JPH012635A - 磁気共鳴用極低温槽 - Google Patents
磁気共鳴用極低温槽Info
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- JPH012635A JPH012635A JP63-78335A JP7833588A JPH012635A JP H012635 A JPH012635 A JP H012635A JP 7833588 A JP7833588 A JP 7833588A JP H012635 A JPH012635 A JP H012635A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
関連出願との関係
この出願は、係属中の米国特許出願通し番号第033.
326号、第033.293号、第033.423号、
第033.329号及び第033゜330号と関連をa
する。
326号、第033.293号、第033.423号、
第033.329号及び第033゜330号と関連をa
する。
発明の背景
この発明は多陵形極低温冷却器と磁気共鳴作像用極低温
槽を相互接続する為の直接接触熱界面装置に関する。
槽を相互接続する為の直接接触熱界面装置に関する。
普通の磁気共鳴作像用極低温槽は、ヘリウム容器を取巻
く2つの熱放射遮蔽体を使うのが典型的であり、ヘリウ
ム容器の中に超導電磁石が入っていて、ヘリウム容器の
極低温槽の外部からの熱の漏れを最小限に抑えている。
く2つの熱放射遮蔽体を使うのが典型的であり、ヘリウ
ム容器の中に超導電磁石が入っていて、ヘリウム容器の
極低温槽の外部からの熱の漏れを最小限に抑えている。
2つの遮蔽体の内の外側の方が液体窒素の貯蔵容器であ
り、従ってこの遮蔽体の温度が約80’Kに保たれる。
り、従ってこの遮蔽体の温度が約80’Kに保たれる。
内側の遮蔽体が冷却用に浦抜きヘリウム・ガスを使い、
40’にで動作する。
40’にで動作する。
極低温冷却器を極低温槽内の熱遮蔽体に接続する為に主
に2つの取付は方法が使われている。その1番目は、極
低温冷却器と放射遮蔽体の間の界面抵抗を少なくする為
に、ヘリウム・ガス界面の熱伝導度に頼っている。この
形式では、ヘリウム容器の中に垂直に人込み、極低温冷
却器の低温ヘッドを層状のヘリウム・ガス柱の中に吊す
。その後、極低温冷却器のヒート・ステーションを遮蔽
体に取付けたリングで作る。ヒート・ステーションと遮
蔽体のリングの間に捕捉されたヘリウム・ガスの薄膜が
熱伝導通路を作る為に、界面抵抗が最小限に抑えられる
。
に2つの取付は方法が使われている。その1番目は、極
低温冷却器と放射遮蔽体の間の界面抵抗を少なくする為
に、ヘリウム・ガス界面の熱伝導度に頼っている。この
形式では、ヘリウム容器の中に垂直に人込み、極低温冷
却器の低温ヘッドを層状のヘリウム・ガス柱の中に吊す
。その後、極低温冷却器のヒート・ステーションを遮蔽
体に取付けたリングで作る。ヒート・ステーションと遮
蔽体のリングの間に捕捉されたヘリウム・ガスの薄膜が
熱伝導通路を作る為に、界面抵抗が最小限に抑えられる
。
この方式は垂直取付は形式を必要とし、この為極低温冷
却器の位置ぎめに1III等融通性がない。更に、ヘリ
ウム容器に入込むことを必要とするので、かなり112
雑になると共に、入込む時の幾つかの真空密な封じを保
証しなければならない。更に、ヘリウム容器の中に入込
むことにより、熱−音響撮動や、ヘリウム柱体を介して
の固体伝導の様に、ヘリウム容器への熱の漏れのメカニ
ズム及び源を導入する惧れがある。最後に、周囲とヘリ
ウム容器との間が直接連通ずる惧れがある為、極低温冷
却器を修理しなければならない時、磁石のクエンチング
を招く様な大規模な熱の漏れが起る惧れが大きい。
却器の位置ぎめに1III等融通性がない。更に、ヘリ
ウム容器に入込むことを必要とするので、かなり112
雑になると共に、入込む時の幾つかの真空密な封じを保
証しなければならない。更に、ヘリウム容器の中に入込
むことにより、熱−音響撮動や、ヘリウム柱体を介して
の固体伝導の様に、ヘリウム容器への熱の漏れのメカニ
ズム及び源を導入する惧れがある。最後に、周囲とヘリ
ウム容器との間が直接連通ずる惧れがある為、極低温冷
却器を修理しなければならない時、磁石のクエンチング
を招く様な大規模な熱の漏れが起る惧れが大きい。
2番口の方法は、界面抵抗を最小限に抑える為に、固体
の2つの合さる部材の間の接触圧力に軸っている。この
形式では、極低温冷却器を真空に引いた井戸の中に吊す
。放射遮蔽体はこめ井戸をヒート・ステーションとし、
極低温冷却器及び極低温槽の間に適切な界面圧力を加え
る手段を必要とする。この方式は、極低温冷却器を修理
するのが容しになるとJljに、それを完全に取替える
自由がある。然し、界面圧力を必要とする結果、この界
面にかなりの;(aさ及びコストが掛かり、或いは界面
の熱的な性能にかなりの犠牲を伴う。
の2つの合さる部材の間の接触圧力に軸っている。この
形式では、極低温冷却器を真空に引いた井戸の中に吊す
。放射遮蔽体はこめ井戸をヒート・ステーションとし、
極低温冷却器及び極低温槽の間に適切な界面圧力を加え
る手段を必要とする。この方式は、極低温冷却器を修理
するのが容しになるとJljに、それを完全に取替える
自由がある。然し、界面圧力を必要とする結果、この界
面にかなりの;(aさ及びコストが掛かり、或いは界面
の熱的な性能にかなりの犠牲を伴う。
この発明の目的は、磁気共鳴作像用極低温槽と極低温冷
却器の間に熱効果の大きいコストの安い界面を提供する
ことである。
却器の間に熱効果の大きいコストの安い界面を提供する
ことである。
この発明の別の目的は、極低温槽の真空を破壊せずに、
極低温冷却器を手入れすることが出来る様な界面を提供
することである。
極低温冷却器を手入れすることが出来る様な界面を提供
することである。
発明の要約
この発明の一面では、開口を限定しである極低温槽の真
空容器を何する磁気共鳴用極低温槽を提供する。真空容
器の内側には放射遮蔽体がある。
空容器を何する磁気共鳴用極低温槽を提供する。真空容
器の内側には放射遮蔽体がある。
ヒートφステージジンを持つと共にハウジングを有する
極低温冷却器低温端部のハウジングが極低温槽の真空容
器の開口を通り、それに対して気密に固定されている。
極低温冷却器低温端部のハウジングが極低温槽の真空容
器の開口を通り、それに対して気密に固定されている。
ハウジングが真空容器の一部分を形成する。極低温冷却
器低温端部のハウジングの段が放射遮蔽体に直結である
。極低温槽の真空を破地せずに、手入れの為に極低温冷
却器の内部部品を取出すことが出来る。
器低温端部のハウジングの段が放射遮蔽体に直結である
。極低温槽の真空を破地せずに、手入れの為に極低温冷
却器の内部部品を取出すことが出来る。
この発明の要旨は特許請求の範囲に具体的に且つ明確に
記載しであるが、この発明の1]的及び利点は、以下図
面について好ましい実施例を説明する所から、更によく
理解されよう。
記載しであるが、この発明の1]的及び利点は、以下図
面について好ましい実施例を説明する所から、更によく
理解されよう。
発明の詳細な説明
図面全体にわたって、同様な部分には同じ参照数字を用
いているが、第1図及び第2図に磁気共鳴用極低温1−
j 11か示されている。密閉された軸方向の中孔15
をtjfつ外側の閉じた円筒形の2′J空容器13か、
80 Kの閉じた円筒形の熱遮蔽体17を取巻いている
。20 Kの閉じた円筒形の熱遮蔽体21及び磁(tを
収めた閉じた円筒形のヘリウム容器23が80 K遮蔽
体の内側に巣ごもりになっている。80に遮蔽体、20
に遮蔽体及びヘリウム容器はri’;Iれちその中を通
る密閉された軸方向の中孔を持っている。80K及び2
0I<遮蔽体は何れもアルミニウムの様な非磁性の熱伝
導材料で作られていて、夫々第3図及び第4図に全体が
示されている。遮蔽体の円形端面がボルト27によって
アルミニウム・リング25に固定され、このリングが、
第3図及び第4図に示す様に、円筒形遮蔽体の端に溶接
されている。ヘリウム容器23はアルミニウムの様な非
磁性の熱伝導祠料で作られていて、第5図に全体が示さ
れている。へりラム容器の円形端面か円筒−にの所定位
置に溶接される。強磁性遮蔽体としても作用する真空容
器13か圧延軟鋼板で作られており、軸方向の中孔部分
15が非磁性のステンレス鋼で((14成されている。
いているが、第1図及び第2図に磁気共鳴用極低温1−
j 11か示されている。密閉された軸方向の中孔15
をtjfつ外側の閉じた円筒形の2′J空容器13か、
80 Kの閉じた円筒形の熱遮蔽体17を取巻いている
。20 Kの閉じた円筒形の熱遮蔽体21及び磁(tを
収めた閉じた円筒形のヘリウム容器23が80 K遮蔽
体の内側に巣ごもりになっている。80に遮蔽体、20
に遮蔽体及びヘリウム容器はri’;Iれちその中を通
る密閉された軸方向の中孔を持っている。80K及び2
0I<遮蔽体は何れもアルミニウムの様な非磁性の熱伝
導材料で作られていて、夫々第3図及び第4図に全体が
示されている。遮蔽体の円形端面がボルト27によって
アルミニウム・リング25に固定され、このリングが、
第3図及び第4図に示す様に、円筒形遮蔽体の端に溶接
されている。ヘリウム容器23はアルミニウムの様な非
磁性の熱伝導祠料で作られていて、第5図に全体が示さ
れている。へりラム容器の円形端面か円筒−にの所定位
置に溶接される。強磁性遮蔽体としても作用する真空容
器13か圧延軟鋼板で作られており、軸方向の中孔部分
15が非磁性のステンレス鋼で((14成されている。
圧延軟鋼阪の代りにインゴット鉄を使ってもよい。
真空容器の圧延鋼板の端面がステンレス鋼の中孔15及
び圧延鋼板の円筒形の殻体の所定位置に溶接される。強
磁性遮蔽体の鋼の全ての溶着部は真空漏れがない様にし
なければならない。遮蔽体の内面は、真空中での脱ガス
を少なくする為に、防Q+’i剤で処理する。脱ガスを
少なくするのに釘効な防錆剤の被覆は、シールド・エア
ー・コーポレーションから入トし得るボンドR1123
5及びコンテツクである。この代りに、遮蔽しない実施
例では、真空容器全体を非磁性のステンレス鋼で製造す
ることが出来る。
び圧延鋼板の円筒形の殻体の所定位置に溶接される。強
磁性遮蔽体の鋼の全ての溶着部は真空漏れがない様にし
なければならない。遮蔽体の内面は、真空中での脱ガス
を少なくする為に、防Q+’i剤で処理する。脱ガスを
少なくするのに釘効な防錆剤の被覆は、シールド・エア
ー・コーポレーションから入トし得るボンドR1123
5及びコンテツクである。この代りに、遮蔽しない実施
例では、真空容器全体を非磁性のステンレス鋼で製造す
ることが出来る。
次に第2図、第6図、第7図及び第9図について、極低
111!槽の内側にあるヘリウム容器の半径方向支持装
置を説明する。ヘリウム容器23が8本の繊維補強プラ
スチック曵合体の支持ストラップ31により、真空容器
13内で半径方向に支持される。4つのストラップがヘ
リウム容器23の夫々の円形面にある。エポキシ・7ト
リクス中の繊維の容積割合を60%にした一方向繊維を
主力とする19合体を選択することにより、繊維補強プ
ラスチック;(合体のストラップに要求される熱的な性
能及び疲労寿命の性能を達成する。繊維は強い強度と大
きい弾性率、及び極低温に於ける低い熱伝導度を持つべ
きである。この用途にとって適切な繊維H科は、アルミ
ナ、黒鉛、炭化シリコーン及びS−硝r・である。好ま
しい実施例のストラップは、カリフォルニア州のストラ
クチュラル修コンボジッツ・インダストリーズ社から人
手し得るSCI−REZ−081哨子エポキシ祠料を含
浸したS−2繊維硝子の細長いループとして形成されて
いる。ヘリウム8器の夫々の端にある4本のストラップ
31は同じ平面内にあって、円筒形の真空容器13の円
形端面と牢行である。ヘリウム容器の夫々の端にあるス
トラップは、外側真空容器の中間1′、面に対して対称
的に配置されている。
111!槽の内側にあるヘリウム容器の半径方向支持装
置を説明する。ヘリウム容器23が8本の繊維補強プラ
スチック曵合体の支持ストラップ31により、真空容器
13内で半径方向に支持される。4つのストラップがヘ
リウム容器23の夫々の円形面にある。エポキシ・7ト
リクス中の繊維の容積割合を60%にした一方向繊維を
主力とする19合体を選択することにより、繊維補強プ
ラスチック;(合体のストラップに要求される熱的な性
能及び疲労寿命の性能を達成する。繊維は強い強度と大
きい弾性率、及び極低温に於ける低い熱伝導度を持つべ
きである。この用途にとって適切な繊維H科は、アルミ
ナ、黒鉛、炭化シリコーン及びS−硝r・である。好ま
しい実施例のストラップは、カリフォルニア州のストラ
クチュラル修コンボジッツ・インダストリーズ社から人
手し得るSCI−REZ−081哨子エポキシ祠料を含
浸したS−2繊維硝子の細長いループとして形成されて
いる。ヘリウム8器の夫々の端にある4本のストラップ
31は同じ平面内にあって、円筒形の真空容器13の円
形端面と牢行である。ヘリウム容器の夫々の端にあるス
トラップは、外側真空容器の中間1′、面に対して対称
的に配置されている。
各々のストラップが、Uリンク35に保t、+7された
ピン33から伸びる。Uリンク35かねじ棒41によっ
て、ヘリウム容器21の而に溶接されたブロック37に
固定される。ねじ棒41の1端がUリンク35に螺合し
、他端がブロック37内の開口を通って、ナツト43及
びロックナツトによって固定される。ストラップ31の
他端が、真空容器13内の凹部に口く着された球形支持
体45の」二を通る。この球形支tjt体が旋回して、
ストラップを11・、しく整合させ、こうして製造部品
の変動を補償する。この市しい整合により、ストラップ
がその幅にわたって一様に支持されることが保証され、
こうして最大の疲労寿命がjl;られる。Uリンク、ね
じ棒及び球形支tI1体は、非磁性H科、好ましくはス
テンレス鋼で製造される。ブロック37は非磁性材料、
好ましくアルミニウムで製造される。
ピン33から伸びる。Uリンク35かねじ棒41によっ
て、ヘリウム容器21の而に溶接されたブロック37に
固定される。ねじ棒41の1端がUリンク35に螺合し
、他端がブロック37内の開口を通って、ナツト43及
びロックナツトによって固定される。ストラップ31の
他端が、真空容器13内の凹部に口く着された球形支持
体45の」二を通る。この球形支tjt体が旋回して、
ストラップを11・、しく整合させ、こうして製造部品
の変動を補償する。この市しい整合により、ストラップ
がその幅にわたって一様に支持されることが保証され、
こうして最大の疲労寿命がjl;られる。Uリンク、ね
じ棒及び球形支tI1体は、非磁性H科、好ましくはス
テンレス鋼で製造される。ブロック37は非磁性材料、
好ましくアルミニウムで製造される。
軟鋼のカバー47か真空容器の開口に溶接され、真空状
態を保持する。ヘリウム容2−の呂々の端にある4本の
ストラップ31の夫々か、水弔甲面と45°の角度を成
す。ヘリウム容2−の円形の谷々の端で、2本のストラ
ップがヘリウム容器の頂部の近くに係止され、2本が底
部の近くで係止される。頂部のストラップは水゛ト弔面
より45″の角度たけド方に伸び、底部のストラップは
水平平面より1一方に45°の角度で伸びる。ヘリウム
容器の一力の而にある1本の底部のストラップ及び1本
の頂部ストラップが真空容器を水平中IB目り面の近く
で通りぬけ、ヘリウム容器の一方の而にある他力の頂部
のストラップ及び他ノjの底部のストラップが反対側で
水平平面の近くて真空容器を通りぬける。どのストラッ
プも交差しない。ストラップ31が20 K及び80K
g蔽体の開口をも通る。
態を保持する。ヘリウム容2−の呂々の端にある4本の
ストラップ31の夫々か、水弔甲面と45°の角度を成
す。ヘリウム容2−の円形の谷々の端で、2本のストラ
ップがヘリウム容器の頂部の近くに係止され、2本が底
部の近くで係止される。頂部のストラップは水゛ト弔面
より45″の角度たけド方に伸び、底部のストラップは
水平平面より1一方に45°の角度で伸びる。ヘリウム
容器の一力の而にある1本の底部のストラップ及び1本
の頂部ストラップが真空容器を水平中IB目り面の近く
で通りぬけ、ヘリウム容器の一方の而にある他力の頂部
のストラップ及び他ノjの底部のストラップが反対側で
水平平面の近くて真空容器を通りぬける。どのストラッ
プも交差しない。ストラップ31が20 K及び80K
g蔽体の開口をも通る。
ストラップ31は何れも編んだ銅ケーブル51゜53に
よって夫々20 K及びlll0K遮蔽体をヒート・ス
テーションとし、室温を持つ真空容器13から伝わる伝
4による熱を遮る。ヒート・ステーション作用をするス
トラップ51..53を持つ1つの支持ストラップ31
が第8図に示されている。
よって夫々20 K及びlll0K遮蔽体をヒート・ス
テーションとし、室温を持つ真空容器13から伝わる伝
4による熱を遮る。ヒート・ステーション作用をするス
トラップ51..53を持つ1つの支持ストラップ31
が第8図に示されている。
ヒート・ステーション作用をするストラップ51゜53
が、ストラップ31の長さに沿った場所で、伝熱性エポ
キシにより、1夏合体ストラップ31のループの両側に
固定される。ストラップ51.53は、編組の孔を通る
リベットにより、遮蔽体に固定される。ブロック37に
設けられたナツト43の調節により、ストラップの張力
が変わる。半径方向支持体が対称的に配置されることに
より、外側真空容器が小さな温度痩化を受けた時、ヘリ
ウム容:;=の軸方向中心線が外側真空容器の軸方向中
心線に対して動かないことが保証される。外側真空容器
がヘリウム容器内の磁石に対する自己遮蔽作用を行ない
、作像に必要な磁石の中孔に於け・る−様な磁界の均質
性を保とうとすれば、2つの □中心線の間の相対運
動を許すことが出来ないから、これは重要なことである
。
が、ストラップ31の長さに沿った場所で、伝熱性エポ
キシにより、1夏合体ストラップ31のループの両側に
固定される。ストラップ51.53は、編組の孔を通る
リベットにより、遮蔽体に固定される。ブロック37に
設けられたナツト43の調節により、ストラップの張力
が変わる。半径方向支持体が対称的に配置されることに
より、外側真空容器が小さな温度痩化を受けた時、ヘリ
ウム容:;=の軸方向中心線が外側真空容器の軸方向中
心線に対して動かないことが保証される。外側真空容器
がヘリウム容器内の磁石に対する自己遮蔽作用を行ない
、作像に必要な磁石の中孔に於け・る−様な磁界の均質
性を保とうとすれば、2つの □中心線の間の相対運
動を許すことが出来ないから、これは重要なことである
。
次に第6図、第7図及び第10図を参照して、極に温槽
内のヘリウム容器23の軸方向支持装置を説明する。ヘ
リウム容器23が真空容器13から、4本の複合ストラ
ップ55によって軸方向に支1jiされる。ストラップ
55は、ヘリウム容器を半径方向に支持する場合と同じ
材料の細長いループとじて形成されるが、半分の幅であ
る。ストラップ55が、円筒形ヘリウム容器の中心を通
る水平平面に沿って伸びる。4本のストラップ55の各
々の1端がピン57によって支持され、ストラップ55
がその周りを通る。ピンがUリンク61に保持されてお
り、このUリンクがねじ棒63に固定されている。2本
のストラップに対するねじ棒が、真空容器の一方の円形
面を通り、ナツト65及び図面に示してないロックナツ
トがねじ棒63に螺合し、張力を調節する。残り2本の
ストラップに対するねじ棒が真空容器の反対側の円形面
を通り、同様に固定されている。ストラップ55は、ヘ
リウム容器から半径方向に伸びる、キャップ形フランジ
つきの4つのトラニオン67の内の1つに、各々のスト
ラップの他端をループ状に通すことによって、ヘリウム
容器に接続される。トラニオン67は、円筒の中心を通
る水平下面上にあり、円筒の中心平面の両側にある2つ
のトラニオンが、軸方向に対称的に配置されている。中
心平面の人々の側に於けるトラニオンの軸方向の位置は
、ストラップを取付けた後、ヘリウム容器の熱収縮によ
ってストラップに加えようとする予備荷重の大きさによ
って決定される。トラニオンが中心線から離れ〜ば離れ
る程、円筒の中心に向う収縮が一層大きくなる。支持ス
トラップ55が29 K及び80に遮蔽体の開口を通り
、夫々編んだ銅ケーブル71.73によって20K及び
80 K遮蔽体をヒート・ステーションとしている。ス
トラップ71.73が、ストラップの長さに沿った場所
で、112合体ストラップ55のループの両側に取付け
られる。第11図には、ヒート・ステーション作用をす
るストラップ71.73を持つ軸方向支持ストラップ5
5が示されている。ヒート・ステーション作用をするス
トラップがリベットによって遮蔽体に固定される。Uリ
ンク61及びトラニオン67を用いた接続により、スト
ラップ55が回転出来る様にし、これによって製造時の
変動を補償する。
内のヘリウム容器23の軸方向支持装置を説明する。ヘ
リウム容器23が真空容器13から、4本の複合ストラ
ップ55によって軸方向に支1jiされる。ストラップ
55は、ヘリウム容器を半径方向に支持する場合と同じ
材料の細長いループとじて形成されるが、半分の幅であ
る。ストラップ55が、円筒形ヘリウム容器の中心を通
る水平平面に沿って伸びる。4本のストラップ55の各
々の1端がピン57によって支持され、ストラップ55
がその周りを通る。ピンがUリンク61に保持されてお
り、このUリンクがねじ棒63に固定されている。2本
のストラップに対するねじ棒が、真空容器の一方の円形
面を通り、ナツト65及び図面に示してないロックナツ
トがねじ棒63に螺合し、張力を調節する。残り2本の
ストラップに対するねじ棒が真空容器の反対側の円形面
を通り、同様に固定されている。ストラップ55は、ヘ
リウム容器から半径方向に伸びる、キャップ形フランジ
つきの4つのトラニオン67の内の1つに、各々のスト
ラップの他端をループ状に通すことによって、ヘリウム
容器に接続される。トラニオン67は、円筒の中心を通
る水平下面上にあり、円筒の中心平面の両側にある2つ
のトラニオンが、軸方向に対称的に配置されている。中
心平面の人々の側に於けるトラニオンの軸方向の位置は
、ストラップを取付けた後、ヘリウム容器の熱収縮によ
ってストラップに加えようとする予備荷重の大きさによ
って決定される。トラニオンが中心線から離れ〜ば離れ
る程、円筒の中心に向う収縮が一層大きくなる。支持ス
トラップ55が29 K及び80に遮蔽体の開口を通り
、夫々編んだ銅ケーブル71.73によって20K及び
80 K遮蔽体をヒート・ステーションとしている。ス
トラップ71.73が、ストラップの長さに沿った場所
で、112合体ストラップ55のループの両側に取付け
られる。第11図には、ヒート・ステーション作用をす
るストラップ71.73を持つ軸方向支持ストラップ5
5が示されている。ヒート・ステーション作用をするス
トラップがリベットによって遮蔽体に固定される。Uリ
ンク61及びトラニオン67を用いた接続により、スト
ラップ55が回転出来る様にし、これによって製造時の
変動を補償する。
80に遮蔽体17は管状支柱75により、ヘリウム容器
23から゛16径方向に支持される。支柱75は圧縮状
態にあって、ヘリウム容器の各々の円形面にの3個所で
、ヘリウム容器に溶接されたアルミニウム・ブロック7
4に固定されている。支柱は各々の端に内ねじをtlj
ち、それからねじ棒が伸びている。1本の支柱が各々の
面のに面から垂直ノJ゛向に伸び、20 IC遮蔽体を
通りgoK遮蔽体に固定されている。他の2本の支柱7
5が、互いに並びに垂直の支柱から等間隔で、ヘリウム
容器の各々の而に取付けられていて、20Ki蔽体を通
り、80に遮蔽体に固定される。2本の支柱が水(1′
、に対して人体45°の角度をなし、遮蔽体の中心を通
る水平b 固定される。各々の支柱75が編んだケーブル76によ
って20Kfi蔽体をヒート・ステーションとする。8
0に遮蔽体が、第7図に示す様に、容器の1端にたけ配
置された2木の支柱77により、軸方向に支持される。
23から゛16径方向に支持される。支柱75は圧縮状
態にあって、ヘリウム容器の各々の円形面にの3個所で
、ヘリウム容器に溶接されたアルミニウム・ブロック7
4に固定されている。支柱は各々の端に内ねじをtlj
ち、それからねじ棒が伸びている。1本の支柱が各々の
面のに面から垂直ノJ゛向に伸び、20 IC遮蔽体を
通りgoK遮蔽体に固定されている。他の2本の支柱7
5が、互いに並びに垂直の支柱から等間隔で、ヘリウム
容器の各々の而に取付けられていて、20Ki蔽体を通
り、80に遮蔽体に固定される。2本の支柱が水(1′
、に対して人体45°の角度をなし、遮蔽体の中心を通
る水平b 固定される。各々の支柱75が編んだケーブル76によ
って20Kfi蔽体をヒート・ステーションとする。8
0に遮蔽体が、第7図に示す様に、容器の1端にたけ配
置された2木の支柱77により、軸方向に支持される。
この支柱がヘリウム容器の円形面にねじ棒によって固定
され、20 K遮蔽体を通り、支柱77の端から伸びる
ねじ棒に螺合する2個のナツトにより、軸方向支持カバ
ー78に固定される。支(177は編んだケーブル79
により、20KM蔽体をヒート・ステーションとする。
され、20 K遮蔽体を通り、支柱77の端から伸びる
ねじ棒に螺合する2個のナツトにより、軸方向支持カバ
ー78に固定される。支(177は編んだケーブル79
により、20KM蔽体をヒート・ステーションとする。
全ての支柱75.77は熱伝導戊の小さい非磁性+」科
で(1モ成され、両端に内ねしをtjjつ肉厚の薄いG
−10CR哨了−繊維管であることが好ましい。
で(1モ成され、両端に内ねしをtjjつ肉厚の薄いG
−10CR哨了−繊維管であることが好ましい。
第7図について説明すると、20に遮蔽体21か6本の
非磁性支持体によって80I<遮蔽体17から支持され
る。これらの支持体は熱伝導度か小さく、1−ドに取付
は孔を持つ0/90哨r工ポキシ積層体の010鐵維硝
T−11Q80で(&成されることが好ましい。各々の
板か、20に遮蔽体の円形面から伸びるアルミニウム・
ブロック81にナツトとボルトによって固定される。板
の他j:iaが80に遮蔽体の内側にあるスペーサ・ブ
ロック83内に固定される。ブロック81.83は、板
80が遮蔽体の円形面と・1胃〒に伸びる様に保証する
。各々の端にある3つの仮80が円周ツノ向に互いに等
間隔てあって、1つの沢が80に、4蔽体の底から第7
図に示す20に遮蔽体の底まで垂直に伸びる。
非磁性支持体によって80I<遮蔽体17から支持され
る。これらの支持体は熱伝導度か小さく、1−ドに取付
は孔を持つ0/90哨r工ポキシ積層体の010鐵維硝
T−11Q80で(&成されることが好ましい。各々の
板か、20に遮蔽体の円形面から伸びるアルミニウム・
ブロック81にナツトとボルトによって固定される。板
の他j:iaが80に遮蔽体の内側にあるスペーサ・ブ
ロック83内に固定される。ブロック81.83は、板
80が遮蔽体の円形面と・1胃〒に伸びる様に保証する
。各々の端にある3つの仮80が円周ツノ向に互いに等
間隔てあって、1つの沢が80に、4蔽体の底から第7
図に示す20に遮蔽体の底まで垂直に伸びる。
ボルト孔の間で潤った板の半径方向の長さは、冷却した
時のアルミニウムの20K及び5oKs蔽体の相対的な
収縮を埋合せて、仮に対する応力を減少する様に調節さ
れる。仮は輔ノj向の支持作用を持つ位に厚手である。
時のアルミニウムの20K及び5oKs蔽体の相対的な
収縮を埋合せて、仮に対する応力を減少する様に調節さ
れる。仮は輔ノj向の支持作用を持つ位に厚手である。
ストラップ31.55及び支柱75に対する各々のねじ
取付は個所には、2つの部祠からなる整合外れワッシャ
38が使われている。これらのワッシャは非磁性材料、
好ましくはステンレス鋼で製造され、製造部品の変動に
よる整合外れを補償する。こういうワッシャは、ストラ
ップ及び支柱が正しく整合して取付けられる様に保証し
、こうして組立て時に支持体に損傷を招く惧れのある荷
車が加わらない)、′Qにする。ワッシャは5°まで回
転することが出来る。
取付は個所には、2つの部祠からなる整合外れワッシャ
38が使われている。これらのワッシャは非磁性材料、
好ましくはステンレス鋼で製造され、製造部品の変動に
よる整合外れを補償する。こういうワッシャは、ストラ
ップ及び支柱が正しく整合して取付けられる様に保証し
、こうして組立て時に支持体に損傷を招く惧れのある荷
車が加わらない)、′Qにする。ワッシャは5°まで回
転することが出来る。
1u合体の支1jfストラップ31,55及び支柱75
.77のヒート・ステーションを設けたことにより、!
(合体ストラップ及び支柱に沿った温度分イIIを変え
ることが出来る。ストラップ及び支柱の熱伝導疫が、−
層低い温度では一層小さくなり、ス!・ラップ及び支柱
の一部分のヒート・ステーション作用によって、−層低
い温度では、他の場合よりも一層長い、ストラップの長
さにわたって8戊を一層低くするから、ストラップ及び
支柱を介して伝導する熱が減少する。熱を遮り、それを
遮蔽体に方向転換することにより、ヘリウム容器に対す
る熱伝導を史に減少する。
.77のヒート・ステーションを設けたことにより、!
(合体ストラップ及び支柱に沿った温度分イIIを変え
ることが出来る。ストラップ及び支柱の熱伝導疫が、−
層低い温度では一層小さくなり、ス!・ラップ及び支柱
の一部分のヒート・ステーション作用によって、−層低
い温度では、他の場合よりも一層長い、ストラップの長
さにわたって8戊を一層低くするから、ストラップ及び
支柱を介して伝導する熱が減少する。熱を遮り、それを
遮蔽体に方向転換することにより、ヘリウム容器に対す
る熱伝導を史に減少する。
第12図に超導電磁石85がヘリウム容器内にある状態
が示されている。真空容器の外側に設けられる、第1図
に示した充填管87を介して、ヘリウム容器に途中まで
液体ヘリウムを充填する。
が示されている。真空容器の外側に設けられる、第1図
に示した充填管87を介して、ヘリウム容器に途中まで
液体ヘリウムを充填する。
充填ボート86が充填管87に結合され、この管が80
1(遮蔽体、20 K遮蔽体を通り、第3図、第4図及
び第5図に示す様に、ヘリウム容器の下側部分に入込む
。第12図について説明すると、超導電ワイヤの巻線9
1が非磁性の円筒形コイル巻’C293の外側の周りに
直接に張力を加えて巻装されている。この巻型には別々
の主コイルを受入れる溝が加工されている。第12図に
は、6個の別々の主コイルが示されている。巻型は繊維
硝子で製造することか好ましい。設けるコイルの数は、
磁石の中孔に希望する所定の作像容積にわたる磁界の一
様性によって変わる。磁界の一様性を一層高くしようと
すれば、−層多くのコイルが必要である。鋳物又は鍛造
品を変更するのに比べて、繊維硝子の巻型に溝を加工す
るのは簡単である為、コイルの数を増やすことによって
、磁石の中孔に於ける磁石の磁界の一様性を容易に改連
することが出来、しかも製造コストの増加は極く僅かで
ある。
1(遮蔽体、20 K遮蔽体を通り、第3図、第4図及
び第5図に示す様に、ヘリウム容器の下側部分に入込む
。第12図について説明すると、超導電ワイヤの巻線9
1が非磁性の円筒形コイル巻’C293の外側の周りに
直接に張力を加えて巻装されている。この巻型には別々
の主コイルを受入れる溝が加工されている。第12図に
は、6個の別々の主コイルが示されている。巻型は繊維
硝子で製造することか好ましい。設けるコイルの数は、
磁石の中孔に希望する所定の作像容積にわたる磁界の一
様性によって変わる。磁界の一様性を一層高くしようと
すれば、−層多くのコイルが必要である。鋳物又は鍛造
品を変更するのに比べて、繊維硝子の巻型に溝を加工す
るのは簡単である為、コイルの数を増やすことによって
、磁石の中孔に於ける磁石の磁界の一様性を容易に改連
することが出来、しかも製造コストの増加は極く僅かで
ある。
主コイルは巻型の1端から他端まで逐次的に巻装するこ
とが好ましく、コイルを直列に接続するが、更に曳雑な
巻装順序も容易に用いることが出来る。第12図乃至第
15図について説明すると、円周方向の満は、厚さ0.
005乃至0.010吋のポリテトラフルオロエチレン
(PTFE)テープ95の様な減摩材料の薄膜で内張す
され、超導電ワイヤの巻線91とコイル巻型の間に摩擦
の小さい界面を作る。この代りに、コイル巻型の表面に
PTFE又は2硫化モリブデン彼覆を適用して、超導電
ワイヤと接触させてもよい。
とが好ましく、コイルを直列に接続するが、更に曳雑な
巻装順序も容易に用いることが出来る。第12図乃至第
15図について説明すると、円周方向の満は、厚さ0.
005乃至0.010吋のポリテトラフルオロエチレン
(PTFE)テープ95の様な減摩材料の薄膜で内張す
され、超導電ワイヤの巻線91とコイル巻型の間に摩擦
の小さい界面を作る。この代りに、コイル巻型の表面に
PTFE又は2硫化モリブデン彼覆を適用して、超導電
ワイヤと接触させてもよい。
超導電ワイヤは、典型的には矩形断面を持つ裸線であっ
て、銅のマトリクスに超導電体のフィラメントを埋設し
たもので構成することが出来る。
て、銅のマトリクスに超導電体のフィラメントを埋設し
たもので構成することが出来る。
超導電ワイヤは、ノメツクスのレース巻テープ95の様
な耐熱性の芳香族ポリアミド繊維のレース巻テープを約
50%を覆う様に、螺旋形に巻付けることによって電気
絶縁する。この時、ワイヤの表面の半分が、磁石の動作
中、液体ヘリウムと接触し、核発生プールの沸騰によっ
て冷却される。
な耐熱性の芳香族ポリアミド繊維のレース巻テープを約
50%を覆う様に、螺旋形に巻付けることによって電気
絶縁する。この時、ワイヤの表面の半分が、磁石の動作
中、液体ヘリウムと接触し、核発生プールの沸騰によっ
て冷却される。
超導電体の安定性は、ワイヤの動きによる摩擦発熱があ
った場合、超専電体のフィラメントから鋼のマトリクス
へ電流が移る時の液体ヘリウムへの熱散逸によって決定
される 磁石を付勢する時、各々のコイルに対する電磁的な負荷
により、半径方向外向きの力が加わり、これと共にコイ
ルを磁石の中心平面へ引き付ける軸方向の力が働く。コ
イルの軸方向の力が、円周方向の溝の后によって支えら
れる。半径方向の力は、超導電ワイヤのフープ張力と、
大部分はステンレス鋼のワイヤの重ね巻97によって部
分的に支えられる。ワイヤの重ね巻は、絶縁耐力の大き
い材料の薄いシート101により、コイルの外面から隔
てられている。この材料は、液体ヘリウム温度でもその
性質を保っている。誘電体材料としては、繊維硝子のシ
ート又は積層プラスチックを使うことが出来る。シート
101は、このシートを所定位置に配置する前に、コイ
ルの方を向く面に軸方向の溝103が加工される。シー
トは円周方向に2個又は3個の部材として適用すること
が出来る。前と同じく、超導電ワイヤ91と接触するシ
ート101の面にPTFEの内張り105を使う。シー
ト101は半径方向に伸びるスペーサ107により、コ
イルの溝の壁から軸方向に隔てられる。スペーサが、隣
合ったスペーサの間にシート101の軸方向の溝に対す
る通気通路を作る。
った場合、超専電体のフィラメントから鋼のマトリクス
へ電流が移る時の液体ヘリウムへの熱散逸によって決定
される 磁石を付勢する時、各々のコイルに対する電磁的な負荷
により、半径方向外向きの力が加わり、これと共にコイ
ルを磁石の中心平面へ引き付ける軸方向の力が働く。コ
イルの軸方向の力が、円周方向の溝の后によって支えら
れる。半径方向の力は、超導電ワイヤのフープ張力と、
大部分はステンレス鋼のワイヤの重ね巻97によって部
分的に支えられる。ワイヤの重ね巻は、絶縁耐力の大き
い材料の薄いシート101により、コイルの外面から隔
てられている。この材料は、液体ヘリウム温度でもその
性質を保っている。誘電体材料としては、繊維硝子のシ
ート又は積層プラスチックを使うことが出来る。シート
101は、このシートを所定位置に配置する前に、コイ
ルの方を向く面に軸方向の溝103が加工される。シー
トは円周方向に2個又は3個の部材として適用すること
が出来る。前と同じく、超導電ワイヤ91と接触するシ
ート101の面にPTFEの内張り105を使う。シー
ト101は半径方向に伸びるスペーサ107により、コ
イルの溝の壁から軸方向に隔てられる。スペーサが、隣
合ったスペーサの間にシート101の軸方向の溝に対す
る通気通路を作る。
スペーサ107は繊維硝子材料で構成される。シー)1
07にある軸方向の溝が、磁石のクエンチングがあった
場合、コイルの内側から隣合ったスペーサの間の通気通
路へ、ヘリウム蒸気を逃がす。
07にある軸方向の溝が、磁石のクエンチングがあった
場合、コイルの内側から隣合ったスペーサの間の通気通
路へ、ヘリウム蒸気を逃がす。
重ね巻97は、超導電ワイヤ91を豐通の動作中に支持
する為だけでなく、磁石のクエンチング状態の際、過渡
的な発熱の結果として、超導電体のターンが座屈して互
いに乗り上げない様に拘束する為にも、張力を加えて巻
装される。例えば、0.5Tの磁石で、コイル巻型の内
径が46.5吋、外径が50 1/8吋である時、超導
電体の巻線は30ポンドの張力で巻装し、これに対して
市ね巻は40ポンドの張力で巻装する。
する為だけでなく、磁石のクエンチング状態の際、過渡
的な発熱の結果として、超導電体のターンが座屈して互
いに乗り上げない様に拘束する為にも、張力を加えて巻
装される。例えば、0.5Tの磁石で、コイル巻型の内
径が46.5吋、外径が50 1/8吋である時、超導
電体の巻線は30ポンドの張力で巻装し、これに対して
市ね巻は40ポンドの張力で巻装する。
繊維硝子の巻型93は弾性率が超導電体91及び重ね巻
97に比べて小さいので、超導電体及び重ね巻に十分な
張力を加えて、電磁的な負荷が加わった時、コイルが巻
型から離れるのを防止することが出来る。更に、繊維硝
子の巻型は、巻型の繊維を巻装する方向を制御すること
により、超導電体及び重ね巻の両方よりも、円周方向の
熱収縮が一層小さくなる様に巻装する。繊維硝子の巻型
は、エポキシで湿層したE硝子の繊維硝子フィラメント
を用いて、心棒に巻装した。90°のループを形成する
円周方向の巻線層に続いて、何れも+45°の層及び−
45°の層で構成された4層か続き、その後円周方向の
侠線層が来て、史にその後十及び−45°の4層か続く
と云う巻線パターンを、所望の厚さが達成されるまで用
いた。その結果、巻線及び11tね巻の張力は、−層低
い温度で増加して、超導電磁石を付勢した時、コイルと
巻型が離れるのを更に防!1−する。
97に比べて小さいので、超導電体及び重ね巻に十分な
張力を加えて、電磁的な負荷が加わった時、コイルが巻
型から離れるのを防止することが出来る。更に、繊維硝
子の巻型は、巻型の繊維を巻装する方向を制御すること
により、超導電体及び重ね巻の両方よりも、円周方向の
熱収縮が一層小さくなる様に巻装する。繊維硝子の巻型
は、エポキシで湿層したE硝子の繊維硝子フィラメント
を用いて、心棒に巻装した。90°のループを形成する
円周方向の巻線層に続いて、何れも+45°の層及び−
45°の層で構成された4層か続き、その後円周方向の
侠線層が来て、史にその後十及び−45°の4層か続く
と云う巻線パターンを、所望の厚さが達成されるまで用
いた。その結果、巻線及び11tね巻の張力は、−層低
い温度で増加して、超導電磁石を付勢した時、コイルと
巻型が離れるのを更に防!1−する。
1rね巻が電磁的にコイルに対して密結合であるから、
クエンチング状態の際、コイルのエネルギのかなりの部
分が、重ね巻の循環電流によって散逸される。この為、
コイルの重ね巻が、クエンチングの際の磁石保護回路と
して作用する。クエンチングの際、重ね巻回路の誘起電
流の分布を一様にする為、初め及び終りの導線は、巻型
に固定した2つの板111,113の間で、第12図に
示す様に電気的に短絡しなければならない。これらの阪
は、真鍮の様な非磁性祠料で製造されるが、1Rね巻の
ワイヤの交差する両端を、ワイヤの直径より小さい−r
−2形成した溝の中にしっかりと圧縮する。板111,
113はねじ結合部材によって互いに締付けられている
。各々の主コイルに対するステン1ノス鋼の市ね坪は、
短絡した1ターンに電気的に相当するしのである。
クエンチング状態の際、コイルのエネルギのかなりの部
分が、重ね巻の循環電流によって散逸される。この為、
コイルの重ね巻が、クエンチングの際の磁石保護回路と
して作用する。クエンチングの際、重ね巻回路の誘起電
流の分布を一様にする為、初め及び終りの導線は、巻型
に固定した2つの板111,113の間で、第12図に
示す様に電気的に短絡しなければならない。これらの阪
は、真鍮の様な非磁性祠料で製造されるが、1Rね巻の
ワイヤの交差する両端を、ワイヤの直径より小さい−r
−2形成した溝の中にしっかりと圧縮する。板111,
113はねじ結合部材によって互いに締付けられている
。各々の主コイルに対するステン1ノス鋼の市ね坪は、
短絡した1ターンに電気的に相当するしのである。
一体の遮蔽体を用いると、極低温槽の外側容器13がM
R磁石の強磁性遮蔽体として作用する。
R磁石の強磁性遮蔽体として作用する。
極低温槽の形状が極低温条件及び真空条件によって決定
されるから、超導電の主巻線は、強磁性遮蔽体が存在す
る状態で磁界の均質性が最大になる様に合成しなければ
ならない。第16図には、遮蔽体13の一部分が、主コ
イル91の位置、並びに磁界の高い一様性を希望する中
孔の中心の容積に対して示されている。非磁性放射遮蔽
体17゜21、ヘリウム容器23及び支持体は、それら
が存在しても、磁界の決定には影響しないので、図面に
示してない。極低温槽の外側容器が強磁性遮蔽体として
作用する様な1体遮蔽形の磁気共鳴用磁石を製造する工
程が第17図に示されている。
されるから、超導電の主巻線は、強磁性遮蔽体が存在す
る状態で磁界の均質性が最大になる様に合成しなければ
ならない。第16図には、遮蔽体13の一部分が、主コ
イル91の位置、並びに磁界の高い一様性を希望する中
孔の中心の容積に対して示されている。非磁性放射遮蔽
体17゜21、ヘリウム容器23及び支持体は、それら
が存在しても、磁界の決定には影響しないので、図面に
示してない。極低温槽の外側容器が強磁性遮蔽体として
作用する様な1体遮蔽形の磁気共鳴用磁石を製造する工
程が第17図に示されている。
最初に、ブロック123に示す様に、極低温槽の条件4
トびに極低温槽の外側真空容器の真空条件に基づいて、
遮蔽体の形を決定する。ブロック125で、所望の磁界
強度を持つ磁石に対する一トコイルの数、その軸方向及
び゛ト径方向の位置並びにアンペアターン数の最初の近
似を選ぶ。この最初の近似は、同じ磁界強度を持つ磁石
に対する空心の設計であってよい。ブロック131で、
ディジタル・イクイップメント・カンパニイによって製
造されるVAXの様なコンピュータにょるa限要素アル
ゴリズムによる主コイル及び鉄の遮蔽体の有限す素解析
を行ない、第16図の容積127で示す様な、磁石の中
孔内の高い一様性を持つ容積に於ける関心のある種々の
点に於ける軸方向の磁束密度を決定する。このH限要素
アルゴリズムが、鉄の遮蔽体の磁化をも決定する。判定
ブロック133で、軸方向の磁束密度の高い一様性を持
つ容積内に於ける種々の点の間のピークppm誤差を検
査して、幾らかでも改縛があるがどうかを調べる。pp
m誤差が最小値に達しなければ、ブロック135で、遮
蔽体の磁化を球面調(【1関数の球数展開を行なって、
磁界の一様性が15い容積127内の関心が持たれる各
点に於ける遮蔽体の軸方向磁束密度の寄与を決定する。
トびに極低温槽の外側真空容器の真空条件に基づいて、
遮蔽体の形を決定する。ブロック125で、所望の磁界
強度を持つ磁石に対する一トコイルの数、その軸方向及
び゛ト径方向の位置並びにアンペアターン数の最初の近
似を選ぶ。この最初の近似は、同じ磁界強度を持つ磁石
に対する空心の設計であってよい。ブロック131で、
ディジタル・イクイップメント・カンパニイによって製
造されるVAXの様なコンピュータにょるa限要素アル
ゴリズムによる主コイル及び鉄の遮蔽体の有限す素解析
を行ない、第16図の容積127で示す様な、磁石の中
孔内の高い一様性を持つ容積に於ける関心のある種々の
点に於ける軸方向の磁束密度を決定する。このH限要素
アルゴリズムが、鉄の遮蔽体の磁化をも決定する。判定
ブロック133で、軸方向の磁束密度の高い一様性を持
つ容積内に於ける種々の点の間のピークppm誤差を検
査して、幾らかでも改縛があるがどうかを調べる。pp
m誤差が最小値に達しなければ、ブロック135で、遮
蔽体の磁化を球面調(【1関数の球数展開を行なって、
磁界の一様性が15い容積127内の関心が持たれる各
点に於ける遮蔽体の軸方向磁束密度の寄与を決定する。
特定された軸方向の磁束密度から、遮蔽体の軸方向の磁
束密度に対する寄り−を減算して、コイルによる所望の
寄与を決定する。所望の寄!7は、有限要素解析によっ
て決定された軸方向の磁束密度ではなく、例えば0゜5
テスラと云う、特定された軸方向の磁束密度を使うから
、実際の寄与ではない。ブロック137で、特定された
軸)j向の磁束密度から、計算による鉄の寄与を減算す
ることによって決定された鉄の寄りの近似を考慮に入れ
る為に、主コイルの設計を変更する。繰返しニュートン
・ラフソンの方式を用いて、コイルの合成を行なう。こ
の合成の1’l FI−1度は、コイルの対の数の2倍
である。これは、各々のコイルの対に2つの自由度、す
なわち平径方向の位置は一定であるが、可変の軸方向の
位置とアンペアターン数か、又はアンペアターン数は一
定であるが、可変の軸方向の位置と十径方向の位置が許
されるからである。例えば、コイル6個の磁Gは6つの
自由度を持っている。空間内の任意の所定の点に於ける
軸方向磁束密度B7をビオサバールの法則を用いて計り
する。関心のある容積山に−様な磁界を達成する為、関
心のある容積内に、自由度の数と同じ数の点を選び、こ
れらの点に於ける軸方向磁束密度を特定する。その後、
希望に応じて、半径方向の位置は一定であるが、軸方向
の位置とアンペアターン数又はアンペアターン数が一定
であるが、可変の軸方向の位置と半径方向の位置と云う
コイルの対のパラメータをニュートン・ラフソンの方式
を用いて決定する。−旦計算機で適当なアルゴリズムを
使ってコイルの再合成が行なわれたら、ブロック131
で、コイル及び一定の鉄の遮蔽体の形状の有限要素解F
斤を丙び実施する。鉄の寄与を+−1び近似し、コイル
を再合成して、11合成されたコイル及び一定の鉄の遮
蔽体の形状に対して釘限要素解+Iiを適用した時、判
定ブロック133で、関心のある容積内の計算された磁
界のピークppmにそれ以1−の改迫が認められないと
判るまで行なう。ブロック141の次の工程は、一番新
しい再合成に従ってコイルを製造し、その後ブロック1
43に示す様に、コイルを1体の遮蔽体の中に位置ぎめ
することである。
束密度に対する寄り−を減算して、コイルによる所望の
寄与を決定する。所望の寄!7は、有限要素解析によっ
て決定された軸方向の磁束密度ではなく、例えば0゜5
テスラと云う、特定された軸方向の磁束密度を使うから
、実際の寄与ではない。ブロック137で、特定された
軸)j向の磁束密度から、計算による鉄の寄与を減算す
ることによって決定された鉄の寄りの近似を考慮に入れ
る為に、主コイルの設計を変更する。繰返しニュートン
・ラフソンの方式を用いて、コイルの合成を行なう。こ
の合成の1’l FI−1度は、コイルの対の数の2倍
である。これは、各々のコイルの対に2つの自由度、す
なわち平径方向の位置は一定であるが、可変の軸方向の
位置とアンペアターン数か、又はアンペアターン数は一
定であるが、可変の軸方向の位置と十径方向の位置が許
されるからである。例えば、コイル6個の磁Gは6つの
自由度を持っている。空間内の任意の所定の点に於ける
軸方向磁束密度B7をビオサバールの法則を用いて計り
する。関心のある容積山に−様な磁界を達成する為、関
心のある容積内に、自由度の数と同じ数の点を選び、こ
れらの点に於ける軸方向磁束密度を特定する。その後、
希望に応じて、半径方向の位置は一定であるが、軸方向
の位置とアンペアターン数又はアンペアターン数が一定
であるが、可変の軸方向の位置と半径方向の位置と云う
コイルの対のパラメータをニュートン・ラフソンの方式
を用いて決定する。−旦計算機で適当なアルゴリズムを
使ってコイルの再合成が行なわれたら、ブロック131
で、コイル及び一定の鉄の遮蔽体の形状の有限要素解F
斤を丙び実施する。鉄の寄与を+−1び近似し、コイル
を再合成して、11合成されたコイル及び一定の鉄の遮
蔽体の形状に対して釘限要素解+Iiを適用した時、判
定ブロック133で、関心のある容積内の計算された磁
界のピークppmにそれ以1−の改迫が認められないと
判るまで行なう。ブロック141の次の工程は、一番新
しい再合成に従ってコイルを製造し、その後ブロック1
43に示す様に、コイルを1体の遮蔽体の中に位置ぎめ
することである。
第1図、第3図、第4図及び第5図について説明すると
、20K及び80I(iQ蔽体は、ヘリウム容器23か
らのヘリウムの蒸発によって冷却される。これが、軸方
向に前後に動きながら、各々の遮蔽体の周りを円周方向
に通気配管157が通ってから、極低温槽の外側に達す
る様にする蛇行通路を通る間、熱を吸収した後に、通気
口155を介して真空容器の外へ逃がされる。第6図及
び第7図には充填及び通気配向を示してない。第1図及
び第18図について説明すると、2段の極低温冷却器に
よって余分の冷却作用が行なわれる。内部の動作部品を
取除いた極低温冷却器のハウジング161が示されてい
る。この2段形極低温冷却器を、動作中、2つの遮蔽体
17.21に結合して、極低温槽11の熱的な性能を改
善する。極低温冷却器の取付は方が、基部の近くにある
真空容器の1端の近くにある場合を示しであるが、任意
の向きにすることが可能であり、装置を一体化すること
が容易になる。極低温冷却器は、直結界面を用いて極低
温槽に結合される。極低温冷却器の低温ヘッド争ハウジ
ングが2つのヒート・ステーション163.165を持
ち、これらを取付けられた極低温冷却器が夫々80K及
び20にの温度に保ツ。低温ヘッド・ハウジングが極低
温槽11の真空空間内に直接的に取付けられている。極
低温冷却器のハウジング161のフランジ167が真空
容器に溶接され、低温端が極低温槽の真空内に来る様に
する。極低温冷却器のハウジングにあるヒート・ステー
ション163.165が、夫々可撓性の編んだ銅ケーブ
ル169.171を介して熱放射遮蔽体17.21に直
結になっている。
、20K及び80I(iQ蔽体は、ヘリウム容器23か
らのヘリウムの蒸発によって冷却される。これが、軸方
向に前後に動きながら、各々の遮蔽体の周りを円周方向
に通気配管157が通ってから、極低温槽の外側に達す
る様にする蛇行通路を通る間、熱を吸収した後に、通気
口155を介して真空容器の外へ逃がされる。第6図及
び第7図には充填及び通気配向を示してない。第1図及
び第18図について説明すると、2段の極低温冷却器に
よって余分の冷却作用が行なわれる。内部の動作部品を
取除いた極低温冷却器のハウジング161が示されてい
る。この2段形極低温冷却器を、動作中、2つの遮蔽体
17.21に結合して、極低温槽11の熱的な性能を改
善する。極低温冷却器の取付は方が、基部の近くにある
真空容器の1端の近くにある場合を示しであるが、任意
の向きにすることが可能であり、装置を一体化すること
が容易になる。極低温冷却器は、直結界面を用いて極低
温槽に結合される。極低温冷却器の低温ヘッド争ハウジ
ングが2つのヒート・ステーション163.165を持
ち、これらを取付けられた極低温冷却器が夫々80K及
び20にの温度に保ツ。低温ヘッド・ハウジングが極低
温槽11の真空空間内に直接的に取付けられている。極
低温冷却器のハウジング161のフランジ167が真空
容器に溶接され、低温端が極低温槽の真空内に来る様に
する。極低温冷却器のハウジングにあるヒート・ステー
ション163.165が、夫々可撓性の編んだ銅ケーブ
ル169.171を介して熱放射遮蔽体17.21に直
結になっている。
ケーブル169.171は、遮蔽体と極低温冷却器の低
温ヘッド・ハウジングの間のトl対運動が出来る様にし
ながら、熱抵抗を最小限に抑える様な寸法である。
温ヘッド・ハウジングの間のトl対運動が出来る様にし
ながら、熱抵抗を最小限に抑える様な寸法である。
編んだケーブル171の1端が極低温冷却器のヒート・
ステーション165に溶接され、編んだケーブルの他端
が遮蔽体21にボルト締めになっている。従って、合計
の熱界面の抵抗は、溶青部、編んだケーブル及びボルト
締め継[1の抵抗で構成される。電子ビーム溶接を使う
ことにより、銅の編組がヒート・ステーションに実質的
に溶着し、熱接触抵抗を除く。低温端ハウジングを収容
する為、80に遮蔽体の一部分は、遮蔽体を切取って、
低温端を挿入する為の場所を作るアダプタ片173を遮
蔽体17に溶接することによって変更する。
ステーション165に溶接され、編んだケーブルの他端
が遮蔽体21にボルト締めになっている。従って、合計
の熱界面の抵抗は、溶青部、編んだケーブル及びボルト
締め継[1の抵抗で構成される。電子ビーム溶接を使う
ことにより、銅の編組がヒート・ステーションに実質的
に溶着し、熱接触抵抗を除く。低温端ハウジングを収容
する為、80に遮蔽体の一部分は、遮蔽体を切取って、
低温端を挿入する為の場所を作るアダプタ片173を遮
蔽体17に溶接することによって変更する。
ヒート・ステーション163がケーブル169に溶接さ
れる。ケーブル169が、アダプタ173にボルト締め
になっているリング形アダプタ175に溶接される。好
ましい実施例で使う編んだケーブル171は所要の可撓
性、並びに熱フンダクタンスを最大にする為の銅の長さ
と実効断面積の比が得られる様に、小さいワイヤ寸法(
AW136)で作られる。ボルト締め継目に於ける遮蔽
体と編組の間の圧力は、ボルトの数をillに増やすこ
とによって、強めることが出来る。この為、界面の熱的
な性能は、最小限のコストで、同等余計な複雑化を伴わ
ずに制御することが出来る。
れる。ケーブル169が、アダプタ173にボルト締め
になっているリング形アダプタ175に溶接される。好
ましい実施例で使う編んだケーブル171は所要の可撓
性、並びに熱フンダクタンスを最大にする為の銅の長さ
と実効断面積の比が得られる様に、小さいワイヤ寸法(
AW136)で作られる。ボルト締め継目に於ける遮蔽
体と編組の間の圧力は、ボルトの数をillに増やすこ
とによって、強めることが出来る。この為、界面の熱的
な性能は、最小限のコストで、同等余計な複雑化を伴わ
ずに制御することが出来る。
極低温槽と極低温冷却器の間で共通の真空を使い、極低
温冷却器のハウジングのフランジを真空容器に溶接する
ことにより、真空の乱れの惧れが最小限になる。ヘリウ
ム容器は大きな極低7.1!ポンプ而を持ち、これは真
空空間内に空気又は湿気があれば、それを凍結させ、嵌
低温槽、従って極低lAa冷却器内に高真空を保つ助け
になる。極低温冷却器の修理又は手入れが必要になった
時、極低iAA冷却器の内部部品をハウジング161か
ら取出しても、真空を壊すことはない。
温冷却器のハウジングのフランジを真空容器に溶接する
ことにより、真空の乱れの惧れが最小限になる。ヘリウ
ム容器は大きな極低7.1!ポンプ而を持ち、これは真
空空間内に空気又は湿気があれば、それを凍結させ、嵌
低温槽、従って極低lAa冷却器内に高真空を保つ助け
になる。極低温冷却器の修理又は手入れが必要になった
時、極低iAA冷却器の内部部品をハウジング161か
ら取出しても、真空を壊すことはない。
極低温槽を組立てる際、軸方向支持ストラップは夫々キ
ャップつきフランジ67を持つ1つのトラニオンの上に
ループ状に通す。ヒート・ステーション作用をするスト
ラップ71を2oKa蔽体に固定する。磁石85を収容
したヘリウム容器23を、真空容器13内にある2つの
遮蔽体17゜21の内側に配置する。80 K容器には
、第9図及び第10図に見られる多層絶縁物177を蓚
付ける。遮蔽体及び真空容器の円形の端は未だ所定位置
にない。ヒート・ステーション作用をするストラップを
固定した半径方向支持ストラップ31を真空容器内の開
口から挿入し、球形支持体45によって保持する。半径
方向ストラップか80 K及び20Ki7蔽体の開口を
通り、ヘリウム容器の円形面に溶接されたブロック37
にストラップが固定される。半径方向支持ストラップの
張力を:J!1節し、ヘリウム容2:(を真空容器内で
中心合せする。
ャップつきフランジ67を持つ1つのトラニオンの上に
ループ状に通す。ヒート・ステーション作用をするスト
ラップ71を2oKa蔽体に固定する。磁石85を収容
したヘリウム容器23を、真空容器13内にある2つの
遮蔽体17゜21の内側に配置する。80 K容器には
、第9図及び第10図に見られる多層絶縁物177を蓚
付ける。遮蔽体及び真空容器の円形の端は未だ所定位置
にない。ヒート・ステーション作用をするストラップを
固定した半径方向支持ストラップ31を真空容器内の開
口から挿入し、球形支持体45によって保持する。半径
方向ストラップか80 K及び20Ki7蔽体の開口を
通り、ヘリウム容器の円形面に溶接されたブロック37
にストラップが固定される。半径方向支持ストラップの
張力を:J!1節し、ヘリウム容2:(を真空容器内で
中心合せする。
この発明の設置1は、ヘリウム容器を直接観察すること
が出来る様になっているから、ヘリウム容器がその1囲
の円筒に囲まれていて、ヘリウム容器の位置を確認する
為にプローブを使わなければならない様な支持装置より
も、位置ぎめが一層容易で一層確実である。管状支!+
75がヘリウム容器のブロック74に固定され、20に
遮蔽体を通り、その他端が80に遮蔽体に固定される。
が出来る様になっているから、ヘリウム容器がその1囲
の円筒に囲まれていて、ヘリウム容器の位置を確認する
為にプローブを使わなければならない様な支持装置より
も、位置ぎめが一層容易で一層確実である。管状支!+
75がヘリウム容器のブロック74に固定され、20に
遮蔽体を通り、その他端が80に遮蔽体に固定される。
半径方向支持ストラップ31のヒート・ステーションを
持つストラップ51.53か20 K及び80に′8蔽
体に固定される。管状支柱のヒート・ステーション作用
を持つストラップ76が20に遮蔽体に固定される。半
径方向ストラップが通る遮蔽体の開口が、アルミ化マイ
ラーの様な熱反射材料の薄いシート181によって閉じ
られる。
持つストラップ51.53か20 K及び80に′8蔽
体に固定される。管状支柱のヒート・ステーション作用
を持つストラップ76が20に遮蔽体に固定される。半
径方向ストラップが通る遮蔽体の開口が、アルミ化マイ
ラーの様な熱反射材料の薄いシート181によって閉じ
られる。
軸方向支柱77がヘリウム容器の円形の1端に固定され
る。20に遮蔽体の円形端板がねじ27によってリング
25に固定され、′14径方向ストラップが円形の端の
開口を通り、軸方向支柱77が一方の円形の端を通抜け
る。ヒート・ステーション用ケーブル79が20KM蔽
体に固定される。
る。20に遮蔽体の円形端板がねじ27によってリング
25に固定され、′14径方向ストラップが円形の端の
開口を通り、軸方向支柱77が一方の円形の端を通抜け
る。ヒート・ステーション用ケーブル79が20KM蔽
体に固定される。
熱反射材料のシート181が、20 K遮蔽体を通る各
々のストラップの周りに配置される。スペーサ・ブロッ
ク83が80に遮蔽体の内側に固定され、仮80がそれ
に取付けられる。編んだケーブル171が、極低温冷却
器のヒート・ステーション165に溶1をされているが
、これが20に遮蔽体21にポル!・締めされる。
々のストラップの周りに配置される。スペーサ・ブロッ
ク83が80に遮蔽体の内側に固定され、仮80がそれ
に取付けられる。編んだケーブル171が、極低温冷却
器のヒート・ステーション165に溶1をされているが
、これが20に遮蔽体21にポル!・締めされる。
多層の絶縁物177で覆われた80に遮蔽体の円形の端
が、801(遮蔽体の夫々の端に固定される。軸方向支
柱77が軸方向支持体のカバー78に固定される。軸方
向支持ストラップ55のヒート・ステーション作用をす
るケーブル73か、80に遮蔽体の円形の端に固定され
る。極低温冷却器の界面のアダプタ片175が所定位置
に固定される。真空容器の円形の端が所定位置に溶接さ
れ、軸方向支持ス]・ラップの張力を調節する。カバー
65.47を所定位置に溶接し、この後真空容器を真空
に引くことが出来る。
が、801(遮蔽体の夫々の端に固定される。軸方向支
柱77が軸方向支持体のカバー78に固定される。軸方
向支持ストラップ55のヒート・ステーション作用をす
るケーブル73か、80に遮蔽体の円形の端に固定され
る。極低温冷却器の界面のアダプタ片175が所定位置
に固定される。真空容器の円形の端が所定位置に溶接さ
れ、軸方向支持ス]・ラップの張力を調節する。カバー
65.47を所定位置に溶接し、この後真空容器を真空
に引くことが出来る。
この発明で使う半径方向及び軸方向の腹合ストラ・lブ
支持装置は、ヘリウム容器に〆イに体ヘリウムを満たし
、20K及び80に遮蔽体が通常の動作l!!度にある
時、その設計張力を持つ様に設計されている。極低lH
槽は、真空容器を真空に引いて、低温で輸送される。然
し、現場での作業中、極低温槽の破損が起って、極低温
槽を工場に戻す必要が起ることがある。複合ストラップ
支持装置は、極低温槽が動作温度にない時でも、容器を
支持する様に作用することが出来、疲労荷重が支持装置
の設計寿命に悪影響を及ぼすことがない。
支持装置は、ヘリウム容器に〆イに体ヘリウムを満たし
、20K及び80に遮蔽体が通常の動作l!!度にある
時、その設計張力を持つ様に設計されている。極低lH
槽は、真空容器を真空に引いて、低温で輸送される。然
し、現場での作業中、極低温槽の破損が起って、極低温
槽を工場に戻す必要が起ることがある。複合ストラップ
支持装置は、極低温槽が動作温度にない時でも、容器を
支持する様に作用することが出来、疲労荷重が支持装置
の設計寿命に悪影響を及ぼすことがない。
遮蔽体に対する懸架装置により、同等張力調節を必要と
けずに、板を単にボルト締めによって所定位置に固定す
ることにより、−層容弓に組立てが出来る。
けずに、板を単にボルト締めによって所定位置に固定す
ることにより、−層容弓に組立てが出来る。
然し、半径方向支持ストラップの…/I−の向きは1[
要である。極低温槽の軸方向中心線に対して(nrれも
In直な90°離れた2本の軸線(これらは必ずしも垂
直軸線及び水平軸線ではない)の間の対称性が保たれて
いる限り、ストラップの全体としての形は縦軸線の周り
に回転することが出来る。
要である。極低温槽の軸方向中心線に対して(nrれも
In直な90°離れた2本の軸線(これらは必ずしも垂
直軸線及び水平軸線ではない)の間の対称性が保たれて
いる限り、ストラップの全体としての形は縦軸線の周り
に回転することが出来る。
以には、極低温冷却器及び磁気共鳴用極低温槽を相互接
続する熱界面として、コストが安く、効果があって、極
低温槽の真空を破らずに、極低温冷却器の修理が出来る
様にする熱界面を説明したものである。
続する熱界面として、コストが安く、効果があって、極
低温槽の真空を破らずに、極低温冷却器の修理が出来る
様にする熱界面を説明したものである。
この発明を好ましい実施例について説明したが、この発
明の範囲内で種々の変更が可能であることは明らかであ
る。従って、特許請求の範囲は、この発明の範囲内に含
まれるこの様な全ての変更を包括するものであることを
承知されたい。
明の範囲内で種々の変更が可能であることは明らかであ
る。従って、特許請求の範囲は、この発明の範囲内に含
まれるこの様な全ての変更を包括するものであることを
承知されたい。
第1図はこの発明の磁気共鳴作像用極低温槽の斜視図、
第2図は第1図の端面断面図、
第3図は゛磁気共鳴作像用極低温槽の80I(放射熱遮
蔽体の斜視図、 第4図は磁気共鳴作像用極低温槽の20に熱遮蔽体の斜
視図、 第5図は磁気共鳴作像用極低温槽のヘリウム容器の斜視
図、 第6図は第1図の磁気共鳴作像用極低温槽の1端の一部
分を切欠いた斜視図、 第7図は第1図の磁気共鳴作像用極低温槽の他端の一部
分を切欠いた斜視図、 第8図はこの発明のヒート・ステーション作用をする編
んだケーブルを持つ半径方向支持ストラップの斜視図、 第9図は磁気」(鳴用極低ン1す槽に於けるヒート・ス
テーション作用をするケーブルの取付は方及び半径方向
懸架ストラップの1端の取付は方を示す一部分を切欠い
た斜視図、 第10図は極低温槽の部分的な断面図で、軸方向支持装
置の一部分を示す。 第11図はこの発明のヒート・ステーション作用をする
2本の編んだケーブルを持つ軸方向支持ストラップの斜
視図、 第12図は第5図の一部分を切欠いた断面図で、この発
明による超導電磁石巻線を示す。 第13図は超導電ワイヤ及びステンレス鋼の市ね港ワイ
ヤを所定位置に配置した磁石巻線支持体の部分的な、軸
線に対して垂直な断面図、第14図は超導電ワイヤを持
つが、ステンレス鋼のirIね巻を持たない場合の磁石
巻線支持型の一部分を半径〕j向の断面図、 第15図は部分的な重ね巻テープを持つ超導電ワイヤの
一部分の斜視図、 第16図は1体の遮蔽体として作用する真空容器、磁石
巻線、及び所望の磁界の一様性が高い容積の相対的な位
置を示す極低温槽の断面図、第17図は1体の遮蔽体を
持っMR磁石を作る工程を示すブロック図、 第18図は極低温冷却器との界面を示す極低温槽の断面
図である。 ゛ 主な符号の説明 13:真空容器 17.21:遮蔽体 161:ハウジング
蔽体の斜視図、 第4図は磁気共鳴作像用極低温槽の20に熱遮蔽体の斜
視図、 第5図は磁気共鳴作像用極低温槽のヘリウム容器の斜視
図、 第6図は第1図の磁気共鳴作像用極低温槽の1端の一部
分を切欠いた斜視図、 第7図は第1図の磁気共鳴作像用極低温槽の他端の一部
分を切欠いた斜視図、 第8図はこの発明のヒート・ステーション作用をする編
んだケーブルを持つ半径方向支持ストラップの斜視図、 第9図は磁気」(鳴用極低ン1す槽に於けるヒート・ス
テーション作用をするケーブルの取付は方及び半径方向
懸架ストラップの1端の取付は方を示す一部分を切欠い
た斜視図、 第10図は極低温槽の部分的な断面図で、軸方向支持装
置の一部分を示す。 第11図はこの発明のヒート・ステーション作用をする
2本の編んだケーブルを持つ軸方向支持ストラップの斜
視図、 第12図は第5図の一部分を切欠いた断面図で、この発
明による超導電磁石巻線を示す。 第13図は超導電ワイヤ及びステンレス鋼の市ね港ワイ
ヤを所定位置に配置した磁石巻線支持体の部分的な、軸
線に対して垂直な断面図、第14図は超導電ワイヤを持
つが、ステンレス鋼のirIね巻を持たない場合の磁石
巻線支持型の一部分を半径〕j向の断面図、 第15図は部分的な重ね巻テープを持つ超導電ワイヤの
一部分の斜視図、 第16図は1体の遮蔽体として作用する真空容器、磁石
巻線、及び所望の磁界の一様性が高い容積の相対的な位
置を示す極低温槽の断面図、第17図は1体の遮蔽体を
持っMR磁石を作る工程を示すブロック図、 第18図は極低温冷却器との界面を示す極低温槽の断面
図である。 ゛ 主な符号の説明 13:真空容器 17.21:遮蔽体 161:ハウジング
Claims (6)
- 1.開口を限定する極低温槽の真空容器と、該真空容器
の内側にある放射遮蔽体と、 ヒート・ステーションを持つと共にハウジングを含む極
低温冷却器低温端部とを有し、該ハウジングは前記極低
温槽の真空容器の開口を通って真空容器に気密に固定さ
れて真空容器の一部分を形成しており、極低温冷却器低
温端部のハウジングのヒート・ステーションが前記放射
遮蔽体に直結になっていて、この為、極低温槽の真空を
破壊せずに、極低温冷却器の内部部品を取出すことが出
来る様にした磁気共鳴用極低温槽。 - 2.極低温冷却器低温端部のハウジングのヒート・ステ
ーションに伝熱コネクタの1端が固定され、該コネクタ
の他端がねじ結合部材によって前記放射遮蔽体に固定さ
れている請求項1記載の磁気共鳴用極低温槽。 - 3.前記極低温冷却器のハウジングが極低温槽の開口に
溶接されている請求項2記載の磁気共鳴用極低温槽。 - 4.開口を限定する極低温槽の真空容器と、該真空容器
内に巣ごもりになった2つの放射遮蔽体と、 2つのヒート・ステーションを持つと共にハウジングを
含む2段形極低温冷却器低温端部とを有し、該ハウジン
グは前記極低温槽の開口を通って真空容器に気密に固定
されて該真空容器の一部分を形成しており、極低温冷却
器低温端部のハウジングの各々のヒート・ステーション
が1つの放射遮蔽体に直結になっていて、極低温槽の真
空を破壊せずに、極低温冷却器の内部部品を取出すこと
が出来る様にした磁気共鳴用極低温槽。 - 5.極低温冷却器低温端部のハウジングの各々のヒート
・ステーションに伝熱コネクタの1端が固定され、該コ
ネクタの他端がねじ結合部材によって放射遮蔽体に固定
されている請求項4記載の磁気共鳴用極低温槽。 - 6.前記極低温冷却器のハウジングが前記極低温槽の開
口に溶接されている請求項5記載の磁気共鳴用極低温槽
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3342487A | 1987-04-02 | 1987-04-02 | |
US033,424 | 1987-04-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH012635A true JPH012635A (ja) | 1989-01-06 |
JPS642635A JPS642635A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=21870323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7833588A Pending JPS642635A (en) | 1987-04-02 | 1988-04-01 | Cryogenic vessel for magnetic resonance |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0284874A1 (ja) |
JP (1) | JPS642635A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2425345B (en) | 2002-11-21 | 2007-03-14 | Ge Med Sys Global Tech Co Llc | Cryogen pressure vessel assembly for superconducting magnets |
US11313481B2 (en) * | 2019-08-28 | 2022-04-26 | GE Precision Healthcare LLC | Systems for rupturing a vacuum in a medical imaging device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0116364B1 (de) * | 1983-02-09 | 1986-06-18 | Bruker Analytische Messtechnik GmbH | Kühleinrichtung für ein Tieftemperatur-Magnetsystem |
IL68138A (en) * | 1983-03-15 | 1988-01-31 | Elscint Ltd | Cryogenic magnet system |
JPH0629635Y2 (ja) * | 1986-09-09 | 1994-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 低温保持装置 |
-
1988
- 1988-03-15 EP EP19880104063 patent/EP0284874A1/en not_active Withdrawn
- 1988-04-01 JP JP7833588A patent/JPS642635A/ja active Pending
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