JPH0621777B2 - 半導体結晶表面粗さ評価方法 - Google Patents
半導体結晶表面粗さ評価方法Info
- Publication number
- JPH0621777B2 JPH0621777B2 JP61304584A JP30458486A JPH0621777B2 JP H0621777 B2 JPH0621777 B2 JP H0621777B2 JP 61304584 A JP61304584 A JP 61304584A JP 30458486 A JP30458486 A JP 30458486A JP H0621777 B2 JPH0621777 B2 JP H0621777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- surface roughness
- intensity
- semiconductor crystal
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体結晶表面粗さ評価方法において、検査す
べき半導体結晶の組成を確認すると共に、検査すべき半
導体結晶からの反射光の強度と標準試料表面よりの強度
との比を求め、これらに基づくことにより、検査すべき
半導体結晶の組成の違いによる影響及びレーザ光源の出
力のばらつきによる影響を受けることなく、半導体結晶
表面粗さの程度を光学的に且つ定量的に評価するように
したものである。
べき半導体結晶の組成を確認すると共に、検査すべき半
導体結晶からの反射光の強度と標準試料表面よりの強度
との比を求め、これらに基づくことにより、検査すべき
半導体結晶の組成の違いによる影響及びレーザ光源の出
力のばらつきによる影響を受けることなく、半導体結晶
表面粗さの程度を光学的に且つ定量的に評価するように
したものである。
本発明は半導体結晶表面粗さ評価方法に関する。
半導体装置の製造の初期工程において、例えばＩｎＰの
半導体基板の表面にエピタキシャル成長により所望組
成、例えばＩｎＧａＡｓＰの結晶が形成される。この結
晶表面の粗さは、半導体装置の特性に影響を及ぼす重要
な因子であり、正確に評価する必要がある。
半導体基板の表面にエピタキシャル成長により所望組
成、例えばＩｎＧａＡｓＰの結晶が形成される。この結
晶表面の粗さは、半導体装置の特性に影響を及ぼす重要
な因子であり、正確に評価する必要がある。
従来、半導体結晶表面の粗さは、検査者が光学顕微鏡を
使用して結晶表面を見て標準試料と比較することにより
評価していた。
使用して結晶表面を見て標準試料と比較することにより
評価していた。
このため、評価は検査者の経験により定性的に行なわ
れ、検査者の経験によるところが大きく、正確さに欠け
るという問題点があった。
れ、検査者の経験によるところが大きく、正確さに欠け
るという問題点があった。
結晶表面が粗い程、結晶表面における反射率が低くなる
ため、検査すべき半導体結晶表面よりの反射光の強度を
測定し、これに基づいて表面の粗さを評価くる方法も考
えられる。
ため、検査すべき半導体結晶表面よりの反射光の強度を
測定し、これに基づいて表面の粗さを評価くる方法も考
えられる。
しかし、結晶表面での反射率は結晶自体の屈折率により
変化する。また反射光の強度は入射光の光源であるレー
ザ光源の出力によっても変化する。このため、反射光の
強度だけから結晶表面の粗さを評価することは出来な
い。
変化する。また反射光の強度は入射光の光源であるレー
ザ光源の出力によっても変化する。このため、反射光の
強度だけから結晶表面の粗さを評価することは出来な
い。
本発明の半導体結晶表面粗さ評価方法は、被検査半導体
結晶からのフォトルミネセンスの波長を測定する工程
と、 光源よりの光の上記被検査半導体結晶の表面での反射光
の強度を測定する工程と、 上記光源よりの標準試料の表面での反射光の強度を測定
する工程と、 上記被検査半導体結晶の表面での反射光の強度と上記標
準試料の表面での反射光の強度との比を求める工程と、 上記の波長及び比を、所望の表面状態の結晶について求
めた結晶表面粗さ評価判断基準にあてはめて、上記被検
査半導体結晶の表面粗さを評価する工程とよりなる。
結晶からのフォトルミネセンスの波長を測定する工程
と、 光源よりの光の上記被検査半導体結晶の表面での反射光
の強度を測定する工程と、 上記光源よりの標準試料の表面での反射光の強度を測定
する工程と、 上記被検査半導体結晶の表面での反射光の強度と上記標
準試料の表面での反射光の強度との比を求める工程と、 上記の波長及び比を、所望の表面状態の結晶について求
めた結晶表面粗さ評価判断基準にあてはめて、上記被検
査半導体結晶の表面粗さを評価する工程とよりなる。
被検査半導体結晶からのフォトルミネセンスの波長を測
定することにより、結晶の組成、即ち結晶の屈折率が分
かり、当該結晶の表面における反射率が分かる。これに
より、結晶自体の屈折率（反射率）を考慮に入れて、結
晶表面の粗さが評価できる。
定することにより、結晶の組成、即ち結晶の屈折率が分
かり、当該結晶の表面における反射率が分かる。これに
より、結晶自体の屈折率（反射率）を考慮に入れて、結
晶表面の粗さが評価できる。
被検査半導体結晶の表面での反射光の強度と標準試料の
表面での反射光の強度との比に基づいて評価することに
より、光源の出力のばらつきに影響されずに結晶表面の
粗さが評価できる。
表面での反射光の強度との比に基づいて評価することに
より、光源の出力のばらつきに影響されずに結晶表面の
粗さが評価できる。
第１図は本発明になる半導体結晶表面粗さ評価方法の一
実施例の評価手順を示す。
実施例の評価手順を示す。
まず、評価に必要な結晶表面粗さ評価判断基準を求める
方法について説明する。
方法について説明する。
第２図は結晶表面粗さの評価判断基準を求める手順を示
し、第３図はそのための装置を示し、第４図は得られた
評価判断基準の１例を示す。
し、第３図はそのための装置を示し、第４図は得られた
評価判断基準の１例を示す。
第３図中、１はＩｎＰの半導体基板、２は半導体基板１
上にＩｎＧａＡｓＰがエピタキシャル成長された結晶３
を有する結晶形成済半導体基板である。結晶３の評面の
粗さは、光学顕微鏡により検査され、合格とされた粗さ
である。
上にＩｎＧａＡｓＰがエピタキシャル成長された結晶３
を有する結晶形成済半導体基板である。結晶３の評面の
粗さは、光学顕微鏡により検査され、合格とされた粗さ
である。
まず、第２図中、ステップ４で結晶３からのフォトルミ
ネセンスの波長を測定する。
ネセンスの波長を測定する。
このためには、第３図中、レーザ光源１０を発振させ
る。これにより波長514.5ｎｍのＡｒ＋レーザ光１１
は、波長板１２により円偏光とされ、ハーフミラー１３
で反射され、レンズ１４を通して結晶３の表面を照射す
る。これにより、結晶３が励起され、結晶３はフォトル
ミネセンス１５を発する。
る。これにより波長514.5ｎｍのＡｒ＋レーザ光１１
は、波長板１２により円偏光とされ、ハーフミラー１３
で反射され、レンズ１４を通して結晶３の表面を照射す
る。これにより、結晶３が励起され、結晶３はフォトル
ミネセンス１５を発する。
フォトルミネセンス１５は反射光１６と共に、ハーフミ
ラー１３を透過し、ミラー１７により反射されて分光器
１８に向かう。反射光１６はフィルタ１９でカットさ
れ、フォトルミネセンス１５だけが分光器１８に入射
し、こゝでフォトルミネセンス１５の波長が例えばλ１
と測定れる。
ラー１３を透過し、ミラー１７により反射されて分光器
１８に向かう。反射光１６はフィルタ１９でカットさ
れ、フォトルミネセンス１５だけが分光器１８に入射
し、こゝでフォトルミネセンス１５の波長が例えばλ１
と測定れる。
フォトルミネセンス１５の波長から結晶３の組成が分か
り、ひいては結晶３の屈折率が分かる。結晶の屈折率と
当該結晶よりフォトルミネセンスの波長とは対応した関
係にあり、第４図では横軸をフォトルミネセンスの波長
としている。
り、ひいては結晶３の屈折率が分かる。結晶の屈折率と
当該結晶よりフォトルミネセンスの波長とは対応した関
係にあり、第４図では横軸をフォトルミネセンスの波長
としている。
次いで、第２図中、ステップ５で、結晶３表面からの反
射光１６の強度を測定する。
射光１６の強度を測定する。
このためには、ミラー１７を二点鎖線で示す位置へ回動
させる。これにより、反射光１６がフォトルミネセンス
１５と共にディテクタ２０に入射し、この出力がマイク
ロボルトメータ２１により電圧に変えられ、レコーダ２
２にＩepiとして記録される。フォトルミネセンス１５
の強度は反射光１６の強度に比べてはるかに小さいので
無視できる。
させる。これにより、反射光１６がフォトルミネセンス
１５と共にディテクタ２０に入射し、この出力がマイク
ロボルトメータ２１により電圧に変えられ、レコーダ２
２にＩepiとして記録される。フォトルミネセンス１５
の強度は反射光１６の強度に比べてはるかに小さいので
無視できる。
次いで、第２図中、ステップ６で、半導体基板表面での
反射光の強度を測定する。
反射光の強度を測定する。
このためには、第３図中、テーブル２３を矢印Ｘ方向に
移動させ、半導体基板１にレーザ光１１を照射させ、こ
れよりの反射光をディテクタ２０で検出しレコーダ２２
ににＩInpとして記録する。半導体基板１は表面が研摩
されているものであり、表面状態のばらつきは殆んど無
く、標準試料として好適であり、こゝでは標準試料と使
用している。
移動させ、半導体基板１にレーザ光１１を照射させ、こ
れよりの反射光をディテクタ２０で検出しレコーダ２２
ににＩInpとして記録する。半導体基板１は表面が研摩
されているものであり、表面状態のばらつきは殆んど無
く、標準試料として好適であり、こゝでは標準試料と使
用している。
次に、第２図中、ステップ７で結晶３での反射光の強度
Ｉepiと半導体基板１での反射光の強度ＩInpとの比、Ｉ
epi／ＩInpを求める。この比がＲ１となったとする。こ
ゝで反射光の強度の比を求めるのは、レーザ光源１０の
出力のばらつきの影響を無くするためである。
Ｉepiと半導体基板１での反射光の強度ＩInpとの比、Ｉ
epi／ＩInpを求める。この比がＲ１となったとする。こ
ゝで反射光の強度の比を求めるのは、レーザ光源１０の
出力のばらつきの影響を無くするためである。
次に、第２図中、ステップ８で、前記の波長λ１及び強
度比Ｒ１より、結晶表面粗さ評価判断基準を求める。
度比Ｒ１より、結晶表面粗さ評価判断基準を求める。
具体的には、波長λ１及び強度比Ｒ１より点２４をプロ
ットし、更には表面粗さについては合格である結晶組成
の異なる別の結晶形成済半導体基板により、前記のステ
ップ４〜７を行ない、点２５，２６をプロットする。こ
れにより、第４図に示すように、横軸がフォトルミネセ
ンスの波長、縦軸が反射光の強度比である座標系に、点
２４，２５，２６を通る評価判断基純線２７が描かれ
る。この評価判断基準線２７は、第５図及び第６図中の
マイクロコンピュータ３０内に記憶される。
ットし、更には表面粗さについては合格である結晶組成
の異なる別の結晶形成済半導体基板により、前記のステ
ップ４〜７を行ない、点２５，２６をプロットする。こ
れにより、第４図に示すように、横軸がフォトルミネセ
ンスの波長、縦軸が反射光の強度比である座標系に、点
２４，２５，２６を通る評価判断基純線２７が描かれ
る。この評価判断基準線２７は、第５図及び第６図中の
マイクロコンピュータ３０内に記憶される。
次に半導体結晶表面粗さを評価する方法について、第１
図及び第５図を参照して説明する。
図及び第５図を参照して説明する。
第５図は半導体結晶表面粗さ評価装置の１例を示す。こ
の装置は、第３図中レコーダ２２の代わりにマイクロコ
ンピュータ３０を設けた以外は第３図に示す装置と同じ
であり、第５図中、第３図に示す構成部分と対応する構
成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
の装置は、第３図中レコーダ２２の代わりにマイクロコ
ンピュータ３０を設けた以外は第３図に示す装置と同じ
であり、第５図中、第３図に示す構成部分と対応する構
成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
第５図中、４０は被検査結晶形成済半導体基板であり、
結晶４１の表面の粗さが評価される。この半導体基板４
０は、標準試料としての半導体基板１と並んでテーブル
２３上に配置してある。
結晶４１の表面の粗さが評価される。この半導体基板４
０は、標準試料としての半導体基板１と並んでテーブル
２３上に配置してある。
結晶４１の表面の粗さを評価するには、まず第１図中、
ステップ３１で、被検査半導体結晶４１からフォトルミ
ネセンス波長を測定する。
ステップ３１で、被検査半導体結晶４１からフォトルミ
ネセンス波長を測定する。
このためには、第５図中、レーザ光源１０からのＡｒ＋
レーザ光１１を結晶４１に照射させ、結晶４１よりのフ
ォトルミネセンス４２を分光器１８により受光させて、
フォトルミネセンス４２の波長を測定する。
レーザ光１１を結晶４１に照射させ、結晶４１よりのフ
ォトルミネセンス４２を分光器１８により受光させて、
フォトルミネセンス４２の波長を測定する。
次に、第１図中、ステップ３２で、被検査半導体結晶４
１の表面での反射光の強度を測定する。これは、前記の
ステップ５を行なう動作と同様に行なう。
１の表面での反射光の強度を測定する。これは、前記の
ステップ５を行なう動作と同様に行なう。
次に、第１図中、ステップ３３で標準試料である半導体
基板１の表面での反射光の強度を測定する。これは、前
記のステップ６を行なう動作と同様に行なう。
基板１の表面での反射光の強度を測定する。これは、前
記のステップ６を行なう動作と同様に行なう。
次に、第１図中、ステップ３４で、結晶４１からの反射
光の強度と半導体基板１からの反射光の強度との比を求
める。この動作は第５図中マイクロコンピュータ３０内
で行なわれる。
光の強度と半導体基板１からの反射光の強度との比を求
める。この動作は第５図中マイクロコンピュータ３０内
で行なわれる。
最後に、第１図中。ステップ３５で、上記波長及び比
を、結晶表面粗さ評価判断基準線２７が描かれた図にプ
ロットし、プロットした点の評価判断基準線２７に対す
る位置によって結晶４１の表面の粗さを評価する。プロ
ットした点が、評価判断基準線２７上又はこれにより上
側である場合には、結晶４１の表面粗さは良く合格であ
ると評価し、プロットした点が評価判断基準線２７より
下側である場合には、結晶４１の表面粗さは悪く不合格
であると評価する。この動作も第５図中マイクロコンピ
ュータ３０で行なわれる。
を、結晶表面粗さ評価判断基準線２７が描かれた図にプ
ロットし、プロットした点の評価判断基準線２７に対す
る位置によって結晶４１の表面の粗さを評価する。プロ
ットした点が、評価判断基準線２７上又はこれにより上
側である場合には、結晶４１の表面粗さは良く合格であ
ると評価し、プロットした点が評価判断基準線２７より
下側である場合には、結晶４１の表面粗さは悪く不合格
であると評価する。この動作も第５図中マイクロコンピ
ュータ３０で行なわれる。
これにより、結晶４１の表面の粗さが、結晶４１自体の
組成（屈折率）が考慮された状態で且つレーザ光源１０
の出力のばらつきの影響が除去された状態で、正確に定
量的に評価される。
組成（屈折率）が考慮された状態で且つレーザ光源１０
の出力のばらつきの影響が除去された状態で、正確に定
量的に評価される。
合格と評価された場合は、結晶形成済半導体基板は次の
工程に次され、不合格と評価された場合は、こゝではね
られる。これにより、完成品である半導体装置の特性の
安定化及び向上を図ることが出来る。
工程に次され、不合格と評価された場合は、こゝではね
られる。これにより、完成品である半導体装置の特性の
安定化及び向上を図ることが出来る。
第６図は半導体結晶表面粗さの評価装置の別の例を示
す。この装置は、第５図の装置に、固定ミラー５０、可
動ミラー５１、及びレンズ５２が追加された構成であ
り、第６図中第５図に示す構成部分と対応する部分には
同一符号を付し、その説明を省略する。
す。この装置は、第５図の装置に、固定ミラー５０、可
動ミラー５１、及びレンズ５２が追加された構成であ
り、第６図中第５図に示す構成部分と対応する部分には
同一符号を付し、その説明を省略する。
可動ミラー５１を矢印で示すようにステップ的に可動さ
せることにより、レーザ光１１が結晶４１の表面に位置
を異ならしめて順次照射する。
せることにより、レーザ光１１が結晶４１の表面に位置
を異ならしめて順次照射する。
この装置によれば、結晶４１の表面全体に亘る粗さの分
布及び平均値、更には三次元的な粗さの情報を得、これ
らに基づいて、結晶表面粗さをより正確に評価すること
が出来る。
布及び平均値、更には三次元的な粗さの情報を得、これ
らに基づいて、結晶表面粗さをより正確に評価すること
が出来る。
本発明によれば、被検査半導体結晶からのフォトルミネ
センスの波長を測定することにより、結晶自体の屈折率
を考慮に入れて、また被検査半導体結晶の表面での反射
光の強度と標準試料の表面での反射光の強度との比に基
づいて評価することにより、光源の出力のばらつきに影
響されずに、結晶表面の粗さを正確に且つ迅速に評価す
ることが出来る。
センスの波長を測定することにより、結晶自体の屈折率
を考慮に入れて、また被検査半導体結晶の表面での反射
光の強度と標準試料の表面での反射光の強度との比に基
づいて評価することにより、光源の出力のばらつきに影
響されずに、結晶表面の粗さを正確に且つ迅速に評価す
ることが出来る。
第１図は本発明の半導体結晶表面粗さ評価方法の一実施
例の手順を示す図、 第２図は結晶表面粗さ評価判断基準を求める手順を示す
図、 第３図は結晶表面粗さ評価判断基準を求める装置を示す
図、 第４図は結晶表面粗さ評価判断基準の１例を示す図、 第５図は半導体結晶表面粗さ評価装置の１例を示す図、 第６図は半導体結晶表面粗さ評価装置の別の例を示す図
である。 図中、 １は半導体基板、 ４〜８，３１〜３５はステップ、 １０はレーザ光源、 １１はレーザ光、 １５，４２はフォトルミネセンス、 １６は反射光、 １８は分光器、 ２０はディテクター、 ２７は評価判断基準線、 ３０はマイクロコンピュータ、 ４０は被検査結晶形成済半導体基板、 ４１は結晶である。
例の手順を示す図、 第２図は結晶表面粗さ評価判断基準を求める手順を示す
図、 第３図は結晶表面粗さ評価判断基準を求める装置を示す
図、 第４図は結晶表面粗さ評価判断基準の１例を示す図、 第５図は半導体結晶表面粗さ評価装置の１例を示す図、 第６図は半導体結晶表面粗さ評価装置の別の例を示す図
である。 図中、 １は半導体基板、 ４〜８，３１〜３５はステップ、 １０はレーザ光源、 １１はレーザ光、 １５，４２はフォトルミネセンス、 １６は反射光、 １８は分光器、 ２０はディテクター、 ２７は評価判断基準線、 ３０はマイクロコンピュータ、 ４０は被検査結晶形成済半導体基板、 ４１は結晶である。
Claims (1)
- 【請求項１】被検査半導体結晶（４１）からのフォトル
ミネセンス（４２）の波長を測定する工程（３１）と、 光源（１０）よりの光（１１）の上記被検査半導体結晶
（４１）の表面での反射光（１６）の強度を測定する工
程（３２）と、 上記光源（１０）より光（１１）の標準試料（１）の表
面での反射光（１６）の強度を測定する工程（３３）
と、 上記被検査半導体結晶（４１）の表面での反射光（１
６）の強度と上記標準試料（１）の表面での反射光（１
６）の強度との比を求める工程（３４）と、 上記の波長及び比を、所望の表面状態の結晶について求
めた結晶表面粗さ評価判断基準（２７）にあてはめて、
上記被検査半導体結晶（４１）の表面粗さを評価する工
程（３５）とよりなることを特徴とする半導体結晶表面
粗さ評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304584A JPH0621777B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導体結晶表面粗さ評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304584A JPH0621777B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導体結晶表面粗さ評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63156332A JPS63156332A (ja) | 1988-06-29 |
| JPH0621777B2 true JPH0621777B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17934755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304584A Expired - Lifetime JPH0621777B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 半導体結晶表面粗さ評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621777B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012016233A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | First Solar, Inc. | Photoluminescence measurement tool and associated method |
| CN113503840B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-09-09 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 材料表面雾的检测方法和装置 |
| JP7467816B2 (ja) * | 2021-06-24 | 2024-04-16 | ベイジン トンメイ クリスタル テクノロジー カンパニー リミテッド | 材料の表面ヘイズを検出するための方法およびセットアップ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107483A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 | ||
| JPS53120552A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-21 | Hitachi Ltd | Evaluation method of plating surface |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61304584A patent/JPH0621777B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63156332A (ja) | 1988-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7091476B2 (en) | Scanning probe microscope assembly | |
| US7088451B2 (en) | Scatterometry by phase sensitive reflectometer | |
| US6242734B1 (en) | Scanning probe microscope assembly and method for making confocal, spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements and associated images | |
| JP3642996B2 (ja) | 光干渉法による測定対象物の屈折率と厚さの同時測定方法及びそのための装置 | |
| JP3287517B2 (ja) | 干渉縞による測定方法および装置 | |
| US6900900B2 (en) | Apparatus and method for enabling high resolution film thickness and thickness-uniformity measurements | |
| US6545764B1 (en) | Non-contact topographical analysis apparatus and method thereof | |
| US20030161038A1 (en) | Microscope and method for measuring surface topography in a quantitative and optical manner | |
| JPH0621777B2 (ja) | 半導体結晶表面粗さ評価方法 | |
| JP4918634B2 (ja) | 光学計測システムを使用した誘電体薄膜の弾性係数の測定 | |
| US6580515B1 (en) | Surface profiling using a differential interferometer | |
| US11868054B2 (en) | Optical metrology system and method | |
| JP3632078B2 (ja) | 透明平行平板の表面形状測定および厚さ不均一測定のための干渉縞解析法 | |
| US20060023225A1 (en) | Microscope and method of measurement of a surface topography | |
| US7551291B2 (en) | Interferometric height measurement | |
| JPS6292487A (ja) | 光ルミネセンス評価装置 | |
| JP4555925B2 (ja) | 立体形状測定装置 | |
| JPH06331320A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JPH03214043A (ja) | 反射率の測定方法および装置 | |
| JPH0786358A (ja) | 半導体ウェーハの厚さ測定方法、半導体基板、その基板の評価方法、化合物半導体検査方法及び化合物半導体検査装置 | |
| JPS62269036A (ja) | 回折格子の回折効率分布自動測定方式 | |
| JPS63163138A (ja) | 回折格子の検査方法 | |
| JP4410529B2 (ja) | 膜厚制御方法 | |
| KR100588988B1 (ko) | 박막의 두께를 측정하는 방법 | |
| Montgomery et al. | Characterization of III-V materials by optical interferometry |