JPS60138550A - レジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像装置Info
- Publication number
- JPS60138550A JPS60138550A JP24647283A JP24647283A JPS60138550A JP S60138550 A JPS60138550 A JP S60138550A JP 24647283 A JP24647283 A JP 24647283A JP 24647283 A JP24647283 A JP 24647283A JP S60138550 A JPS60138550 A JP S60138550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developer
- temperature
- resist
- heating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造工程中のリソグラフィー技術に関す
るもので、特にウェーハのレジストの物像に使用される
ものである。
るもので、特にウェーハのレジストの物像に使用される
ものである。
半導体ウェーハ上に形成されたレジスト膜は、所定のパ
ターンに露光された後、現像液によって現像される。
ターンに露光された後、現像液によって現像される。
添付図1nJの第1図を参照して従来装置を説明する。
なお、以下の図面の説明において、同一要素&−1、同
一符号で示しである。第1図は従来例の一構成図である
、1図示しない駆動機構により回転させられるウェーハ
チャックl上には、ウェーッS2が水平に保持される。
一符号で示しである。第1図は従来例の一構成図である
、1図示しない駆動機構により回転させられるウェーハ
チャックl上には、ウェーッS2が水平に保持される。
ウェーッ・2の上方にはディスペンスノズル3が設けら
れ、ディスペンスノズル3に:は供給配管4を介して恒
温槽5から現像液6が供給される。なお、恒温槽5の温
度は、図示しない温度調節器により一定に保たれており
、現像液6は圧縮エアー(例えばN2ガス)7によって
供給配管4に押し出される。
れ、ディスペンスノズル3に:は供給配管4を介して恒
温槽5から現像液6が供給される。なお、恒温槽5の温
度は、図示しない温度調節器により一定に保たれており
、現像液6は圧縮エアー(例えばN2ガス)7によって
供給配管4に押し出される。
レジストの現像はウェーハ2を一定速度で回転させなが
ら、均像液6をディスペンスノズル3から矢印A1の如
く吹き付けることにより行なう。
ら、均像液6をディスペンスノズル3から矢印A1の如
く吹き付けることにより行なう。
上記の如〈従来装置は、一定温度に保たれた現j!e、
6をディスペンスノズル3に送り、ここで霧状にしてウ
ェーハ2に供給するようにしているため、以下のような
欠点が生じる。
6をディスペンスノズル3に送り、ここで霧状にしてウ
ェーハ2に供給するようにしているため、以下のような
欠点が生じる。
第1は現像液6が供給配管4を通ってディスペンスノズ
ル3に送らねるまでのlHlに、温度が下って現像効果
が低下することである。恒温槽5は通常±0.1’C程
度で温度コントロールされているが、供給配管4で熱が
奪われる。このとき、熱伝導は動作条件により異るので
、ディスペンスノズル3における液温を一定にコントロ
ールすることが困難になる。
ル3に送らねるまでのlHlに、温度が下って現像効果
が低下することである。恒温槽5は通常±0.1’C程
度で温度コントロールされているが、供給配管4で熱が
奪われる。このとき、熱伝導は動作条件により異るので
、ディスペンスノズル3における液温を一定にコントロ
ールすることが困難になる。
第2に、ディスペンスノズル3で霧状にされてウェーハ
2に到゛達するまでの間に気化等のために熱が奪われ、
現像効果が低下することである。気化により奪われる熱
は装置の雰囲気(温度、湿度等)に大きく依存するので
、ウェーハ2上における液温を一定にコントロールする
ことが困6i1#になる。
2に到゛達するまでの間に気化等のために熱が奪われ、
現像効果が低下することである。気化により奪われる熱
は装置の雰囲気(温度、湿度等)に大きく依存するので
、ウェーハ2上における液温を一定にコントロールする
ことが困6i1#になる。
第3に、現像液6はウェーハ2上を一様には駆動しない
ので、現像ムラが生じることである。特に、現像e6は
ウェーハ2の中央部にたまり易いため、ここの現像が進
みすぎて、パターンの寸法が変■fすするという欠点が
生じる。
ので、現像ムラが生じることである。特に、現像e6は
ウェーハ2の中央部にたまり易いため、ここの現像が進
みすぎて、パターンの寸法が変■fすするという欠点が
生じる。
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、ウェーハのレジスト現像面において現像液温
を一定に制御し、ウェーハ内でパターンの寸法が変動し
たり、あるいはウェーハ間で相互のパターンの寸法が変
動したりすることのないようにしたレジスト現像装置を
提供することを目的とする。
たもので、ウェーハのレジスト現像面において現像液温
を一定に制御し、ウェーハ内でパターンの寸法が変動し
たり、あるいはウェーハ間で相互のパターンの寸法が変
動したりすることのないようにしたレジスト現像装置を
提供することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、ウェーハのレジス
ト現像面に対向して、現像液が浸入用能フ7.間隔をあ
けて加熱手段を設け、この加熱手段の発熱量を制御して
、レジス)Q像面における現像K(温を一定にするよう
にしたレジスト現像装置を提供するものである。
ト現像面に対向して、現像液が浸入用能フ7.間隔をあ
けて加熱手段を設け、この加熱手段の発熱量を制御して
、レジス)Q像面における現像K(温を一定にするよう
にしたレジスト現像装置を提供するものである。
以下、絵付図面の第2図乃至第4図を参照して本発明の
いくつかの実施例を説明する。第2図は一実施例の構成
の説明図で、第2図(a)はヒータの平面的配置を示し
、第2図(1))は装置の断面を示す。
いくつかの実施例を説明する。第2図は一実施例の構成
の説明図で、第2図(a)はヒータの平面的配置を示し
、第2図(1))は装置の断面を示す。
供給配管4はウェーハ2の中心部に近接した位i6−ま
で延び、その供給配管を貫通させる円筒状のケース8は
ウェーハ2に近接して固定される。ケース8は現像液に
対して安定で熱容器の大きい材料(例えばステンレス、
セラミックなど)で形成され、その内部にはヒータ9a
とセンサ10aが設けられている。温度調節機m ll
aはセンサ11)aの出力にもとづいてヒータ9aに通
じる電流を割出1′する。
で延び、その供給配管を貫通させる円筒状のケース8は
ウェーハ2に近接して固定される。ケース8は現像液に
対して安定で熱容器の大きい材料(例えばステンレス、
セラミックなど)で形成され、その内部にはヒータ9a
とセンサ10aが設けられている。温度調節機m ll
aはセンサ11)aの出力にもとづいてヒータ9aに通
じる電流を割出1′する。
なお、現像液は矢印A2に沿ってウェーハ2の中心部に
供給され、ウェーハ2の表面(レジスト3μ像面)上を
流れた後で矢印A3.A4の如くウェーハ20周縁部に
排出される。
供給され、ウェーハ2の表面(レジスト3μ像面)上を
流れた後で矢印A3.A4の如くウェーハ20周縁部に
排出される。
このようにすると、ウェーハ2のレジスト現イ)。
面における現像液温は一定に制御できるので、現像がウ
ェーハごとに異なるようなことはなく、また、ウェーハ
内で現像ムラが生じることもない。
ェーハごとに異なるようなことはなく、また、ウェーハ
内で現像ムラが生じることもない。
第3図は本発明の他の実施例の構成の説明図で、第3図
(a)はヒータの平面的配置を示し、第3図(b+は装
置の断面を示している。ケース8内には同心円状にヒー
タ”bl + 91)2 + 9baが設けられ、それ
らに対応してセンサ10bi 、 101)2 、10
baが設けられている。温度調節機、47B、llbは
センサ1Ob1〜10b3の出力にもとづいてヒータ9
b1〜9b3に通じる電流を制御する。
(a)はヒータの平面的配置を示し、第3図(b+は装
置の断面を示している。ケース8内には同心円状にヒー
タ”bl + 91)2 + 9baが設けられ、それ
らに対応してセンサ10bi 、 101)2 、10
baが設けられている。温度調節機、47B、llbは
センサ1Ob1〜10b3の出力にもとづいてヒータ9
b1〜9b3に通じる電流を制御する。
このようにすると、ウェーハ2の中心部における液温と
、周縁部における液温の差を適切に解消することができ
る。また、周縁部の温度を少し高めに設定するようにす
れば、中心部の現像が早く進みやすいという従来技術の
欠点を除去できる。
、周縁部における液温の差を適切に解消することができ
る。また、周縁部の温度を少し高めに設定するようにす
れば、中心部の現像が早く進みやすいという従来技術の
欠点を除去できる。
なお、ヒータは3本に限らず、またセンサは1個にして
ウェーハの径方向に移動自在にしてもよ(ゝ。
ウェーハの径方向に移動自在にしてもよ(ゝ。
第4図は本発明のさらに他の実施例の構成図で、第4図
(a)はヒータの平面的配置を示し、第4図(b)は装
置の断面を示す。ケース8内に設けられたヒータ9cは
、水等の流体を通じるようになっている。
(a)はヒータの平面的配置を示し、第4図(b)は装
置の断面を示す。ケース8内に設けられたヒータ9cは
、水等の流体を通じるようになっている。
流体は温度幽節機構llcで一定温度に制御され、配管
12を介してビータ9cに与えられる。
12を介してビータ9cに与えられる。
このようにすると、第2図に示す実施例と同様に現像液
温を一定に制御できる。
温を一定に制御できる。
上記の如く本発明によれば、ウェーハのレジスト現像面
に対向して、現像液が浸入可能な間隔をあけて加熱手段
を設け、この加熱手段の発熱化を制御するようにしたの
で、ウェーハ上の%lW、 (ν液の液温を制御し、ウ
ェーハ内であるいは異なるウェーハ間で、現像されたパ
ターンの寸法に差が/:Ifじないようにしたレジスト
耕像装置を得ることかできる。
に対向して、現像液が浸入可能な間隔をあけて加熱手段
を設け、この加熱手段の発熱化を制御するようにしたの
で、ウェーハ上の%lW、 (ν液の液温を制御し、ウ
ェーハ内であるいは異なるウェーハ間で、現像されたパ
ターンの寸法に差が/:Ifじないようにしたレジスト
耕像装置を得ることかできる。
また、ウェーハ上の隙間に印像液を流すようにしている
ので、従来の如きスプレー式のものに比べて現像液消費
骨を低く抑えることができる。
ので、従来の如きスプレー式のものに比べて現像液消費
骨を低く抑えることができる。
第1図は従来装動゛の一例を示す構成図、泥2図は本発
明の一実施例の塾成図、第3図および第4図は本発明の
他の実施例の構成図である。 l・・・ウェーハチャック、2・・・ウェーハ、3・・
・ディスペンスノズル、4・・・供給配管、5・・・恒
温槽、6・・・現像液、8・・・ケース、9a + 9
bt * 9t12 + 9b3 t9c ・・・ヒー
タ、10a、 101)1 、10b2 、10ba
、 10c ・°・センサ。 出顧人代理人 猪 股 清 第2図(α) 第3図(α)
明の一実施例の塾成図、第3図および第4図は本発明の
他の実施例の構成図である。 l・・・ウェーハチャック、2・・・ウェーハ、3・・
・ディスペンスノズル、4・・・供給配管、5・・・恒
温槽、6・・・現像液、8・・・ケース、9a + 9
bt * 9t12 + 9b3 t9c ・・・ヒー
タ、10a、 101)1 、10b2 、10ba
、 10c ・°・センサ。 出顧人代理人 猪 股 清 第2図(α) 第3図(α)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ウェーハチャックによって保持されたウェーハのレ
ジスト現像面に現像液を供給する現像液供給手段と、 該レジスト現像面に現像液が浸入可能な間隔をあけて対
向して設けられ、これらの間に供給された現像液を加熱
する加熱手段と、 前記レジスト膜[(像面における現像液の液温を検出す
るセンサと、 該センサの出力にもとづいて前記加熱手段の発熱量を制
御する制御手段とを備え、現像液温を制御するようにし
たレジスト現像装置。 2、加熱手段は、ウェーハの径方向に発熱量を異ならし
めることかできるようにした特許請求の範囲第1項記載
のレジスト現像装置。 3、センサは、ウェーハの径方向に沿って複数個設けら
れている特許請求の範囲第1項もしくは第2項に記載の
レジスト現像装置l]゛。 4、センサは、ウェーハの径方向に移動可能である特許
請求の範囲第1項もしくは第2項に記載νのレジスト現
像装置。 5、加熱手段は、電気抵抗ヒータを有する特許請求の範
囲第1項乃至第4.TI4のいずれかに記載のレジスト
現像装置。 6、加熱手段は、温度制御された流体を循環させる配管
を有する特許請求の範囲 項のいずれかに記載のレジスト現像装信。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24647283A JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24647283A JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60138550A true JPS60138550A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17148907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24647283A Pending JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60138550A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62183528A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置 |
JPS62199018A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Rohm Co Ltd | ポジ型レジストの現像装置 |
JPS63269533A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Corp | 半導体基板の現像装置 |
JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24647283A patent/JPS60138550A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62183528A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置 |
JPS62199018A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Rohm Co Ltd | ポジ型レジストの現像装置 |
JPS63269533A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Corp | 半導体基板の現像装置 |
JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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