JPS60138550A - レジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像装置Info
- Publication number
- JPS60138550A JPS60138550A JP24647283A JP24647283A JPS60138550A JP S60138550 A JPS60138550 A JP S60138550A JP 24647283 A JP24647283 A JP 24647283A JP 24647283 A JP24647283 A JP 24647283A JP S60138550 A JPS60138550 A JP S60138550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developer
- temperature
- resist
- heating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造工程中のリソグラフィー技術に関す
るもので、特にウェーハのレジストの物像に使用される
ものである。
るもので、特にウェーハのレジストの物像に使用される
ものである。
半導体ウェーハ上に形成されたレジスト膜は、所定のパ
ターンに露光された後、現像液によって現像される。
ターンに露光された後、現像液によって現像される。
添付図１ｎＪの第１図を参照して従来装置を説明する。
なお、以下の図面の説明において、同一要素＆−１、同
一符号で示しである。第１図は従来例の一構成図である
、１図示しない駆動機構により回転させられるウェーハ
チャックｌ上には、ウェーッＳ２が水平に保持される。
一符号で示しである。第１図は従来例の一構成図である
、１図示しない駆動機構により回転させられるウェーハ
チャックｌ上には、ウェーッＳ２が水平に保持される。
ウェーッ・２の上方にはディスペンスノズル３が設けら
れ、ディスペンスノズル３に：は供給配管４を介して恒
温槽５から現像液６が供給される。なお、恒温槽５の温
度は、図示しない温度調節器により一定に保たれており
、現像液６は圧縮エアー（例えばＮ２ガス）７によって
供給配管４に押し出される。
れ、ディスペンスノズル３に：は供給配管４を介して恒
温槽５から現像液６が供給される。なお、恒温槽５の温
度は、図示しない温度調節器により一定に保たれており
、現像液６は圧縮エアー（例えばＮ２ガス）７によって
供給配管４に押し出される。
レジストの現像はウェーハ２を一定速度で回転させなが
ら、均像液６をディスペンスノズル３から矢印Ａ１の如
く吹き付けることにより行なう。
ら、均像液６をディスペンスノズル３から矢印Ａ１の如
く吹き付けることにより行なう。
上記の如〈従来装置は、一定温度に保たれた現ｊ！ｅ、
６をディスペンスノズル３に送り、ここで霧状にしてウ
ェーハ２に供給するようにしているため、以下のような
欠点が生じる。
６をディスペンスノズル３に送り、ここで霧状にしてウ
ェーハ２に供給するようにしているため、以下のような
欠点が生じる。
第１は現像液６が供給配管４を通ってディスペンスノズ
ル３に送らねるまでのｌＨｌに、温度が下って現像効果
が低下することである。恒温槽５は通常±０．１’Ｃ程
度で温度コントロールされているが、供給配管４で熱が
奪われる。このとき、熱伝導は動作条件により異るので
、ディスペンスノズル３における液温を一定にコントロ
ールすることが困難になる。
ル３に送らねるまでのｌＨｌに、温度が下って現像効果
が低下することである。恒温槽５は通常±０．１’Ｃ程
度で温度コントロールされているが、供給配管４で熱が
奪われる。このとき、熱伝導は動作条件により異るので
、ディスペンスノズル３における液温を一定にコントロ
ールすることが困難になる。
第２に、ディスペンスノズル３で霧状にされてウェーハ
２に到゛達するまでの間に気化等のために熱が奪われ、
現像効果が低下することである。気化により奪われる熱
は装置の雰囲気（温度、湿度等）に大きく依存するので
、ウェーハ２上における液温を一定にコントロールする
ことが困６ｉ１＃になる。
２に到゛達するまでの間に気化等のために熱が奪われ、
現像効果が低下することである。気化により奪われる熱
は装置の雰囲気（温度、湿度等）に大きく依存するので
、ウェーハ２上における液温を一定にコントロールする
ことが困６ｉ１＃になる。
第３に、現像液６はウェーハ２上を一様には駆動しない
ので、現像ムラが生じることである。特に、現像ｅ６は
ウェーハ２の中央部にたまり易いため、ここの現像が進
みすぎて、パターンの寸法が変■ｆすするという欠点が
生じる。
ので、現像ムラが生じることである。特に、現像ｅ６は
ウェーハ２の中央部にたまり易いため、ここの現像が進
みすぎて、パターンの寸法が変■ｆすするという欠点が
生じる。
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、ウェーハのレジスト現像面において現像液温
を一定に制御し、ウェーハ内でパターンの寸法が変動し
たり、あるいはウェーハ間で相互のパターンの寸法が変
動したりすることのないようにしたレジスト現像装置を
提供することを目的とする。
たもので、ウェーハのレジスト現像面において現像液温
を一定に制御し、ウェーハ内でパターンの寸法が変動し
たり、あるいはウェーハ間で相互のパターンの寸法が変
動したりすることのないようにしたレジスト現像装置を
提供することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、ウェーハのレジス
ト現像面に対向して、現像液が浸入用能フ７．間隔をあ
けて加熱手段を設け、この加熱手段の発熱量を制御して
、レジス）Ｑ像面における現像Ｋ（温を一定にするよう
にしたレジスト現像装置を提供するものである。
ト現像面に対向して、現像液が浸入用能フ７．間隔をあ
けて加熱手段を設け、この加熱手段の発熱量を制御して
、レジス）Ｑ像面における現像Ｋ（温を一定にするよう
にしたレジスト現像装置を提供するものである。
以下、絵付図面の第２図乃至第４図を参照して本発明の
いくつかの実施例を説明する。第２図は一実施例の構成
の説明図で、第２図（ａ）はヒータの平面的配置を示し
、第２図（１））は装置の断面を示す。
いくつかの実施例を説明する。第２図は一実施例の構成
の説明図で、第２図（ａ）はヒータの平面的配置を示し
、第２図（１））は装置の断面を示す。
供給配管４はウェーハ２の中心部に近接した位ｉ６−ま
で延び、その供給配管を貫通させる円筒状のケース８は
ウェーハ２に近接して固定される。ケース８は現像液に
対して安定で熱容器の大きい材料（例えばステンレス、
セラミックなど）で形成され、その内部にはヒータ９ａ
とセンサ１０ａが設けられている。温度調節機ｍ ｌｌ
ａはセンサ１１）ａの出力にもとづいてヒータ９ａに通
じる電流を割出１′する。
で延び、その供給配管を貫通させる円筒状のケース８は
ウェーハ２に近接して固定される。ケース８は現像液に
対して安定で熱容器の大きい材料（例えばステンレス、
セラミックなど）で形成され、その内部にはヒータ９ａ
とセンサ１０ａが設けられている。温度調節機ｍ ｌｌ
ａはセンサ１１）ａの出力にもとづいてヒータ９ａに通
じる電流を割出１′する。
なお、現像液は矢印Ａ２に沿ってウェーハ２の中心部に
供給され、ウェーハ２の表面（レジスト３μ像面）上を
流れた後で矢印Ａ３．Ａ４の如くウェーハ２０周縁部に
排出される。
供給され、ウェーハ２の表面（レジスト３μ像面）上を
流れた後で矢印Ａ３．Ａ４の如くウェーハ２０周縁部に
排出される。
このようにすると、ウェーハ２のレジスト現イ）。
面における現像液温は一定に制御できるので、現像がウ
ェーハごとに異なるようなことはなく、また、ウェーハ
内で現像ムラが生じることもない。
ェーハごとに異なるようなことはなく、また、ウェーハ
内で現像ムラが生じることもない。
第３図は本発明の他の実施例の構成の説明図で、第３図
（ａ）はヒータの平面的配置を示し、第３図（ｂ＋は装
置の断面を示している。ケース８内には同心円状にヒー
タ”ｂｌ ＋ ９１）２ ＋ ９ｂａが設けられ、それ
らに対応してセンサ１０ｂｉ 、 １０１）２ 、１０
ｂａが設けられている。温度調節機、４７Ｂ、ｌｌｂは
センサ１Ｏｂ１〜１０ｂ３の出力にもとづいてヒータ９
ｂ１〜９ｂ３に通じる電流を制御する。
（ａ）はヒータの平面的配置を示し、第３図（ｂ＋は装
置の断面を示している。ケース８内には同心円状にヒー
タ”ｂｌ ＋ ９１）２ ＋ ９ｂａが設けられ、それ
らに対応してセンサ１０ｂｉ 、 １０１）２ 、１０
ｂａが設けられている。温度調節機、４７Ｂ、ｌｌｂは
センサ１Ｏｂ１〜１０ｂ３の出力にもとづいてヒータ９
ｂ１〜９ｂ３に通じる電流を制御する。
このようにすると、ウェーハ２の中心部における液温と
、周縁部における液温の差を適切に解消することができ
る。また、周縁部の温度を少し高めに設定するようにす
れば、中心部の現像が早く進みやすいという従来技術の
欠点を除去できる。
、周縁部における液温の差を適切に解消することができ
る。また、周縁部の温度を少し高めに設定するようにす
れば、中心部の現像が早く進みやすいという従来技術の
欠点を除去できる。
なお、ヒータは３本に限らず、またセンサは１個にして
ウェーハの径方向に移動自在にしてもよ（ゝ。
ウェーハの径方向に移動自在にしてもよ（ゝ。
第４図は本発明のさらに他の実施例の構成図で、第４図
（ａ）はヒータの平面的配置を示し、第４図（ｂ）は装
置の断面を示す。ケース８内に設けられたヒータ９ｃは
、水等の流体を通じるようになっている。
（ａ）はヒータの平面的配置を示し、第４図（ｂ）は装
置の断面を示す。ケース８内に設けられたヒータ９ｃは
、水等の流体を通じるようになっている。
流体は温度幽節機構ｌｌｃで一定温度に制御され、配管
１２を介してビータ９ｃに与えられる。
１２を介してビータ９ｃに与えられる。
このようにすると、第２図に示す実施例と同様に現像液
温を一定に制御できる。
温を一定に制御できる。
上記の如く本発明によれば、ウェーハのレジスト現像面
に対向して、現像液が浸入可能な間隔をあけて加熱手段
を設け、この加熱手段の発熱化を制御するようにしたの
で、ウェーハ上の％ｌＷ、 （ν液の液温を制御し、ウ
ェーハ内であるいは異なるウェーハ間で、現像されたパ
ターンの寸法に差が／：Ｉｆじないようにしたレジスト
耕像装置を得ることかできる。
に対向して、現像液が浸入可能な間隔をあけて加熱手段
を設け、この加熱手段の発熱化を制御するようにしたの
で、ウェーハ上の％ｌＷ、 （ν液の液温を制御し、ウ
ェーハ内であるいは異なるウェーハ間で、現像されたパ
ターンの寸法に差が／：Ｉｆじないようにしたレジスト
耕像装置を得ることかできる。
また、ウェーハ上の隙間に印像液を流すようにしている
ので、従来の如きスプレー式のものに比べて現像液消費
骨を低く抑えることができる。
ので、従来の如きスプレー式のものに比べて現像液消費
骨を低く抑えることができる。
第１図は従来装動゛の一例を示す構成図、泥２図は本発
明の一実施例の塾成図、第３図および第４図は本発明の
他の実施例の構成図である。 ｌ・・・ウェーハチャック、２・・・ウェーハ、３・・
・ディスペンスノズル、４・・・供給配管、５・・・恒
温槽、６・・・現像液、８・・・ケース、９ａ ＋ ９
ｂｔ ＊ ９ｔ１２ ＋ ９ｂ３ ｔ９ｃ ・・・ヒー
タ、１０ａ、 １０１）１ 、１０ｂ２ 、１０ｂａ
、 １０ｃ ・°・センサ。 出顧人代理人 猪 股 清 第２図（α） 第３図（α）
明の一実施例の塾成図、第３図および第４図は本発明の
他の実施例の構成図である。 ｌ・・・ウェーハチャック、２・・・ウェーハ、３・・
・ディスペンスノズル、４・・・供給配管、５・・・恒
温槽、６・・・現像液、８・・・ケース、９ａ ＋ ９
ｂｔ ＊ ９ｔ１２ ＋ ９ｂ３ ｔ９ｃ ・・・ヒー
タ、１０ａ、 １０１）１ 、１０ｂ２ 、１０ｂａ
、 １０ｃ ・°・センサ。 出顧人代理人 猪 股 清 第２図（α） 第３図（α）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハチャックによって保持されたウェーハのレ
ジスト現像面に現像液を供給する現像液供給手段と、 該レジスト現像面に現像液が浸入可能な間隔をあけて対
向して設けられ、これらの間に供給された現像液を加熱
する加熱手段と、 前記レジスト膜［（像面における現像液の液温を検出す
るセンサと、 該センサの出力にもとづいて前記加熱手段の発熱量を制
御する制御手段とを備え、現像液温を制御するようにし
たレジスト現像装置。 ２、加熱手段は、ウェーハの径方向に発熱量を異ならし
めることかできるようにした特許請求の範囲第１項記載
のレジスト現像装置。 ３、センサは、ウェーハの径方向に沿って複数個設けら
れている特許請求の範囲第１項もしくは第２項に記載の
レジスト現像装置ｌ］゛。 ４、センサは、ウェーハの径方向に移動可能である特許
請求の範囲第１項もしくは第２項に記載νのレジスト現
像装置。 ５、加熱手段は、電気抵抗ヒータを有する特許請求の範
囲第１項乃至第４．ＴＩ４のいずれかに記載のレジスト
現像装置。 ６、加熱手段は、温度制御された流体を循環させる配管
を有する特許請求の範囲 項のいずれかに記載のレジスト現像装信。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24647283A JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24647283A JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138550A true JPS60138550A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17148907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24647283A Pending JPS60138550A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | レジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138550A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183528A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置 |
| JPS62199018A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Rohm Co Ltd | ポジ型レジストの現像装置 |
| JPS63269533A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Corp | 半導体基板の現像装置 |
| JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24647283A patent/JPS60138550A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183528A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置 |
| JPS62199018A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-02 | Rohm Co Ltd | ポジ型レジストの現像装置 |
| JPS63269533A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Corp | 半導体基板の現像装置 |
| JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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