JPH04158512A - ベーク処理装置 - Google Patents
ベーク処理装置Info
- Publication number
- JPH04158512A JPH04158512A JP28391390A JP28391390A JPH04158512A JP H04158512 A JPH04158512 A JP H04158512A JP 28391390 A JP28391390 A JP 28391390A JP 28391390 A JP28391390 A JP 28391390A JP H04158512 A JPH04158512 A JP H04158512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purge gas
- temperature
- wafer
- baking treatment
- hot plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程において、フォトリ
ソグライープロセスにおけるフォトレジストの塗布後あ
るいは現像後のウェハのベーク処理装置に関する。
ソグライープロセスにおけるフォトレジストの塗布後あ
るいは現像後のウェハのベーク処理装置に関する。
従来のベーク処理装置は、第３図の概略図に示すように
ヒータ３と温度センサ４を組み込んだ金属性の厚板（以
下ホットプレート２と呼ぶ）上にウェハ１を乗せ、温度
制御回路５の働きによりウェハ１に所定の温度でベーク
処理を行う。この時、前工程においてウェハ表面に塗布
されたフォトレジストから、フォトレジストの溶剤や現
像後であれば水分が蒸発する為、これらのガスを置換す
る目的でベーク処理部カバー１１内にガスバージノズル
６を設け、パージガスを常にベーク処理室内に吹き出す
様にしている。
ヒータ３と温度センサ４を組み込んだ金属性の厚板（以
下ホットプレート２と呼ぶ）上にウェハ１を乗せ、温度
制御回路５の働きによりウェハ１に所定の温度でベーク
処理を行う。この時、前工程においてウェハ表面に塗布
されたフォトレジストから、フォトレジストの溶剤や現
像後であれば水分が蒸発する為、これらのガスを置換す
る目的でベーク処理部カバー１１内にガスバージノズル
６を設け、パージガスを常にベーク処理室内に吹き出す
様にしている。
従来のベーク処理装置では、パージガスを外部に設置し
たガスボンベ等からバルブを介してそのままベーク処理
室内に導入している為、パージノズルから出るガスの温
度が室温付近であり、ベーク温度が通常１００℃前後で
あるのと比較してかなりの温度差がある為、ベーク処理
温度がパージガスの温度の影響を受けてしまうという問
題点がある。
たガスボンベ等からバルブを介してそのままベーク処理
室内に導入している為、パージノズルから出るガスの温
度が室温付近であり、ベーク温度が通常１００℃前後で
あるのと比較してかなりの温度差がある為、ベーク処理
温度がパージガスの温度の影響を受けてしまうという問
題点がある。
最近はウェハをポットプレート上に直接置く方式に代っ
て、ウェハ裏面へのごみ対策の問題からホットプレート
上に０．１〜０．３ｍｍ程度の高さのビンを立ててその
上にウェハを乗せるといった、いわゆるプロキシミティ
ベーク方式が多く行われる様になってきているが、プロ
キシミティベークではホットプレート上にウェハが接触
していない分、従来の熱伝導式から熱伝達式となり効率
が悪く、その分余計にパージガス温度の影響を受けてし
まう。
て、ウェハ裏面へのごみ対策の問題からホットプレート
上に０．１〜０．３ｍｍ程度の高さのビンを立ててその
上にウェハを乗せるといった、いわゆるプロキシミティ
ベーク方式が多く行われる様になってきているが、プロ
キシミティベークではホットプレート上にウェハが接触
していない分、従来の熱伝導式から熱伝達式となり効率
が悪く、その分余計にパージガス温度の影響を受けてし
まう。
第４図のグラフに、室温のパージガス流量とプロキシミ
ティベークでのウェハ表面温度との関係のデータを示す
が、このグラフかられかる様に、ウェハのベーク処理温
度はパージガス流量が増えるにつれて下がり、室温のパ
ージガスを使っていたのではガス流量の変動に左右され
て安定したベーク処理ができないという問題点がある。
ティベークでのウェハ表面温度との関係のデータを示す
が、このグラフかられかる様に、ウェハのベーク処理温
度はパージガス流量が増えるにつれて下がり、室温のパ
ージガスを使っていたのではガス流量の変動に左右され
て安定したベーク処理ができないという問題点がある。
本発明のベーク処理装置では、ベーク処理室内に導入す
るパージガスの温度をホットプレート表面温度と同一に
する為に、パージガスの配管系にヒータと温度センサを
組み込んだパージガス加熱ユニットを設けており、専用
の温度制御回路の働きにより流入時のパージガスの温度
変化、流量変化に関係なく常にホットプレート表面温度
と同一温度に制御されたパージガスをベーク処理室内に
導入することができる。
るパージガスの温度をホットプレート表面温度と同一に
する為に、パージガスの配管系にヒータと温度センサを
組み込んだパージガス加熱ユニットを設けており、専用
の温度制御回路の働きにより流入時のパージガスの温度
変化、流量変化に関係なく常にホットプレート表面温度
と同一温度に制御されたパージガスをベーク処理室内に
導入することができる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の概略図である。ウェハ１は
ヒータ３と温度センサ４の組み込まれているホットプレ
ート２上に設置されている。ホットプレート２は温度制
御回路５の動作により、プロセス上設定された温度に保
つ様に温度制御される。これによりホット７レート２上
に設定されたウェハ１に対しベーク処理を行うことにな
る。ベーク処理室内には、ベーク処理カバー１１内にパ
ージガスノズル６が備えられており、外部より導入され
たパージガスはヒータ８の組み込まれたパージガス加熱
ユニット７を通過する際に、加熱されてパージガスノズ
ル６から吹き出すことになる。この時の温度はパージガ
ス加熱ユニット７の出口部に取り付けられた温度センサ
９により、温度制御回路１０がホットプレート表面温度
と同一になる櫟に制御を行っている。これにより実施例
のベーク処理装置では、流入時のパージガスの温度変化
、流量変化に関係なく常に安定したウェハのベーク処理
を行うことができるという効果がある。
ヒータ３と温度センサ４の組み込まれているホットプレ
ート２上に設置されている。ホットプレート２は温度制
御回路５の動作により、プロセス上設定された温度に保
つ様に温度制御される。これによりホット７レート２上
に設定されたウェハ１に対しベーク処理を行うことにな
る。ベーク処理室内には、ベーク処理カバー１１内にパ
ージガスノズル６が備えられており、外部より導入され
たパージガスはヒータ８の組み込まれたパージガス加熱
ユニット７を通過する際に、加熱されてパージガスノズ
ル６から吹き出すことになる。この時の温度はパージガ
ス加熱ユニット７の出口部に取り付けられた温度センサ
９により、温度制御回路１０がホットプレート表面温度
と同一になる櫟に制御を行っている。これにより実施例
のベーク処理装置では、流入時のパージガスの温度変化
、流量変化に関係なく常に安定したウェハのベーク処理
を行うことができるという効果がある。
第２図は本発明の実施例２の概略図である。実施例２に
おいては、パージガス配管をホットプレート２内を通す
ことによりパージガス温度を加熱していることが特徴で
ある６実施例１と比べてパージガス加熱専用の制御系が
不要なため、構造が簡単で低コストであるという特徴が
ある。
おいては、パージガス配管をホットプレート２内を通す
ことによりパージガス温度を加熱していることが特徴で
ある６実施例１と比べてパージガス加熱専用の制御系が
不要なため、構造が簡単で低コストであるという特徴が
ある。
以上説明したように本発明は、ベーク処理室内に導入す
るパージガスの温度をホットプレート表面と同一温度に
加熱してからパージすることになるため、外部より導入
する時点でのパージガスの温度変化、流量変化に関係な
く常に安定したウェハのベーク処理を行うことができる
という効果を有する６
るパージガスの温度をホットプレート表面と同一温度に
加熱してからパージすることになるため、外部より導入
する時点でのパージガスの温度変化、流量変化に関係な
く常に安定したウェハのベーク処理を行うことができる
という効果を有する６
第１図は本発明の実施例１の概略図、第２図は実施例２
の概略図、第３図は従来のベーク処理装置の概略図、第
４図は従来のベーク処理装置におけるプロキシミティ方
式でのパージガス流量とウェハ表面温度との関係のグラ
フである。 １・・・ウェハ、２・・・ホットプレート、３・・・ヒ
ータ、４・・・温度センサ、５・・・温度制御回路、６
・・・バ −−ジガスノズル、７・・・パージガス加
熱ユニット、８・・・ヒータ、９・・・温度センサ、１
０・・・温度制ｍ回路、１１・・・ベーク処理部カバー
。
の概略図、第３図は従来のベーク処理装置の概略図、第
４図は従来のベーク処理装置におけるプロキシミティ方
式でのパージガス流量とウェハ表面温度との関係のグラ
フである。 １・・・ウェハ、２・・・ホットプレート、３・・・ヒ
ータ、４・・・温度センサ、５・・・温度制御回路、６
・・・バ −−ジガスノズル、７・・・パージガス加
熱ユニット、８・・・ヒータ、９・・・温度センサ、１
０・・・温度制ｍ回路、１１・・・ベーク処理部カバー
。
Claims (1)
- ウェハをホットプレート上に置きフォトリソグラフィー
工程におけるフォトレジスト塗布あるいは現像後のウェ
ハのベークを行うベーク処理装置において、ウェハのベ
ーク処理室内の雰囲気を置換するためのパージガスの導
入配管系と、このパージガスを加熱して導入するための
ヒーターと、このパージガスを所定の温度に保つための
温度制御系とを備えたことを特徴とするベーク処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28391390A JPH04158512A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ベーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28391390A JPH04158512A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ベーク処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158512A true JPH04158512A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17671816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28391390A Pending JPH04158512A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | ベーク処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158512A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2009099861A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | 半導体処理ユニット及び半導体製造装置 |
| CN106113899A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干*** |
| CN106113898A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28391390A patent/JPH04158512A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2009099861A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | 半導体処理ユニット及び半導体製造装置 |
| CN106113899A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干*** |
| CN106113898A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
| CN106113899B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-04 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干*** |
| CN106113898B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-28 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
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