JPS60145721A - Flip flop circuit - Google Patents

Flip flop circuit

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JPS60145721A
JPS60145721A JP59001314A JP131484A JPS60145721A JP S60145721 A JPS60145721 A JP S60145721A JP 59001314 A JP59001314 A JP 59001314A JP 131484 A JP131484 A JP 131484A JP S60145721 A JPS60145721 A JP S60145721A
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JP
Japan
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transistor
conductivity type
mos
input
transistors
Prior art date
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Application number
JP59001314A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Suzuki
宏明 鈴木
Hideo Hashimoto
英雄 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tosbac Computer System Co Ltd
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Tosbac Computer System Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS60145721A publication Critical patent/JPS60145721A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • HELECTRICITY
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    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
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    • H03K19/0963Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type

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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To shorten the operation time and reduce the number of transistors by using MOS transistors, which are driven when the third input is in the low level and the high level respectively, in a logic circuit part as C<2>MOS two-input gates to which the first and the second inputs are led. CONSTITUTION:Four transistors whose gates are connected to an input (c) in a conventional logic circuit are omitted, and instead, one P-channel enhancement MOSFETP5 is connected between a power source VDD and an output node 51 [taking-out point of an output (d)], and sources of two N-channel transistors N1 and N3 are connected to each other, and one N-channel enhancement MOSFET N5 is connected between this mutual connection point and a power source VSS, and the input (c) is led to gates of these two transistors P5 and N5. Thus, the transmission delay time from the input (c) to the output (d) is shortened, and the number of used transistors is reduced by 2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はフリップフロップ(F/F)回路に係り、特に
クロックドCMOS (以後、C2MOSL!:記す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a flip-flop (F/F) circuit, and particularly to a clocked CMOS (hereinafter referred to as C2MOSL!).

)r−}’!i=用いたF/F回路に関する。)r−}’! i=related to the F/F circuit used.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

この種のF/F回路としてはD型のものとかJ−に型の
ものなどがあり、さらにこれらにはCD(クリア・ディ
レクト)利きのものとかこれとは逆機能のSD(セット
・ディレクト)付きのものまたCD,SDの両方の機能
の付いているものなどがある。
This type of F/F circuit includes D-type and J-type F/F circuits, and these include CD (clear direct) type and SD (set direct) type, which has the opposite function. There are also those with CD and SD functions.

第1図は従来のCD付きD型F/F回路の論理回路図を
示しておシ、1はCMOSインパータグート,2および
3はCMOS 2人力ノアダート,4および5はクロッ
クパルスφがハイレベルになるとアクティブになるC 
MOSインパータグート。
Figure 1 shows a logic circuit diagram of a conventional D-type F/F circuit with CD. 1 is a CMOS inverter gate, 2 and 3 are CMOS two-manual no-darts, and 4 and 5 are clock pulses φ at high level. C becomes active when
MOS Impertagut.

6および2は上記φとは逆相のクロック・ぐルス■がH
Kなるとアクティブになる02MOSインパーータグー
ト,CD,Dはそれぞれ入力端I Q 1QNけそれぞ
れ出力端,CPはクロックパルス入力,8および9はC
MOSインバータゲートである。
For 6 and 2, the clock signal ■, which has the opposite phase to the above φ, is H.
02MOS imperter gate which becomes active when K becomes active, CD and D are input terminals I, Q and 1QN respectively output terminals, CP is clock pulse input, 8 and 9 are C
It is a MOS inverter gate.

上記第1図のF/F回路の動作は良く知られてbるので
その詳述は省略するが、リセット状態ける時の動作は次
の通シである。いま、CPがロウレベル(L)になると
、φはL,■はハイレベル(I■)になシ、前記ケ”−
}6.7がアクティブになる。このとき、入力端CDが
Lになると、このCD入力が2段のグー}1,、?’i
経て出力i+,tM Q全Lにし、上記CD入力が3段
のケゝ一ト1。
Since the operation of the F/F circuit shown in FIG. 1 is well known, a detailed explanation thereof will be omitted, but the operation in the reset state is as follows. Now, when CP becomes low level (L), φ becomes L, ■ becomes high level (I■), and the above-mentioned key "-"
}6.7 becomes active. At this time, when the input terminal CD becomes L, this CD input becomes a two-stage goo}1,,? 'i
After that, the output i+, tM Q is set to all L, and the above CD input is 3-stage case 1.

3、7を経て出力端QNiH(リセット状態)にする。3 and 7 to set the output terminal QNiH (reset state).

これに対して、CPがHのときには、φがH,iがLに
なってダート4,5がアクティブになるので、入力端C
DがLになるとCD入力が2段のグートl,3f経て出
力端Q’rLにすると共にCD入力が3段のデートl.
2。
On the other hand, when CP is H, φ becomes H, i becomes L, and darts 4 and 5 become active, so the input terminal C
When D goes to L, the CD input goes through two stages of gout l, 3f and becomes the output terminal Q'rL, and the CD input goes to the third stage of date l.
2.

5を経て出力’iミi Q N ’K H ( ’)セ
ット状態)にする。
5 to output 'iQN'KH (') set state).

上記F/F回路は、CPがLのときにおける入力iL!
6f C Dから出力端QNまでのr−}段載が多いの
で、その伝搬遅延時間が大きい欠点がある。
The above F/F circuit has an input iL! when CP is L!
Since there are many r-} stages from 6f CD to the output terminal QN, there is a drawback that the propagation delay time is large.

第2図は、上記欠点を改善するように構成した従来のC
D付きD型F/F回路を示しており、11および12は
C MOSインパータケゝ一ト,13〜16はCMOS
インパータダート,17および18はC2MOS2人力
ナンドタートである。このF/F回路においては、CP
がLになると、ダート11、18がアクティブになり、
このときCD入力がLになると、このCD入力が2段の
r−トlB.14を経て出力端Q’kLにし、上記CD
入力が1段のダート18を経て出力端QNをH(リセッ
ト状態)にする。これに対して、CPがHのときには、
ダートl2,17がアクティブになるので、CD入力が
Lになると、このCD入力が4段のダート17.13,
12。
FIG. 2 shows a conventional C
It shows a D type F/F circuit with D, 11 and 12 are CMOS integral parts, 13 to 16 are CMOS
Imperator darts 17 and 18 are C2MOS two-man powered NAND darts. In this F/F circuit, CP
When becomes L, darts 11 and 18 become active,
At this time, when the CD input becomes L, this CD input becomes the 2-stage r-tor lB. 14 to the output terminal Q'kL, and the above CD
The input passes through the dart 18 with one stage, and the output terminal QN is set to H (reset state). On the other hand, when CP is H,
Dart 12, 17 becomes active, so when the CD input becomes L, this CD input becomes the 4-stage Dart 17, 13,
12.

14を経て出力端Q’kLにすると共にCD入力が3段
の)f−ト17,13.12を経て出力端QNをH(リ
セット状態)にする。
14, the output terminal Q'kL is set, and the CD input passes through three stages of f-to-17, 13.12, and the output terminal QN is set to H (reset state).

しかし、上記第2図のCD付きD型F/F回路は、CP
がLの時には、リセットが掛かる壕での敏函遅延時間が
小さくなるが、CPがHのときにおける入力端CDから
出力端QNまでのr−ト段数が多いので、CD入力によ
ってリセットがかかるまでの伝搬遅延時間が大きくなる
欠点があった。
However, the D-type F/F circuit with CD shown in FIG.
When CP is L, the delay time at the point where the reset is applied becomes small, but since the number of stages from the input end CD to the output end QN is large when CP is H, the delay time until the reset is applied by the CD input is large. The disadvantage is that the propagation delay time becomes large.

第31−1は、上記欠点が改善されたCD付きD型F/
FLLIl路を示しており、これは第2図のFBI”回
路におけるC2N・IOSインパータケ゛〜ト12に代
え−CC2MO82人力ナントr −トs J k使用
り、、その一方の入力として第2図、と同様にゲート1
3の出力を導き、その他方の入力としてCD入力ヲ八へ
、その出力を第2図と同様に出力端QNK接続した点が
異なシ、その他は第2図と同じであるので同一符号を付
している。このF/F回路においては、CPがLのとき
にリセットを掛けるときの動作は、第2図と同様にCD
人力が2段のダート18.14f経て出力端QをLにし
、CD入力が1段のr−ト18f経て出力’?M Q 
N ’e H(リセット状態)にする。そしてcpがH
のときにもc−トxy、sxがアクティブになるので、
CD入力がLになると、このCD入力が2段のr−ト3
1.14f経て出力端QをLにすると共KCD入力が単
に1段のダート31を経て出力端QNをH(リセット状
態)にするものであり、このときりこは第1図。
No. 31-1 is a D-type F/F with CD that has improved the above drawbacks.
This shows the FLLI1 path, which uses a CC2MO82 manual Nant r - tot s J k in place of the C2N IOS inverter circuit 12 in the FBI" circuit shown in Fig. 2, and uses the circuit shown in Fig. 2 as one input. Similarly gate 1
The difference is that the output of 3 is connected to the CD input wo8 as the other input, and the output is connected to the output terminal QNK in the same way as in Fig. 2.The other points are the same as in Fig. 2, so the same reference numerals are given. are doing. In this F/F circuit, the operation when applying a reset when CP is L is the same as in Figure 2.
Human power goes through 2 stages of dirt 18.14f and output terminal Q is set to L, CD input goes through 1 stage of r-to 18f and output'? MQ
Set to N'e H (reset state). and cp is H
Since c-txy and sx are active even when
When the CD input becomes L, this CD input becomes the 2-stage r-to-3.
When the output terminal Q is set to L after 1.14f, the KCD input simply passes through one stage of dirt 31 and output terminal QN is set to H (reset state).

第2図のF/F回路に比べてCPかLの時にもHの時に
もリセット状態くかけることが可能になっている。
Compared to the F/F circuit shown in FIG. 2, it is possible to apply a reset state both when CP is low and when high.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、第3図のF/F回路において点線で凹んだ一
部分の論理回路部30は、第1人力a(+”−)Zjの
出力)および第2人力b(ケ゛−ト14の出力)および
第3人力c(CD入力)と1個の出力d(出力端QNへ
の出力)とを有しており、この論理回路部30として従
来は第4図に示すような論理回路が使用されていた。
By the way, the part of the logic circuit section 30 recessed by the dotted line in the F/F circuit of FIG. It has a third input c (CD input) and one output d (output to the output terminal QN), and conventionally a logic circuit as shown in FIG. 4 has been used as this logic circuit section 30. Ta.

即ち、P1〜P4 # p61 p7はそれぞれPチャ
ンネルエンハンスメン) g MOS FET (絶縁
’f”−ト型電界効果トランジスタ)、N 1−N 4
 *N s 、N 7 ij、ソレソh、 N チャン
ネルエンハンスメント型MO8FET 、 VDDおよ
びVBBは電源である。ここで、トランジスタP l 
z P l e P6rN Ir N 2 r N 6
は第3図のダート31に相当し、トランジスタP3 r
 P 4 r P 7 r N3 +N 4 r N 
7は第3図のダートxgVc相当する。
That is, P1 to P4 # p61 p7 are respectively P channel enhancement members) g MOS FET (insulated 'f'-type field effect transistor), N 1 - N 4
*Ns, N7ij, Soreso h, N channel enhancement type MO8FET, VDD and VBB are power supplies. Here, the transistor P l
z P le P6rN Ir N 2 r N 6
corresponds to dart 31 in FIG. 3, and the transistor P3 r
P 4 r P 7 r N3 +N 4 r N
7 corresponds to dart xgVc in FIG.

しかし、上記第4図の論理回路を使用して第31ΔのF
/F回路全構成すると、432図の鉾回路に比べて使用
トランジスタ数が多くなるので、これを用いた第3図の
0回路は使用トランジスタ数が増える欠点がある。また
、上記論理回路では、入力e(CD入力)に対して4個
のトランジスタP 6 r P 7 + N6 * N
7のケ9−ト容月が負荷となってお9、しかも入ノ”J
cがLのときに駆動されるトランジスタP6またはP7
にfb制御川の用ランジスタP2またはP4が直列に接
ワ”Cされていてそのオン抵抗および寄生容量の影響ヲ
受けるので、入力Cがら出力dまでの伝搬遅延時間が大
きいという欠点がある。
However, using the logic circuit shown in FIG.
When the /F circuit is fully constructed, the number of transistors used is larger than that of the halberd circuit shown in FIG. 432, so the 0 circuit shown in FIG. Furthermore, in the above logic circuit, four transistors P 6 r P 7 + N6 * N are connected to the input e (CD input).
7's Kei 9-Yogetsu is a burden on 9, and it's in the middle of the day.
Transistor P6 or P7 driven when c is L
Since the fb control transistor P2 or P4 is connected in series and is affected by its on-resistance and parasitic capacitance, there is a drawback that the propagation delay time from the input C to the output d is large.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、クロック
ハルス入力カロウレペル、ハイレベルのいずれのときで
もクリア・ディレクト入力によるリセットあるいはセッ
ト・ディレクト入力によるセットがかかる時間を一層速
くすることができ、しかも使用トラン・ラスタ数が少な
くて済むフリッゾフロッゾ回路を実現するものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can further speed up the time it takes to reset by clear/direct input or set by set/direct input, regardless of whether the clock Hals input is at high level. Moreover, it is possible to realize a frizz-frozzo circuit that requires fewer transformers and rasters.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、本発明のF/′F回路は、その一部分の論理回路
部として、第3人力がLのときにfl勤されるMOS 
)ランノスタおよび第3人力がHのときに駆動されるM
OS )ランジスタを、第1人力が導かれるC2M08
2人カダート人力び第2人力が導かれるC2M082人
カダート人力用する回路構成とすることによって、第3
人力用として従来4個必要であったものを2個に減らす
と共に第3人力から出力までの伝搬遅延時間を小さくす
るようにしたことを特徴とするものである・〔発明の実
施例〕 以下、図面を参照して本発明の一実h′す例を詳細に説
明する。第5図に示す論理回路は、第3図を参照して前
述したCD利きD型F/F回路における論理回路部30
を具体的に示している。
That is, the F/'F circuit of the present invention has a MOS as a part of the logic circuit section, which is turned on when the third human power is L.
) M driven when the runno star and the third human power are H
OS) C2M08 where the first human power is guided by the transistor
By using the circuit configuration for C2M082 two-person Kadat manpower and the second manpower, the third manpower is guided.
This device is characterized by reducing the conventionally required four for human power to two, and reducing the propagation delay time from the third human power to the output. [Embodiments of the Invention] Hereinafter, An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The logic circuit shown in FIG. 5 is the logic circuit section 30 in the CD-handed D-type F/F circuit described above with reference to FIG.
is shown in detail.

この論理回路は、第4図を参照して前述した従来の論理
回路部における入力Cにダートが接続された41固のト
ランジスタ(#44図P6#P?。
This logic circuit consists of a 41-wire transistor (#44, P6#P?

N6 # N7 )k省略する代わ、a K VDD電
源と出力ノード51(出力dの取り出し点)との間に1
個のPチャンネルエンハンスメン)型MO8FETPs
’e接続し、さらに2個のNチャンネルトラン・ゾスタ
N1.Nsのソース相互を接続し、この相互接続点とv
s8電源との間に1個のNチャンネルエンハンスメン)
型MO8FET Na kW続し、これらの2岡のトラ
ンジスタP、、N。
N6 #N7) k Instead of omitting, a K
P-channel Enhancement Men) type MO8FETPs
'e connection and two more N-channel trans-zoster N1. Connect the sources of Ns to each other, and connect this interconnection point to v
(1 N channel enhancer between s8 power supply)
Type MO8FET Na kW followed by these two Oka transistors P,,N.

のゲートに入力Cを導くようにした点が異なり、その他
は同じである。即ち、入力aがグー)に導かれるPチャ
ンネルトランジスタPlと、クロック・母ルスTがr−
トに導かれる制御用のPチャンネルトランジスタP2と
、クロ、クツ母ルスφがダートに導かれる制御用のNチ
ャンネルトランジスタN2と、入力aがケ9−トに導か
れるNチャンネルトランジスタN1とからなる第1組の
トランジスタ群が直列接続されている。
The difference is that the input C is guided to the gate of , but other things are the same. That is, the P-channel transistor Pl is led to input a (G), and the clock/mother pulse T is r-
It consists of a P-channel transistor P2 for control, whose input a is led to the gate, an N-channel transistor N2, whose input a is led to the gate, and an N-channel transistor N1, whose input a is led to the gate. A first set of transistors are connected in series.

−同様に、入力すがf−)に導かれるPチャンネルトラ
ンジスタP3と、クロックツぐルスφがダートに導かれ
る制御用のPチャンネルトランジスタP4と、クロック
ツぐルスTがケ”−トに導かれる制御用のNチャンネル
トランジスタN4と、入力すがf−)に導かれるNチャ
ンネルトランジスタN3とからなる第2組のトランジス
タ群が直列接続されている。そして、第1組のトランジ
スタ群におけるトランジスタP z + N2の相互接
続点と、第2組のトランジスタ群におけるトランジスタ
P4#N4の相互接続点とが共通接−統されて出力ノー
ド51となっている。したがって、上記第1組のトラン
・ラスタ群と前記入力Cがf−)に導かれる2個のトラ
ンジスタp、、N8で第3図の論理回路部30における
ダート31を形成しておシ、同様に前記第2組のトラン
ジスタ群と上記2個のトランジスタP 5. l’J’
6とで第3図の論理回路部30におけるり”−ト18f
形成しており、上記2個のトランノスタPs、N5Fi
上記2個のゲート31゜18に共通に使用されている。
-Similarly, there is a P-channel transistor P3 whose input is led to f-), a control P-channel transistor P4 whose clock pulse φ is led to the gate, and a control whose clock pulse T is led to the gate. A second set of transistors is connected in series, consisting of an N-channel transistor N4 for the input terminal and an N-channel transistor N3 led to the input (f-).The transistor Pz + in the first set of transistors is connected in series. The interconnection point of N2 and the interconnection point of transistors P4#N4 in the second group of transistors are commonly connected to form an output node 51. Therefore, The two transistors p, , N8 to which the input C is led to f-) form the dart 31 in the logic circuit section 30 of FIG. Transistor P 5.l'J'
6 and 18f in the logic circuit section 30 of FIG.
The above two transnostars Ps and N5Fi
It is commonly used for the two gates 31.degree. 18 mentioned above.

上Fily第5図の論理回路においては、入力C(第3
図のCD入力)がLになると、クロックツ9ルス■がゲ
ートに導かれているPチャンネルトランジスタP2およ
びクロックツ9ルスφがデートに導かれているPチャン
ネルトランジスタP4のオン・オフ状態に関係なく、つ
まシクロツク・ぐルス入力CPの電位レベルに関係なく
、PチャンネルトランジスタP5がオンになって直接に
出力ノード5ノから第3図の出力端QNに出力するよう
になる。この場合、入力Cの負荷tよ2個のトランジス
タP5aNSのダート容も1であって第4図の論理回路
におけるよりも半減している。また、入力CがLのとき
に駆動されるトランジスタP6のσmは、第4図の論理
回路において人力CがLのときに駆動されるトランジス
タおよびそれに直列な制御用トランジスタのgmに比べ
て2倍である。したがって、上^1う論理回路によれば
、入力Cから出力dまでの伝搬遅延時間が小さくなシ、
シかも、使用トランジスタ数は第4図の論理回路に比べ
て2個減少しているので、この論理回路を用いたF/F
回路は、CD入力によりてリセットがかかるまでの時間
が従来に比べて短縮し、さらに使用トランジスタ数が少
なくて済む。
In the logic circuit shown in Figure 5 above, input C (third
When the CD input (in the figure) becomes L, regardless of the on/off state of the P-channel transistor P2 whose gate is led to the clock pulse ■ and the P-channel transistor P4 whose clock pulse φ is led to the date. Regardless of the potential level of the clock input CP, the P-channel transistor P5 is turned on and outputs directly from the output node 5 to the output terminal QN in FIG. 3. In this case, the load t of the input C and the dart capacitance of the two transistors P5aNS are also 1, which is half that in the logic circuit of FIG. Furthermore, σm of the transistor P6 that is driven when the input C is L is twice the gm of the transistor that is driven when the human input C is L and the control transistor connected in series with it in the logic circuit shown in FIG. It is. Therefore, according to the logic circuit above, the propagation delay time from input C to output d is small.
However, since the number of transistors used is reduced by two compared to the logic circuit shown in Figure 4, an F/F using this logic circuit can be used.
The circuit takes less time to be reset by CD input than conventional circuits, and requires fewer transistors.

本発明は上記実施例に限られるものではなく、第6図九
示すような従来のCD 、SD付きD型F/F回路に本
発明を適用すると第7図に示すようになシ、CD、SD
付きJ−に型14回路に適用すると第8図に示すように
なシ、それぞれリセットがかかる時間を短縮できると共
に使用トランジスタ数を減らすことができる。なお、第
6図乃至第8図において、61〜63.71゜72.8
1.82はCMOSインバータゲート。
The present invention is not limited to the above embodiments, but when the present invention is applied to the conventional D-type F/F circuit with CD and SD as shown in FIG. SD
When applied to a J-type 14 circuit as shown in FIG. 8, the time required for resetting can be shortened and the number of transistors used can be reduced. In addition, in FIGS. 6 to 8, 61 to 63.71° 72.8
1.82 is a CMOS inverter gate.

64〜67 、7 Ji;jc2MO8(7ハー1’f
”−) 。
64-67, 7 Ji;jc2MO8(7her 1'f
”-).

6 B 、 691rLCMO83人カオア・ナンドデ
ート。
6 B, 691rLCMO 83 people Kaor Nando date.

74.75.83〜85は0MO82人力ナンドダ−ト
、69,70.86はCMO82人カオl’l’−ト、
 76 、87 、 g814c2Mos2人カナ7)
’r−ト、30は前述同様の論理回路部である。
74.75.83-85 was 0MO82 manpower Nando Dart, 69,70.86 was CMO82 manpower Kao l'l'-to.
76, 87, g814c2Mos2 person kana 7)
'r-to, 30 is a logic circuit section similar to that described above.

さらに、本発明をSD付きD W F/F回路に適用す
ると第9図に示すようにな9、点線で囲むように3個の
入力e*frgおよび1個の出力hfx有する一部分の
論理回路部30′として、従来は第10図に示すような
論理回路であったものを、本発明では第11図に示すよ
うな論理回路を用いるものである。この場合にも、第3
図。
Furthermore, when the present invention is applied to a D W F/F circuit with SD, as shown in FIG. As 30', conventionally a logic circuit as shown in FIG. 10 is used, but in the present invention, a logic circuit as shown in FIG. 11 is used. In this case as well, the third
figure.

第5図を参照して前述したと同様にSD大入力L(gが
H)になってから出力端QがH(セット状態)になるま
での伝搬遅延時間が遠くなシ、1重用トランジスタ数も
減少している。なお、第9図において、91〜95はC
MOSインバータr−ト、961−JC2MOSイアパ
ー1’r’−ト、97゜J l’、 J 8’はC2^
4082人力ノアダートである。
As described above with reference to FIG. 5, the propagation delay time from when the SD large input becomes L (g is H) until the output terminal Q becomes H (set state) is long, and the number of transistors for single use is long. is also decreasing. In addition, in FIG. 9, 91 to 95 are C
MOS inverter r-to, 961-JC2MOS earper 1'r'-to, 97°J l', J8' is C2^
4082 human-powered Noah Dart.

また、第10図、集11図はそれぞれ対応して8+’<
 4図、第5図の論理回路におけるトランジスタの導電
型(Pチャンネル、Nチャンネル)ヲ逆にし、21個の
電源(VDD、v8s)を逆にしたものに相当する。N
r −Ny UNチャンネルMOSトランジスタr P
 1〜P7はPチャンネルMOSトランジスタである。
In addition, Fig. 10 and Fig. 11 correspond to 8+'<
This corresponds to the logic circuits of FIGS. 4 and 5 in which the conductivity types of the transistors (P channel, N channel) are reversed and the 21 power supplies (VDD, V8S) are reversed. N
r −Ny UN channel MOS transistor r P
1 to P7 are P-channel MOS transistors.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように本発明のF/F回路によれば、入力端C
Dまたは入力端SDから出力i’1Iitまでの伝搬遅
延時間が小さくて使用トランジスタ数を減少し得る論理
回路部を一部に有するようKしたので、リセットまたは
セットが速くかかり、使用トランジスタ数が少なくて済
む。
As described above, according to the F/F circuit of the present invention, the input terminal C
Since the propagation delay time from D or input terminal SD to output i'1Iit is small and the number of transistors used can be reduced, K is partially provided with a logic circuit section, so that resetting or setting takes place quickly and the number of transistors used is small. It's done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第3図はそれぞれ従来のCD付きD W F
/F回路を示す論理回路図、第4図は第3図の論理回路
部を取υ出して従来例を示す回路図、第5図は本発明に
係る乙今゛回路に用いられる論理回路部の一例を示す回
路図、第6図は従来のCD、SD付きD型F〃回路を示
す論理回路図、第7図乃至第9図はそれぞれ本発明を適
用したCD 、SD付きD型F〃回路、CD。 SD付きJ−に型F/’F回路、SD付きD型φ回路を
示す論理回路図、第10図は第9図のF力回路の論理回
路部金取シ出して従来例を示す回路図、第11図は本発
明において第9図のF/F回路の論理回路部に用いられ
る論理回路図である。 P1〜P5.N1〜Ns・・・MoSトランノスタ1、
? 0 、30’・・・論理回路部、51・・・出力ノ
ード。
Figures 1 to 3 are respectively conventional DWF with CD.
A logic circuit diagram showing a /F circuit, FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example by removing the logic circuit section from FIG. 3, and FIG. A circuit diagram showing an example, FIG. 6 is a logic circuit diagram showing a conventional CD, D-type F with SD circuit, and FIGS. 7 to 9 are a circuit diagram of a conventional CD, D-type F with SD to which the present invention is applied, respectively. circuit, cd. A logic circuit diagram showing a J-type F/'F circuit with SD and a D-type φ circuit with SD. Figure 10 is a circuit diagram showing a conventional example with the logic circuit part of the F power circuit of Figure 9 taken out. , FIG. 11 is a logic circuit diagram used in the logic circuit section of the F/F circuit of FIG. 9 in the present invention. P1-P5. N1~Ns...MoS Trannostar 1,
? 0, 30'...logic circuit section, 51...output node.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 第1人力がダートに導かれる第1導電型の第1のMOS
 )ランジスタ、第1クロツク・ぐルスがデートに導か
れる第1導電型の第2のMOSトランジスタ、上記力1
クロックパルスとは逆相の第2クロツクパルスがf−)
に導かれ、上記第1導電型とは逆導電型の第2導電型の
第2のMOS )ランジスタおよび前記第1入力がケ中
−トに導かれる第2導電型の第1のMOS )ランジス
タの順で直列に接続されてなシ、前記第1導電型の第1
のMOS )ランジスタの一端が第1電源に接続され、
前記第1導電型の第2のMOS )ランジスタと第2導
電型の第2のMOS )ランジスタとの相互接続点が出
力ノードに接続された第1組のトランジスタ群と、第2
人力がf−)に導かれる第1導電型の第3のMOS )
ランジスタ、第2クロツクパルスがダートに導かれる第
1導電型の第4のMOS )ランジスタ、第1クロツク
・ぐルスがグー)K導かれる第2導り型の第4のMOS
 )ランゾスタおよび前記第2人力がダートに導かれる
第2導電型の第3のMOS )ランジス “りの順で直
列に接続されており、前記第1導電型の第3のMOSト
ランジスタの一端が前記第1電源に接続され、前記第2
導電型の第3のMOSトランジスタの一端が前記第2導
1b、型の第1のMOS )ランジスタの一端に接続さ
れ、前記第1導電型の第4のMOS )ランジスタと、
第2導′−型の第4のMOS )ランジスタとの相互接
続点が前記出力ノードに接続された第2組のトランジス
タ群と、前記出力ノードと前記第1電源との間に接続さ
2れ、ダートには第3人力が導かれた第1導電型の第5
のMOS)ランジスタと、前記第2導電型の第1のMO
S )ランノスタおよび第2導電型の第3のMOS )
ランジスタの相互接続点と第2電源との間に接続され、
r−トには前記第3人力が導かれる第2導電型の第5の
MOSトランジスタとからなる論理回路部を一部に有し
、M’S 記rA’r 3人力はクリア・ディレクト入
力またはセット・ディレクト入力により規定されること
′fr:q!J徴とするフリップフロップ回路。 (2)前記8g1導電型の各トランジスタはPチャンネ
ル型トランジスタ、第2導電型の各トランジスタはNチ
ャンネル型トランジスタであシ、第1電源は正電圧、第
2電源は接地電位であり、前記第3人力はクリア・ディ
レクト入力又は、セット・ディレクト入力であることを
特徴とする特許 ロップ回路。 (3)前記第1導亀型の各トランジスタはNチャンネル
型トランジスタ、第2導電型の各トランジスタはPチャ
ンネル型トランジスタであシ、第1電源は接地電位第2
電源は正電圧であシ、前記第3人力はセット・ディレク
ト入力又はクリア・ディレクト入力であることを特徴と
する前記特許請求の範囲第1項記載のフリップフロップ
回路。
[Claims] First MOS of first conductivity type through which first human power is guided to dirt
) transistor, a second MOS transistor of the first conductivity type to which the first clock signal is led to the date;
The second clock pulse with the opposite phase to the clock pulse is f-)
a second MOS transistor of a second conductivity type, which is guided by the transistor and whose conductivity type is opposite to the first conductivity type; The first conductivity type is connected in series in the order of
One end of the transistor (MOS) is connected to the first power supply,
(a) a second MOS transistor of the first conductivity type;
A third MOS of the first conductivity type through which human power is guided to f-)
A transistor, a fourth MOS of the first conductivity type to which the second clock pulse is guided.) A transistor, a fourth MOS of the second conductivity type to which the first clock pulse is guided
) A third MOS transistor of a second conductivity type through which the Lanzostar and the second human power are guided to the dirt; connected to a first power source;
one end of a third MOS transistor of the second conductivity type is connected to one end of the first MOS transistor of the second conductivity type; a fourth MOS transistor of the first conductivity type;
a second conductive type fourth MOS transistor whose interconnection point with the transistor is connected to the output node; and a second transistor group connected between the output node and the first power supply; , the fifth of the first conductivity type led to the third human power to the dirt
MOS) transistor, and the first MO of the second conductivity type.
S) Runnostar and third MOS of second conductivity type)
connected between the interconnection point of the transistor and the second power supply;
A part of the r-t includes a logic circuit section consisting of a fifth MOS transistor of the second conductivity type to which the third power is guided, and the third power is connected to a clear direct input or Specified by set direct input 'fr:q! A flip-flop circuit with a J characteristic. (2) Each transistor of the 8g1 conductivity type is a P-channel transistor, each transistor of the second conductivity type is an N-channel transistor, the first power supply is a positive voltage, the second power supply is a ground potential, and the The patented lop circuit is characterized by a clear direct input or a set direct input. (3) Each transistor of the first conductivity type is an N-channel transistor, each transistor of the second conductivity type is a P-channel transistor, and the first power supply is connected to a ground potential.
2. The flip-flop circuit according to claim 1, wherein the power source is a positive voltage, and the third input is a set/direct input or a clear/direct input.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384493A (en) * 1991-10-03 1995-01-24 Nec Corporation Hi-speed and low-power flip-flop
EP0693827A3 (en) * 1994-07-18 1997-10-15 At & T Corp Quasi-static adiabatic gates
JP2010178120A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Icom Inc Dual modulus prescaler

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384493A (en) * 1991-10-03 1995-01-24 Nec Corporation Hi-speed and low-power flip-flop
EP0693827A3 (en) * 1994-07-18 1997-10-15 At & T Corp Quasi-static adiabatic gates
JP2010178120A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Icom Inc Dual modulus prescaler

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