JPS60132304A - 低温槽 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の青用 この発明は低ｄ、Ａ槽の（１“４）青、１２ｉに該（６
気Ｊ（唱（ＮＭＲ）作像装置に用いることが出来、ｉｌ
Ｄ　Ｕに／又は液体ヘリウムの様な流イホによっ′（冷
）、ＩＩされる超導゛市コイルを収容する低１：ｎ’＋
槽の＋７７、　ｉｌｇに関づる。

ＮＭＲ作像装置こ目［ｊの従来の低湿（１！ｉは、輸送
の際、磁６並びに内部の部品を保護づる−１１も袖強克
持体を挿入Ｊ−る為に、低温槽の白字を切る必要がある
のが！Ｉｔ！型的である。従って、この様な超導電磁石
１の輸送は、一時支楯体を取外Ｊ為に（，４）イ１を分
解した後、内部の真空状態を山び設定りることを必′！
りとりることか判る３、これはＩＩＩ′１間のか）る（
７１：　′６である１、従来の低）部槽の設ｆｉｔ−Ｃ
は、絹＼γ（及び分解をし易くりる為に、人ｇ′イーｉ
弾１）１体、１ｑシを使うのが曹通で゛ある。史に、他
の低１＃＋ｉ槽の説、：口よ、ｊ喝１ｖｌ　＋’＜勾配
コイルをｆ」勢した時の渦電流による（愚弄の歪みを防
止する為に、低４□１槽の中孔に、ＩＩＨ金属の管壁を
用いている。こういう勾配コイルは磁石集成体の中孔の
中に配置Ｊ−るのが典型的である。然し、弾性体１４じ
も非金属の中孔管もガスを透過させ、何れの段目でも、
装置の長！１１Ｊ的な運転の問、内部の真空状態が汚染
される結果になる。従って、低；部槽の費用のか・る定
期的なポンプ動作が必要になる。更に、運転を全面的に
停止して、超ｊ！ブ電性がもはやなくなる周囲渇磨まで
、超導電巻線を温めることが定ｔｉｌｌ的に必要になる
。従って、輸送の為だｌ：Ｊ　’−Ｃなく、長期的な運
転の為にも、低治ｉ槽内の真空状態を永久的に維持づ−
ることが望Ｊニジいことが判る。

従来の低ｊｊＷ　４＋！ｌの６ｑ八ｔ−Ｃは、円筒形の
低温槽イ１１１造の頂部の厄介な場所に、液体ヘリウム
の様な冷ｌｄＪ剤を追加７る為の出入ボー１〜を用い−
でいるのが典型的である１、この冷７ＪＩ剤出入手段は
低温槽の湾曲した側面に配置されるのが菖通であり、イ
１（注、１槽集成体の全１木的な１肱をかなり増大づる
。これは全身Ｎ　Ｍ　Ｒ作像用の強度の強い磁界を発生
−リ−る為に使われる超導電巻線を収容づる為に使われ
る低溜１４１１にとっては、かなりの不利である。磁イ
」集成体の中孔管は人体を中孔管の中に収容しイｆりれ
はならないのＴ′、典型的には白径が約′１ヌータであ
るから、磁石並びに低：Ｋａ　＋ＦＩの全体的な’Ｊ　
＞１が、大部分は（６石の二］スト、そしてそれを収容
りる部１ｊＮ又は構造のコストにもかなりの影響を！ノ
える。従って、液体冷！、１１剤を追加りる為の水平の
出入手段を持つ低温４１１１ハウジングを提供−（Ｊる
ことが望ましい。

こういう手段が円筒形＋ｆ４造の端面に配置１′５”さ
れる。

発明の要約 この発明の好ましい実施例−（は、低Ｗ＋４槽集成体が
、環状の真空にひくことが出来る外側容器′と、やはり
環状であって、完全に外側打器の中に収容されている内
側容器とを右し、各々の容器【五組軸線が略同じになる
様に配Ｖ１されている。史に、この発明の低温槽は、低
温槽の１端に配［直された少なくとも３本から成る第１
相の支Ｊ４ｊタイど、低錨１槽の他端に配置された少な
くとし３木がら成る第２組の支持タイとを右Ｊる３、支
持タイは内側容器上の取イ］り点から外側容器上のヌ・
ｊ応りる取（＝ｊｕ点まで横方向に伸びる。これらの取
イ」【プ点が夫々の容器の周縁に沿って略一様に配置さ
れている。低温槽の両端にある各相の支持タイは、１１
（泥槽の縦軸を通る平面に対して互いに略鏡像の対称１
〕ｌを持つ様に配回される。横方向の支持タイが外側及
び内側容器を隔てた状態に保つ様に作用し、こうしてそ
の間に真空を維持することが出来る様にする。

更に、支持タイは外側及び内側容器の間の伝導１こよる
ＩＱ失を最小限に抑える為に、引張り強度が強いと共に
熱伝導度の小さい材料で構成される。支持タイを鏡像の
対称性を持つ様に配置づることは、内側容器が縦軸線の
周りに回転移動し４ｃい様にづる。それて゛もこの発明
の支持装置は、内側及び外側容器の間の成る限られた程
度の軸方向の相対的な移動が出来る様にする。この軸方
向の自由度は、真空状態−（も、低温槽を容易に輸送づ
ることが出来る様にする３本又は更に多くのビンから成
る構造を利用づることが出来る様にＪ−る点で、この発
明の重要な１面である。特にこの発明の低温槽の構造は
、この様な一組の熱伝導度の小さいビンを介して内側容
器を外側容器に押えっりることが出来る様にづる。こう
して低温槽は、低温槽のｗＬＩ１１１１線を垂直の向き
にしｃ、、真空状態を損ゎり”に輸送することが出来る
。この輸送用の位１ζ１ぐは、低温槽構造に加わる最ム
強いヵは、縦軸線に対して横向きの力である。然し、こ
の方向の動きが支１・１Ｊタイによって防止される。低
温（１シの輸送によって生ずる垂直方向の力は、外側容
器と内側容器の間に配置されてい−Ｃ１それらを１ｉｉ
ｌｌ　ＩＩ）＋ｌ　した状態に保つ様に作用づる一組の
ビンによっ（吸収され、それど同時に熱伝導度の小さい
ことにＪン）で、この４．１にしても、熱的な隔離が寄
られる１、この熱的な隔離は、物理的な接触を使う為に
、長期的（ｊ状態にとっては理想的ではないが、それて
・″し低蒲１槽を縦１１１１１］線を水平にした通常の
姿勢に取（；Ｊ　ｔ、、ｌｋ時、ビンはもはや外側容器
及び内側容器の間の物理的イ１熱的な架橋部とならない
。

更にこの発明は水平の冷２Ｊ１剤出入ボー１−を］ｈっ
ことが好ましい。このボー１〜は、液体ヘリウム又は液
体窒素の様な冷却剤を導人力る手段どして作用するたり
で゛なく、位置す゛め棒を挿入Ｊる為の出入手段にもな
る。この発明の低温１１ｉを輸送りる６Ｃｒ、この棒を
水平出入ボー１〜に挿入づる。この棒の長さ並びに設計
は、それが内側容器！ｆｉ　ｍに押当てられて、内側容
器構造を軸方向に動かず様になっている。こうして、低
温槽を垂直の姿勢に動がＪ前に、内側容器が外側容器と
強制的に接触させられる。位置きめ棒は一組の垂直支持
ビンを外側及び内側容器と突当らせる為に使われる。希
望ににっでは、これらのビンの周縁に斜め切りした縁を
設置ノ、この縁が外側及び内側容器の対応する構造ど合
さつ−Ｃ１整合を行なうど共に、輸送中に横方向に移動
しない様に一層の保護をＪる。

ＮＭＲ作像用の強度の強い磁界を発生ｌＪる為に、超導
電月わ１をその臨界温度より低い温度に保つのに特に有
用な低温４１すを］；Ｎ供覆る為、これ；１、で説明し
たよりも幾分か複５′１１な低温槽構ｊもをｌｊｄ供覆
ることが望ましい。特に、この為の低温槽は３番目の一
番内側の容器を含む。この容器も環状であって、全部が
前述の内側容器の中に収容されている。この一番内側の
容器は、内側の容器が外側容器の中に懸架されたのと同
様に、即ち、外側容器及び内側容器の間の支持タイと同
じ様な形をした支持タイから成る装置にＪ：す、内側容
器、叩１）、中間の容器内に懸架される。簡単に云えば
、Ｎ　Ｍ　Ｒ作像用のこの発明の好ましい実施例は、巣
ごもり状の３個１絹の環状容器を持つＣＪ３す、その各
々の容器が別の容器の中に完全に収容されている。これ
らの容器は真空にひくことが出来る外側容器、内側容器
及び一番内側の容器である。史に、熱損失を更に少なく
する為に、−ｍ内側の容器と内側容器の間に放射遮蔽体
を配＋ｆｌ−’ｌることが出来る。内側容器は液体窒素
の様な液体冷ＪＪｌ剤を収容し−でいることが好ましい
。一番内側の容器は液体ヘリウムの様な沸点が更に低い
冷却剤を収容１Ｊることが好ましい。低温槽の縦軸線ど
平１うな向ぎに＋要成分を持つ、強度の強い一様な磁界
を設定する為に超導電材料で１１４成された電気巻線が
配置されるのは、この一番内側の容器内である。この磁
界は低温槽の環状構造によって形成された中孔管の中に
出゛、来る。

この発明の好ましい実施例は、一番内側の容器に加えら
れた軸方向の力によって、当該ビンを外側容器及び一番
内側の容器と接触さけることが出来る様に、内側容器の
１端に装着された一組のビンをも持っている。この発明
の懸架装置はこういうことが出来る位の軸方向の移動が
出来る様にする。低温槽内の真空状態を乱さずに、低温
槽を垂直の姿勢で輸送し易くするのは、この発明の種々
の容器のこの突合せの位置ぎめである、１更に、この発
明の形式では、液体窒素及び液体ヘリウムの両方を持つ
、完全に装填した低温槽を輸送覆ることも出来る。この
発明では、容器を突合けの位置に移動するのに必要な軸
方向の力が、特別４丁形の位置きめ軸によって加えられ
る。この軸が、低温槽の外側から一番内側の容器の内部
まで伸びる液体ヘリウム出入室の中に挿入される。出入
ボートは、適当な長さを持つ特別に段用しｌＣ軸を出入
充填管の中に挿入すると、熱伝導度の小さいビンによっ
て許される限定まで、各容器が軸方向に移動する様に構
成されている。この後低温槽を、輸送の為に縦軸線を垂
直の向きにした姿勢に動かＪことが出来る。然し、この
発明の低温槽の輸送は、低温槽を水平の姿勢のＪ：・で
行なうことも可能であることを承知されたい、２どの輸
送位１ｆｆｆがい）かは、少なくとも１つにはビンの形
によっＣ決定Ｊることが出来る。

従って、この発明の１つの目的は、頑丈であるばかりで
なく、低温槽の各容器の間でかイ「りの熱的な隔離を行
なう懸架装］ｍを含む低温（ｆｌｌの（？１１造を提供
することである。

この発明の別の目的は、Ｎ　Ｍ　Ｉ’＜　（’ｌ作像用
強度の強い一様な磁界を発生づる為の超導電巻線を収容
覆るのに特に役立つ低温槽を１１を供り−ることである
。

この発明の別の目的は、水平の姿勢でも垂直の姿勢でも
、真空状態並びに液体冷却剤の装填状態をそのま１にし
て、容易に輸送号ることの出来る低温槽を１ｊＩ供ザる
ことである。

この発明の別の目的は、低温槽の各容器の間で成る程度
の軸方向の移動が出来るもｈにしたイ【（湯槽を提供す
ることである。

この発明の別の目的は、略全部が溶接構造である低温槽
を提供することである。

この発明の別の目的は、ＮＭＲ作像装置用の超導電磁石
を提供すること（′ある。

この発明の別の目的は、水平の向き、叩ら低温槽の内側
容器の縦軸線と略平行な向きの液体冷却剤出入充填ボー
トを持゛つ低温槽を提供り−ることである。

この発明の要旨は特ｉｌｌ請求の範囲に具体的に且つ明
確に記載しであるが、この発明の構成、作用並びにその
他の目的及び利点は、以下図面についてｄ（明りる所か
ら、最もにり理解されよう。

３、発明の詳細な説明 第１図及び第２図はこの発明のΦ要な１面を成づ内部低
温槽懸架装置の主要な要素の基本を示している。第１図
及び第２図は１つの円筒を別の円筒の中に懸架する方法
をも図式的に示している。

低温槽では、内側及び外側容器の間の物理的な接触がご
く少なくなる様な形で、内側容器を懸架するのが希望で
ある。こうづると、容器の間の容積をＣ（空にひいて、
熱的な隔離を行なうことが出来る。この発明で・【ま、
内側及び外側容器又は円筒の間の１１１７１−の永久的
な機械的な接続部は、強度が強くて熱伝導度の小さいタ
イから成る装置Ｃある。

この装置が第１図及び第２図に例示されている。

特に第１図は外側容器１ｏの中に、６本の支持タイ（各
々の端に３本す゛っ）／Ｊ日ら成る装置ににって、内側
円筒１１が懸架される様子を示しでいる。円筒（７）　
１　ＣＭｉ　テＬＪ、、ターｉ’１２ａ、１２１１．１
２Ｇが、内側円筒１１上の取イ」り点１５と外側円筒１
ｏ上の取イ（Ｈ）点１／ｌの間を横方向に伸びている。

対応Ｊる一組の支持ター１’１３ａ、１３ｂ、１３ｃが
円筒１０．１１の他端に配置べされ−（いて、同様に作
用１Ｊる。然し、円筒の両端にある各組の支持タイは、
ｌｊいに鏡像の対称的なパターンを成づ様に形成づるこ
とが好ましい。然し、−組のタイが他方の紺に対して回
転方向が反対になる様に配置されていれば、厳密な鏡像
の対称関係は必要で・はない。

更に、取付は点は円筒１０．１１の周縁に沿っで略一様
な位置に段（プることが出来る１、この形により、支持
タイに於ける応力分イロが比較的一様になる。この発明
の好ましい実施例では、各組に３木の支持タイがある。

２つの相反覆る目的の結束としてこうりることか好まし
い。第１に、内側及び外側円筒の間の熱伝導に対する隔
離を最大にづる為には、支持タイの数が出来るだり少４
１いことが望ましい。支持タイの熱伝導係数がごく小さ
いことが非常に望ましいので、タイの断面積が比較的小
さいこと、並びにタイ自体が熱伝導係数の小さい月利で
構成されることも一般的に望１４１．い。支持タイ装置
を熱絶縁したいという点からは、引張り強度の足りない
傾向を持つ支持タイを利用りることが考えられるが、望
にシくない程熱伝導度が大ぎく且つ断面積の大きい４Ａ
利が、こういう強度を持つ場合の方／ＪＳ多い。従って
、相反Ｊる２番目の条件としで、支持タイは内側円筒の
重量に耐える十分な強度を持つことが要求される。更に
、第１図及び第２図に示覆−集成体を輸送する際、支持
タイ装置にイ」加的な荷重となる、円筒の型組以外の力
が発生されることがある。従って、強度条件からは、比
較的多数の支持タイを使うことが望ましい。円筒の各々
の端に１木ずつ、２木の支持タイしかない装置は、内１
１１１及び外側円筒の間の（１が方向の成る相対的な移
動を防］］ηるのに不十分であるから、支持しようとり
−る円１１ｉ）の各々の端に少なくとも３本の支持タイ
を持つタイ装置１９を使うことが必要である。支持タイ
を更に増や−Ｕば、余分の強度が１ｑられるので望まし
い様に思われるが、支持タイ拐オ゛３１を慎重に選べば
、追加の支槓体の必要がない。然し、他の理由で希望が
あれ【Ｊ工、その数を増やしてもよい。支持タイ１２ａ
　、１２ｂ、。

１２ｃ　、１３ａ　、１３ｂ　、１３ｃの月１′シを選
択する時、硝子繊維、炭素又は黒鉛複合４４　ａｉｊｌ
又はブタンの様な強度が強くｃ熱伝導度の小さい拐オ′
）１を用いることが好ましい。こういう＋Ａ　１．ｉｌ
は所要の強度を持つと同時に、熱伝導度が小さい。）ｔ
Ａ籾自体は棒、ループ又は適切であれば編んだストシン
ドの伺れの形にしてもよい。

第１図に９Ｗａ面図で示しｌｃｂのを第２図に斜視図で
示してあり、円筒の両端に設【プられる構造が史によく
判る様にしである。これに対して′１１１図は、取付り
点が一様に配置されること、並ひに円筒の両端にあるタ
イの相の間か、ｖＬ像量関係向い合った位置にあること
をはっきりと示している。。

第１図及び第２図はこの発明の懸架装置の成る基本的な
’ＪＩＳ成を示しているが、他の図面は、この懸架装置
の利用法、並びに全身ＮＭＲ作−像に特に役立つ様な低
）福槽にこの発明を用いた場合の協動作用を例示してい
る１、特に他の図面に示しｌこ低温槽は、低温槽の中孔
を取巻く電気巻線に設定した持続電流が、環状低温槽の
中孔の中に強度の強い比較的一様な磁界を発／Ｉ−Ｊる
様に、超導電祠η′３１を臨界温度より低い湿度に保つ
のに特に適している。

第３図はこの発明の好ましい実施例の（＋（温槽の一部
分を切欠いて断面Ｃ′示した側面図である。、特にこの
発明の低温１１１は貞空にひくことの出来る外側容器１
１０を有する。外側容器１１０は１ｚ′１状であること
が好ましく、全真作（ρ（の為に約１メータの中孔の内
径を持つことが好ましい。その内部に収容される構造を
支持するのが外側容器１１０である。外側容器１１０の
各々の端に端板１１Ｑａが設けられでいる。外側容器１
′１ｏは、インコネル×６２５の様な電気比抵抗の大さ
い合金で作ることが好ましい薄い内側殻１ホ１１０１１
　（！：’ｂ持っている。内側殻体１１０１）の厚ざＧ
Ｊ約０．０２乃至０．０３吋にするのが典型的であり、
その拐料の高い比抵抗（約１３０Ｘ１（１）−６オーム
Ｃｌ１Ｉ）は、勾配磁界の立上り時間（約１ミリ秒）に
化へて短い渦電流時定数（約０．１２ミリ秒）が１１ノ
られる様に選ぶ。低温槽の環状の中孔の中に配置された
コイル（図に示してない）により、勾配Ｉｌｎ界が発生
される。こういうコイルはこの発明σ戸ｐ要な１面を構
成するものではない。

要に、インコネルＸ６２５の内側殻体は（６れＩＣ溶接
継目を作り、従っ−Ｃ１この発明の好ましい実施例では
、全部溶接にＪζる外側容器が１！１られることを指摘
しておく１．更に、内側核体１１０　ｂの外器を防止づ
る為に、低温４１１１の中孔の中に硝Ｊ′″−繊紺　“
の円＠１１７°を挿入りることが出来る１、一般的に、
この発明の低温槽を強度の強い磁界に関連して用いる時
、第３図に示１種々の容器は、特にことわらない限り、
並びに特に上に述べた理由Ｃ・、スプンレス鋼で構成し
得る外側容器１１０を別どすると、アルミニウムで構成
するのが典型的Ｃある。

この発明の装置は部分的に機械的に複ＩＩ　’Ｃ□ある
から、第３図、第４図、第５図、第６Ａ図及び第６Ｂ図
をなるべく周部に参照され１ば、ｆ３．もよく理解され
よう。第４図及び第５図は１セ■に懸架’Ｋ　ｉＰ’ｆ
を具体的に示づ端面図（・あり、第６Ａ図及び第６Ｂ図
の側面断面図は使われる種々の環状容器が栄ごムリにな
ることを一層に＜示している。

第３図は環状の内側容器１１１をへし示し−Ｃいる。

特に内側容器１１１が支持タイから成る装ＶイにＪ、す
、外側容器１１０内に！け架されることが判る。

特に支持タイ１１２ａがヨーク１５）３ににっＣ容器１
１０の定点に取（＝ｊ　ＩＪられでいることが判る。

支持タイ１１２ａの他端は容器１１１のボス１１５く第
３図の下側に示Ｊ−）に接続される。ボス１１５は典型
的には内側容器１１１に溶接する。この発明の支持タイ
は、チタン棒、黒鉛又はカーボン繊維複合材）１３＋又
は硝子繊肩ｆ、　４，１お１で構成づることが好ましい
。特にこの発明の支持タイは適当に選んだ月利のループ
どして示されＣいる。ループが、ボス１１５に設（プだ
円形の）め路により、ボス１゛１５内の所定位置に保持
される。史に、例えば支持タイ１１２ａがビン１５２に
Ｊ：っ′（臼−り１５３内の所定位置に保持されること
が判る５、支］、°Ｊ全タイ、］−り１５３の側面に設
しノ’　／ζ対応りる円形孔に押込みばめにりることが
出来る１、第３図は容器１１１が、上側ボス１１５の周
りに一部分を示した支持タイ１１３ｂによっ−Ｃ支持さ
れることを示している。支持タイ１１３　ｂの他端（図
に示しくない）か外側容器１１０に取イζＪりられる。

従って、外側容器１１０及び内側容器１１′１が容積１
２１を（１１１成し、この容積を真空にひいて、周囲’
ＩｎＡ庶及び内部の温度状態の間で所望の程度の熱的な
隔離をづることが出来ることが判る。

内側容器１１１（ま））ルミニウムの様４１′月わ１で
（１１１成Ｊることかりｒましく、全部溶接の４１″４
　込ｒあることが好ましい。内側容器１１１は、液体窒
素の様な冷却剤を収容する環状容積１２０を限定する外
側ジャケラｉ〜１２３を持つことが好ましい。更に放射
による熱伝達を減少する為に、容器１１１０周りに多重
層絶縁物１２２を配置することが出来る。従って、容器
１１１は熱放射遮蔽体として作用し、これは約７７°に
の温度に保たれる。ジ１７ケツｌ〜形の遮蔽体１１１は
遮蔽体である外側ジャケット１２３内に配置された液体
窒素の沸ＩＩをにＪ、って積極的に冷却される。外側ジ
ャケット１２３は、強度を強めると共に、真空の結果と
して起り１９る座屈に対する堅牢性を持たせる為に、孔
あぎじヤま板１１６を持つことが好ましい。

容器１１１の環状容積内に別の熱放用鴻蔽体２１５を設
りることが出来る。熱放射遮蔽イホ２１５が第３図には
詳しく示されていないが、第６Ｂ図はこの遮蔽体を位置
きめする機構を訂しく示している。

最後に、第３図は全部が敢用鴻蔽体２１５の内側に懸架
された一番内側の容器２１０を示している。−缶内側の
容器２１０の構造は第６Ａ図及び第６Ｂ図から更によく
理解されよう。然し、第３図は、−缶内側の容器２１０
を遮蔽体２′１５の中並びに内側容器１１１の中に懸架
Ｊる機構を少なくとも部分的に例示するのに」−分であ
る。特に、ボス２１４は、−缶内側の容器２１０に溶接
することが好ましいが、これが遮蔽ＩＡ２１５を通抜（
プること１ｆｉ−判る（第５図及び第６Δ図参照）。ボ
ス２１４がタイ・ループ２１２ａを支持する取イ４り点
になることが判る。支持タイ２１２ａの他端〈図に示し
てない）は、第５図に更によく示す様に容器２１１に取
付りられている。

第３図には、低温槽の輸送中、容器１１０．１１１及び
２１０を軸方向の一定位置に保持づる様に作用づる輸送
機構５２５ｂ部分的に示されている。この機構は、第８
図及び第ε３Δ図に更によく示されている。然し、この
図では、ビン３００が第３図のボス２１４と整合してい
る様に見えるのは、単に透視図の効果にづざないことに
注意されたい。ビン３’　Ｏ０及びボス２１４の位置は
第５図から更によく理解されよう。

この発明の低温槽の重要な特徴は、ジ１Ｔケツ１〜１２
３に液体窒素を供給し、且つ一番内側の容器２１０に液
体ヘリウムを供給する為の水平に配置された一紺の出入
ボート及び管をこの低温槽が備えていることである。第
３図の低温槽の右側部分に示した液体ヘリウム出入ボー
ト５２５が第８図及び第８Ａ図に詳しく示されてｄ５す
、後で訂しく説明づる。

第４図はこの発明の好ましい実施例の低温槽の一部分を
切欠いた端面図であって、内側容器１１１を外側容器１
１０の中に懸架する装置が特によく示されている。支持
タイ１１３ａ　、　１１３ｂ　。

１１３Ｃが容器１１１のボス１１５から外側容器１１Ｏ
の対応Ｊる取イ」り点１１４まで伸びていることが判る
。希望によっては、外側容器１１０は台１６０の上に支
えることが出来る。取付ｔノ点１１４の構造の詳細は後
で第７Ａ図について説明づ−る。第４図で、ボス１１５
が内側容器１１１に取付けられている。図示の懸架装置
は外側容器１１Ｏ及び内側容器１１１を相隔でに位置に
保持して、その間に容積１２１を限定する。然し、一般
的に容器１１０の内部領域は真空状態に保Ｉこれている
ことに注意されたい。特に組立ての際、支持タイに張力
を加える為に使われる出入ボートを覆う）Ｊバー板１５
０により、この真空状態が保たれる。

例えば真空封じ１６１によって真空状態を作ることが出
来る。更に、第４図には、輸送ビン３００が点線で示さ
れている。実際、第４図はこういうビンの配置を最もよ
く示す図面である。更に内側容器１１１に固定されたボ
ス３１５も点線で示されている。第４図には、−缶内側
の容器２１０に取付りられていて放射遮蔽体２１５を通
抜（プるボス３１４も点線で示されている。支＋：’ｊ
構造は、第５図に示した対応する線で切った断面を承り
第６Ｂ図にも示されている。史に、切…ｉ線６Ａが第４
図に示されているが、これは第６Ａ図に対応しており、
第６Ａ図は後で訂しく説明する。

第４図は容器１１１が外側容器１１０の中に懸架される
ことを示しているが、−缶内側の容器２１０を内側容器
１１１の中に懸架覆ることを第５図に更に具体的に示し
である。前と同じく、内側容器１１１は外側ジャケラｈ
　１２３を持つジャケットつぎ容器であることが好まし
い。然し、第５図の断面図にはジャケット１２３が示さ
れてい／了い。更に、−缶内側の容器２１０は、それを
取巻く熱放射遮蔽体２１５が存在する為に、この図では
見えない。ボス２１４が遮蔽体２１５に取（＝ＪｔＪら
れている様に見えるかし知れないが、実際にはボス２１
４は一番内側の容器２１０の☆ｉ１：板２１０ａ　（第
６Ａ図参照）に固定されている。支持タイ２１３ａ　、
２１３ｂ　、２１３ｃを用いて一番内側の容器２１０を
内側容器１１１から懸架Ｊる。支持タイ２１３ａ’、２
１３１）、２１３ｃがボス２１４から内側容器１１１の
取イ」り点４１４まで伸びる。こういう取イ」（」点の
構造の詳細は第７１３図に具体的に示されてｄ３す、後
で説明する。従って、放９ＡＭ蔽体２１５と内側容器１
１１の間に容積２１６が限定されていることが判る。前
と同じく、この容積は真空にひくことが好ましい。真空
にひくことは封じ１６１を介して行なわれる。更に第５
図には、熱放剣鴻蔽体２′１５を内側容器１１゛ｌの内
壁部分から懸架１−る方法が示されている。この懸架装
置は第６Ｂ図に具体的に示されており、後で説明する。

第６１３図は第５図に示した線６°Ｂで切った断面図で
ある。カバー板′１５０を取外して、支持タイ２１３ａ
　、２１３ｂ　、２１３ｃの張力の調節が行なわれるこ
とに注意されたい。

第６Ａ図は第４図及び第５図に示した線で切った側面断
面図である。然し判り易くづ−る為、熱遮蔽体２１５に
対する懸架装置はこの図では省略されている。これは後
で説明する第６１３図に示されている。然し、−缶内側
の容器２１　Ｏ１内側容器１１１及び外側容器に対りる
懸架装置は第６Ａ図に具体的に示されている。特に支持
タイ１１３ａがヨーク１５３のビン１５２の周りに配置
されることが判る。このヨークは途中までねじ山を設け
た軸１５４に取付（プられており、この軸が外側容器１
１０の壁を通抜りる。軸１５）４の内、外側容器１１０
の壁の先に伸びる部分が第７Ａ図に具体的に示されてい
る。更に、支持タイ２１３ａ（鎖線）がヨーク２５３を
通抜りるビン２５２（これも鎖線で示しである）の周り
に配置されでいることが判る。ヨーク２５３が、内側容
器１１１の壁を通扱ける軸２５４に取イ］（プられでい
る。＋１Ｍｌ＋　２５４の内、この壁を通抜（〕る部分
は第７１３図に示されている。第６Δ図には、内側容器
１１１の端板１１１ａに取付けたボス１１５も示されて
ａ３す、このボスが支持タイ１１３ｂに対する取（＝Ｉ
　ｔプ点として用いられる。同様に、ボス２１４が一番
内側の容器２１０の端板２１０ａに取イ」【プられでい
て、熱敢側遮蔽体２１５の端板２１５ａを通抜（ジるこ
とか示されている。ボス２１４が支持タイ２１３ｂの取
付【プ点として作用する。図面を判り易くザる為、支持
タイ２１３ｂは一部分しか示してない。

超導電巻線によって強度の強い磁界を発生Ｊる為にこの
発明を特に用いる様な用途では、−缶内側の容器２１０
は、その内部に配置された円筒形殻体１０１により、図
示の様に環状容積１０Ｏ１２００に更に分割される。こ
の場合、容積１００は超導電材料で構成される電気巻線
を収容り”る。

容積２００は典型的には液体ヘリウムの様な低濡冷Ｎｌ
剤で充填される。液体冷却剤を容積２００に導入覆る手
段は、後で第８図について説明する。

第６Ｂ図は第５図に示した切断線で切・）だ側面断面図
である。然し、判り易くづる為、ボス２１４及び支持タ
イ２１３ｂは第６］３図に示してない。

第６Ｂ図はこの発明の２つの而を１ｚ■に例示するしの
である。最も重要なことは、輸送ビン装置ＮがｉｉＴし
く示されていることである。２番［＝１として、熱ｈり
射鴻蔽体２１５を位；１Ｙ１きめηる手段が示されてい
る。前に述べた様に、この発明の懸架装置（よ、内側容
器２１０がｔｌｉ＋ｌ＋方向にΦｊＪ　Ｃ−する様にＪ
る。す鵜型的には約３　／　／Ｉ　１ｌ＝１の動きがｖ
′１される。この動きが、第８図に示Ｊ様に、輸送枠５
００を液体ヘリウム出入管５５１に挿入づることにＪ、
つ゛（１−ｉなわれる。

この結果起る軸方向の移動にＪ、す、斜め切りした縁］
１６．３”１７を持つ輸送ビン３００が、外側容器１１
０の端板１’ｉ０ａに設（）たぞれど合さる凹部３１８
と接触づる。輸送ビン３００がボス３１５の中を通る様
にも配置されていて、このボスに固定され、且つ内側容
器１１１の端板１１１ａを通抜（づる。軸方向の動きに
より、ビン３００の斜め切りした端３１７と、−缶内側
の容器２１０の端板２１０ａに固定されたボス３１４の
対応づる形の孔３１９の間で接触が起る。前に述べた様
に、ボス３１４は１１１射遮蔽体２１５の端壁２１５ａ
の孔（図面に示してない）を通抜（づる。更にビン３０
０に皿形ワッシャ３０９を設けて、輸送中の衝撃荷重に
よる衝撃を吸収すると共に、輸送後に、集成体を普通の
軸方向に整合した位置に復帰させる助けとすることが出
来る。典型的には、ビン３００は圧縮強度が大きいが、
熱伝導度の小さいチタンの様な月利で構成される。更に
、（ｌｌ’ｌ子繊肩１材料で構成されるビンを用いるこ
と、史に具体的に云えば、両端を斜め切りしない硝子４
Ａｌｉ　Ｉｆｆのビンを用いることも可能である。後に
述べたこの発明の実施例は、輸送中にビン３００をその
中に入れる、３１８又は３１９に示づ様な孔を用いない
。

この形式は、ビンとそれを挿入Ｊる斜め切りした孔の間
の整合が問題にならない様に、ピン集成体の精密な位置
ぎめを必要としないことが望ましい場合に特に好ましい
。然し、図示の実施例では、ビンが正しく整合づる様に
保証づる為に、輸送装置が正しい寸法になっていること
が好ましい。

第６Ｂ図は熱放射遮蔽体２１５を内側容器１１１から懸
架する装置をも示しＣいる。特に、円周方向に配置され
た複数個のボス２２１が熱放射遮蔽体２１５に取付けら
れていることが判る１、こういうねし山を設りたボスの
中に、尖った先端２２３を持つ途中までねし山を設【づ
た棒２２２が配置される。先端２２３が内側容器１１１
の内面・に当り、棒２２２を通じての熱伝導をごく小さ
くりるのを助りる。ねじ山を設けた棒２２２を回転して
放射遮蔽体２１５を位置き′めＪる。ナラｌ−２２０に
よって所定位置に固定する。棒２２２は硝子繊維、チタ
ン又は硼素或は黒鉛複合々Ａ　Ｈの様な熱伝導麿の小さ
い材料で構成される。棒２２２の配置は第５図にも示さ
れている。更に、放射遮蔽体２１５及び一番゛内側の容
器２１０がその間に容積２１７を限定することが判る。

内側容器１１１を懸架する為の外側の取イ」け点−１１
４が第７Ａ図に詳しく示されている。特に、支持タイ１
１３Ｃがヨーク１５３でビン１５２の周りに配置されて
いることが判る。ヨーク１５３は、例えばねじ手段等に
より、外側容器１１０の外壁を通抜（）る軸１５４に取
（＝Ｊりられる。’ｌ’ｌ１１１５４は外側ボス１５５
をも通り、そこでナラ］・１５６によって押えられる。

この手段により、支持タイ１１３Ｃの張力を調節するこ
とが出来る。軸１５４が容器１１０の外壁、玉子形の張
力接近ポート・ハウジング１５１及び接近ボーｉ〜・カ
バー１５０によって限定された容積に入り込む。この外
側ハウジング構造は、内部の真空状態を温存Ｊる様に気
密に構成されている。

同様に、支持タイ２１３Ｃがヨーク２５３のビン２５２
の周りに配置されており、このヨークは内側容器１１１
を通抜けるねじＭ　２５４を持っている。軸２５４の張
力が調節自在のナツト２５６によって固定される。更に
、皿形ワッシｒ２５８を設けることが好ましい。外側容
器１１０の壁に設りた孔２５７を介してナラｈ　２５６
に接近し得る。接近ボート・ハウジング１５１を介して
孔２５７に接近することが出来る。張力調節プツト１５
６．２５６の形は第７Ｃ図の底面図から５判るこの図で
同じ部分には対応りる参照数字を用いている。具体的に
云うと、この図（・ハウジング１５１−が玉子形である
ことがＪ：＜判る。

前に述べた様に、この発明の重要な１面は、ビン３Ｏ０
が端板１１０ａ及びボス３−１　”ｌに接する様に、一
番内側の容器２１０及び内側容器１１０を軸方向に変位
させることが出来ることである。

第８図及び第８Δ図にその様子が更に４体的に示されて
いる。特に第３図にｂ示した外側部分５２５を持つ水平
の液体ヘリウム充填用人ボー１・がこの図に示されてい
る。外部から一番内側の容器２１０の内部まで伸びる導
管５５１を介して、容積２００に液体ヘリウムを供給づ
ることが出来る。

液体ヘリウムの充填が、容積２００の底から、少なくと
も殻体１０１の■負部が覆われる様な点まで起る様に保
証する為、管５５０を容積２００の下側部分に入り込む
様に設ける。ボス３１４がビン３００と接触し且つビン
３００が最終的に外側容器１１０の端板１１０ａと接触
Ｊる様に一番内側の容器２１０を動かづ為、輸送軸５０
０が導管５５１の中に挿入される。輸送軸５００の構成
並びに使い方を理解する為には、第８Ａ図に示した輸送
軸５００の端部の細部を参照するのがよい。特に、輸送
軸５ＯＯが旋回自在のＴ形部分５０４に終端し、ひも５
０２又は５０３を引張った時、このＴ形部分がビン５０
５の周りに回転づることが判る。即ち、輸送軸５００は
最初に、旋回自在のＴ形部分が軸５００の縦軸線と整合
する位置に来る様にして、導管５５１の中に挿入される
。その後、ひも５０２に張力を加えて、Ｔ形部分をビン
５０５の周りに旋回さけ、軸５００を全体的に−「とい
う細長い文字の形にする。この後、板５０６から圧力を
加えて、この時１時形の軸５００が、一番内側の容器２
１０の内部にしっかりと固定されたブロック５０８に接
する様にする。ねじ軸５Ｏ７のナツトを廻づ−こと等に
より、板５０６によって引続いて圧力を加えると、低湿
槽の内側部分が前述の如く突合せの形になる。この発明
の低温４１シを輸送し得るのはこの形になった時′（゛
あり、液体冷却剤は所定位置にあってもなくでも」：い
し、容積１２１，２１６，２１７はり４空にひいである
。

所望の目的地に到着した時、圧ヵ仮５０６を取外し、ひ
も又はケーブル５）Ｏ３に張力を加えで、Ｔ形部分５０
４を取外しの為に輸送１＋１１５００の縦軸線と整合す
る状態に戻る様に旋回される。この為、輸送＠ｌ＋　５
００には、その中をひ乙、−１−ド又はり一ブル５０２
，５０３を通す中心の通路５０１を設　【ノ　る　。

第８図には、ブロック５０８が一番内側の容器２１０の
殻体１Ｏ′１及び端板２０１ｂの何れか一プＪ又は両方
にしっかりと固定されることも示されている。熱放射遮
蔽体２１５うの端板２１５　ｂは放射遮蔽体の冷７Ｊ］
作用をザる為に、沸騰したｄし体ヘリウムを通過さ１！
導管５５３を設りるのが好ましいことが理解されよう。

最後に、水平のｌ＼ツリウム入ポートの外側部分にベロ
ー集成体５５２が設りられ、これが、低温槽の内部と外
部の間の温度差が大きい為に必要となる石川な膨張及び
収縮補償機構となることが判る。熱ｌｌｉｌ連射体２１
５は部分的に導管５５１によって支持することも出来る
ことが判る。放射遮蔽体２１５は、端板２１５ｂと熱的
に接触する熱交換コイル５５３を楯Ｉｆｆ　’？するヘ
リウム蒸気の蒸発により、典型的には約２０’に乃至約
６０°にの湿度に冷却される。

液体窒素で冷却される内側容器１１′１の外側の周りに
多重層絶縁物１２２を設（づて、敢ｑ・１による熱伝達
を少なくすることが出来る。然し、液体窒素で冷却され
る容器１１１とヘリウムで冷却される遮蔽体２１５０間
の容積２１６にこの様な絶縁物の１層だけを挿入しても
よい。更に、ヘリウムで冷却される遮蔽体２１５と一番
内側の容器２１○の間の容積２１７にこの絶縁物の１層
だけを配置して、これらの面の放出度を抑えることが出
来る。　この発明の別の１面は、外側容器１１０が全部
溶接の設計になっていることである。これは容器１１○
の内壁１１０ｂをイン」ネル×６２５で構成づることに
よっ゛Ｃ容易になる。こうＪると、３００シリーズ・ス
テンレス鋼の様イ【異なる金属に対する優れた溶接ｌｉ
ｔ　Ｌｌが得られる。、前に述べた様に、硝子繊維の円
筒１１７を挿入づることにより、檗１１０ｂの座１１（
（を防止Ｊることか容易になる。

第９図はこの発明の別の形のピンを承り。特に、この発
明の低温槽を冷却した状態で輸送したい場合、低温槽の
ピン３００を持つ端が底になる様に低温槽を垂直の姿勢
に配置づることが！Ｉｒましい。

低温（ｈを垂直のよ）輸送覆る場合、７１９図に・示し
た別の形のピンが好Ｊ、シい。特にこの場合、斜め切り
した面ではなく、平坦な面を持つ第９図のピン３００の
様なピンを用いることが望ましい１．史に、この実施例
では、四部３１８は゛しはや不すタＣある。その代りに
、硝子繊組及び−ｌ−ボ１ニジの様な祠オ゛８１で４１
う成された平１ｊｌな円板を、輸送中にピン３ＯＯがそ
れと接触り−る突合せ面どじ（用いる。この場合、ピン
３００は硝子繊卸及び上ボキシの様な材料で構成覆るこ
とが好ましい。第９図に示す形のピンは、ピンの精密に
【整合の必要が＜２いことが判る。

以上述べた所から、この発明が最初に述べた目的を十分
に且つ有益に充たづ低温槽を提供したことが理解されよ
う。特に、この発明の低温槽は輸送、それも垂直の姿勢
で輸送づるのに特に適してｄ３す、この時完全な真空及
び冷却剤の状態が維持される。この発明の低温槽は、起
導電巻線を用いた電磁石を構成σることを希望する様な
用途でし、特に役立つことが判る。こういう巻線く図面
に示してない）　ｌｄ低温ＩＱの中心の鉄心の周りに配
置され、低ｆｎＡ　Ｉ！ｆｆの中孔の縦軸線に沿って、
強度の強い比較的一様な磁界を発生覆るのに１，１ｇに
石川である。

この発明はこうしてＮＭＲ作像装置にとって有用な装置
を提供−りる。この発明が低温槽の金も時間もかきる分
解を避（）ること、特に真空状態を肩ｆ持する為に頻繁
な又は絶え間ないポンプ動作を必要どづる様な低温槽の
設計を特に避りる様になっていることが理解されよう。

この発明の低温槽はガスを透過し、その結果、長期的に
Ｌ；１内部の真空状態が汚染される様な弾性体の１・１
じし非金属の中孔管も要らないことが理解されよう１．
従っ−（、低温槽の真空の為に金のか）る定期的なポン
プ動作を必要どしない。更にこの発明は、運転停止を招
き、磁石が温まる結果になる様な（ばｌ向を持つ状態を
避ける。

この発明の好ましい実施例を訂しく説明したが、当業者
にはいろいろな変更が考えられよう。特にこの出願で示
した支持タイの組が略同じ平面内にあることは不必要で
ある。従って、特、γ１請求の範囲の記載は、この発明
の範囲内で可能な全ての変更を包括するものであること
を承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の懸架装「ずの士な考えを例示Ｊる簡
略端面図、第２図は第１図に端面図で示した懸架装置の
一部分を切欠いた斜視図、第３図はＮＭＲ作像川の用度
の強い磁界を発生覆る為の超導電巻線を収容するのに特
に役立つこの発明の低温槽の一部分を切欠いた側面断面
図、第４図は第３図の低温槽の一部分を切欠いた端面断
面図で、特に外側容器の中に内側容器を懸架づる様子を
示す。第５図は第３図の低温槽の一部分を切欠いた端面
断面図であるが、中間の容器又は内側容器から一番内側
の容器を懸架する様子を示す。第６Ａ図は第３図の低温
槽の一部分の側面断面図で、内側容器及び一番内側の容
器に対する懸架装置を示す。第６Ｂ図は第３図の低温槽
の一部分の側面断面図で、内側容器を軸方向の一定位回
に位置ぎめづる助りとなる１つのビンの細部を示すと共
に、一番内側の容器と内側容器の間の遮蔽体に対Ｊる懸
架装置をも示す。第７Ａ図は外側容器と内側容器を接続
覆るタイに対する支持タイ取付（プ部の構成を示１部分
的な側面断面図、第７Ｂ図は第７Δ図と同様であるが、
内側容器と一番内側の容器を接続する支持タイに対づる
取イ」け部を示づ一図、第７Ｃ図は支持タイの張力を調
節り−る側面接近ボートの側面図、第８図はこの発明の
水平の向きの液体冷却剤出入充填管の一部分を断面で示
しｌ〔側面図であり、輸送中に内側の容器及び一番内側
の容器を輸送ビンと接触する様に移動さける為に使われ
る位置きめ棒の配置を示す。第８Δ図Ｖｌ第８図に示し
た位置きめ棒の端の詳細な側面図、第９図は別の形のビ
ンを示す側面断面図である。 主な符号の説明 １１０・・・外側容器　１１１・・・内側容器１１２．
１１３，２１２，２１３・・・支持タイ特許出願人 ゼネラル・エレク１〜リック・ヵンパニイ代理人　（７
６３０）　牛　沼　徳　二ｌ６ Ｆ〃ヲ−３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　Ｒ空にひくことが出来る環状の外側容器と、当該
   内側容器及び前記外側容器の中心軸線が略し曲線」二に
   来る様に、全部が前記外側容器内に収容された環状の内
   側容器と、該内側容器の第１の端でその周縁に略一様に
   配置された取付（プ位置から、前記外側容器のそれに近
   い端にあって、該外側容器に沿って略一様に配置された
   対応する取イ」り位置まで横方向に伸びる少なくとｂ　
   ３木から成る第１　ＩＩの支持タイと、前記内側容器の
   第２の輻ｉでその周縁に沿って略一様に配置された取イ
   」り位置から前記外側容器のそれに近い端で該外側容器
   に冶つ−Ｃ略一様に配置されＩ、：対応する取イ」り位
   置まで横方向に伸びる少なくとも３本から成る第２絹の
   支持タイとを有し、前記第１組及び第２組の支持タイは
   前記軸線を含む平面に対して互いに略鏡像の対称性を持
   つ様に配置されている低温槽。 ２、特許請求の範囲１）に記載した低温槽に於て、前記
   支持タイが硝子繊維で構成されている低温槽。 ３）　特許請求の範囲１）に記載しＩＣ低温槽に於て、
   前記支持タイがチタンで構成されている低温槽。 ４）　特許請求の範囲１）に記載した低温槽に於て、前
   記支持タイの張力を調節する手段を含む低温槽。 ５）　特許請求の範囲１）に記載した低温槽に於て、更
   に、当該一番内側の容器及び前記内側容器の中心軸線が
   略同じ直線上に来る様に、前記内側容器内に全部が収容
   される環状の一番内側の容器と、該一番内側の容器の第
   １の端でその周縁に沿って略一様に配置された取イ」（
   ）位置から前記内側容器のそれに近い端で該内側容器に
   沿って略一様に配置された対応する取付（）位置まで横
   方向に伸びる少なくとも３木から成る第３組の支持体と
   、前記一番内側の容器の第２の端でその周縁に沿っＣ略
   一様に配置された取付り位置から前記内側容器のそれに
   近い端で該内側容器に？ｆｆっＣ略一様に配置された対
   応する取イ」り位買まて４Ｍ方向に伸びる少なくとも３
   本から成る第４絹の支持タイとを有し、前記第１組及び
   第２絹の支持タイが前記軸線を含Ｊむ平面に対して勾［
   いに略鏡像の対称半径を持つ様に配置されている低ｇｉ
   ｆ　Ｊｆｌ　ｎ６）　特許請求の範囲５）に記載した低
   温槽に於て、特に輸送の際、−前記容器の問が接触する
   様に、前記内側容器の１端に配置された複数個のピンを
   右づる低副槽。 ７ン　特許請求の！ｉ壱（用６ンに２１銭した４１ｆ、
   　：Ｅａ　４費に於Ｃ，前記一番内側の容器及び前記内
   側容器を軸方向に動かす手段を含む４１℃温イ１シ０８
   ）　特Δ′［Ｗｊ求の範囲７）に記載した（Ｉｔ　？Ｈ
   Ａ槽に於て、前記軸方向に動が覆手段が、前記−缶内側
   の容器に液体冷ＪＪＩ剤を追加する為の出入ボー１〜に
   仲春された棒を含む低ン晶槽、。 ９）　特許請求の範囲５）に記載した低温槽に於て、前
   記−缶内側の容器に前記冷７．ＩＩ剤を供給する液体冷
   ｆＪｌ剤供給ボー１〜を有し、前記出入ボー１〜は前記
   軸線に対して略平行な向きである低１ｈ１１槽。 １０）　特許請求の範囲５）に記載した低温槽に於て、
   前記−缶内側の容器及び内側容器の間に配置された熱敢
   用鴻蔽体を右りる低湿４ｆ１１．１１）　特８′［請求
   の範囲２）に記載した低１＃＋ｉ槽に於て、前記内側容
   器が液体冷ＩＩ剤を収容′りる為の外側ジＸ７ゲツトを
   持つ低温槽。 １２）　特５′［請求の範囲５）に記載した低湿４ｆｔ
   に於て、前記−缶内側の容器内に配置ｆ”？されていて
   該容器を半径方向内側の容積及び半径方向外側の容積に
   分割づる円筒形隔壁を右づ−る低ｄ１１１槽。 １３）　特許請求の範囲１２）に記載した低温Ｉに於て
   、超導電月１３１で（１４成された電気巻線が前記−缶
   内側の容器の半径方向内側の容積の中に配置されている
   低温槽。 １／Ｉ）　特許請求の範囲１）に記載しＩ〔低温槽に於
   て、前記外側容器の半径方向内側の壁と突合せに４１つ
   だ円筒形の硝子４Ｍ組の支持管を右１Ｊ−る低温槽。 １５）　特Ｈ！［請求の範囲５〉に記載した低湿槽に於
   て、前記支持タイの引を力を’ｎＩ：Ｉ　ｍ　ＴＪる手
   段を石Ｊる低温槽。