JPS60128605A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JPS60128605A JPS60128605A JP58236172A JP23617283A JPS60128605A JP S60128605 A JPS60128605 A JP S60128605A JP 58236172 A JP58236172 A JP 58236172A JP 23617283 A JP23617283 A JP 23617283A JP S60128605 A JPS60128605 A JP S60128605A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高飽和磁束密度と低保磁力を兼ね備えた磁性合
金多層膜に係シ、また磁気記録、再生用の磁気ヘッドに
係り、特に、高密度記録用の磁気へラドコア材料および
これを用いた磁気ヘッドに関する。
金多層膜に係シ、また磁気記録、再生用の磁気ヘッドに
係り、特に、高密度記録用の磁気へラドコア材料および
これを用いた磁気ヘッドに関する。
非晶質磁性合金は、非晶質であるため結晶磁気異方性が
なく、従って高透磁率特性が広い組成範囲で得られるこ
と、またloKG以上の高飽和磁束密度が得られるなど
軟磁性制料として優れた特性を持っている。従来から、
金属磁性体膜を磁気へラドコア材料に用いる場合、高周
波領域まで高い透磁率を確保するために、金属磁性体膜
をS io 21AtzOs等の絶縁物を介して積層し
、多層化する方法が用いられている。しかし、絶縁物を
介して多層化した非晶質磁性合金多層膜を薄膜磁気ヘッ
ドに用いた場合、パターンニング工程度においてエツジ
部の形成がみたれ寸法精度が得られない欠点がある。ま
た、非晶質磁性合金との熱膨張係数が大幅に異なること
から層間においてはく離を起す欠点がある。
なく、従って高透磁率特性が広い組成範囲で得られるこ
と、またloKG以上の高飽和磁束密度が得られるなど
軟磁性制料として優れた特性を持っている。従来から、
金属磁性体膜を磁気へラドコア材料に用いる場合、高周
波領域まで高い透磁率を確保するために、金属磁性体膜
をS io 21AtzOs等の絶縁物を介して積層し
、多層化する方法が用いられている。しかし、絶縁物を
介して多層化した非晶質磁性合金多層膜を薄膜磁気ヘッ
ドに用いた場合、パターンニング工程度においてエツジ
部の形成がみたれ寸法精度が得られない欠点がある。ま
た、非晶質磁性合金との熱膨張係数が大幅に異なること
から層間においてはく離を起す欠点がある。
本発明の目的は前記従来の欠点を解消し、優れた磁気へ
ラドコア用薄膜磁性材料を提供するものである。さらに
、低保磁力で高透磁率の非晶質磁性合金膜およびこれを
用いた磁気ヘッドを提供することにある。
ラドコア用薄膜磁性材料を提供するものである。さらに
、低保磁力で高透磁率の非晶質磁性合金膜およびこれを
用いた磁気ヘッドを提供することにある。
本発明者らは、従来の非晶質磁性合金IIKを多層化す
る場合に用いていた非磁性絶縁体からなる中間層のかわ
りに磁性体を用いることによって低保磁力で、かつ高周
波領域でも高透磁率を持つ非晶質磁性合金多層膜を見出
した。また、該非晶質磁性合金多層膜はバターニングに
際して、湿式法。
る場合に用いていた非磁性絶縁体からなる中間層のかわ
りに磁性体を用いることによって低保磁力で、かつ高周
波領域でも高透磁率を持つ非晶質磁性合金多層膜を見出
した。また、該非晶質磁性合金多層膜はバターニングに
際して、湿式法。
乾式法においても精度よく加工できる利点がある。
第1図は本発明の非晶質磁性合金多層膜の構造を示す断
面図である。図において、10はQo。
面図である。図において、10はQo。
Fe、Niの少なくとも1種類を主成分とする非晶質磁
性合金からなる主磁性体膜、11は多結晶質もしくは非
晶質の磁性体からなる中間磁性体層、12は基板である
、 主磁性体膜10は、例えば、C0−Zr系。
性合金からなる主磁性体膜、11は多結晶質もしくは非
晶質の磁性体からなる中間磁性体層、12は基板である
、 主磁性体膜10は、例えば、C0−Zr系。
C0−Nb系、Co Ti系の2元系もしくは、W、T
i、Nb、’[”a、8 i、B等が磁歪、結晶化温度
の調整用として添加される。また、Fe−B系+ Fe
S r B系、 F e −C0−8i −B系+
CoN r Z r系等が用いられる。実用的には磁歪
定数λSが±5 X 10−’以下であることが好まし
い。
i、Nb、’[”a、8 i、B等が磁歪、結晶化温度
の調整用として添加される。また、Fe−B系+ Fe
S r B系、 F e −C0−8i −B系+
CoN r Z r系等が用いられる。実用的には磁歪
定数λSが±5 X 10−’以下であることが好まし
い。
一方、中間磁性体層は、例えば、多結晶磁性体膜として
、CO+ N h 、 p eの単原子、もしくはN1
−Fe(パーマロイ) 、 F e−At−8i(セン
ダスト)等の合金が用いられる。また、非晶質磁性合金
として、上記主磁性体膜と異なる構成元素の組み合せが
用いられる。
、CO+ N h 、 p eの単原子、もしくはN1
−Fe(パーマロイ) 、 F e−At−8i(セン
ダスト)等の合金が用いられる。また、非晶質磁性合金
として、上記主磁性体膜と異なる構成元素の組み合せが
用いられる。
上記磁性体膜の形成にはスパッタリング、蒸着等のいわ
ゆる薄膜形成技術によって形成できる。
ゆる薄膜形成技術によって形成できる。
゛主磁性体膜の各層の膜厚は0.05μm〜2μmとす
るのが好ましい。0.05μm以下になると保磁力が急
激に増加する。2itm以上となると保磁力が徐々に増
し、透磁率の高周波特性が悪くなり、さらに磁気特性の
ばらつきが大きくなる。
るのが好ましい。0.05μm以下になると保磁力が急
激に増加する。2itm以上となると保磁力が徐々に増
し、透磁率の高周波特性が悪くなり、さらに磁気特性の
ばらつきが大きくなる。
中間磁性体層の各層の厚みは10人〜200人が好まし
い。10Å以下の層厚みでは中間層の効果がほとんどみ
られない。200Å以上にすると中間層自身の磁気的性
質が現われるようになり、保磁力が大きく、透磁率も低
下してしまう。よシ好ましい層厚は20人〜100人で
ある。多層膜の構成は中間層を介して2層以上であれば
よい。
い。10Å以下の層厚みでは中間層の効果がほとんどみ
られない。200Å以上にすると中間層自身の磁気的性
質が現われるようになり、保磁力が大きく、透磁率も低
下してしまう。よシ好ましい層厚は20人〜100人で
ある。多層膜の構成は中間層を介して2層以上であれば
よい。
その時の主磁性体膜と中間磁性体層の厚みの比を5;1
〜10:1の時に好ましい磁気特性が得られる。このよ
うな多層構造にした非晶質磁性合金多層膜は保磁力が小
さく、高周波領域まで高い透磁率を持ち、磁気へラドコ
ア材料として優れた特性を示す。また、単一層の非晶質
磁性合金膜より磁気特性のばらつきが小さい膜を得るこ
とができる。
〜10:1の時に好ましい磁気特性が得られる。このよ
うな多層構造にした非晶質磁性合金多層膜は保磁力が小
さく、高周波領域まで高い透磁率を持ち、磁気へラドコ
ア材料として優れた特性を示す。また、単一層の非晶質
磁性合金膜より磁気特性のばらつきが小さい膜を得るこ
とができる。
また、本発明の磁気ヘッドは、上記本発明の非晶質磁性
合金多層膜をコアの少なくとも一部に使用してなるもの
で、記録再生出力が著しく向上する。
合金多層膜をコアの少なくとも一部に使用してなるもの
で、記録再生出力が著しく向上する。
以下1本発明を実施例により詳細に説明する。
磁性体膜の形成は、第2図に示すようなRFスパッタリ
ング装置を用いた。真空容器20内には2つの独立した
対向電極を有し、電極21.22はターゲット電極(陰
極)で、電極21には主磁性体膜(非晶質磁性合金膜)
を形成するだめのターゲットが配置される。例えば、C
o基板にW。
ング装置を用いた。真空容器20内には2つの独立した
対向電極を有し、電極21.22はターゲット電極(陰
極)で、電極21には主磁性体膜(非晶質磁性合金膜)
を形成するだめのターゲットが配置される。例えば、C
o基板にW。
N b + M O+ T a+ Z r等の非晶質合
金を形成するだめの小基板を貼り付けたコンポジット型
のターゲットを用いた。電極22には中間磁性体層とな
るCo、Ni、pe、もしくはN1−pe金合金パーマ
ロイ)+ F e At S i (セ7ダス))、あ
るいは非晶質磁性合金膜を形成するためのターゲットが
配置される。一方、電極23.24はそれぞれ前記ター
ゲット電極21.22の直下に設けた試料電極(陽極)
で、試料25は目的に応じて、それぞれの試料電極上に
移動できるようになっている。また、必要に応じて、形
成される磁性体膜の磁化容易軸方向を制御するために、
スパッタリング時に電磁石26.26’によって試料2
5の面内に磁界が印加されるようになっている。
金を形成するだめの小基板を貼り付けたコンポジット型
のターゲットを用いた。電極22には中間磁性体層とな
るCo、Ni、pe、もしくはN1−pe金合金パーマ
ロイ)+ F e At S i (セ7ダス))、あ
るいは非晶質磁性合金膜を形成するためのターゲットが
配置される。一方、電極23.24はそれぞれ前記ター
ゲット電極21.22の直下に設けた試料電極(陽極)
で、試料25は目的に応じて、それぞれの試料電極上に
移動できるようになっている。また、必要に応じて、形
成される磁性体膜の磁化容易軸方向を制御するために、
スパッタリング時に電磁石26.26’によって試料2
5の面内に磁界が印加されるようになっている。
なお、放電はアルゴンガス中で行なわれ、同ガスはガス
導入管27から真空容器20内に導入される。28は容
器20の排気孔、29は電極切り換え器である。
導入管27から真空容器20内に導入される。28は容
器20の排気孔、29は電極切り換え器である。
まず、磁性体膜の形成について述べる。比較的好条件で
スパッタリングするために選ばれた諸条件は以下のよう
である。
スパッタリングするために選ばれた諸条件は以下のよう
である。
高周波電力密度 ・・・・・・・・・・・・ 0.5
w/ cm2アルゴン圧力 ・・・・・・・・・・・・
5X10−”TOrr基板温度 ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ 150C電極間距離 ・・・・・
・・・・・・・ 50mm上記条件で作製した非晶質磁
性合金多層膜の膜構成と磁気特性を示す。
w/ cm2アルゴン圧力 ・・・・・・・・・・・・
5X10−”TOrr基板温度 ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ 150C電極間距離 ・・・・・
・・・・・・・ 50mm上記条件で作製した非晶質磁
性合金多層膜の膜構成と磁気特性を示す。
実施例1
第1表は主磁性体膜をCo 90.5 Zr 9.5
(原子%)とし、中間磁性体層をC05oNb 20
(原子%)とした時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
(原子%)とし、中間磁性体層をC05oNb 20
(原子%)とした時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
(4層)150人(3層)の膜構成のとき飽和磁束密度
Bs ; 14 KG、保磁力Hc ; 0.20 e
。
Bs ; 14 KG、保磁力Hc ; 0.20 e
。
5MH2での比透磁μi 4000と最も好適な膜が得
られた。第3図は従来の0090.5Zrg、5の単層
膜30とC09,5Zr 9.5 (0,1μm) /
C05oNb 20(50A)の多層膜31について
保磁力の膜厚依存性を示しだものである。図から明らか
の従来の単層膜より本発明の多層膜の方が同一膜厚にお
いて小さい保磁力を与えることがわかる。
られた。第3図は従来の0090.5Zrg、5の単層
膜30とC09,5Zr 9.5 (0,1μm) /
C05oNb 20(50A)の多層膜31について
保磁力の膜厚依存性を示しだものである。図から明らか
の従来の単層膜より本発明の多層膜の方が同一膜厚にお
いて小さい保磁力を与えることがわかる。
実施例2
第2表は主磁性体膜をCOo。、5Zr9.5(原子%
)とし、中間磁性体層を8ON 1−20Fe (重量
%)とした時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
)とし、中間磁性体層を8ON 1−20Fe (重量
%)とした時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
第2表において中間磁性体層を多結晶質の8ONi−2
0Feを用いても第1表とほぼ同程度の磁気特性が得ら
れた。
0Feを用いても第1表とほぼ同程度の磁気特性が得ら
れた。
実施例3
第3表は主磁性体膜をC05c+WaZrs(原子%)
とし、COsC05o、5Zrto、s (原子%)と
した時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
とし、COsC05o、5Zrto、s (原子%)と
した時の多層膜の磁気特性の1例を示す。
第3表は主磁性体膜をco−’r−zrの3元系とし、
T=W、Nb、Ta、B、N it kt*Cr等の元
素を適当に添加した合金膜の1例を示した。本実施例の
場合飽和磁束密度Bsは若干低くなるが、保磁力Hcが
低くなり、比透磁率μが高くなる。さらに結晶化温度が
500C以上となり、熱安定性の良い多層膜となる。中
間磁性体層は主磁性体膜と異なる元素の組み合せによる
合金膜が用いられる。
T=W、Nb、Ta、B、N it kt*Cr等の元
素を適当に添加した合金膜の1例を示した。本実施例の
場合飽和磁束密度Bsは若干低くなるが、保磁力Hcが
低くなり、比透磁率μが高くなる。さらに結晶化温度が
500C以上となり、熱安定性の良い多層膜となる。中
間磁性体層は主磁性体膜と異なる元素の組み合せによる
合金膜が用いられる。
例えば、次の合金膜の組み合せによって熱安定性の良い
多層膜が得られる。
多層膜が得られる。
(主磁性体膜) (中間磁性体層) @晶化温度)t’
)CO87Nb s Zr s/8ONi−20Fe
530tTtりCOsC05o+、5Zr1os/8O
Ni−20F8 540C1!りC087Zr a B
s /8ONi−20Fe 500CIV) C08
7Nb s Zrs /Co5o Mo2.5ZrlO
,5520CV)C080MO9,5Zr10.5/C
089W3Zr8 530CVf) CO8? Zr
s B s /COBgMOg、5ZI’xo、5 5
000次に本発明の非晶質磁性合金多層膜を用いた磁気
ヘッドについてのべる。
)CO87Nb s Zr s/8ONi−20Fe
530tTtりCOsC05o+、5Zr1os/8O
Ni−20F8 540C1!りC087Zr a B
s /8ONi−20Fe 500CIV) C08
7Nb s Zrs /Co5o Mo2.5ZrlO
,5520CV)C080MO9,5Zr10.5/C
089W3Zr8 530CVf) CO8? Zr
s B s /COBgMOg、5ZI’xo、5 5
000次に本発明の非晶質磁性合金多層膜を用いた磁気
ヘッドについてのべる。
第4図は薄膜磁気ヘッドの1例である。図(イ)は磁気
へラドコア断面図、図(ロ)は上面図である。図におい
て、41は非磁性基板、42は下部磁性体膜、43は上
部磁性体膜、44は導体コイル、45は作動ギャップで
ある。この例では、磁性体膜は数ミクロンの膜厚のもの
が用いられ、非晶質磁性合金多層膜として、前記第1表
のA4、第3表のA9 、Al 0が用いられる。
へラドコア断面図、図(ロ)は上面図である。図におい
て、41は非磁性基板、42は下部磁性体膜、43は上
部磁性体膜、44は導体コイル、45は作動ギャップで
ある。この例では、磁性体膜は数ミクロンの膜厚のもの
が用いられ、非晶質磁性合金多層膜として、前記第1表
のA4、第3表のA9 、Al 0が用いられる。
上記磁気ベッドは基板41に磁性膜を形成した後フォト
エツチング等の薄膜加工技術によって所定の形状に加工
される。
エツチング等の薄膜加工技術によって所定の形状に加工
される。
第5図は基板41に下部磁性体膜42を形成した後フォ
トエツチング加工した従来の多層膜と本発明の多層膜の
1例を示す断面拡大図である。図(イ)は非晶質磁性合
金膜46を5i0z47を中間層として多層化した従来
例を示す。図(ロ)は非晶質磁性合金膜46を磁性体合
金48を中間層として多層化した本発明の多層膜の加工
例を示す。図から明らかのように従来の5i02絶縁体
を中間層として積層した多層膜においてはエツジ部49
において各層ごとに段差を生じ精度のよい加工ができな
いのに対し、本発明法の多層膜を用いた場合にはエツジ
部49が精度よく加工できる。まだ、従来例においては
中間急の部分で加工中にはく離を生ずる等の問題が起っ
たのに対し、本発明法においては、そのような問題が起
らない。
トエツチング加工した従来の多層膜と本発明の多層膜の
1例を示す断面拡大図である。図(イ)は非晶質磁性合
金膜46を5i0z47を中間層として多層化した従来
例を示す。図(ロ)は非晶質磁性合金膜46を磁性体合
金48を中間層として多層化した本発明の多層膜の加工
例を示す。図から明らかのように従来の5i02絶縁体
を中間層として積層した多層膜においてはエツジ部49
において各層ごとに段差を生じ精度のよい加工ができな
いのに対し、本発明法の多層膜を用いた場合にはエツジ
部49が精度よく加工できる。まだ、従来例においては
中間急の部分で加工中にはく離を生ずる等の問題が起っ
たのに対し、本発明法においては、そのような問題が起
らない。
次に本発明を適用する他の磁気ヘッドについての実施例
をのべる。
をのべる。
第6図は垂直磁気記録方式に用いられる磁気ヘッドの1
例を示す磁気ヘッドの平面図である。図は主磁極部で記
録する磁気ヘッドを示す。50はフェライトでうら打ち
された主磁極部、51は主磁極磁性膜、52.52’は
補助磁極コア、53゜53′はガラス等の非磁性材、5
4はコイルである。本発明の非晶質磁性合金多層膜は主
磁極磁性膜51として用いられる。高密度磁気記録を達
成するためには、この主磁極磁性膜は0.2μm〜0.
5μmと非常に薄い膜を用いる必要がbる。そのため、
磁気飽和をさけるために高飽和磁束密度を有し、高周波
記録特性の優れた磁性薄膜が必要となる。本発明の非晶
質磁性合金多層膜が好適である。本発明に適する非晶質
磁性合金多層膜は実施例における、第1表のAI 、A
2.A3、第2表のA、 5 、 A 6 、 A 7
、および第3表の届8において好適な特性が得られた。
例を示す磁気ヘッドの平面図である。図は主磁極部で記
録する磁気ヘッドを示す。50はフェライトでうら打ち
された主磁極部、51は主磁極磁性膜、52.52’は
補助磁極コア、53゜53′はガラス等の非磁性材、5
4はコイルである。本発明の非晶質磁性合金多層膜は主
磁極磁性膜51として用いられる。高密度磁気記録を達
成するためには、この主磁極磁性膜は0.2μm〜0.
5μmと非常に薄い膜を用いる必要がbる。そのため、
磁気飽和をさけるために高飽和磁束密度を有し、高周波
記録特性の優れた磁性薄膜が必要となる。本発明の非晶
質磁性合金多層膜が好適である。本発明に適する非晶質
磁性合金多層膜は実施例における、第1表のAI 、A
2.A3、第2表のA、 5 、 A 6 、 A 7
、および第3表の届8において好適な特性が得られた。
本発明のA2の多層膜を用いた第6図の磁気へラドコア
で、ガラス基板上に形成したCo−Cr垂直磁気記録媒
体に記録して特性を評価したところ第7図に示す結果を
得た。第7図で、60は本発明ノヘッド特性、61は0
.4μmのC090,5Zr9.5単層膜の場合の特性
であり、本発明によシ、よシ茜密度までの記録が出来、
出力も高いことがわかる。
で、ガラス基板上に形成したCo−Cr垂直磁気記録媒
体に記録して特性を評価したところ第7図に示す結果を
得た。第7図で、60は本発明ノヘッド特性、61は0
.4μmのC090,5Zr9.5単層膜の場合の特性
であり、本発明によシ、よシ茜密度までの記録が出来、
出力も高いことがわかる。
以上詳述したように、本発明によれは、高密度記録用磁
気へラドコア材料として非晶質磁性合金膜を磁性体によ
って多層化することにより、従来の単層膜よシ、低保磁
力化と高透磁率化が達成でき、優れた記録再生特性の得
られる磁気ヘッドを得ることができる。また、薄膜磁気
ヘッドに用いた時、パターニング加工が容易で、がっ、
精度良く加工することができる。
気へラドコア材料として非晶質磁性合金膜を磁性体によ
って多層化することにより、従来の単層膜よシ、低保磁
力化と高透磁率化が達成でき、優れた記録再生特性の得
られる磁気ヘッドを得ることができる。また、薄膜磁気
ヘッドに用いた時、パターニング加工が容易で、がっ、
精度良く加工することができる。
第1図は本発明の非晶質磁性合金多層膜の断面図、第2
図は本発明の一実施例において、磁性体膜を形成するた
めのスパッタリング装置の構成図、第3図は本発明の非
晶質磁性合金多層膜の磁気特性を示す図、第4図(イ)
、←)は本発明の一実施例における磁気ヘッドの側断面
図および上面図、第5図(イ)、(ロ)は本発明の非晶
質磁性合金多層膜の加工性効果を示す断面図、第6図は
本発明の他の実施例における磁気ヘッドの平面図、第7
図は本発明を垂直磁気記録に用いた時の特性図である。 10・・・主磁性体膜、11・・・中間磁性体層、12
・・・基板、42・・・下部磁性体膜、43・・・上部
磁性体膜、44・・・導体コイル、5o・・・主磁極部
、51・・・主磁極磁性体膜、52.52’・・・補助
磁極コア、53゜53′・・・非磁性材、6o・・・本
発明よシ成る磁気ヘッドの特性、61・・・従来の磁気
ヘッドの特性。 代理人 弁理士 高橋明d習) 芽1n ′V−2図 0O15t、o t・5 膿八 CP’n−) 第 4区 (lI)(ロ) 第5因 <4) (o) 第1頁の続き [相]発 明 者 山 下 武 夫 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内 0発 明 者 斉 藤 法 利 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 [株]発 明 者 品 川 公 成 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内 0発 明 者 工 藤 實 弘 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
図は本発明の一実施例において、磁性体膜を形成するた
めのスパッタリング装置の構成図、第3図は本発明の非
晶質磁性合金多層膜の磁気特性を示す図、第4図(イ)
、←)は本発明の一実施例における磁気ヘッドの側断面
図および上面図、第5図(イ)、(ロ)は本発明の非晶
質磁性合金多層膜の加工性効果を示す断面図、第6図は
本発明の他の実施例における磁気ヘッドの平面図、第7
図は本発明を垂直磁気記録に用いた時の特性図である。 10・・・主磁性体膜、11・・・中間磁性体層、12
・・・基板、42・・・下部磁性体膜、43・・・上部
磁性体膜、44・・・導体コイル、5o・・・主磁極部
、51・・・主磁極磁性体膜、52.52’・・・補助
磁極コア、53゜53′・・・非磁性材、6o・・・本
発明よシ成る磁気ヘッドの特性、61・・・従来の磁気
ヘッドの特性。 代理人 弁理士 高橋明d習) 芽1n ′V−2図 0O15t、o t・5 膿八 CP’n−) 第 4区 (lI)(ロ) 第5因 <4) (o) 第1頁の続き [相]発 明 者 山 下 武 夫 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内 0発 明 者 斉 藤 法 利 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 [株]発 明 者 品 川 公 成 国分寺市東恋ケ窪
央研究所内 0発 明 者 工 藤 實 弘 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非晶質磁性合金膜を他の磁性体を中間層として積層
したことを特徴とする非晶質磁性合金多層膜。 2、非晶質磁性合金膜を他の磁性体を中間層として積層
して得られた非晶質磁性合金多層膜にょシ、コアの少な
くとも一部分が構成されてなることを特徴とする磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58236172A JPH0622170B2 (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気ヘッド |
DE8484308602T DE3480571D1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-11 | Multilayered ferromagnetic amorphous alloy film and magnetic head employing the same |
EP84308602A EP0147126B1 (en) | 1983-12-16 | 1984-12-11 | Multilayered ferromagnetic amorphous alloy film and magnetic head employing the same |
US06/681,261 US4748089A (en) | 1983-12-16 | 1984-12-13 | Multilayered ferromagnetic amorphous alloy film and magnetic head employing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58236172A JPH0622170B2 (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60128605A true JPS60128605A (ja) | 1985-07-09 |
JPH0622170B2 JPH0622170B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16996835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58236172A Expired - Lifetime JPH0622170B2 (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気ヘッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4748089A (ja) |
EP (1) | EP0147126B1 (ja) |
JP (1) | JPH0622170B2 (ja) |
DE (1) | DE3480571D1 (ja) |
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US6890304B1 (en) | 1995-05-12 | 2005-05-10 | Seiko Epson Corporation | Device for diagnosing physiological state and device for controlling the same |
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1983
- 1983-12-16 JP JP58236172A patent/JPH0622170B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-12-11 DE DE8484308602T patent/DE3480571D1/de not_active Expired
- 1984-12-11 EP EP84308602A patent/EP0147126B1/en not_active Expired
- 1984-12-13 US US06/681,261 patent/US4748089A/en not_active Expired - Lifetime
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