JPH01239821A - 磁性多層膜およびその製造方法 - Google Patents
磁性多層膜およびその製造方法Info
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- JPH01239821A JPH01239821A JP6686188A JP6686188A JPH01239821A JP H01239821 A JPH01239821 A JP H01239821A JP 6686188 A JP6686188 A JP 6686188A JP 6686188 A JP6686188 A JP 6686188A JP H01239821 A JPH01239821 A JP H01239821A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録薄膜ヘッドの磁極等に適する磁性多
層膜に関するものである。
層膜に関するものである。
たとえば、磁気ファイル装置などの磁気記録密度を高く
しようとすると、記録媒体に保磁力(Ilc)の大きい
磁性材料を用いると同時に、磁気ヘットには記録媒体を
十分に磁化できる高飽和束密度(US)を有し、かつ記
録媒体からのもれ磁束を効率よく集束するために、良好
な軟磁性材料で構成されたものが必要となる。このよう
な条件を満足するヘッドとして、現在(よフォトリソグ
ラフィ技術を応用した微細加工技術と磁性薄膜によって
得られた薄膜磁気ヘッドが利用されている。このような
薄膜磁気ヘッド用軟磁性薄膜には、従来、真空蒸着、ス
パッタ、およびメツキ法によるNiFe合金(Bs〜1
テスラ)が用いられているが、1000エルステッド以
上の高保磁力媒体に6ii化信号を十分に書き込むこと
は困難である。そのため、高Bs強磁性金FA膜として
、Fe膜が有望であるが、結晶磁気異方性が強く、保磁
力が大きいため、そのままではヘッド用磁極として使用
できない。この点を改善するために、現在Fe系合金を
主体とした多層磁性体膜(たとえば特願昭61−965
10号)、あるいはFe膜を主体とした人工格子膜(た
とえば、特願昭62−194985号)が提案され、高
Bsでかつ良好な軟磁気特性を有する磁性薄膜が提供さ
れつつある。
しようとすると、記録媒体に保磁力(Ilc)の大きい
磁性材料を用いると同時に、磁気ヘットには記録媒体を
十分に磁化できる高飽和束密度(US)を有し、かつ記
録媒体からのもれ磁束を効率よく集束するために、良好
な軟磁性材料で構成されたものが必要となる。このよう
な条件を満足するヘッドとして、現在(よフォトリソグ
ラフィ技術を応用した微細加工技術と磁性薄膜によって
得られた薄膜磁気ヘッドが利用されている。このような
薄膜磁気ヘッド用軟磁性薄膜には、従来、真空蒸着、ス
パッタ、およびメツキ法によるNiFe合金(Bs〜1
テスラ)が用いられているが、1000エルステッド以
上の高保磁力媒体に6ii化信号を十分に書き込むこと
は困難である。そのため、高Bs強磁性金FA膜として
、Fe膜が有望であるが、結晶磁気異方性が強く、保磁
力が大きいため、そのままではヘッド用磁極として使用
できない。この点を改善するために、現在Fe系合金を
主体とした多層磁性体膜(たとえば特願昭61−965
10号)、あるいはFe膜を主体とした人工格子膜(た
とえば、特願昭62−194985号)が提案され、高
Bsでかつ良好な軟磁気特性を有する磁性薄膜が提供さ
れつつある。
しかし、これらの膜は、異種金属膜を積層するために、
膜応力が大きく、基板からはくすしやすいという欠点が
あり、磁性部品の実用化に際して問題がある。また、こ
れらの多層膜構成を実現する場合、膜厚制御が容易で、
磁気特性を確保しやすいスパッタ法が使用されている。
膜応力が大きく、基板からはくすしやすいという欠点が
あり、磁性部品の実用化に際して問題がある。また、こ
れらの多層膜構成を実現する場合、膜厚制御が容易で、
磁気特性を確保しやすいスパッタ法が使用されている。
しかし、従来のRFスパッタ法、[1Cスパツタ法では
、堆積基板が放電プラズマ中に設置されるため、必要以
上の基板温度上昇が生じ、多層膜の6n気特性の劣化を
招きやすく、6g性部品のデバイス特性を安定化てきな
いという問題があった。
、堆積基板が放電プラズマ中に設置されるため、必要以
上の基板温度上昇が生じ、多層膜の6n気特性の劣化を
招きやすく、6g性部品のデバイス特性を安定化てきな
いという問題があった。
そこで、強磁性Fe金属膜の特徴である高Bsを保持し
つつ、良好な軟磁気特性を実現でき、しかも基板からの
はくりが生しない強Iin性膜の実現が強く要望されて
いた。
つつ、良好な軟磁気特性を実現でき、しかも基板からの
はくりが生しない強Iin性膜の実現が強く要望されて
いた。
本発明の目的はこれらの欠点を解決し、高Bsで、良好
な軟磁気特性を有し、しかも基板からのはくりが生じな
い磁性多層膜を提供することにある。
な軟磁気特性を有し、しかも基板からのはくりが生じな
い磁性多層膜を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明多層磁性■つl
は基板上にFe層と、Ni、 CoおよびFeCoのう
ちの一種からなる層が交互に積層され、かつ積層の境界
部に熱拡散による合金層が形成されていることを特徴と
する。
は基板上にFe層と、Ni、 CoおよびFeCoのう
ちの一種からなる層が交互に積層され、かつ積層の境界
部に熱拡散による合金層が形成されていることを特徴と
する。
本発明製造方法は100℃以上かつ400℃未満の温度
に加熱した基板上に、Fe層と、Ni、 GoおよびF
eCoのうちの一種からなる層を交互に積層することを
特徴とする。
に加熱した基板上に、Fe層と、Ni、 GoおよびF
eCoのうちの一種からなる層を交互に積層することを
特徴とする。
本発明による磁性多層膜は積層間に合金層を有している
ので高Bsでかつ良好な軟磁気特性を有し、しかも膜は
くり等のデバイス製造時の問題が生じないため、薄膜磁
気ヘッドの磁極に利用した場合、高保磁力媒体の磁化信
号を効率よく記録再生できるヘッドを安定に歩留、つよ
く製造できる。
ので高Bsでかつ良好な軟磁気特性を有し、しかも膜は
くり等のデバイス製造時の問題が生じないため、薄膜磁
気ヘッドの磁極に利用した場合、高保磁力媒体の磁化信
号を効率よく記録再生できるヘッドを安定に歩留、つよ
く製造できる。
(実施例〕
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明による磁性多層膜を作製するための装
置の一例を示す。1はFeターゲット、2はNiあるい
はCoターゲット、4は磁性多層膜を堆積させる基板で
あり、5は基板温度を制御するヒータ部である。6はタ
ーゲットをスパッタするためのイオン源であり、6Aは
シャッタである。
置の一例を示す。1はFeターゲット、2はNiあるい
はCoターゲット、4は磁性多層膜を堆積させる基板で
あり、5は基板温度を制御するヒータ部である。6はタ
ーゲットをスパッタするためのイオン源であり、6Aは
シャッタである。
第2図は本発明による磁性多層膜を作製するj=めの装
置の他の例を示す。図において、3は5i02.AJ2
203などの非磁性絶縁材料ターゲットである。
置の他の例を示す。図において、3は5i02.AJ2
203などの非磁性絶縁材料ターゲットである。
磁性多層膜堆積中の動作真空度がI X 10−’To
rr以下である点、また膜堆積時に、プラズマとの反応
が少なく、必要以上に温度が上昇しないという点で、従
来のスパッタ法より、第1図または第2図のようなイオ
ンビームスパッタ法による装置構成が磁性多層膜の作製
に適している。このような装置構成において、イオン源
6で発生させたアルゴン等の希ガスイオンをターゲット
1に照射させ、スパッタにより基板4にFe層を堆積さ
せる。
rr以下である点、また膜堆積時に、プラズマとの反応
が少なく、必要以上に温度が上昇しないという点で、従
来のスパッタ法より、第1図または第2図のようなイオ
ンビームスパッタ法による装置構成が磁性多層膜の作製
に適している。このような装置構成において、イオン源
6で発生させたアルゴン等の希ガスイオンをターゲット
1に照射させ、スパッタにより基板4にFe層を堆積さ
せる。
そののちターゲットを回転させ、ターゲット2あるいは
ターゲット3にイオンを照射させ、基板にNi、 Co
あるいは非磁性膜を重ねて堆積させる。このような手順
を繰り返し磁性多層膜を形成する。
ターゲット3にイオンを照射させ、基板にNi、 Co
あるいは非磁性膜を重ねて堆積させる。このような手順
を繰り返し磁性多層膜を形成する。
なお、多層膜を構成する各層の膜厚はスパッタ時間およ
びイオンの電流密度により制御し、基板温度はヒータ部
5て調節する。堆積膜の均一性の而から、基板4を回転
可能とするのがよい。
びイオンの電流密度により制御し、基板温度はヒータ部
5て調節する。堆積膜の均一性の而から、基板4を回転
可能とするのがよい。
第3図は、上記のようにして作製したili性多性膜層
膜成を示す図である。7はFc層、8はNi層(あるい
はCo層)、9はNiFe層(あるいはCoFe層)、
およびlOは基板である。これらの境界層(NiFe層
あるいはCoFe層)は、l膜堆積によって形成される
ものでなく、堆積中の基板加熱によるFe層とNi層(
あるいは00層)との相互拡散によって形成されたもの
であるため、組成はゆるやかに変化しており、境界部で
の応力集中をaζづ゛ることかできる。また、基板加熱
により薄膜形成時に発生しやすい内部応力を緩和させる
作用があり、基板からのはくりを防止することができる
。このような磁性膜を薄膜磁気ヘッドへ応用する場合、
2〜3μmの総膜厚が必要であるが、基板温度を100
℃未満とすると、膜は基板よりはくすし、デバイス微細
加工は不可能であった。しかし、基板温度を100℃以
上400℃未満に設定することにより、膜応力は緩和す
るとともに、各層の境界部に相互拡散領域を形成するた
めに、基板からの膜はくりを防止できるようになり、薄
膜磁気ヘットのための微細加工が可能となった。基板温
度を160℃に設定した場合、この境界部の拡散層の厚
さは磁歪定数の変化から見積ることができ(たとえば、
J、Appl、Pt+ys、2月15日号(1988)
) 、 FcとNiの系に対し1.Onm 、 Feと
Goの系に対し1.2r+mであり、基板温度を上昇さ
せるに従い、その膜厚は拡大する。このような相互拡散
層の存在は、多層膜全体の磁歪定数を正の値へと変化さ
せるため、基板温度を制御することにより多層膜の磁歪
を制御することが可能である。基板温度が350℃にな
ると多層膜の表面が粗くなりはじめるがデバイス化の支
障とはならない。しかし400℃以上の基板温度では、
多層膜の結晶粒が成長し、表面粗さが増すためデバイス
化は困難である。
膜成を示す図である。7はFc層、8はNi層(あるい
はCo層)、9はNiFe層(あるいはCoFe層)、
およびlOは基板である。これらの境界層(NiFe層
あるいはCoFe層)は、l膜堆積によって形成される
ものでなく、堆積中の基板加熱によるFe層とNi層(
あるいは00層)との相互拡散によって形成されたもの
であるため、組成はゆるやかに変化しており、境界部で
の応力集中をaζづ゛ることかできる。また、基板加熱
により薄膜形成時に発生しやすい内部応力を緩和させる
作用があり、基板からのはくりを防止することができる
。このような磁性膜を薄膜磁気ヘッドへ応用する場合、
2〜3μmの総膜厚が必要であるが、基板温度を100
℃未満とすると、膜は基板よりはくすし、デバイス微細
加工は不可能であった。しかし、基板温度を100℃以
上400℃未満に設定することにより、膜応力は緩和す
るとともに、各層の境界部に相互拡散領域を形成するた
めに、基板からの膜はくりを防止できるようになり、薄
膜磁気ヘットのための微細加工が可能となった。基板温
度を160℃に設定した場合、この境界部の拡散層の厚
さは磁歪定数の変化から見積ることができ(たとえば、
J、Appl、Pt+ys、2月15日号(1988)
) 、 FcとNiの系に対し1.Onm 、 Feと
Goの系に対し1.2r+mであり、基板温度を上昇さ
せるに従い、その膜厚は拡大する。このような相互拡散
層の存在は、多層膜全体の磁歪定数を正の値へと変化さ
せるため、基板温度を制御することにより多層膜の磁歪
を制御することが可能である。基板温度が350℃にな
ると多層膜の表面が粗くなりはじめるがデバイス化の支
障とはならない。しかし400℃以上の基板温度では、
多層膜の結晶粒が成長し、表面粗さが増すためデバイス
化は困難である。
多層膜の周期およびFe層の厚さを制御することによっ
ても、多層膜の磁歪を制御することができる。例えばF
e/Ni多層膜において、多層膜の周期(Fe膜厚+N
i膜厚)の増加とともに磁歪は減少し、周期4.7nm
で磁歪セロが実現する。また2nmNi−10層mFe
および2nmNi−1,5nmFeの多層膜で磁歪ゼロ
が実現する。一方Fe/Co多層膜ではFe膜厚の減少
とともに磁歪は減少し、25層mFe−20mGoおよ
びIfinmFe−0’、 5nmCo多層膜で磁歪ゼ
ロが実現する。
ても、多層膜の磁歪を制御することができる。例えばF
e/Ni多層膜において、多層膜の周期(Fe膜厚+N
i膜厚)の増加とともに磁歪は減少し、周期4.7nm
で磁歪セロが実現する。また2nmNi−10層mFe
および2nmNi−1,5nmFeの多層膜で磁歪ゼロ
が実現する。一方Fe/Co多層膜ではFe膜厚の減少
とともに磁歪は減少し、25層mFe−20mGoおよ
びIfinmFe−0’、 5nmCo多層膜で磁歪ゼ
ロが実現する。
第4図は、Fe/Ni 、 Fe/Co 6n性多層膜
の[lsをFe層設定厚さの関数として示したものであ
る。但し、Co、 Ni層の設定厚さはそれぞれ、0.
5nm %211mである。Fc層を10口m以上とす
ることにより、19テスラ以上の高いBsか得らる。特
にFe/Ni多層膜では構成膜厚比を変えることにより
、0 、55.6)ら1.96テスラまで変えることが
できる。また、これらの磁性多層膜の磁化困難軸方向保
磁力は、Fc/Ni 、 Fe/Coでそれぞれ約0.
7 、1δエルステツドであり、350℃1時間のアニ
ールを行うことによりそれぞれ0.3.0.8エルステ
ツドまで減少し、より良好な軟磁気特性を示した。
の[lsをFe層設定厚さの関数として示したものであ
る。但し、Co、 Ni層の設定厚さはそれぞれ、0.
5nm %211mである。Fc層を10口m以上とす
ることにより、19テスラ以上の高いBsか得らる。特
にFe/Ni多層膜では構成膜厚比を変えることにより
、0 、55.6)ら1.96テスラまで変えることが
できる。また、これらの磁性多層膜の磁化困難軸方向保
磁力は、Fc/Ni 、 Fe/Coでそれぞれ約0.
7 、1δエルステツドであり、350℃1時間のアニ
ールを行うことによりそれぞれ0.3.0.8エルステ
ツドまで減少し、より良好な軟磁気特性を示した。
第5図は、Fe/Co 、 Fe/CoFe ’Gfl
性多層膜の困難・抽方向保bn力とFe厚さの関係を示
している。
性多層膜の困難・抽方向保bn力とFe厚さの関係を示
している。
Fe/CoFe膜は、Fe層とCoFe層とを交互に堆
積させたものであり、CoFe層の膜厚は0.5nmで
ある。
積させたものであり、CoFe層の膜厚は0.5nmで
ある。
Fe/Co膜は、基板温度160℃で、Fe層と00層
とを交互に堆積させたものであり、Co層の膜厚は0.
5r++++である。Fe/CoFe 膜ではその境界
部か急俊な組成変化をもつのに対し、F e / Co
膜ではゆるやかな組成変化で拡散による合金層を形成
している。Fe/CoFe膜の保磁力がFe層の厚さに
敏感で、その値もたかだか7エルステツトであるのに対
し、(’e/Co膜の保磁力はFe層の厚さに対してあ
まり変化せず、その最小値も1.6エルステツドと、よ
り一層良好な軟磁性を示している。このことから、より
良好な軟磁気特性を得るには、多層膜各層の境界部はゆ
るやかな組成変化をもった磁性多層膜がよい。それゆえ
、多層膜は比較的高い基板温度の下で単金属強磁性層を
堆積させ、熱拡散による合金層を境界部に形成する方法
が、良好な軟磁気特性を実現できる点、応力集中を防止
する点、あるいは膜応力を緩和できる点で有利である。
とを交互に堆積させたものであり、Co層の膜厚は0.
5r++++である。Fe/CoFe 膜ではその境界
部か急俊な組成変化をもつのに対し、F e / Co
膜ではゆるやかな組成変化で拡散による合金層を形成
している。Fe/CoFe膜の保磁力がFe層の厚さに
敏感で、その値もたかだか7エルステツトであるのに対
し、(’e/Co膜の保磁力はFe層の厚さに対してあ
まり変化せず、その最小値も1.6エルステツドと、よ
り一層良好な軟磁性を示している。このことから、より
良好な軟磁気特性を得るには、多層膜各層の境界部はゆ
るやかな組成変化をもった磁性多層膜がよい。それゆえ
、多層膜は比較的高い基板温度の下で単金属強磁性層を
堆積させ、熱拡散による合金層を境界部に形成する方法
が、良好な軟磁気特性を実現できる点、応力集中を防止
する点、あるいは膜応力を緩和できる点で有利である。
ところで、薄膜磁気ヘッドの記録再生過程から考え、記
録時はギャップ長を広くとり、再生時はギャップ長を狭
くする方が高記録密度晶n気記録に有利であることから
考え、ギャップ両側の磁性膜のItsを低くし、その他
の磁極のBsを高くするFfl極構成が考えられている
。しかし、従来提案されている構成では、異種強磁性体
のへテロ結合を用いるため、その境界部で応力集中を起
こしやすく、膜のはくり等により磁性薄膜部品の信頼性
および製造歩留りを確保できない。
録時はギャップ長を広くとり、再生時はギャップ長を狭
くする方が高記録密度晶n気記録に有利であることから
考え、ギャップ両側の磁性膜のItsを低くし、その他
の磁極のBsを高くするFfl極構成が考えられている
。しかし、従来提案されている構成では、異種強磁性体
のへテロ結合を用いるため、その境界部で応力集中を起
こしやすく、膜のはくり等により磁性薄膜部品の信頼性
および製造歩留りを確保できない。
第6図は、本発明磁性多層膜の実施例の断面図を示す。
11は、1.5テスラ以上の高85を有する本発明の磁
性多層膜であり、12は1.5テスラ未満のBsを有す
る本発明の磁性多層膜である。13はBsの異なる多層
膜の相互拡散領域であり、14は八l1203.510
2等のギャップ材料に相当する基板である。相互拡散に
よる合金層領域のために、応力集中が生ぜず、高信頼性
部品を歩留りよく製造できる。また、高Bsと低Bs多
層膜は、FeとNi層(あるいは、FeとGo層)の膜
厚比を変えるだけでよく、多層膜11および12は基本
的には異種材料ではないため、軟1ift気特性の劣化
は生しない等の壱で、有利である。
性多層膜であり、12は1.5テスラ未満のBsを有す
る本発明の磁性多層膜である。13はBsの異なる多層
膜の相互拡散領域であり、14は八l1203.510
2等のギャップ材料に相当する基板である。相互拡散に
よる合金層領域のために、応力集中が生ぜず、高信頼性
部品を歩留りよく製造できる。また、高Bsと低Bs多
層膜は、FeとNi層(あるいは、FeとGo層)の膜
厚比を変えるだけでよく、多層膜11および12は基本
的には異種材料ではないため、軟1ift気特性の劣化
は生しない等の壱で、有利である。
一方、薄膜磁気ヘットのトラック密度特性を改善するた
めには、再生効率に大ぎな影響を及ぼす611極の磁区
構成を単磁区化することが必要である。これには、磁極
用I欺6n性膜を5i02、へρ203等非磁性絶縁膜
で挟むことによって、上下膜間に静6Li結合を有した
構造が有利である。第7図に本発明による磁性多層膜を
非磁性絶縁膜で挟んで構成した実施例を示す。15は本
発明による磁性多層膜であり、16は5in2、 Al
l 20y 、 5J3N4などの非磁性絶縁膜である
。17は基板である。この非磁性絶縁膜の膜厚を変え、
bn磁区構造変化を調べた結果、2nm未満ではピンボ
ールを介した強磁性結合のために、安定した単磁区構造
が得られなかった。一方、0.2μm以上でも静磁結合
が不十分であり、磁極部に不安定な磁区が出現した。し
かし、2nm以上0.2 μm未満の膜厚を有したイ(
構成では、完全な単磁区構造が得られた。
めには、再生効率に大ぎな影響を及ぼす611極の磁区
構成を単磁区化することが必要である。これには、磁極
用I欺6n性膜を5i02、へρ203等非磁性絶縁膜
で挟むことによって、上下膜間に静6Li結合を有した
構造が有利である。第7図に本発明による磁性多層膜を
非磁性絶縁膜で挟んで構成した実施例を示す。15は本
発明による磁性多層膜であり、16は5in2、 Al
l 20y 、 5J3N4などの非磁性絶縁膜である
。17は基板である。この非磁性絶縁膜の膜厚を変え、
bn磁区構造変化を調べた結果、2nm未満ではピンボ
ールを介した強磁性結合のために、安定した単磁区構造
が得られなかった。一方、0.2μm以上でも静磁結合
が不十分であり、磁極部に不安定な磁区が出現した。し
かし、2nm以上0.2 μm未満の膜厚を有したイ(
構成では、完全な単磁区構造が得られた。
以上の結果から明らかなように、本発明による磁性多層
膜は、低いBsから高いBsまで構成膜厚比を変えるこ
とにより、BSを任意に変化させることができ、薄膜磁
気ヘットに適した良好な軟磁気特性を実現でき、しかも
各層の境界部に組成のゆるやかに変化した熱拡散による
合金層を形成しているために、膜はくりのない多層膜を
実現できる。
膜は、低いBsから高いBsまで構成膜厚比を変えるこ
とにより、BSを任意に変化させることができ、薄膜磁
気ヘットに適した良好な軟磁気特性を実現でき、しかも
各層の境界部に組成のゆるやかに変化した熱拡散による
合金層を形成しているために、膜はくりのない多層膜を
実現できる。
それゆえ、高性能でかつ高信頼性の薄膜磁性部品を歩留
りよく製造できる。また、多層膜を構成する層の膜厚比
を変えて作製した1、5テスラ以上のBsを有する多層
膜と、1.5テスラ未溝のBsを有する多層膜とを積層
することにより、接合境界部に応力集中しない磁性多層
膜が安定に実現でき、磁化信号記録および再生いずれに
も適した薄膜磁気ヘットの磁極用軟磁性多層膜が製造歩
留りよく作成できる。さらに、本発明による磁性多層膜
を5in2、Af1203.およびSi:uL+などの
非磁性絶縁膜で挟んだ構造の多層膜は、その絶縁膜の膜
厚を2nm以上0.2μm未満とすることによって、磁
極部の磁区構造を単磁区化することができ、高トラツク
密度信号を記録再生できる薄膜磁気ヘッドを実現できる
。
りよく製造できる。また、多層膜を構成する層の膜厚比
を変えて作製した1、5テスラ以上のBsを有する多層
膜と、1.5テスラ未溝のBsを有する多層膜とを積層
することにより、接合境界部に応力集中しない磁性多層
膜が安定に実現でき、磁化信号記録および再生いずれに
も適した薄膜磁気ヘットの磁極用軟磁性多層膜が製造歩
留りよく作成できる。さらに、本発明による磁性多層膜
を5in2、Af1203.およびSi:uL+などの
非磁性絶縁膜で挟んだ構造の多層膜は、その絶縁膜の膜
厚を2nm以上0.2μm未満とすることによって、磁
極部の磁区構造を単磁区化することができ、高トラツク
密度信号を記録再生できる薄膜磁気ヘッドを実現できる
。
〔発明の効果)
以上説明したように、本発明によるう磁性多層膜は、高
Bsでかつ良好な軟磁気特性を有し、しかも膜はくり等
のデバイス製造時の問題が生しないため、薄膜磁気ヘッ
ドの磁極に利用した場合、高保磁力媒体の磁化信号を効
率よく記録再生できるヘッドを安定に歩留りよく製造で
きるという利点かある。また、本発明によるBsの異な
ったIrfi性多層膜多層膜することにより、磁化信号
記録、および再生いずれにも通したより高性能な薄り磁
気ヘッドが歩留りよく製造できるという利点かある。さ
らに、本発明による磁性多層膜を5in2、Aj220
. 、 Si、N、等の非極性絶縁膜で挾む構造の多層
磁性膜は、磁極部の磁区構造を単磁極(ヒできるために
、よりトラック密度の高い磁化信号を記録再生する薄膜
磁気ヘッドを実現できるという利点がある。
Bsでかつ良好な軟磁気特性を有し、しかも膜はくり等
のデバイス製造時の問題が生しないため、薄膜磁気ヘッ
ドの磁極に利用した場合、高保磁力媒体の磁化信号を効
率よく記録再生できるヘッドを安定に歩留りよく製造で
きるという利点かある。また、本発明によるBsの異な
ったIrfi性多層膜多層膜することにより、磁化信号
記録、および再生いずれにも通したより高性能な薄り磁
気ヘッドが歩留りよく製造できるという利点かある。さ
らに、本発明による磁性多層膜を5in2、Aj220
. 、 Si、N、等の非極性絶縁膜で挾む構造の多層
磁性膜は、磁極部の磁区構造を単磁極(ヒできるために
、よりトラック密度の高い磁化信号を記録再生する薄膜
磁気ヘッドを実現できるという利点がある。
7)’; 1図および第2図はそれぞれ本発明による6
11[1多層膜を製造するイオンビームスパッタ装置の
模式図、 第3図は本発明による磁性多層膜の実施例の断面図、 第4図はFe/NiおよびFe/Co 磁性多層膜にお
けるUsとFe層l模厚の関係を示す特性図、第5図は
Fe/NiおよびFe/Co磁性多層服における保磁力
とFe多層厚の関係を示す特性図、第6図および第7図
はそれぞれ本発明による磁性多層膜の実施例の断面図で
ある。 1・・・Feターゲット、 2・・・NiあるいはCoターゲット、3・・・非磁性
絶縁ターゲット、 4・・・基板、 5・・・基板加熱部、 6・・・イオン源、 7・・・Fe層、 8・・・Ni層あるいはCo層、 9−−・NiFeあるいはCoFe層、lO・・・基板
、 11・・・高Bsを有する磁性多層膜、12・・・1.
5テスラ未満の磁性多層膜、13・・・熱拡散による合
金層、 14・・・基板、 15・・・磁性多層膜。 16・・・非磁性絶縁層、 17・・・基板。 特許出願人 日木電信電話株式会社
11[1多層膜を製造するイオンビームスパッタ装置の
模式図、 第3図は本発明による磁性多層膜の実施例の断面図、 第4図はFe/NiおよびFe/Co 磁性多層膜にお
けるUsとFe層l模厚の関係を示す特性図、第5図は
Fe/NiおよびFe/Co磁性多層服における保磁力
とFe多層厚の関係を示す特性図、第6図および第7図
はそれぞれ本発明による磁性多層膜の実施例の断面図で
ある。 1・・・Feターゲット、 2・・・NiあるいはCoターゲット、3・・・非磁性
絶縁ターゲット、 4・・・基板、 5・・・基板加熱部、 6・・・イオン源、 7・・・Fe層、 8・・・Ni層あるいはCo層、 9−−・NiFeあるいはCoFe層、lO・・・基板
、 11・・・高Bsを有する磁性多層膜、12・・・1.
5テスラ未満の磁性多層膜、13・・・熱拡散による合
金層、 14・・・基板、 15・・・磁性多層膜。 16・・・非磁性絶縁層、 17・・・基板。 特許出願人 日木電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上にFe層と、Ni,CoおよびFeCoのう
ちの一種からなる層が交互に積層され、かつ積層の境界
部に熱拡散による合金層が形成されていることを特徴と
する磁性多層膜。 2)100℃以上かつ400℃未満の温度に加熱した基
板上に、Fe層と、Ni,CoおよびFeCoのうちの
一種からなる層を交互に積層することを特徴とする磁性
多層膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6686188A JPH01239821A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁性多層膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6686188A JPH01239821A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁性多層膜およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239821A true JPH01239821A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13328062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6686188A Pending JPH01239821A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁性多層膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01239821A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04142720A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 磁性薄膜の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599905A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
JPS6197906A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 高透磁率人工格子磁性薄膜 |
JPS63293707A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | Fe−Co磁性多層膜及び磁気ヘッド |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6686188A patent/JPH01239821A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599905A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
JPS6197906A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 高透磁率人工格子磁性薄膜 |
JPS63293707A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | Fe−Co磁性多層膜及び磁気ヘッド |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04142720A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Amorphous Denshi Device Kenkyusho:Kk | 磁性薄膜の製造方法 |
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