JPS60140350A - 現像装置 - Google Patents

現像装置

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JPS60140350A
JPS60140350A JP25058483A JP25058483A JPS60140350A JP S60140350 A JPS60140350 A JP S60140350A JP 25058483 A JP25058483 A JP 25058483A JP 25058483 A JP25058483 A JP 25058483A JP S60140350 A JPS60140350 A JP S60140350A
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JP
Japan
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developer
substrate
developed
base plate
rotating
Prior art date
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Pending
Application number
JP25058483A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuharu Sato
康春 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP25058483A priority Critical patent/JPS60140350A/ja
Publication of JPS60140350A publication Critical patent/JPS60140350A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は現像装置に関するもので、特に半導体装置の製
造におけるリソダラフィ技術においてレジストの現像に
使用されるものでちる。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の製造においては微細なパターンをマスクお
よびウェーハ(以下基板という)上に形成するため光、
−子線等に感応してその性質が変化するレジストを用い
て不要部分を取シ除くフォトリソダラフィ技術が用いら
れる。このレジストに党勢が照射されたときはレジスト
中に潜像が生じるのみであるから、現像液を使用してレ
ジストパターンに変える現像が必要となる。
第1図は従来の現像装置の構成の概要を示す正面図であ
って、基板弘を載置して真空テヤッキン/等によシ同定
し、モータ(図示せず)的によシスピンドルλを介して
回転する回転ヘッドlの中心上方に現像液Aを滴下する
供給ノズル3を有している。このような現像装置におっ
ては現像すべき基板を回転させながら供給ノズル3より
現像液Aを供給すると、現像液Aは遠心力で基板面上に
拡散し、基板各部で現像反応か生ずる。
〔背京技術の問題点〕
しかしながら、このような現像装置にあっては、現像液
の拡散は遠心力のみによっておシ、基板面内の各部にお
ける現像液の停滞時間が均一でなく現像後の状態が一定
でないという問題がおる。例えば、基板中心部では現像
液が留シやすく、現像が進むことによってポジ型レジス
トにあっては現像後のレジスト寸法は小さくなシ、一方
、基板の周辺部では現像液が滞留することなく飛散する
ため現象は遅れポジ型レジストにあっては現像後のレジ
スト寸法が大きくなる。このような傾向は特に最近の大
口径ウェーハにおいて顕著でおる。
また、現像液がウェーハ表面に停留しないため現像液の
消費が多く不経済であった。
〔発明の目的〕
水元8Aは上述の問題点に鑑みてなされたもので、現象
の均一化によるレジスト寸法のばらつきを押え、現像液
の消費を減少させることのできる現像装置を提供するこ
とを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的達成のため、本発明においては、被現像基板の
上方にこの被現像基板上面から所定の間隙を隔てた対向
面を有し、かつ回転する前記被現像基板面に対して現像
液を供給しながら前記被現像基板の中心から外方へ向う
相対運動を行う対向部材とを備えるようにしておシ、現
像の均一化および現像液の消費減少を可能ならしめるも
のである。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを
詳細に説明する。
第2図は、本発明の一実施例の構成を示す説明図でおっ
て、第2図(a)の平面図および第2図(b)の正面断
面図に示すようにスピンドルλによ多回転される回転ヘ
ッド7611着される基板tの上方にこの基板≠の上面
にわずかの間隙(例えは0./〜im)を隔てて対向す
る面を有する対向部材/lを鳴している。この対向部材
l/は基板すよυも大きな外径を有し、基板弘の外方に
存在し、回転ヘッドと平行な軸の回シを回転するスピン
ドル12に取付けられている。またこの対向部材//J
d上下面を貫通する現像液供給孔13を多数有しておシ
、この対向部材//の上方には現像vLAを滴下する供
給ノズ/I/3が設けられている。
このような構成では供給ノズル3から滴下された現像液
Aは現像液供給孔13′fI−通じて対向部材//と基
板≠間の空隙に流入する。このとき基板すおよび対向部
1%’l/はそれぞれ回転しているので現像液は強制的
に基板弘の上に均等に停滞することになる。
第3図に示す実施例は第2図の場合と同様に基板Vよシ
も大きな外径を有し基板すの外方に存在する軸の回りを
回転するスピンドルnに取付けられた対向部材2ノを備
えているが、この対向部材2/は第3図(、)の平面図
に示すように現像液供給孔コ3はわずかVつで少ないが
、現gII液Aが対向部材コ/の上面から流出してしま
うことを防止するため現像液流出防止壁−Vを有してい
る。
このため、この実施例では現像液の消費を低減させるこ
とができる。
第μ図は別の実施例の構成を示す図であって、この実施
例においては第≠図(a)の平面図および第参図(b)
の正面断面図に示されるように対向部材3/は基&=−
=の直径の約ろの直径を有しているが、少数の現像液供
給孔3Jと現像液派出防止壁3ダを備えている点では第
3図の場合と同様である。
この実施例においては第2図の場合に現像液供給孔Nが
基板μよりも外側に位置した時に現像液が流出するとい
う欠点をなくすことができる。
第5図は更に別の実施例を示す図であって、第j図cb
)に示されるように対向部@す/は基板参を回転させる
スピンドルコと同軸であってかつ中心部に現像液供給孔
グ3を備えたスピンドルq、2を有しておシ、第5図(
ハ))に下されるようにその下面には中心部から例えば
対数曲線を描いて端部に向うμ本の渦ダqが設けられて
いる。
このような構成にろっては枦像液供給孔l13から供給
された現像液はこの対数曲線溝偶に沿って基板各部に運
ばれ、対向部材F/および回転ヘッド/の回転によって
むら無く基板全体に塗布される。
第6図は第5図における対向部@り/の変形例S/を示
した下面図であって、3重のらせん形溝Sコとしたもの
である。
この構成においては供給された現像液が中心部から端部
へ向う速度が遅くなシ、現象液の滞留時間を長くするこ
とができる。
第7図はさらに他の実施例を示すもので、これまでの実
施例と異なシ複数の基板の現象を同時に行ういわゆるノ
ζッチ処理を可能にするものである。
すなわち第7図(1))の正面断面図に示すようにスピ
ンドfivIG、2によ多回転される回転ヘッド61は
従来のものよりも大きく、その上面には基板6ダをセッ
トすることができるステージ63が基板44’の形およ
び大きさに合わせて上面を部分的に切削することによシ
設けられる。この実施例でll′i第7図(b)の対向
部材7/の下面図に示されるようにvつの基板を載置で
きるステーシリが設けられている。対向部材7/は中心
に現像液供給孔7.2を有し、その下面には≠つの被処
理基板6を上を次々に通υながら中心部から外方へ向う
らせん溝り3が設けられている。
このような構成を採ることにより、第6図の構成の場合
と同様に現像液の滞留時間を長くすることができ、しか
も榛数の基板に対する現像処理を同様に行うことができ
る。
以上の実施例においては、対向部材は回転ヘッドと共に
回転するものであったがその回転方向並びに回転数は対
向部材と回転ヘッド、とが相対運動を行うものである限
シいかなる値もとシ得る。また、回転ヘッドが回転する
限シ対向部拐は静止してもよく、特に、第6図および第
7図の構成においては対向部材は静止していても何ら問
題のない相対運動が可能である。
また現像液の供給において供給ノズルの形状および位置
は実施例の位置に限られることなく各種の変形が可能で
ある。
〔発明の効果〕 以上のように、本発明によれは、回転ヘッドによ多回転
される被現像基板の上方に、この基板面から所定の間隙
を隔てた対向面を有゛し、かつ回転する基板面に対して
現像液を供給しながら基板の中心から外方へ向う相対運
動を行う対向部材とを備えているので現像の均一化を図
ることができ、レジスト等のバターニング寸法の−゛ら
つきを低減させることができ、特に大口径のウェーッ・
等において着しい効果を奏する。
また、現像液は基板と対向部材との間隙を通ってゆっく
シ排出されるため、現像液の消費を低減させることかで
きる〇 さらに対向部材を複数の基板上で相対−A!動を行うよ
うに構成することによシ複数の基板を同時に現像処理す
ることができ生産効率を向上式せることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の現像装置の構成の概略を示す正面図、第
2図ないし第7図は本発明にかかる現像装置の構成を示
す説明図である。 /、61・・・回転へ、ド1.2,4.2・・・スピン
ドル、3・・・供給ノズル、≠・・基板、//、コ/ 
、 3/ 、す/、!;/。 7/・・対向部材、/2 、22 、3.2.4’ツ・
・・スピンドル、/、7 、 、ZJ 、 、?、?・
・・現像液供給孔、評、3ダ・・・現像流出防止壁、ダ
4’ 、 !2 、73・・らせん溝。 出願人代理人 猪 股 消 第1図 第5図 第6図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被現像基板を固着してこれを回転させる回転ヘラ 
    ドと・ 前記被現像基板の上方に、との被現像基板上面から所定
    の間隙を隔てた対向面を有し、かつ回転する前記被現像
    基板面に対して現像液を供給しながら前記被現像基板の
    中心から外方へ向う相対運動を行う対向部材と を備えることを特徴とする現像装置。 コ、対向部材が、回転へ、r軸に平行な回転軸と、少な
    くとも被現像基板の半径部分を含む回転面と、被数の現
    像液供給用の上下貫通孔とを有するものである特許請求
    の範囲第1項記載の現像装置。 3、対向部材が被現像基板と同軸に対向され、その中心
    部に設けられた現像液供給用と、前記中心部から外方へ
    向うらせん状溝を有するものである特許請求の範囲第1
    項記載の現像装置。 ダ0回転ヘッドが被数の被現像基板を固着するものであ
    る特許請求の範囲第3項記載の現像装置。
JP25058483A 1983-12-28 1983-12-28 現像装置 Pending JPS60140350A (ja)

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