JPS6012748A - 厚膜導体接続方法 - Google Patents

厚膜導体接続方法

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JPS6012748A
JPS6012748A JP11811983A JP11811983A JPS6012748A JP S6012748 A JPS6012748 A JP S6012748A JP 11811983 A JP11811983 A JP 11811983A JP 11811983 A JP11811983 A JP 11811983A JP S6012748 A JPS6012748 A JP S6012748A
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JP
Japan
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conductor
thick film
film conductor
lead frame
connection
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Pending
Application number
JP11811983A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Tayama
田山 政志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP11811983A priority Critical patent/JPS6012748A/ja
Publication of JPS6012748A publication Critical patent/JPS6012748A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/328Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は基板上に形成された厚膜導体間の接続、あるい
は厚膜導体と部品等との接続を行うための接続方法に関
するものである。
〔従来技術〕
例えばサーキュレータにおいて厚膜導体間を接続する場
合、従来は第1図及び第2図に示すようにセラミック、
フエライりまたはアルミナ等の基板1と該基板1上に形
成された線路導体である厚膜導体2から成るサーキュレ
ータ部品を真鍮等で形成されたベース3上式セットし、
前記厚膜導体2上に直接半田とて4の先端を当てて、そ
の熱伝導によシ厚膜導体2に供給された半田5を溶融し
て厚膜導体2間を電気的及び機械的に接続する方法が採
用されている。
しかしながらこのような方法では、上述の如く半田ごて
を直接厚膜導体に押付けるため、この半田ごて先端の温
度と加熱時間との関係によって厚膜導体にくわれ現像が
発生することがあり、また供給半田量の違い等によシサ
ーキュレータの電気的性能を著しく損うおそれがある等
の欠点を有している。
〔発明の目的〕
本発明は上述した従来技術の欠点を解決するためになさ
れたもので、厚膜導体にくわれ現像が発生せず、かつサ
ーキュレータ等の電気的性能を劣化させることなく電気
的9機械的に良好な接続を得ることができる厚膜導体の
接続方法を実現することにある。
【発明の購成〕
上述した目的を達成するため、本発明は金メツキコバー
ル線によるリードフレームを用い、このリードフレーム
−を抵抗溶接で厚膜導体に圧接して厚膜導体間の電気的
9機械的な接続を行うようにしたものである。
[実施例〕 以下に実施例を説明すると、第3図は本発明による厚膜
導体の接続方法の一実施例を示す説明口で、図において
1はセテミック、フェライトまたはアルミナ等による基
板、2は該基板1上に形成された厚膜導体、3は真鍮等
で形成されたペース、6は金メツキコバール線によるリ
ードフレーム、7aと7bは溶接用の電極、8は該電極
7a、7bを保持した加圧ヘッドである。
本発明による接続方法は、まず基板1と厚膜導体2から
成るサーキュレータ部品をベース3上にセットし、次に
予じめ所定寸法に切断されたリードフレーム6を互いに
接続される厚膜導体2上に搭載する。そして、このリー
ドフレーム6上K 一定の間隙をもって加圧ヘンド8に
保持された電極7aと7bとをそれぞれ当接させ、バネ
等を介して一定の荷重でリードフレーム6を加圧して安
定させる。この状態で溶接電源に蓄積された溶接電流を
リードフレーム6に放出すると抵抗熱が発生し、こ扛に
よりリードフレーム6が加熱され、更にこのリードフレ
ーム6を通して厚膜導体2に伝導して、リードフレーム
6と導体2の加圧接触部が瞬時のうちに圧接されるので
、この圧接を接続されるべき厚膜導体2上の2個所につ
いて行う。
第4図はこの圧接部の断面図で、図中Aは一方の厚膜導
体2とリードフレーム6との圧接個所を示し、またBは
他方の厚膜導体2とリードフレーム6との圧接個所を示
している。
従ってこの接続方法によれば、厚膜導体2が直接加熱さ
れないので接続時の熱影響が少なく、安定した接続が容
易に実現されることになる。
尚、上述した実施例はサーキュレータにおける厚膜導体
2同志の接続について述べたものであるが、本発明はこ
れに限られるものではなく、例えば第5図に示すように
基板9に回路として形成された厚膜導体10上にリード
付部品11を搭載する場合でも、前記と同様に接続を行
うことができ、このような場合においても厚膜導体10
及びリード付部品11への熱影響の少ない接続が達成さ
れるO 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、金メツキコバール線によ
るリードフレームを用い、このリードフレームを抵抗溶
接によシ厚膜導体に圧接する接続方法であるため、厚膜
導体に直接熱が加わらず、従って厚膜導体への熱影響が
少女いので、従来のようなくわれ現像が厚膜導体に発生
することがなく、電気的1機械的に良好な接続を実現で
きるという効果が得られる。
また、半田を用いないため、半田の供給量の違いによる
サーキュレータ等の電気的性能の劣化を防止することが
できるという効果もあり、こnらのことから電気部品や
厚膜導体への熱影響を嫌う接続に利用することができる
ものである0
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の厚膜導体接続方法を示す説明図、第2図
は厚膜導体を有するサーキュレータの斜視図、第3図は
本発明による厚膜導体接続方法の一実施例を示す説明図
、第4図は第3図における圧接個所の断面図、第5図は
他の実施例を示す説明図である。 1・・・基板 2・・・厚膜導体 6・・・リードフレ
ーム7a、7b・・・電極 8・・・加圧ヘッド 9・
・・基板10・・・厚膜導体 11・・・リード付部品
特許 出 願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 金 倉 喬 二 輪1声 l @3− 軸2Cill 鞄4− 輪5− 1 9

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 基板上に形成された厚膜’yQ体と他の導体また
    は部品等との接続に際し、所定の寸法のリードフレーム
    を厚膜導体上に載せて、該厚膜導体とリードフレームと
    を抵抗溶接によ多接続することを特徴とする厚膜導体接
    続方法。
JP11811983A 1983-07-01 1983-07-01 厚膜導体接続方法 Pending JPS6012748A (ja)

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JP11811983A JPS6012748A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 厚膜導体接続方法

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JPS6012748A true JPS6012748A (ja) 1985-01-23

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