JPS60126816A - 分子線エピタキシャル成長装置 - Google Patents

分子線エピタキシャル成長装置

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Publication number
JPS60126816A
JPS60126816A JP23357283A JP23357283A JPS60126816A JP S60126816 A JPS60126816 A JP S60126816A JP 23357283 A JP23357283 A JP 23357283A JP 23357283 A JP23357283 A JP 23357283A JP S60126816 A JPS60126816 A JP S60126816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molecular beam
mixed crystal
growth
beam epitaxial
epitaxial growth
Prior art date
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Pending
Application number
JP23357283A
Other languages
English (en)
Inventor
Chiharu Nozaki
野崎　千晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60126816A publication Critical patent/JPS60126816A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の喝する技術分野〕 本発明は分子線結晶成長法例より多元化合物半導体を作
製するに係り、混晶比をモニターし、成長中に形成条件
を制御する分子線エピタキシャル成長装置に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来の結晶成長において多元化合物半導体の混晶比をめ
る方法としては形成された膜に°対し、センス、Ｘ線、
ラマン分光などの 方法があった。しかし、これらの方法では結晶成長中の
モニター、形成条件への制御はできなかった。
〔発明の目的〕
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので、分子線
エピタキシャル成長法により、多元化合物半導体の結晶
成長を行なう場合において、多元化合物半導体の混晶比
を結晶成長中に、同時にその場で知ることができ形成条
件の制御を可能とする分子線エピタキシ咋ル成長装置を
提供するものである。
〔発明の概要〕
第１図は従来の分子線エピタキシャル成長装置を示す概
略構成図である。
■は真空ポンプ、■は常に超高真空に保たれ、分子線子
ビタキシャル成長を行う成長室、■は基板準備室、■は
分子線、■を出す分子線源、■は基板および、基板ホル
ダー、■■および■はそれぞれパルプである。
本発明における装置概略構成図を第２図に示す。
第１図に加えて、■は励起光源、■は集光レンズ、＠け
検知器および０はデータ処理機器である。
なお、励起光源０は回転でき、被成長基板■に対し、面
内に走査できるようになっており、検知器０も光軸を合
わせるよう制御できるように彦っている。
バンドギャップの変化より多元化合物の混晶比を一義的
に判断できる。また、フォトルミネッセンスを測定する
ことによシ、バンドギャップを測れる。
したがって、フォトルミネッセンスを測定することによ
り混晶比が判断できる。成長中に、励起光源よシ成長膜
表面に励起光を照射し、フォトルミネッセンス分光を行
う。この結果により混晶比を判断することが可能である
。極表面をみる必要性より励起光は侵入深さ、の小さい
Ｈｅ−Ｃｄレーザ３２５０に波長を用いる。また成長前
に所望のバンドギャップを指定し、実際に測定したもの
との皇をめ、リース温度にフィードバックをかけ成長中
に制御する。
〔発明の効果〕
本発明によれば結晶成長中の膜に対して；フォトルきネ
ッセンス測定をすることにより、成長中にその場で混晶
比をモニターでき、またその結果を形成条件にフィード
バックし、混晶比制御が可能となる。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例において説明する。この実施例では、
超高真空に保持された分子線エピタキシャル成長装置中
でＧａＡｓ基板上に）ｄ、ｘＧａ　１−ｘＡｓ単結晶を
、成長したときのＧａと紅の混合比、Ｘ値をめる例を示
す。ＡｌＸＧａ　１−ｘＡｓの場合Ｘ値と室温における
バンドギャップ（＜ｏ、ａ　５　）はＥ〆Ｘ）　＝１．
４３９＋１．０４２ｘ＋０．４６８ｘ２であられすこと
ができる。
例えば戸０．３のＡｔｘＧａ　１−ｘＡｓを成長させた
い場合Ｅｇ＝１．７９４（ｅｖ）　１６９１２λでスペ
クトルはピークをもつ。
検出器における分光器にてλ＝６９００〜６９２０大を
常に走査させておく、−その強度を微分処理を施し。
その零点の値と、　６９１２＾を比較する。６９１２＾
以下であれば、　Ｘ＝０．３以上であるので、　Ａｔソ
ースの温度を下げる方向へ、逆に６９ｘＭ以上であれば
、上げる方向へ操作する制御を施す。常にフィードバッ
クすることにより、混晶比精度は０１チ以下の再現性の
優れたものとなった。
［発明の他の実施例〕 本発明は一般に多元化合物半導体Ａ１−ｘＢｘＣあるい
はＡ１．−ｘＢｘＣｓ−ｙＤｇの場合に適用できる。Ａ
、Ｂの例としては、Ｇａ、ＡＡ、Ｉｎのような周期律表
の３族の元素が、　Ｃ，Ｄの例としては％Ａｓ、Ｐのよ
うな周期律表の５族の元素が対応する。
、　また上記Ｘ値、ｙ値を時間とともに変化させ、階段
状あるいは補Ｗなどのプロファイルをもつように成長さ
せるにおいても有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の分子線エピタキシャル成長装置の概略
構成図、第２図は、本発明における装置概略構成図であ
る。 （１）・・・真空ポンプ、（２）・・・成長室、（３）
・・・基板準備室、（４）・・・分子線源、（５）・・
・分子線、（６）・・・基板および基板ホルダー、　（
７Ｈ８）および（９）・・・バルブ、　（１Ｇ・す；励
起光源、住υ・・・集光レンズおよびα２・・・検知器
、　ｆ１３）・・・データ処理機器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）分子線エピタキシャル法を用いて基板上に多元化
    合物半導体を作製する際にその薄膜７．の７オトルミネ
    ツセンスを測定しうる励起光源、・・検知器系を備えた
    ことを特徴とする分子線エピタキシャル成長装＃。
  2. （２）前記フォトルミネッセンス測定を行うことに　−
    より成長中に混晶比をモニターし、その結果より自動的
    に成長中に形成条件の制御を施すことを特徴とする特許
    請求の範囲第１ｍ記載の分子線エピタキシャル成長装ｆ
    ウー
JP23357283A 1983-12-13 1983-12-13 分子線エピタキシャル成長装置 Pending JPS60126816A (ja)

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JPS60126816A true JPS60126816A (ja) 1985-07-06

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63502542A (ja) * 1985-08-07 1988-09-22 オ−ストラリア国 成長する合金薄膜の均一性の制御
JPH0511128U (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 スタンレー電気株式会社 Ｌｃｄモジユールの取付構造
CN103155101A (zh) * 2010-09-14 2013-06-12 应用材料公司 改良器件产率的移送室测量方法

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