques, and to provide a positive photosensitive resin composition that has high sensitivity, high resolution, high residual film rate, excellent developability, and heat resistance. be.

本発明者らは、この目的を達成するために鋭意研究した
結果、アルカリ可溶性樹脂に、感光剤として特定の１．
２−キノンジアジド化合物を配合することにより、前記
欠点が改良されることを見出して本発明に到達した。As a result of intensive research to achieve this objective, the present inventors found that alkali-soluble resins with specific 1.
The present invention was achieved by discovering that the above drawbacks can be improved by incorporating a 2-quinonediazide compound.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹
脂１００重量部に対して、下記一般式（Ｉ）または一般
式（ＩＩ）で表わされる化合物の少なくとも１種を５〜
１００重量部配合してなることを特徴とする。The positive photosensitive resin composition of the present invention contains at least one compound represented by the following general formula (I) or general formula (II) in 5 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
It is characterized by containing 100 parts by weight.

〔式中、ａ、ｂおよびＣは同一または異なり、１〜４の
整数、β、ｍおよびｎは同一または異なり、０または１
〜３の整数、（ａ−Ａ）、（ｂ−ｍ）および（ｃ−ｎ）
は１以上の整数、Ｒ１、Ｒ２およびＲ９は同一または異
なり、１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルボニル
基、１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基
または１゜２−ベンゾキノンジアジド−４−スルボニル
基、Ｒ３、Ｒ４およびＲ６は同一または異なり、水素原
子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、アルキル基
、好ましくはメチル基、エチル基、プロピＪＬ／　基等
の！素数１〜４のアルキル基、フェニル基、ナフチル基
等のアリール基、ヘンシル基等のアラルキル基、アルコ
キシ基、好ましくはメトキシ基等の炭素数１〜３のアル
コキシ基、アロキシル基、好ましくはフェノキシ基等の
炭素数６〜９のアロキシル基、アラルコキシ基、好まし
くはベンジルオキシ基等の炭素数７〜１０のアラルコキ
シ基、シアノ基またはニトロ基、Ｒ７はアルキル基、好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等
の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等のアリール
基またはイソプロペニル基、ベンジル基等のアラルキル
基、Ｚは、例えばエチレングリコール、プロピレングリ
コール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリ
コール、メチレン、エチレン、プロピレン等の＋（Ｃｐ
Ｈ２ｐ）Ｏ）ｒＣｐＨｚ　ｐ−（式中、Ｐは１〜４の整
数、ｒはＯまたは１〜１００の整数を意味する）で示さ
れるオキザアルキレン基またはアルキレン基を意味する
〕 本発明の組成物において、感光剤として用いられる前記
一般式（１）または（ＩＩ）で表わされる化合物は、例
えばフェノール性水酸基を持つ特定の化合物を１，２−
キノンジアジドスルボニルクロリドと縮合反応させるこ
とにより製造される。[wherein a, b and C are the same or different, integers of 1 to 4, β, m and n are the same or different, 0 or 1
integers of ~3, (a-A), (b-m) and (c-n)
is an integer of 1 or more, R1, R2 and R9 are the same or different, and are a 1.2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, a 1.2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, or a 1°2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group. The groups R3, R4 and R6 are the same or different, and are hydrogen atoms, halogen atoms such as chlorine atoms, bromine atoms, etc., alkyl groups, preferably methyl groups, ethyl groups, propylene groups, etc.! Alkyl groups with 1 to 4 prime numbers, aryl groups such as phenyl groups and naphthyl groups, aralkyl groups such as Hensyl groups, alkoxy groups, preferably alkoxy groups with 1 to 3 carbon atoms such as methoxy groups, alloxyl groups, preferably phenoxy groups. an aralkoxy group having 6 to 9 carbon atoms, an aralkoxy group, preferably an aralkoxy group having 7 to 10 carbon atoms such as a benzyloxy group, a cyano group or a nitro group, R7 is an alkyl group, preferably a methyl group, ethyl group, propyl group group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a butyl group, an aryl group such as a phenyl group, an isopropenyl group, an aralkyl group such as a benzyl group, Z is, for example, ethylene glycol, propylene glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, methylene , ethylene, propylene, etc.
H2p)O)rCpHz means an oxaalkylene group or alkylene group represented by p- (wherein P is an integer of 1 to 4, and r is O or an integer of 1 to 100)] Composition of the present invention For example, the compound represented by the general formula (1) or (II) used as a photosensitizer may be a 1,2-
It is produced by a condensation reaction with quinonediazide sulfonyl chloride.

すなわち前記一般式（１）または（ＩＩ）で表わされる
化合物はそれぞれ 下記一般式（ＩＩＩ）または一般式（ＩＶ）（式中、ａ
、ｂおよびｃ、Ｒ：］　、Ｒ４およびＲ６ならびにＺは
、一般式（１）または（Ｉｆ）と同し）で表わされる化
合物のヒドロキシ基の全部または一部に、１．２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１．２−
ナフトキノンジアジｌ−’　−５−スルボニルクロリド
、１．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルクロ
リド等の１゜２−キノンジアジドスルボニルクロリドを
、塩基性触媒の存在下に縮合反応させたのち精製するこ
とにより得られる。That is, the compound represented by the general formula (1) or (II) is represented by the following general formula (III) or general formula (IV) (wherein a
, b and c, R:] , R4 and R6, and Z are the same as general formula (1) or (If)) in which 1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonyl chloride, 1.2-
1゜2-quinone diazide sulfonyl chloride such as naphthoquinone diazide l-'-5-sulfonyl chloride and 1,2-benzoquinone diazide-4-sulfonyl chloride is subjected to a condensation reaction in the presence of a basic catalyst and then purified. It can be obtained by

縮合反応における一般式（ＩＩＩ）または（＋’Ｖ）で
表される化合物に対する１、２−キノンジアジドスルボ
ニルクロリドの使用量は、１．２−キノンジアジドスル
ホニルクロリドを縮合させる一般式（Ｉｌｌ）または（
ＩＶ）で表される化合物の水酸基の数によって適宜調整
することができ、通電は当該水酸基数１当量に対して１
，２−キノンジアジドスルホニルクロリド１モルを使用
する。The amount of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride to be used for the compound represented by general formula (III) or (+'V) in the condensation reaction is determined by the amount of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride used in the condensation reaction of general formula (Ill) or (
It can be adjusted as appropriate depending on the number of hydroxyl groups in the compound represented by
, 1 mol of 2-quinonediazide sulfonyl chloride is used.

縮合反応に使用する塩基性触媒としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無機
アルカリ、ジエチルアミン、トリエチルアミン等の有機
アミン類を挙げることができる。これらの塩基性触媒の
使用量は、使用する１、２−キノンジアジドスルボニル
クロリＦに対して、通電１〜２倍モル、好ましくは１〜
１．３倍モルである。縮合反応は、通電溶媒の存在下に
おいて行なうが、溶媒としては水、ジオキサン、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエ
チルケトン等を挙げることができ、一般式（１）または
（ＩＶ）で表される化合物１００重量部に対して、通電
１００〜１０００重量部を使用する。Examples of the basic catalyst used in the condensation reaction include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium carbonate, and organic amines such as diethylamine and triethylamine. The amount of these basic catalysts to be used is 1 to 2 times the mol of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride F to be used, preferably 1 to 2 times the amount of current applied.
It is 1.3 times the mole. The condensation reaction is carried out in the presence of an energized solvent, and examples of the solvent include water, dioxane, diethyl ether, tetrahydrofuran, acetone, methyl ethyl ketone, etc. Compound 100 represented by general formula (1) or (IV) 100 to 1000 parts by weight of current is used based on parts by weight.

縮合反応温度は、使用する溶媒によって異なるが、一般
的には−２０〜６０°Ｃ１好ましくは０〜４０℃である
。The condensation reaction temperature varies depending on the solvent used, but is generally -20 to 60°C, preferably 0 to 40°C.

前記一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物としては、例
えばエチレングリコール−ジ（２−ヒドロキシベンゾニ
ート）、エチレングリコールージ（３〜ヒドロキシヘン
ゾエート）、エチレングリコールージ（４−ヒドロキシ
ベンゾニート）、エチレングリコールージ（２，３−ジ
ヒドロキシヘンゾエ−１・）、エチレングリコール−ジ
（２，６−ジヒ１′ロキシヘンゾエート）、エチレング
リコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート）、
エチレングリコール−ジ（３，４，５−１−リヒドロキ
シヘンソ′コ１−１−）、エチレングリコールレージ（
２−ニトロー３．４．５−）リヒドロキシヘンゾエ−１
−）、エチレングリコールージ（２〜シアノ−３，４，
５−１−リヒドロキシヘンゾエ−１・）、エチレングリ
コール−ジ（２，４，６−トリヒドロキシベンゾニート
）、ジエチレングリコールージ（２，３−ジヒドロキシ
ヘンシーエート）、ジエチレングリコールージ（２−ヒ
ドロキシ−３−メチルヘンゾエー１−）、）リエチレン
グリコールージ（３−ヒドロキシ−４−メチルヘンシェ
ード）、テトラエチレングリコールージ（４−クロル−
２−ヒトし２キシベンゾエート）、ポリプロレングリコ
ールージ（５−クロル−２−ヒドロキシベンゾニ−））
、ブロピレングリコール−ジ（３−クロル−４−ヒドロ
キシベンゾニ−１・）、ポリプロピレングリコールージ
（３−ヒドロキシ−４−二トロヘンゾエート）、ボリプ
ロビレングリコール−ジ（２−ヒドロキシ−５−メ１−
キシヘンソ′コニ−１〜）、１．３−ブロパンジオール
−ジ（４−ヒト−１：１キシ−３−メトキシヘンゾエー
ト）、Ｉ、３−プロパンジオールージ（３，４，５−ト
リヒドロキシベンゾニー１−）、１．４−ブタンジオー
ルージ（３−ヒドロキシベンゾニー１〜）、１．４−ブ
タンジオールージ（５−ブロム−２−ヒドロキシベンゾ
ニ−１・）、ボリテ１−ラヒドロフラングリコー／ｌ／
−’；　（３，４，５−トリヒドロキシベンゾニート）
、ネオペンチルグリコールージ（３，４，５−トリヒド
ロキシベンゾニー１−）　、１．　２−ヘンゼンジメタ
ノールージ（３，４，５−１−リヒ１′ロキシヘンゾエ
ート）、１．３−ヘンゼンメクノー／Ｌ／−’；　（３
，４，５−トリヒドロキシヘンソ゛コニート）等が挙げ
られる。Examples of the compound represented by the general formula (III) include ethylene glycol di(2-hydroxybenzonate), ethylene glycol di(3-hydroxybenzoate), ethylene glycol di(4-hydroxybenzonate), and ethylene glycol di(2-hydroxybenzonate). rouge (2,3-dihydroxyhenzoate-1.), ethylene glycol di(2,6-dihydroxybenzoate), ethylene glycol di(3,5-dihydroxybenzoate),
Ethylene glycol di(3,4,5-1-lihydroxyhenso'co-1-1-), ethylene glycol di(3,4,5-1-lihydroxyhenso'co-1-1-),
2-nitro3.4.5-)lyhydroxyhenzoe-1
-), ethylene glycol di(2-cyano-3,4,
5-1-dihydroxyhenzoate-1.), ethylene glycol-di(2,4,6-trihydroxybenzonate), diethylene glycol-di(2,3-dihydroxyhenzoate), diethylene glycol-di(2- Hydroxy-3-methylhenzoe 1-),) lyethylene glycoluge (3-hydroxy-4-methylhenzoe), tetraethylene glycoluge (4-chloro-
2-human 2-hydroxybenzoate), polyprolene glycoluge (5-chloro-2-hydroxybenzony-))
, propylene glycol di(3-chloro-4-hydroxybenzony-1.), polypropylene glycol di(3-hydroxy-4-nitrohenzoate), polypropylene glycol di(2-hydroxy-5-methyl −
xyhenso'coni-1~), 1,3-propanediol-di(4-human-1:1xy-3-methoxyhenzoate), I,3-propanediol-di(3,4,5-trihydroxy benzony 1-), 1,4-butanedioludi (3-hydroxybenzony 1-), 1,4-butanedioludi (5-bromo-2-hydroxybenzony-1.), bolite 1-lahydro Frangrico/l/
-'; (3,4,5-trihydroxybenzonate)
, neopentylglycoludi(3,4,5-trihydroxybenzony-1-), 1. (3
, 4,5-trihydroxyhensoconite) and the like.

また前記一般式（ＩＶ）で表わされる化合物としては、
例えばエチレングリコール−モノメチル−モノ　＜３．
４．ｓ−トリヒドロキシベンゾニーｉ・）、エチレング
リコール−モノエチル−モノ　（３゜４．５−１−リヒ
ドロキシー・ンゾエー１−）、エチレングリコール−モ
ノエチル−モノ　（２，４，６−トリヒドロキシベンゾ
エート）、ジエチレングリコール−モノエチル−モノ　
（２，３−ジヒドロキシベンゾニート）、トリエチレン
グリコール−モノエチル−モノ　（３３５−ジヒドロキ
シヘンゾエ−１−）、エチレングリコール−モノフェニ
ル−モノ　（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート
）等が挙げられる。Further, as the compound represented by the general formula (IV),
For example, ethylene glycol-monomethyl-mono <3.
4. s-trihydroxybenzonyi), ethylene glycol-monoethyl-mono (3゜4.5-1-lihydroxybenzoate 1-), ethylene glycol-monoethyl-mono (2,4,6-trihydroxybenzoate), Diethylene glycol-monoethyl-mono
(2,3-dihydroxybenzonite), triethylene glycol-monoethyl-mono (335-dihydroxyhenzoe-1-), ethylene glycol-monophenyl-mono (3,4,5-trihydroxybenzoate), etc. .

このようにして１ηられる一般式（１）で表わされる化
合物の具体例としては、次のものが挙げられる。Specific examples of the compound represented by the general formula (1) that can be 1η in this way include the following.

エチレングリコールージ（２−ヒドロキシヘンソ゛コニ
ート）−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸ジエステル、エチレングリコールージ（３−ヒドロキ
シベンゾニー））−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル、エチレングリコール−ジ（４
−ヒドロキシベンゾニー））−１，２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸ジエステル、エチレングリコー
ルージ（４−ヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、エチレ
ングリコールレージ（２，３−ジヒドロキシベンゾニー
ト）−１，２−ナノ１−キノンジアジド−５−スルホン
酸テトラエステル、エチレンクリコール−ジ（２，６−
ジヒドロキシベンゾニート）−１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルポン酸トリエステル、エチレングリコ
ールージ（３゜５−ジヒドロキシベンゾニート）−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル
、エチレングリコールージ（３，４，５−１−ジヒドロ
キシベンゾニート）−１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸へキザエステル、エチレングリコール（
２−ニトロ−３，４，５−）ジヒドロキシベンゾニート
）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルボン酸ヘ
キサエステル、エチレングリコール（２−シアノ−３，
４，５−１−リヒドロキシベンゾエ−Ｉ・）−１，２−
ナノ１−キノンジアジド−５−スルホン酸へキザエステ
ル、エチレングリニ！−ル−ジ（３，４，５−トリヒド
ロキシヘン・ゾコニート）−１，２−ナフトキノンジア
ンド−５−スルホン酸ベンクエステル、エチレングリ−
１−ルージ（３，４，５−）リヒドロキシヘンゾｊニー
１−）−１，２−ナノ１−キノンジアジド−５−スルポ
ン酸テトラエステル、エチレングリコール−ジ（３，４
，５−トリヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルポン酸トリエステル、エチレ
ングリコールージ（３，Ｌ　５４リヒドロキシヘンゾエ
ート）−１，２−ナフトキノンシアシト−５−スルホン
酸ジエスラ〜ル、コニナレングリコール−’；　（３，
４゜５−トリヒドロキシベンゾエートｌ−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸モノエステル、コー
チレングリコールージ（２，４，６−ドリヒドｌｊキン
ヘンシェード）−１，２−ナフトキノンシアシト−５−
スルポン酸ペンタエステル、ジｊニヂレングリコール−
ジ（２，３−ジヒドロキシベンゾニート）〜ｌ、２−ナ
フトキノンシアシトー５−スルホン酸ジエステル、ジエ
チレングリコールージ（２−ヒドロキシ−３−メチルヘ
ンシェード）−Ｌ２−ナノ１〜キノンジアジｌ、−５−
スルボン酸ジエステル、トリエチレングリコール−ジ（
３−ヒドロキシ−４−メチルヘンシェード）−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、テ
Ｉ・ラエチレングリコールージ（４−クロル−２−ヒド
ロキシベンゾニ−１−）−１゜２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸ジエステル、ポリエチレングリコー
ルージ（５−り１コル−２−ヒドロキシベンゾエート）
−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエ
ステル、プロピレングリコールージ（３−クロル−４−
ヒドロキシベンゾニート）−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸ジエステル、ポリプロピレングリ
コールージ（３−ヒドロキシ−４−ニトロヘンシェード
）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジ
エステル、ボリブロピレングリコールージ（２−ヒドロ
キシ−５−メｉ−キシベンゾエート）−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、１．３−
プロバンジオールージ（４−ヒドロキシ−３−メトキシ
ヘンゾエー））−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸ジエステル、１１３−プロパンジオールージ
（３，４，５−）ジヒドロキシベンジエートｌ−１，２
−ナフトキノンジアジド−５＝スルポン酸ペンクエステ
ル、１．４−ブタンジオールージ（３−ヒドロキシベン
ゾニー））−１゜２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸ジエステル、テトラメチレングリコール−ジ　（
５−ブロム−２−ヒドロキシベンゾニー１−）−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、
ボリテトラヒドロフラングリコールージ（３，４，５−
）リヒドロキシベンヅエー））−１゜２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸ペンタエステル、ネオペンチ
ルグリコールージ（３゜４．５−）ジヒドロキシベンジ
エート）−１，２−ナフドキノンジアジド−５−スルホ
ン酸ペンタエステル。Ethylene glycol di(2-hydroxybenzoconite)-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid diester, ethylene glycol di(3-hydroxybenzony)-1,2-naphthoquinone diazide-5
-Sulfonic acid diester, ethylene glycol-di(4
-hydroxybenzony))-1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid diester, ethylene glycolage (4-hydroxybenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, ethylene glycolage (2,3 -dihydroxybenzonite)-1,2-nano-1-quinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, ethylene glycol-di(2,6-
dihydroxybenzonite)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulponic acid triester, ethylene glycoluge(3゜5-dihydroxybenzonite)-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, ethylene glycoludi(3,4,5-1-dihydroxybenzonite)-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid hexaester, ethylene glycol (
2-Nitro-3,4,5-)dihydroxybenzonito)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid hexaester, ethylene glycol (2-cyano-3,
4,5-1-lyhydroxybenzoe-I・)-1,2-
Nano 1-quinonediazide-5-sulfonic acid hexaester, ethylene glin! -ru-di(3,4,5-trihydroxyhene zoconito)-1,2-naphthoquinone diand-5-sulfonic acid benquester, ethylene glycol
1-Rouge(3,4,5-)di(3,4,5-)-1-)-1,2-nano-1-quinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, ethylene glycol-di(3,4
, 5-trihydroxybenzoate)-1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid triester, ethylene glycol di(3,L 54 hydroxybenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester ~ Le, coninalene glycol-'; (3,
4゜5-trihydroxybenzoate l-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, coichlene glycoluge (2,4,6-dryhydride lj quinchenshade)-1,2-naphthoquinonediazide-5 −
Sulfonic acid pentaester, dinidylene glycol
di(2,3-dihydroxybenzonite)-l, 2-naphthoquinone cyasito-5-sulfonic acid diester, diethylene glycoludi(2-hydroxy-3-methylhenshade)-L2-nano-1-quinone diazil, -5-
Sulfonic acid diester, triethylene glycol di(
3-hydroxy-4-methylhenshade)-1,2-
Naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid diester, polyethylene glycol di(4-chloro-2-hydroxybenzony-1-)-1゜2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid diester, polyethylene glycol di(5- (1col-2-hydroxybenzoate)
-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, propylene glycol di(3-chloro-4-
Hydroxybenzonite)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, polypropylene glycol Rouge(3-hydroxy-4-nitrohenshade)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, polypropylene glycol rouzi(2-hydroxy-5-mei-xybenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 1.3-
Probanedioludi(4-hydroxy-3-methoxyhenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid diester, 113-propanedioludi(3,4,5-)dihydroxybenziate l-1,2
-Naphthoquinonediazide-5=sulfonic acid penc ester, 1,4-butanediol-di(3-hydroxybenzony))-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, tetramethylene glycol-di(
5-bromo-2-hydroxybenzony-1-)-1,2
-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid diester,
Boritetrahydrofuran glycoluge (3,4,5-
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, neopentylglycoludi(3°4.5-)dihydroxybenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide-5- Sulfonic acid pentaester.

また一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては
、次のものが挙げられる。Further, specific examples of the compound represented by general formula (II) include the following.

エチレングリコール−モノメチル−モノ　（３゜４．５
−）ジヒドロキシベンジエート）−１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルポン酸１−リエステル、エチレン
グリコール−モノエチル−モノ（３，４，５−１−ジヒ
ドロキシベンジェ−１・）−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸トリエステル、エチレングリコー
ル−モノエチル−モ／　（２，４，６−）ジヒドロキシ
ベンジエート）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸トリエステル、ジエチレングリコール−モノ
エチル−モノ　（２，３，−ジヒドロキシベンジェ−１
・）−１，２〜ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
ジエステル、トリエチレングリコール−モノエチル−モ
ノ　（３，５−ジヒドロキシベンジエート）−１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ジエステル、エ
チレングリコール−モノフェニル−モノ　（３，４，５
−１−ジヒドロキシベンジエート）−１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸トリエステル。Ethylene glycol-monomethyl-mono (3°4.5
-)dihydroxybendiazide)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid 1-lyester, ethylene glycol-monoethyl-mono(3,4,5-1-dihydroxybenzie-1.)-1,2-naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid triester, ethylene glycol-monoethyl-mo/(2,4,6-)dihydroxybenziate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid triester, diethylene glycol-monoethyl-mono (2,3,-dihydroxybenzene-1
・)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, triethylene glycol-monoethyl-mono(3,5-dihydroxybenziate)-1,2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, ethylene glycol-monophenyl-mono (3,4,5
-1-dihydroxybenziate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester.

本発明の組成物においては、一般式（１）または（Ｉｔ
）で表わされる化合物を併用することができる。In the composition of the present invention, general formula (1) or (It
) can be used in combination.

本発明において、上記感光剤が添加されるアルカリ可溶
性樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールとホ
ルムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂、クレゾ
ールとホルムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂
、ヒドロキシスチレン重合体、アミノスチレン重合体エ
チレン性不飽和カルボン酸と他のモノオレフィン系化合
物との共重合体等が挙げられる。In the present invention, the alkali-soluble resin to which the above photosensitizer is added is not particularly limited, but includes, for example, novolak resin obtained from phenol and formaldehyde, novolak resin obtained from cresol and formaldehyde, hydroxystyrene polymer, aminostyrene polymer, etc. Examples include copolymers of combined ethylenically unsaturated carboxylic acids and other monoolefin compounds.

本発明の組成物における一般式（１）または一般式（Ｉ
Ｉ）で表わされる化合物の配合量は、アルカリ可溶性樹
脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは
１０〜５０重量部である。General formula (1) or general formula (I) in the composition of the present invention
The compounding amount of the compound represented by I) is 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

この配合量が５重量部未満の場合には、現像後の残膜率
が不十分で、かつ得られるパターンが熱変形しやすく、
また高い解像度の感光性樹脂組成物を得ることができな
い。一方この配合量が１００重量部を越える場合には、
高感度の感光性樹脂組成物を得ることができない。If this amount is less than 5 parts by weight, the residual film rate after development will be insufficient and the resulting pattern will be easily deformed by heat.
Furthermore, it is not possible to obtain a photosensitive resin composition with high resolution. On the other hand, if this amount exceeds 100 parts by weight,
A highly sensitive photosensitive resin composition cannot be obtained.

本発明の組成物は、一般式（１）または（ＩＩ）で表わ
される化合物以外の、１，２−キノンジアジド化合物を
、例えばアルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して１０
０重量部以下、好ましくは５０重量部以下、さらに好ま
しくは２０重量部以下の割合で配合することができる。The composition of the present invention contains a 1,2-quinonediazide compound other than the compound represented by the general formula (1) or (II), for example, at 10 parts by weight per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
It can be blended in an amount of 0 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight or less.

これらの１．　２−キノンジアジド化合物としては、米
国特許３０４６１１８号明細書および特公昭３７−１８
０１５号明細書に開示されている化合物、例えば２゜３
．４−）リヒドロキシヘンゾフェノン、２゜４．６−）
リヒドロキジヘンゾフェノン、２，３゜４−トリヒドロ
キシフェニルメチルケトン、３゜４．５−トリヒドロキ
シフェニルメチルケトン、２．４．６−１−リヒドロキ
シフェニルメチルケトン等のヒドロキシ基の全部または
一部に、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリド、１．２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルクロリドまたは１，２−ヘンゾキノンジアジドー
５−スルホニルクロリド等を縮合反応させて得られる化
合物が挙げられる。These 1. As the 2-quinonediazide compound, US Pat. No. 3,046,118 and Japanese Patent Publication No. 37-18
Compounds disclosed in No. 015, such as 2°3
．． 4-) Lyhydroxyhenzophenone, 2゜4.6-)
All hydroxy groups or Some examples include compounds obtained by condensation reaction of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, or 1,2-henzoquinonediazide-5-sulfonyl chloride. It will be done.

本発明の組成物は必要に応じて、現像性、組成物の保存
安定性等を向上させるために、例えばロジン、ンエラソ
ク等の天然樹脂、スチレンと無水マレイン酸との共重合
体、スチレンとアクリル酸、メククリル酸またはこれら
のアルキルエステルとの共重合体、アクリル酸エステル
重合体、ビニルアセクール重合体、ビニルエーテル重合
体、酢酸ビニルｍ　合体、ビニルアルコール重合体、ビ
ニルピロリドン重合体等の合成樹脂を、アルカリ可溶性
樹脂１００重量部に対して１〜５０重量部、好ましくは
５〜３０重量部の割合で付加的に配合含有させることも
できる。If necessary, the composition of the present invention may contain natural resins such as rosin, esters, etc., copolymers of styrene and maleic anhydride, styrene and acrylic, etc., in order to improve developability and storage stability of the composition. Synthetic resins such as acid, meccrylic acid or copolymers with these alkyl esters, acrylic acid ester polymers, vinyl acecool polymers, vinyl ether polymers, vinyl acetate polymers, vinyl alcohol polymers, vinyl pyrrolidone polymers, etc. , may be added in an amount of 1 to 50 parts by weight, preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

本発明の組成物は、微細加工すべき基板上に塗布し、活
性化輻射線、例えば紫外線等を部分的に照射し、現像す
ることによってパターンを形成することができる。The composition of the present invention can be applied to a substrate to be microfabricated, partially irradiated with activating radiation such as ultraviolet rays, and developed to form a pattern.

本発明の組成物を基板に塗布する方法としては、本発明
の組成物を、例えば濃度が５〜５０重量％となるように
適当な溶剤に熔解し、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方法が挙げられる。この際に用
いられる適当な溶剤としては、例えばシクロペンタノン
、シクロペンタノン、ジアセトンアルコール等のケトン
類、ｎ−ブタノール等のアルコール類、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル等のアルコールエーテル類、酢酸ブチル、セロ
ソルブアセテート、メｌ−キシエチルアセテート等のエ
ステル類、ｌ、■。As a method for applying the composition of the present invention to a substrate, the composition of the present invention is dissolved in an appropriate solvent to a concentration of, for example, 5 to 50% by weight, and the composition is applied by spin coating, flow coating, or roll coating. An example of this method is to apply the agent by, for example, Suitable solvents used in this case include, for example, ketones such as cyclopentanone, cyclopentanone, and diacetone alcohol, alcohols such as n-butanol, and ethers such as dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, and ethylene glycol diethyl ether. , alcohol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether, esters such as butyl acetate, cellosolve acetate, and methyl-xyethyl acetate;

２−トリクロルエチレン等のハロゲン化炭化水素類、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル
ポルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の極性溶媒が、
単独でまたは混合して用いられる。さらに特願昭５８−
１３３］０８号明細書に記載の高沸点溶剤、例えばヘン
シルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテルアセトニルアセトン、カプロン酸、■−オクタ
ツール、ヘンシルアルコール炭酸プロピレン等を混合し
て用いることもできる。Halogenated hydrocarbons such as 2-trichloroethylene, polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, dimethylpolamide, N-methylpyrrolidone, etc.
Used alone or in combination. Furthermore, the special application 1988-
133] High boiling point solvents described in No. 08, such as hensyl ethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetonyl acetone, caproic acid, ■-octatool, hensyl alcohol propylene carbonate, etc. can also be used in combination.

本発明の組成物には、ａ・要に応して保存安定剤、色素
等を添加配合することもできる。The composition of the present invention may also contain storage stabilizers, pigments, etc. as required.

また本発明の組成物と基板との接着力を向上させるため
に、選定した基板に応して、例えばヘキサメチルジシラ
ザン、クロルメチルシラン等を接着助剤として基板に塗
槓」シてもよい。Furthermore, in order to improve the adhesive strength between the composition of the present invention and a substrate, depending on the selected substrate, for example, hexamethyldisilazane, chloromethylsilane, etc. may be applied to the substrate as an adhesion aid. .

本発明の組成物に用いられる現像液としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸すＩ・リウム、
ケイ酸ナトリウム、メクケイ酸ナトリウム、リン酸三す
トリウム、リン酸水素ナトリウム等の無機アルカリ類の
水溶液、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン
、ジ−ｎ−ブチルアミン、メチルジエチルアミン、ピロ
ール、２１５−ジメチルビロール、β−ピコリン、コリ
ジン、ピペリジン、ピペラジン、ｌ−リエチレンジアミ
ン等のアミン類の水溶液、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン、ジエチルヒドロキシアミン等ア
ルコールアミン類の水溶液、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の第４級アンモニウム塩の水溶液、アンモニア水等が
挙げられる。Examples of the developer used in the composition of the present invention include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Aqueous solutions of inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium silicate, tristrium phosphate, sodium hydrogen phosphate, n-propylamine, di-n-propylamine, di-n-butylamine, methyldiethylamine, pyrrole, 215 - Aqueous solutions of amines such as dimethylvirol, β-picoline, collidine, piperidine, piperazine, l-lyethylenediamine, dimethylethanolamine,
Examples include aqueous solutions of alcohol amines such as triethanolamine and diethylhydroxyamine, aqueous solutions of quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and aqueous ammonia.

また現像液に、メタノール、エタノール等のアルコール
類、亜硫酸系安定剤または界面活性剤を適当量添加する
こともできる。Further, an appropriate amount of alcohols such as methanol and ethanol, sulfite stabilizers, or surfactants may be added to the developer.

本発明の組成物は、高感度、高解像度および高残膜率を
有し、かつ現像性にも優れたものであり、集積回路作製
用の耐熱性を有するポジ型ボトレジストとして特に有用
であるとともに、マスク製作用のポジ型ボ］−レジスト
等としても有用なものである。The composition of the present invention has high sensitivity, high resolution, and high residual film rate, and has excellent developability, and is particularly useful as a heat-resistant positive bottom resist for producing integrated circuits. It is also useful as a positive type resist for mask production.

次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例により何ら制約されるものではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way.

実施例１ （１）ノボラック樹脂の合成 ５００　ｍ　ｌの三ツ−セパラブルフラスコに、ｍ−ク
レゾール７５ｇおよびｐ−クレゾール２５ｇを仕込んだ
後、３７重量％のホルマリン水ｆｇ液６６　ｍ　ｌおよ
び蓚酸０．０４ｇを添加した。攪拌しながら、セパラブ
ルフラスコを油浴に浸して反応温度を１００℃に調節し
、１０時間反応させた。反応終了後、３０　ｒｎ　ｒｎ
　Ｈｇに減圧して水を留去し、さらに内温を１３０°Ｃ
に上昇させて未反応物を除去した。次いで反応生成物で
ある溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻
して回収した。Example 1 (1) Synthesis of novolak resin After charging 75 g of m-cresol and 25 g of p-cresol into a 500 ml three-separable flask, 66 ml of 37% by weight formalin water FG solution and 0 oxalic acid were added. .04g was added. While stirring, the separable flask was immersed in an oil bath, the reaction temperature was adjusted to 100° C., and the reaction was carried out for 10 hours. After the reaction is completed, 30 rn rn
Water was distilled off by reducing the pressure to Hg, and the internal temperature was further lowered to 130°C.
to remove unreacted substances. Next, the molten alkali-soluble novolac resin, which was a reaction product, was returned to room temperature and collected.

（２）感光剤の合成 ５００　ｒｎ　ｌの三ツロフラスコに、没食子酸５６゜
４ｇおよびエチレングリコール６．２ｇを仕込んだ後、
ジオキサン１５０ｍ１ベンゼン１５０　ｍ　ｌおよび濃
硫酸５ｍｌを添加した。次いでこの三ツ１」フラスコを
油浴に浸して油浴温度１２０　’Ｃで２０時間反応させ
た。生成する水は、水分分離器で反応系外へ流出さ一仕
た。反応終了後、反応系を氷水に注ぎ、０℃イ１近で生
成物のエチレングリコ−ＪＬ’−’；　（３，４，５−
）ジヒドロキシベンゾエート）を析出させ、濾別後水洗
を繰り返して精製しノこ。(2) Synthesis of photosensitizer After charging 56°4 g of gallic acid and 6.2 g of ethylene glycol into a 500 rnl Mitsuro flask,
150 ml of dioxane, 150 ml of benzene and 5 ml of concentrated sulfuric acid were added. The three 1'' flasks were then immersed in an oil bath and reacted for 20 hours at an oil bath temperature of 120'C. The water produced was drained out of the reaction system using a water separator. After the reaction is complete, the reaction system is poured into ice water, and the product ethylene glyco-JL'-'; (3,4,5-
) Dihydroxybenzoate) is precipitated, separated by filtration, and purified by repeated washing with water.

遮光下に５００ｍ１の三ツロセバラブルフラスコ、エチ
レングリコールージ（３，４，５−）ジヒドロキシベン
ゾエート）１１．ｏｇ、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド２４．２ｇおよびアセトン２
００ｍ１を仕込んでｆ６解させた。この’ｆａ’ａを攪
拌しながらトリエチルアミン１０．９　ｇを徐々に添加
し、室温で１時間反応させた。反応終了後、内容物を多
量の１重量％塩酸水に滴下して生成物を沈澱さセ、水洗
後４０℃で２０時間真空乾燥してエチレングリコールー
ジ（３，４，５−１−ジヒドロキシベンゾエート）−１
゜２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸ｌ・リエ
ステル（感光剤Ａ）を得た。Place ethylene glycol di(3,4,5-)dihydroxybenzoate) in a 500 ml three-separable detachable flask under light protection.11. og, 24.2 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 2 g of acetone.
I prepared 00ml and made it solve f6. While stirring this 'fa'a, 10.9 g of triethylamine was gradually added, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour. After completion of the reaction, the contents were dropped into a large amount of 1% by weight hydrochloric acid solution to precipitate the product, washed with water, and vacuum dried at 40°C for 20 hours to obtain ethylene glycol di(3,4,5-1-dihydroxybenzoate). )-1
A 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid l-lyester (sensitizer A) was obtained.

（３）感光性樹脂組成物の調製と評価 遮光下で（１）で得られたアルカリ可溶性ノボラック樹
脂２０ｇおよび（２）で得られた感光剤Ａ５ｇを、７５
ｇのセロソルブアセテートに溶解し、孔径０．２μｍの
メンブランフィルタ−で濾過して感光性樹脂組成物の溶
液を調製した。(3) Preparation and evaluation of photosensitive resin composition 20 g of the alkali-soluble novolac resin obtained in (1) and 5 g of the photosensitizer A obtained in (2) were added to
g of cellosolve acetate and filtered through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm to prepare a solution of the photosensitive resin composition.

得られた溶液を、シリコン酸化膜ウェハー上に、スピン
ナーで塗布した後、オーブン中で９０℃で２５分間プレ
ベークして１．２μｍ厚の感光性樹脂組成物膜を得た。The obtained solution was applied onto a silicon oxide film wafer using a spinner, and then prebaked in an oven at 90° C. for 25 minutes to obtain a 1.2 μm thick photosensitive resin composition film.

凸版印刷（株）製テストパクーンマスクをウェハーに密
着し、１８．９ｍＪ／ｃｎｔの紫外ＩＩＪ！（オプティ
力ルアソシェート・インコーホレイテンド製モデル２０
５ＬＩＶパワーメーターにより測定）を照射し、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド１，６重量％水溶液で
２０　’Ｃで６０秒間現像したところ、線中０．５μｍ
のパターンを解像できた。未露光部の残膜率は９８．８
％と非富に高く、また現像残りが無くパターンが鮮明で
現像性に優れ、現像後のパターンを１７０　℃で３０分
間オーブン中でボストヘークしたが、パターン崩れは観
察されなかった。A Test Pakun mask manufactured by Toppan Printing Co., Ltd. was placed in close contact with the wafer, and ultraviolet IIJ of 18.9 mJ/cnt! (Model 20 manufactured by Optiforce Associate Inc.
5LIV power meter) and developed with a 1.6% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 20'C for 60 seconds.
We were able to resolve the pattern. Remaining film rate in unexposed area is 98.8
%, and the pattern was clear with no development residue and had excellent developability. After the development, the pattern was post-haked in an oven at 170° C. for 30 minutes, but no pattern collapse was observed.

実施例２〜６ （１）感光剤の合成 実施例１　（２）と同様にして次に示す感光剤Ｂ〜Ｆを
合成した。Examples 2 to 6 (1) Synthesis of photosensitizers The following photosensitizers B to F were synthesized in the same manner as in Example 1 (2).

感光剤Ｂ　１，３−プロパンジオールージ（，３゜４．
５−）ジヒドロキシベンゾエート）１１．４ｇと１．２
−ナフトキノンジアジド−５−スルボニルクロリド３２
．２　ｇとの反応生成物である１、３−プロパンジオー
ルージ（３，４，５−）ジヒドロキシベンゾエート）−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルポン酸テトラ
エステル 感光剤Ｃジェチレングリコールージ（２，３−ジヒドロ
キシベンゾエート）１１．３ｇと１．２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルボニルクロリド２４．２　ｇとの反
応生成物であるジェチレングリコールージ（２゜３−ジ
ヒドロキシベンジェ−１−）−１゜２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸トリエステル 感光剤Ｄ　Ｉ、４−ブタンジオールージ（３−ヒドロキ
シヘンゾエート）１３．２ｇと１゜２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルボニルクロリド２１．５ｇとの反応生
成物である１、４−ブタンジオールージ（３−ヒドロキ
ジヘンゾエート）−１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸ジエステル 感光剤１３　ニーｙ−レングリ：】−ルーノ（４＝ヒド
ロキシヘンヅエ−１・）９．１ｇと１．２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロリｌ　１６．１　ｇと
の反応生成物であるエチレングリコール−ジ（４−ヒド
ロキシヘンヅエート）−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸ジエステル 感光剤Ｆ　エチレングリコール−モノエチル−モノ　（
３，４，５−１−リヒトロキシベンヅエート）９．７ｇ
と１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロ
リド３５゜５ｇとの反応生成物であるエチレングリコー
ル−モノエチル−モノ　（３，４，５−トリヒドロキシ
ベンゾエート）−１゜２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸トリエステル （２）感光性樹脂組成物の調製と評価 実施例１　（１）で得られたアルカリ可溶性ノボラック
樹脂２０ｇおよび感光剤Ｂ〜Ｆそれぞれ５ｇを用りて、
実施例１　（３）と同様にして感光性樹脂組成物の溶液
を調製した。この溶液を用いて実施例１　（３）と同様
にし７　ｉ’ｉＦ価した結果を、第１表に示す。Photosensitizer B 1,3-propanedioluge (,3゜4.
5-) dihydroxybenzoate) 11.4g and 1.2
-naphthoquinone diazide-5-sulbonyl chloride 32
．． 2 g of 1,3-propanedioludi(3,4,5-)dihydroxybenzoate)-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester Photosensitizer C: 11.3 g of diethylene glycol di(2,3-dihydroxybenzoate) and 24.2 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulbonyl chloride. The reaction product, diethylene glycol di(2゜3-dihydroxybenzy-1-)-1゜2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester photosensitizer DI, 4-butanediol di(3-hydroxybenzyl) 1,4-butanedioludi(3-hydroxyhenzoate)-1,2-naphthoquinonediazide, which is the reaction product of 13.2 g of -5
-Sulfonic acid diester photosensitizer 13 Niy-Lengly:]-Produced by the reaction between 9.1 g of -Luno (4=hydroxyhenze-1.) and 16.1 g of 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonylchloride. Ethylene glycol di(4-hydroxyhenzuate)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester photosensitizer F Ethylene glycol monoethyl mono (
3,4,5-1-lihytroxybenzoate) 9.7g
Ethylene glycol-monoethyl-mono(3,4,5-trihydroxybenzoate)-1.2-naphthoquinonediazide-5-, which is the reaction product of 35.5 g of 1.2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride.
Sulfonic acid triester (2) Preparation and evaluation of photosensitive resin composition Example 1 Using 20 g of the alkali-soluble novolak resin obtained in (1) and 5 g each of photosensitizers B to F,
Example 1 A solution of a photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in (3). Table 1 shows the results of 7 i'iF titration using this solution in the same manner as in Example 1 (3).

第１表 第１表の結果から明らかなように、本発明の感光性樹脂
組成物は高感度、高解像度および高残膜率を有し、また
現像性も非常に優れていた。As is clear from the results shown in Table 1, the photosensitive resin composition of the present invention had high sensitivity, high resolution, and high residual film rate, and also had very excellent developability.

また現像後のパターンを１７０℃で３０分間オーブン中
でポストベークしたが、いずれの実施例の場合にもパタ
ーン崩れは観察されなかった。Further, the developed pattern was post-baked in an oven at 170° C. for 30 minutes, but no pattern collapse was observed in any of the examples.

代理人　弁理士　川　北　成　長Agent: Patent Attorney Kawakita Naricho

Claims (1)

【特許請求の範囲】 アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して、下記一般式
（１）または（ＩＩ）で表わされる化合物の少なくとも
１種を５〜１００重量部配合してなることを特徴とする
ポジ型感光性樹脂組成物。 〔式中、ａ、ｂおよびＣは同一または異なり、１〜４の
整数、（２，ｍおよびｎは同一または異なり、０または
１〜３の整数、（ａ−ｌ）、（ｂ−ｍ）および（ｃ−１
１）は１以上の整数、Ｒ１、Ｒ２およびＲ５は同一また
は異なり、■、２〜ナフトキノンジアジドー４−スルボ
ニル基、１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ル基またはｌ。 ２−ベンゾキノンジアジド−４−スルボニル基、Ｒ３、
Ｒ４およびＲ６は同一または異なり、水素原子、ハ凸ゲ
ン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アル
コキシ基、アロキシル基、アラルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基、Ｒ７はアルキル基、アリール基またはア
ラルキル基、Ｚはアルキレン基またはオキサアルキレン
基を意味１）する〕[Scope of Claims] A positive resin characterized in that 5 to 100 parts by weight of at least one compound represented by the following general formula (1) or (II) is blended with 100 parts by weight of an alkali-soluble resin. type photosensitive resin composition. [wherein a, b and C are the same or different and are integers of 1 to 4, (2, m and n are the same or different and are 0 or integers of 1 to 3, (a-l), (b-m) and (c-1
1) is an integer of 1 or more; R1, R2, and R5 are the same or different; ■, 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, 1.2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, or l. 2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group, R3,
R4 and R6 are the same or different, and are a hydrogen atom, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alloxyl group, an aralkoxy group, a cyano group, or a nitro group, and R7 is an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. , Z means an alkylene group or an oxaalkylene group 1)]