JPS60124112A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPS60124112A JPS60124112A JP23244583A JP23244583A JPS60124112A JP S60124112 A JPS60124112 A JP S60124112A JP 23244583 A JP23244583 A JP 23244583A JP 23244583 A JP23244583 A JP 23244583A JP S60124112 A JPS60124112 A JP S60124112A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、尚効率で動作し１４１Ｉるｎす造の表面弾性
波素子に関するものである。
波素子に関するものである。
弾性体表面に沿って伝播】−る表面弾性波を利用した各
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつある。この
理由としては、第１に表面弾性波の＠ｗＩ速度はｔ磁波
速度の約１０ 倍であり、素子の小型化と高留度化が可
能であること。
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつある。この
理由としては、第１に表面弾性波の＠ｗＩ速度はｔ磁波
速度の約１０ 倍であり、素子の小型化と高留度化が可
能であること。
第２に表面弾性波は物質表面を伝播するＫめ伝送路の任
意の場所から信号のタッピングが可＃Ｖであること、第
３に物質表面忙エネルギーが集中していることから１元
や半導体のキャリアとの相互作用乞利用したデバイス、
あるいは高いエネルギー密度により非線形効果を利用し
たデバイスに応用でさること。
意の場所から信号のタッピングが可＃Ｖであること、第
３に物質表面忙エネルギーが集中していることから１元
や半導体のキャリアとの相互作用乞利用したデバイス、
あるいは高いエネルギー密度により非線形効果を利用し
たデバイスに応用でさること。
第４に七の製造技術にＩＣ技術が活用できるため、ＩＣ
と組み合わせ１こ新しい素子の実状が期待できること２
等が挙げられる。
と組み合わせ１こ新しい素子の実状が期待できること２
等が挙げられる。
第１図および第２図は従来の表面弾性波素子の構造を示
すもので、■はニオブ敵リチウム（ＬｉＮｂ０３）から
なる圧■基板で１３２°Ｙカツトされ１こものからなり
、２はシリコンからなる半導体基板で（１１０）面とほ
ぼ等価な面でカットされ１こものからなり、３は酸化亜
鉛（ＺｎＯ）からなる圧電薄膜で（０００１７面とほぼ
等イ曲な面が上記シリコン基板２のカット面と平行にな
るように形成され１こものからなり、４．５は上１己二
オフ゛酸リチウム基板ｌ上および酸１１：、亜鉛膜３上
に互いに交差するように設けられたくし型電極で、クリ
えは４は人力電極、５は出力電極として使用される。
すもので、■はニオブ敵リチウム（ＬｉＮｂ０３）から
なる圧■基板で１３２°Ｙカツトされ１こものからなり
、２はシリコンからなる半導体基板で（１１０）面とほ
ぼ等価な面でカットされ１こものからなり、３は酸化亜
鉛（ＺｎＯ）からなる圧電薄膜で（０００１７面とほぼ
等イ曲な面が上記シリコン基板２のカット面と平行にな
るように形成され１こものからなり、４．５は上１己二
オフ゛酸リチウム基板ｌ上および酸１１：、亜鉛膜３上
に互いに交差するように設けられたくし型電極で、クリ
えは４は人力電極、５は出力電極として使用される。
ここで人力電極４から励振された表′面弾性波は上記ニ
オブ酸リチウム基ＩＪｉｉ １表面あるいは酸化亜鉛膜
３表面を伝播して出力’１ＩＨｋ５から取り出される。
オブ酸リチウム基ＩＪｉｉ １表面あるいは酸化亜鉛膜
３表面を伝播して出力’１ＩＨｋ５から取り出される。
これらのイ溝造において第１区Ｉにおいては表面’ｊ’
ｌＬ性波としてレイリー波を用いて伝播させた場合。
ｌＬ性波としてレイリー波を用いて伝播させた場合。
素子特性上重役な指標である霜気イ２．！械結合Ｖ々Ｄ
Ｋの二乗値に２は約５．５％と犬ぎなＩａが旬らｈるの
で、この利点Ｙ？古かして神々の分野に応用されている
う しかしその反面基板が単−相和から構成されているため
に、１ｊ気檄械結合係酵１（か基板結晶軸方向ま６よび
それに対″３−る表面弾性波の伝播方向によって固定化
されてしまう欠点がある。
Ｋの二乗値に２は約５．５％と犬ぎなＩａが旬らｈるの
で、この利点Ｙ？古かして神々の分野に応用されている
う しかしその反面基板が単−相和から構成されているため
に、１ｊ気檄械結合係酵１（か基板結晶軸方向ま６よび
それに対″３−る表面弾性波の伝播方向によって固定化
されてしまう欠点がある。
この点部２図においては表面弾性波としてセザワｅ、を
用いてシリコン基板２のＣ００Ｌ）軸方向とほぼ等価な
方間に伝播さセた場合、酸化亜鉛膜３の膜厚ｂ１を解析
によってまる成る値に遺ぷことによりＩ＜特性に柔軟性
を持たせることができ。
用いてシリコン基板２のＣ００Ｌ）軸方向とほぼ等価な
方間に伝播さセた場合、酸化亜鉛膜３の膜厚ｂ１を解析
によってまる成る値に遺ぷことによりＩ＜特性に柔軟性
を持たせることができ。
また第１図構造よりも太さな１気機械結合係数１（ン得
ることができるっ例えば上記酸化亜鉛膜厚ｈ］ンωＪ
＝ ８０００ （ωは表面弾性波の角周波数）に選ぶこ
とによりＫは約５８６％を得ることができる。
ることができるっ例えば上記酸化亜鉛膜厚ｈ］ンωＪ
＝ ８０００ （ωは表面弾性波の角周波数）に選ぶこ
とによりＫは約５８６％を得ることができる。
しかしこの構造では酸化亜鉛膜３はスパンタ技術等によ
り形成されるが、上記のように最適特性を得るにはその
膜厚を比較的太さく形成する必要があるため生産性の点
でコストアップになるのが避けられない欠点があるうこ
の１こめできるだけ小さな膜厚でできるだけ太ぎなル気
機械結合係数Ｋが得られるような構造が望まれている。
り形成されるが、上記のように最適特性を得るにはその
膜厚を比較的太さく形成する必要があるため生産性の点
でコストアップになるのが避けられない欠点があるうこ
の１こめできるだけ小さな膜厚でできるだけ太ぎなル気
機械結合係数Ｋが得られるような構造が望まれている。
本発明は以上の間均に対処してなされたもので。
（１１０）面とほぼ等価な面でカットされ１こシリコン
基板と、このンリコ／基板上に形成された二酸化シリコ
ン膜と、この二酸化シリコン膜上に（０００１）面とほ
ぼ等１曲な面が上記シリコン基板のカット面と平行にな
るように形成され定酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に
形成された電極とを含み、上記シリコン基板の（００１
）軸方向とほぼ等価な方向に表面弾性波を伝播させるよ
うに構成して従来欠点を除去するようにした表面弾性波
素子を提供することを目的とするものである。以下図面
を参照して本発明実施例〉説明する〇 第３図は本発明実施タリによる表面弾性波素子を示１断
面図で、１１は（１１０）面とほぼ等価な面でカットさ
れ瓦シリコン基板、１２はこのシリコン基板１１上に形
成され１こ膜厚ｈ２を有する二酸化シリコン（５ｉＯｚ
）膜、１３はこの二酸化シリコン膜１２上に（０００
１）面とほぼ等価な面が上記シリコン基板１１のカット
面と平行になるように形成され１こ膜厚１１１ン有する
酸化亜鉛膜、１４．１５は各々互いに交差するように形
＠されｋくし型電極からなる入力電極および出力電極、
１６は上記酸化亜鉛膜１３と二酸化シリコン膜１２間に
形成された導電膜で膜厚は無限に小さいことが望ましい
う なお上記導電膜】６あるいは酸化亜鉛膜１３はくし型’
［１＠１４．１５の少なくとも交差幅部分の真下に位置
するように形成されることが望ましい。
基板と、このンリコ／基板上に形成された二酸化シリコ
ン膜と、この二酸化シリコン膜上に（０００１）面とほ
ぼ等１曲な面が上記シリコン基板のカット面と平行にな
るように形成され定酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上に
形成された電極とを含み、上記シリコン基板の（００１
）軸方向とほぼ等価な方向に表面弾性波を伝播させるよ
うに構成して従来欠点を除去するようにした表面弾性波
素子を提供することを目的とするものである。以下図面
を参照して本発明実施例〉説明する〇 第３図は本発明実施タリによる表面弾性波素子を示１断
面図で、１１は（１１０）面とほぼ等価な面でカットさ
れ瓦シリコン基板、１２はこのシリコン基板１１上に形
成され１こ膜厚ｈ２を有する二酸化シリコン（５ｉＯｚ
）膜、１３はこの二酸化シリコン膜１２上に（０００
１）面とほぼ等価な面が上記シリコン基板１１のカット
面と平行になるように形成され１こ膜厚１１１ン有する
酸化亜鉛膜、１４．１５は各々互いに交差するように形
＠されｋくし型電極からなる入力電極および出力電極、
１６は上記酸化亜鉛膜１３と二酸化シリコン膜１２間に
形成された導電膜で膜厚は無限に小さいことが望ましい
う なお上記導電膜】６あるいは酸化亜鉛膜１３はくし型’
［１＠１４．１５の少なくとも交差幅部分の真下に位置
するように形成されることが望ましい。
以上の構造（ＺｎＯ（０００１）／５ｉ０２／Ｓｉ （
１１０） （００１：］と略記）の表面弾性波素子に対
し、表面弾性波としてセザワ波を用いてシリコン基板１
１の（００１）軸方向とほぼ等価な方向に伝播させるこ
とにより第４図および第５図のようなに特性曲線が得ら
れに０ 第４図において横軸は二酸化７リコシ膜１２の膜厚ｈ２
の厚さをωｈ２ （ωは角周波数）で示し、縦軸は電気
機械結合係ｉＫの二乗値Ｋ を百分率で示すものである
。ま１こ第５図において楡軸は酸化亜鉛膜り、の厚さ馨
ωｈ】（ωは角周波数）で示し。
１１０） （００１：］と略記）の表面弾性波素子に対
し、表面弾性波としてセザワ波を用いてシリコン基板１
１の（００１）軸方向とほぼ等価な方向に伝播させるこ
とにより第４図および第５図のようなに特性曲線が得ら
れに０ 第４図において横軸は二酸化７リコシ膜１２の膜厚ｈ２
の厚さをωｈ２ （ωは角周波数）で示し、縦軸は電気
機械結合係ｉＫの二乗値Ｋ を百分率で示すものである
。ま１こ第５図において楡軸は酸化亜鉛膜り、の厚さ馨
ωｈ】（ωは角周波数）で示し。
縦軸は電気機械結合係ｉＫの二乗値に’Ｙ百分率で示す
ものである。第４図においてはωｈ１＝７０００に設定
した状態でωｈ２馨変比変化た（望ましくは１２６〜１
００００の範囲内で）場合のＫの変化乞示し、第５図に
おいてはωｈ２＝ｌｏｏＯに設定した状態でωｈｌを変
化させた（望ましくは４２００〜１５０００の範囲内で
）場合のＩくの変化を示している。
ものである。第４図においてはωｈ１＝７０００に設定
した状態でωｈ２馨変比変化た（望ましくは１２６〜１
００００の範囲内で）場合のＫの変化乞示し、第５図に
おいてはωｈ２＝ｌｏｏＯに設定した状態でωｈｌを変
化させた（望ましくは４２００〜１５０００の範囲内で
）場合のＩくの変化を示している。
第４図および第５１８！！Ｊから明らかなように、酸化
亜鉛膜１３の膜厚ｈ１および二酸化シリコン膜１２の膜
厚ｈ２ン各々ω１１ｚ＝７０００およびωｈ２＝１００
０に泗ぷことにより、Ａ点において極大値に２＝５．８
９％が得られ友。
亜鉛膜１３の膜厚ｈ１および二酸化シリコン膜１２の膜
厚ｈ２ン各々ω１１ｚ＝７０００およびωｈ２＝１００
０に泗ぷことにより、Ａ点において極大値に２＝５．８
９％が得られ友。
上記値は第２図の従来構造でｉＵられた値（Ｋ″′＝
５．８６％、ωｈｌ ＝ ８０００ ）よりも大であり
、しかも酸化亜鉛１３の膜厚１１１は二酸化シリコン［
１２を介在させることにより従来のωＪ ＝ ８０００
からωｈｌ ＝ ７０００へと小さくすることかできる
。
５．８６％、ωｈｌ ＝ ８０００ ）よりも大であり
、しかも酸化亜鉛１３の膜厚１１１は二酸化シリコン［
１２を介在させることにより従来のωＪ ＝ ８０００
からωｈｌ ＝ ７０００へと小さくすることかできる
。
これにより生産件の点でコストダウンを計ることができ
る。
る。
また酸化亜鉛膜１３の膜厚ｈ１および二酸化シリコン膜
１２の膜厚ｈ２を前記した範囲内で種々調整することに
より１％性の点で従来構造より浸れた柔軟性を持った表
面弾性波素子乞実現することができる。
１２の膜厚ｈ２を前記した範囲内で種々調整することに
より１％性の点で従来構造より浸れた柔軟性を持った表
面弾性波素子乞実現することができる。
なおシリコン基板ＩＪのカット面は（１１０）面とほぼ
等価な面、酸化亜鉛膜１３は（０００１）面とほぼ等価
な面およびシリコン基板１１の伝播軸は（００１）軸方
向とほぼ等価な方向の場合に例ケとって説明したが、そ
れらに示した所定値からｌ（１”以下の傾き乞有してい
る場合でも素子特性には本質的差異は認められない。
等価な面、酸化亜鉛膜１３は（０００１）面とほぼ等価
な面およびシリコン基板１１の伝播軸は（００１）軸方
向とほぼ等価な方向の場合に例ケとって説明したが、そ
れらに示した所定値からｌ（１”以下の傾き乞有してい
る場合でも素子特性には本質的差異は認められない。
第６図は本発明の曲の実施例としてコンホルパ用素子に
適用した列な示１もので、１７は酸化亜鉛膜１３上の人
力電極１４と出力’ｉ、 ｉ４１５間に設けられ１こゲ
ート電極である。
適用した列な示１もので、１７は酸化亜鉛膜１３上の人
力電極１４と出力’ｉ、 ｉ４１５間に設けられ１こゲ
ート電極である。
この構造によれは導電１ｉｉ４１６がそのま１設けられ
ているので前実施列同禄にに特性に曖れに素子ｔ１ａる
ことかできるう なおくし型電極の代りに、シリコン基板１１．二酸化シ
リコン膜１２および酸化亜鉛膜１３内に発生する電気的
ボテンシャル馨利用することかでざる。
ているので前実施列同禄にに特性に曖れに素子ｔ１ａる
ことかできるう なおくし型電極の代りに、シリコン基板１１．二酸化シ
リコン膜１２および酸化亜鉛膜１３内に発生する電気的
ボテンシャル馨利用することかでざる。
以上述べて明らかなように本究明によれば。
（１１０）ｌｊｉｉとほぼ等１曲な面でカットされ１こ
シリコン基板と、この７リコ／基板上に形成された二酸
化シリコン膜と、この二酸化シリコン膜上に（０００１
）面とほぼ等価な面か上記シリコン基板のカット面と平
行になるように形成された酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛
膜上に形成された電極とを含み。
シリコン基板と、この７リコ／基板上に形成された二酸
化シリコン膜と、この二酸化シリコン膜上に（０００１
）面とほぼ等価な面か上記シリコン基板のカット面と平
行になるように形成された酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛
膜上に形成された電極とを含み。
上記シリコン基板の〔００１）軸方向とほぼ等価な方向
に表面弾性波素子描さゼるように構成したものであるか
ら、電気様械結台係数ン太き（とることができるので表
面弾性波素子ケ効率よく動作させることかできる。
に表面弾性波素子描さゼるように構成したものであるか
ら、電気様械結台係数ン太き（とることができるので表
面弾性波素子ケ効率よく動作させることかできる。
なお本発明によればシリコン基板として乗積回路と共通
２４仮を用いることにより、集積回路技術を活用して機
能素子と牛導体素子ン一体化した小型かつ高密度な素子
の実現が可能である。
２４仮を用いることにより、集積回路技術を活用して機
能素子と牛導体素子ン一体化した小型かつ高密度な素子
の実現が可能である。
第１曲および第２図は共に従来的を示す断面図、第３図
および第６図は共に本発明実施列馨示す断面図、第４図
および第５図は共に本発明によって得られた結果ン示す
特性図である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・二数化シリコン膜
、１３・・・酸化亜鉛膜、１４・・・人力電極、１５・
・・出力電極、１６・・・導電膜、１７・・・ゲート電
極。 乍Ｉ図 学２図 年３図 手続補正書 昭和５９年４月、）−３日 特許庁長官 着 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２３２４４５号 ２、発明の名称 表面弾性波素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４８） クラリオン株式会社４代理人〒１
０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５
補正の対象 明細杏の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 （１） 本願明細書第１０頁第４行乃至第５行１専電膜
１６がそのまま設けられているので」を削除する。 （２１同頁第７行１０代りに」を「ン用いずとも」に補
正する。 （３）同頁第９行「ことかできる」を「素子の実現が期
待できる」に補正する。
および第６図は共に本発明実施列馨示す断面図、第４図
および第５図は共に本発明によって得られた結果ン示す
特性図である。 １１・・・シリコン基板、１２・・・二数化シリコン膜
、１３・・・酸化亜鉛膜、１４・・・人力電極、１５・
・・出力電極、１６・・・導電膜、１７・・・ゲート電
極。 乍Ｉ図 学２図 年３図 手続補正書 昭和５９年４月、）−３日 特許庁長官 着 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願 第２３２４４５号 ２、発明の名称 表面弾性波素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４８） クラリオン株式会社４代理人〒１
０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５
補正の対象 明細杏の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 （１） 本願明細書第１０頁第４行乃至第５行１専電膜
１６がそのまま設けられているので」を削除する。 （２１同頁第７行１０代りに」を「ン用いずとも」に補
正する。 （３）同頁第９行「ことかできる」を「素子の実現が期
待できる」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（１１０）面とほぼ等価な面でカットされたシリコ
ン基板と、このシリコン基板上に形成された二酸化シリ
コン膜と、この二酸化シリコン膜上Ｋ （０００１）面
とほぼ等価な面が上記シリコン基板のカット面と平行に
なるように形成された酸化亜鉛膜と、この酸化亜鉛膜上
に形成された電極と馨含み、上記シリコン基板の（ｏｏ
ｉ）軸方向とはｌｉ等価な方向に表面弾性波ン伝播させ
るように構成したことｔ％徴とする表面弾性波素子つ２
、 上記結晶面およびその伝播軸が所定結晶面および伝
播軸方向から１０”以内の傾きを持つことン特徴とする
特許請求の範囲第１９４記載の表面弾性波素子つ ３、 上記表面弾性波素子としてセザワ波を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１狽又は第２項記載の表
面弾性波素子つ ４、上記酸化亜鉛膜の膜厚ｂ３が、４２００＜ωｈｊ＜
１５０００ （７，、：だし、ωは表面弾性波の角周波
数）の範囲に属すること馨特隊とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ５、 上記二酸化シリコン膜の膜厚ｈ２が、 １２６＜
ωｈ２＜１００００ （ただし、ωは表面弾性波の角周
波数）の範囲に属Ｔること馨特徴とする％Ｉ￥Ｆ請求の
範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の表面弾性波素
子。 ６、 上記酸化亜鉛膜と二酸化シリコン膜間に導電膜が
形睡されることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第５項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ７、 上記電極がくし型構造ケ有することを特徴とする
特許請求の範囲第１ＪＪ４乃主第６唄のいずれかに記載
の表面弾性波素子つ ８、 上記導電膜が上記＜Ｌｍ電極の少なくとも交麦幅
部分の真下に位置することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第７埃のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ９． 上記酸化亜鉛膜が上記くし型電極の少なくとも反
差ｌ１ｖｉＩ部分の真下に位りすることを特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第８項のいずれかに記載の表面
弾性波素子つ 川、上記シリコン基板として集積回路と共通の基板を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第９項
のいずれかに記載の表面弾性波素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23244583A JPS60124112A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
| US06/677,712 US4567392A (en) | 1983-12-09 | 1984-12-04 | Sezawa surface-acoustic-wave device using ZnO(0001)/SiO2 / Si(100)(011) |
| GB08430699A GB2152315B (en) | 1983-12-09 | 1984-12-05 | Surface acoustic wave device |
| DE3444749A DE3444749C2 (de) | 1983-12-09 | 1984-12-07 | Akustische Oberflächenwellen ausbildendes Bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23244583A JPS60124112A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124112A true JPS60124112A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0311686B2 JPH0311686B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=16939382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23244583A Granted JPS60124112A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124112A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5160869A (en) * | 1989-12-26 | 1992-11-03 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Surface acoustic wave device |
| EP0608864A2 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| US5783896A (en) * | 1995-08-08 | 1998-07-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond-Zn0 surface acoustic wave device |
| US5959389A (en) * | 1995-08-08 | 1999-09-28 | Sumitomo Electronic Industries, Ltd. | Diamond-ZnO surface acoustic wave device |
| JP2006526919A (ja) * | 2003-06-04 | 2006-11-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気音響構成素子および製造方法 |
Citations (1)
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| JPS57145419A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-08 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave element |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP23244583A patent/JPS60124112A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| EP0608864A3 (en) * | 1993-01-29 | 1995-11-08 | Sumitomo Electric Industries | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same. |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311686B2 (ja) | 1991-02-18 |
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