JPS60127648A - ストロボ走査形電子顕微鏡 - Google Patents

ストロボ走査形電子顕微鏡

Info

Publication number
JPS60127648A
JPS60127648A JP23424283A JP23424283A JPS60127648A JP S60127648 A JPS60127648 A JP S60127648A JP 23424283 A JP23424283 A JP 23424283A JP 23424283 A JP23424283 A JP 23424283A JP S60127648 A JPS60127648 A JP S60127648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
pulse
electron microscope
electron beam
secondary electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23424283A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2507290B2 (ja
Inventor
Hideo Todokoro
秀男 戸所
Satoru Fukuhara
悟 福原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58234242A priority Critical patent/JP2507290B2/ja
Publication of JPS60127648A publication Critical patent/JPS60127648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2507290B2 publication Critical patent/JP2507290B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/266Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
    • H01J37/268Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ストロボ走査形電子顕微鏡に係り、特に論理
LSI等の試料をテストするのに好適なストロボ走査形
電子顕微鏡に関する。
〔発明の背景〕
ストロボ走査形電子顕微鏡は、通常の走査形電子顕微鏡
にビームのパルス化装置と同期回路を付加して構成され
る。以下、図を用いて説明する。
第1図はストロボ走査形電子顕微鏡の基本構成図である
。電子銃1から出射された電子ビーム2を電子Vンズ6
を用いて検鏡試料10上に焦点を結ばせ、かつ走査コイ
ル8でテレビジョンの撮像管と同じ要領で矩形状に走査
させる。電子ビームは固体に衝突すると、そこから2次
電子又は反射電子を放出させる。この2次喧子あるいは
反射電子を検出器9で検知し、この信号強度で、走査コ
イル8と同期して動作しているディスプレイ装置7上に
試料像を表示する。これが走査形電子顕微鏡の基本原理
である。
ところが、この走査形電子顕微鏡で高速変化する試料(
例えば、図示の如く位置がA、B、Cと変化する場合)
を観察すると、走査速度が試料の変化速度に追従できず
、試料の全変化が重複して表示されてしまう。そこで、
試料に周期的変化を与えている試料駆動回路11と同期
したノくルス回路12の出力を偏向板3に与えて電子ビ
ームを偏向させる。電子ビームがアパーチャ4の開孔上
に偏向されたときのみ下方に通過するので、ここでt子
ビームはパルス化される。このノくルス化し’c電子ビ
ームで試料上を走査すると、試料変化のある一定の位相
のときのみ電子照射されているので、全動梓が重なるこ
となく、試料状態のある時点(位相)の像のみを選択表
示できる。
上記の方式を用いて、試料変化の全貌を観察するため、
遅延回路5を発振器12と駆動装置11の間に挿入する
ストロボ走査形電子顕微鏡で観測する試料は、主に高集
積回路(LSI)である。ここでは、LSIのクロック
信号がパルス電子ビーム&作るトリガー信号となる。こ
の様子を第2図に示した。
■は、クロック信号で周期はTCの典型的な値は100
〜500nsである。■はLSI内の信号波形で、この
例ではクロック1g号と同一周期である。
■はクロック信号に同期して作られたパルス電子ビーム
である。パルス電子ビームはTcの期間に1個作られる
。■′、■“は遅延回路5によりパルス電子ビームの発
生を遅らせた様子を示したものである。■“は波形の変
化は全体を観測するのに必要な最大の遅延(Tdl )
を作った場合である。この例では +ll CとT(1
1は一致している。
ところが、クロック信号の周期とLSI内の周期が一致
しない場合がある。これは特に論理LSIをテストする
場合に起る。第3図に周期が一致していない場合の観測
法を示した。■はクロック信号、■はLSI内の信号波
形である。この信号波形は、クロック信号の4倍の周期
になっている。
実際の論理LsIでは100〜1000倍の長周期にも
なる。■′はクロック信号の4倍の周期の信号で、周波
数変換回路13(第1図参照)で作られる。■、■′、
■〃は■′に同期して作られたパルス電子ビームで、必
要な最大遅延はTd<で、これはTCの4倍である。
第3図に示すようなりロック信号よシもn倍周期の波形
を観察する場合、パルス電子ビームの数はl/nになる
。そこで、論理LSIのような長周期の場合、(1)同
一周期の測定に比べるとn倍の測定時間を必要とする。
(2)長い遅延時間をもった遅延回路(例えばTcを5
00ns、neloo とすると50μS)を必要とす
る、等の問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は、か\る点に着目してなされたものであり、長
周期のLSI等のテストをパルス電子ビームの発生周期
と遅延時間とをn倍化することなしに達へ得るストロボ
走査形電子顕微鏡を提供することを目的とするものであ
る。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明では、パルス電子ビ
ームはクロック信号と同期させて発生させるが、クロッ
ク信号に同期したそれぞれのパルス電子ビームに全測定
範囲のl/nづつ分担させる如く構成したものであシ、
2次電子信号の検出系にクロック信号に同期したn個の
ゲート回路を備えることで可能となる。
〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第4図は本発明の一実施例を説明する図である。
第1図に示した従来例では試料駆動回路11と遅延回路
5の間に周波数変換回路13が挿入されていたが、本芙
厖例には周波数変換回路は用いられていない。その代シ
に、2次1L子検出器9の出力にゲート回路18と、画
像メモリ17が設けられている。この画像メモリ17は
ディスプレイ装置7と同期して動作している。ゲート回
路18ri、試料14に周期的変化を与えている試料駆
動回路11のクロック信号と同期して動作するカウンタ
15によって開閉し、2次電子検出器9からの信号をそ
れぞれのメモリに選別して供給する。
このゲート回路18の開閉動作のタイミングを第5図を
用いて説明する。■は試料駆動回路11のクロック信号
である。■はこのクロックで動作している論理L8Iの
内部信号波形で、ここではクロック信号の4倍の周期で
動作している例で示した。■はパルス電子ビーム照射の
タイミングを示したもので、クロック信号と同一の周期
である(従来法では、このパルスビーム照射のタイミン
グを4倍周期にしていた)。■lは最大遅延を与えたと
きのパルス電子ビームのタイミングである。
遅延量Taはクロック信号の周期TCと同じ量である。
■から■“′はゲート((b 、G2 、G3.G4)
の動作のタイミングを示したものである。電圧が出力さ
れたときにゲートが開になる。■はGlの、■′はG2
の、■“は03の、■″はG4のゲートの開閉信号であ
る(第4図にはn番までのゲートを記しである)。
この構成にすると、■で示した”1”のパルス電子ビー
ムで発生した2次電子信号はGlを通つてMlの画像メ
モリVこ、”2“のパルスで発生した2次電子信号はG
2を通ってM2の画像メモリへにそれぞれ蓄積される。
M3.M4 も同様でおる。このメモリへの信号取込み
と蓄積を10秒から1000秒程度0間行い、S/Nの
改嵜・と計る。
メモリM1をスイッチ19(SI )で選択し、ディス
プレー16で観察すると、’[”c(1)(is図■参
照)の領域内のストロボ1?!を観察できる。スィッチ
19會選択すれば、同様にTC(2)、 T C(3)
T c (4)の領域のストロボ像をも観察できる。す
なわち、この構成では、1回のデータの取込みで4枚(
n枚)の異ったストロボ像が得られる。
本発明の他の実施例を第6図に示す。これは論理テスト
ヲ主眼とした実施例でおる。ここでハノクルスビームの
幅はln3というように短い必−躍はなく、クロックの
周期′1゛Cよりも小さい値であればよい。このパルス
ビームをクロック周期のほぼ中央に設定する。ゲート回
路18は前実施例と同様にカウンタ15によって開閉さ
れる。検出された2次電子信号は、ゲート回路18の開
閉でそれぞれのメモリ22に蓄積される。データ取込み
佐、このメモリに蓄積された信号量の走を比軟回路Z 
0 テ” )(igll” 、”Low ’ に分別し
、81gh”ならばランプ21を点灯(”L 0 W″
ならば点灯しない)させる。この表示では、クロック信
号に対して論理がどのように進行していくかか論説でき
る。また、ランプ表示ばかりでなく、プリンタに出力あ
るいはう°ラウン管に出力することも可能である。この
テスト法では、ディスプレイ装置7を用いて論理を検査
したい配線に電子ビームを点灯に照射している。さらに
、メモリ22を用いる代シに前記実施例と同様な2次元
メモリ17を用いれば、電子ビームを試料1匝走査し”
High”。
”LOW″佃号(2値化1i号)の像を作ることも可能
で、−理テストのよシ尚速化が可能となる。
本発明のさらに他の実施例を第7図に示す。前記2実施
例が、2値化あるいは画像であったの1対して、この実
施列では論理信号波形そのものを測定する。また、この
実施例では、ゲート回路1Q糾二目扁1r+I 14$
凡の鼾禍1−かクロック信号に同期したカウンタ15で
開閉される。ゲート18には、それぞれ−次元のメモリ
23が接続されている。
このメモリのチャンネルの選択は、遅延回路5の選択と
一致している。
第8図に本実施例でのゲート回路の開閉のタイミンクト
パルスビーム照射との関係を示した。■はパルスビーム
照射のタイミングを示すもので、クロック信号の周期T
Cで照射している。この論理L8IもやはシTCの4倍
周期で動作している場合とした。3−4.3−4’ 、
3−4“、3−4“′は、それぞれゲート回路18 (
G1. G2 、 Gs 、 G4 )の開くタイミン
グで電圧が出力されているときだけゲートが開く。■は
遅延(約Td/2)を加えたときのパルスビーム照射の
タイミングである。
3’−4,3’−4’は、■のパルスビーム照射のとき
の、ゲート回路18(01〜G4 、Gaと04は省略
した)の開くタイミングでおる。ここではパルスビーム
照射のタイミングに追従してゲートがTCの期間だけ開
いている。ゲート回路18をパルスビームに追従させて
動作させている理由は、2次電子の検出に100s前後
の遅れがでるためである。試料のクロック信号に同期し
たままで、パルスビームを遅延させると、最大の遅延を
与えた場合に次のゲート内に信号が混入してしまう。
もち勺ん、この方式を前記2実施例に適用することも可
能である。
■は測定しようとする論理信号波形である。この波形は
次のようにして測定する。まず遅延回路5の遅延を零と
し、このときの信号をG、、G2゜Gs 、G4 を通
して、メモリ、Ml 、Ml + Ms +M4の最初
のチャンネルに記憶させる。次に一定量の遅延を遅延回
路5で与え、このときの信号をメモリ、Ml、Ml 、
Ms 、M4の次のチャンネルに記憶させる。次にまた
一定の遅延を与えて、信号を記憶させる。このようにし
てクロック信号の周期TCの時間分遅延させて、信号を
記憶させる。第9図の■)、’9−’D 、’jDは、
このようにして、メモリ、Ml 、Ml 、Ms 、M
4に記憶された信号である。横軸は一次元メモリのチャ
ンネルで遅延回路5で作った遅延時間と一致している。
これを4個並べると論理信号の全貌を見ることができる
(図示MO)。第7図の表示回路24は上記の表示を行
うための回路である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来法に比較し以下のような利点があ
る。
(1)測定時間のl/n化が計れる。
(2)遅延回路の遅延量が小さくてすむ。
(3)電子ビームの利用効果がn倍。
【図面の簡単な説明】
第1図はストロボSEMを説明する図、第2図はストロ
ボSEMの動作を説明する図、1i143図は論理テス
ト(長周期)を説明する図、第4図は本発明の一実施例
を説明する図、第5図はその動作を説明する図、第6図
は本発明の他の実施例を説明する図、第7図は本発明の
さらに他の実施例を説明する図、第8図および第9図は
その動作を説明する図である。 1・・・電子銃、2・・・電子ビーム、3・・・偏向板
、4・・・アパーチャ、5・・・遅延回路、6・・・電
子レンズ、7、・・ディスプVイ装置、8・・・走査コ
イル、9・・・2次電子検出器、11・・・試料駆動回
路、12・・・パルス回路、14・・・試料、15・・
・カウンタ、16・・・ディスプレー、17・・・画像
メモリ、18・・・ゲlト回路、茅1図 芋20 1− 茅5凹 $40 茅ろ囚 茅7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、試料の励振周期に同期させてパルス電子ビームを発
    生させる電子ビーム照射系と、パルス電子ビーム発生の
    タイミング調整のための遅延回路と、2次電子信号経路
    内に前記試料の励振周期と同期して開閉する複数個のゲ
    ートを具備したことを特徴とするストロボ走査形電子顕
    微鏡。 2、前記ゲートの後段にメモリ回路を具備したことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のストロボ走査形電
    子顕微鏡。 3、前記試料の基本励振周期に同期してパルスビームを
    発生させ、かつn個のゲーIf設け、これを前記基本励
    振周期に同期して順次に開閉させて、0段ステップの論
    理L8Ikテストすることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項及び第2項記載のストロボ走査形電子顕微鏡。 4、前記ゲートの開閉を前記遅延回路を経由した好歇1
    曲F、6ゴ三し1劃廿nλ小イ舛八ンし%J襲6LIた
    特許請求の範囲第3項記載のストロボ走査形電子顕微鏡
JP58234242A 1983-12-14 1983-12-14 ストロボ走査形電子顕微鏡 Expired - Lifetime JP2507290B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58234242A JP2507290B2 (ja) 1983-12-14 1983-12-14 ストロボ走査形電子顕微鏡

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58234242A JP2507290B2 (ja) 1983-12-14 1983-12-14 ストロボ走査形電子顕微鏡

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60127648A true JPS60127648A (ja) 1985-07-08
JP2507290B2 JP2507290B2 (ja) 1996-06-12

Family

ID=16967906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58234242A Expired - Lifetime JP2507290B2 (ja) 1983-12-14 1983-12-14 ストロボ走査形電子顕微鏡

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2507290B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5160884A (en) * 1990-02-02 1992-11-03 Hitachi, Ltd. Charged particle beam device
EP0811999A3 (en) * 1996-06-07 2004-02-25 Hitachi, Ltd. Scanning microscope
JP2013243157A (ja) * 2004-04-02 2013-12-05 California Inst Of Technology 超高速光電子顕微鏡のための方法およびシステム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5760650A (en) * 1980-09-26 1982-04-12 Jeol Ltd Strobe electron microscope
JPS5848347A (ja) * 1981-09-17 1983-03-22 Toshiba Corp ストロボ走査型電子顕微鏡
JPS5871540A (ja) * 1981-09-30 1983-04-28 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 電子線測定法による電位決定のための走査方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5760650A (en) * 1980-09-26 1982-04-12 Jeol Ltd Strobe electron microscope
JPS5848347A (ja) * 1981-09-17 1983-03-22 Toshiba Corp ストロボ走査型電子顕微鏡
JPS5871540A (ja) * 1981-09-30 1983-04-28 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 電子線測定法による電位決定のための走査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5160884A (en) * 1990-02-02 1992-11-03 Hitachi, Ltd. Charged particle beam device
EP0811999A3 (en) * 1996-06-07 2004-02-25 Hitachi, Ltd. Scanning microscope
JP2013243157A (ja) * 2004-04-02 2013-12-05 California Inst Of Technology 超高速光電子顕微鏡のための方法およびシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2507290B2 (ja) 1996-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11047906B2 (en) Synchronized pulsed LADA for the simultaneous acquisition of timing diagrams and laser-induced upsets
US11353479B2 (en) Laser-assisted device alteration using synchronized laser pulses
US7038474B2 (en) Laser-induced critical parameter analysis of CMOS devices
JPS60127648A (ja) ストロボ走査形電子顕微鏡
US6815960B2 (en) Electron beam test system and electron beam test method
JP2941328B2 (ja) 荷電ビーム装置
Gonzales et al. Internal waveform measurements of the MOS three-transistor, dynamic RAM using SEM stroboscopic techniques
JPS6088441A (ja) 測定点の信号経過測定方法
JPH0582606A (ja) 半導体集積回路試験装置
JPS59200428A (ja) 電子ビ−ムテスタ
JPH02295046A (ja) 論理解析電子ビームテスタ装置
JPH03501293A (ja) サンプルの測定点における信号経過を測定するための方法及び装置
JPS62223960A (ja) 試料電位コントラスト像観察装置
JPS5848346A (ja) ストロボ走査型電子顕微鏡のパルスビ−ム位相制御装置
JPS59181630A (ja) 電子ビ−ムテスタ
JPH0317579A (ja) ストロボ電子ビーム装置
JP2758923B2 (ja) 電子ビーム装置
JPH03161948A (ja) 集積回路試験装置及び試験方法
JPH0722012B2 (ja) ストロボ方式の電位波形測定装置
JPH05343022A (ja) 荷電粒子線装置
JPH0244270A (ja) 半導体装置の配線電位の測定方法
Hall et al. Rapid data acquisition for e-beam testing
JPH0560846A (ja) 荷電粒子線装置
JPH07151836A (ja) 荷電粒子線試験装置及び半導体集積回路試験装置
JPS6251145A (ja) ストロボ走査形電子顕微鏡