JPS60120360A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS60120360A JPS60120360A JP58229525A JP22952583A JPS60120360A JP S60120360 A JPS60120360 A JP S60120360A JP 58229525 A JP58229525 A JP 58229525A JP 22952583 A JP22952583 A JP 22952583A JP S60120360 A JPS60120360 A JP S60120360A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- alignment
- wafer
- alignment pattern
- stepper
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造プロセス中フォトレジスト塗布
後の目合せ露光工程で使用される縮小投影型露光装置（
以後ステッパーと称する）に関するものである。
後の目合せ露光工程で使用される縮小投影型露光装置（
以後ステッパーと称する）に関するものである。
最近の半導体装置製造プロセスに於いてはパターンの微
細化にともない密着型露光装置からスデッパーへと整向
しつつある。
細化にともない密着型露光装置からスデッパーへと整向
しつつある。
一般にステ、パーにおいては半導体基板（以後ウェハー
と称する）の位置決めを露光軸以外で行ない、露光軸で
の各ショットの位置決めをウェハーステージの精度に依
存して露光するＱＦＦ−ＡＸＩＳ方式、及び各ショット
毎に露光軸で位置決めを行ない露光する０Ｎ−ＡＸＩＳ
方式の２つに大別できるが、いずれの方式においても高
レベルのステージ系の位置決め精度及びレンズ系の光学
的精度等が要求される１、ことは言うまでもない。
と称する）の位置決めを露光軸以外で行ない、露光軸で
の各ショットの位置決めをウェハーステージの精度に依
存して露光するＱＦＦ−ＡＸＩＳ方式、及び各ショット
毎に露光軸で位置決めを行ない露光する０Ｎ−ＡＸＩＳ
方式の２つに大別できるが、いずれの方式においても高
レベルのステージ系の位置決め精度及びレンズ系の光学
的精度等が要求される１、ことは言うまでもない。
従来ステッパーにおいて上記精度を確認する場合、レチ
クル上に作成されたバーニヤパターン又は直線パターン
をウェハー上に重ね露光し現像後に金属顕微鏡や寸法測
定機等を用いて１点１点寸法を読みさらに実測データを
手計算又はコンピ−タ等で統計処理するという方法で精
度の確認を行なっていた。
クル上に作成されたバーニヤパターン又は直線パターン
をウェハー上に重ね露光し現像後に金属顕微鏡や寸法測
定機等を用いて１点１点寸法を読みさらに実測データを
手計算又はコンピ−タ等で統計処理するという方法で精
度の確認を行なっていた。
しかしながら実測データの数も装置１白画たシ数百から
数十個に及んでいる為非常に効率が悪く結果を確認する
までに多大な時間を要していた。
数十個に及んでいる為非常に効率が悪く結果を確認する
までに多大な時間を要していた。
本発明は前記問題点を解消するものであシバ−ニヤパタ
ーン及び直線パターンのかかわシに位置合せパターン（
以後アライメントパターンと称する）をウェハー上に一
定距離、離して重ね露光し、現像後に各点をアライメン
トしてその時の座標を記憶し、必要なアライメントパタ
ーン間の距離を計算し理論値からのズレ量を算出するこ
とによってｘｆツバ−自身の精度をチェックできること
を特徴とするものである。
ーン及び直線パターンのかかわシに位置合せパターン（
以後アライメントパターンと称する）をウェハー上に一
定距離、離して重ね露光し、現像後に各点をアライメン
トしてその時の座標を記憶し、必要なアライメントパタ
ーン間の距離を計算し理論値からのズレ量を算出するこ
とによってｘｆツバ−自身の精度をチェックできること
を特徴とするものである。
以下本発明の一実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図、第３
図は本発明の一実施例に使用するレチクルの斜視図、第
４図はウェハー上に焼き付けられたアライメントパター
ンを示す斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ’断面図であ
る。
図は本発明の一実施例に使用するレチクルの斜視図、第
４図はウェハー上に焼き付けられたアライメントパター
ンを示す斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ’断面図であ
る。
尚、第３図のレチクルのアライメントパターンは第２図
のレチクルのアライメントパターンの位置からｘ、ｙ方
向にそれぞれＣの距離だけ離して作成されたものとする
。
のレチクルのアライメントパターンの位置からｘ、ｙ方
向にそれぞれＣの距離だけ離して作成されたものとする
。
ここでは精度測定の代表例として重ね合わせ精度の測定
について述べる。
について述べる。
まずファースト焼付は用レチクル１３を使用して第２図
に示すアライメントパターン２，３をウェハー１上に露
光する。露光されたウェハー１を現像後に再度ステッパ
ーにセットしアライメントパターン２，３を用いて所定
の場所にアライメントする。次にセカンド焼付は用レチ
クル１４を用いて第３図に示すアライメントパターン４
，５をウェハー１上に露光する。露光されたウェハー１
を現像後に再度ステッパーにセ、トシ焼付けられた各ア
ライメントパターンに対してアライメント動作を行う（
第４図）。
に示すアライメントパターン２，３をウェハー１上に露
光する。露光されたウェハー１を現像後に再度ステッパ
ーにセットしアライメントパターン２，３を用いて所定
の場所にアライメントする。次にセカンド焼付は用レチ
クル１４を用いて第３図に示すアライメントパターン４
，５をウェハー１上に露光する。露光されたウェハー１
を現像後に再度ステッパーにセ、トシ焼付けられた各ア
ライメントパターンに対してアライメント動作を行う（
第４図）。
アライメント動作及びその後の内部処理について第５図
を用いて訝明する。
を用いて訝明する。
ファーストＸアライメントパターン２をアライメント光
軸６上でアライメントしその時のウェハーステージ座標
をａとしステッパー内部の記憶装置に記憶する。次にウ
ェハースゲージ８を矢視Ｂ方向に移動しセカンドＸアラ
イメントパターン４をアライメント光軸６上でアライメ
ントし終了時のウェハーステージ座標をｂとする。ファ
ーストＸアライメントパターン２とセカンドＸアライメ
ントパターンはレチクル設計上Ｃの距離だけ離れている
から第５図り点における重ね合わせの誤差は近似的に（
ａ−ｂ−（ｃＸレンズの縮小率））で与えられる。これ
をＸｌとする。同様にしてウェハー上の各点で測定した
値をｘ２． Ｘ３．・・・Ｘｎとするとこの値がウェハ
ー上における重ね合わせのＸ軸デーメとなる。Ｙ軸デー
タも全く同様にして得られる。
軸６上でアライメントしその時のウェハーステージ座標
をａとしステッパー内部の記憶装置に記憶する。次にウ
ェハースゲージ８を矢視Ｂ方向に移動しセカンドＸアラ
イメントパターン４をアライメント光軸６上でアライメ
ントし終了時のウェハーステージ座標をｂとする。ファ
ーストＸアライメントパターン２とセカンドＸアライメ
ントパターンはレチクル設計上Ｃの距離だけ離れている
から第５図り点における重ね合わせの誤差は近似的に（
ａ−ｂ−（ｃＸレンズの縮小率））で与えられる。これ
をＸｌとする。同様にしてウェハー上の各点で測定した
値をｘ２． Ｘ３．・・・Ｘｎとするとこの値がウェハ
ー上における重ね合わせのＸ軸デーメとなる。Ｙ軸デー
タも全く同様にして得られる。
上記により得られたデータを装筐内の演算装置によって
統計処理することにより装置の重ね合わせ精度を知るこ
とがで麹る。
統計処理することにより装置の重ね合わせ精度を知るこ
とがで麹る。
上記と全く同一の測定原理を用いることによりレンズの
歪率、ステージの走シ精度、装置間の互換性能等をも検
査の対称となるステッパー自身を用いて測定することが
可能である。 ・・χ一般に縮小投影型露光装置は、高
精度を要求さ５− れる為そのＸ−Ｙステージの位置決め精度も現存の寸法
測定機以上の位置決め精度を持つのが普通であり、それ
故に本発明の方式を採用することによシ一般の寸法測定
機以上の測定精度でステッパー自身の性能を知ることが
でき又測定にかかる工数の低減、及び寸法測定機が不要
になるという点でも有効である。
歪率、ステージの走シ精度、装置間の互換性能等をも検
査の対称となるステッパー自身を用いて測定することが
可能である。 ・・χ一般に縮小投影型露光装置は、高
精度を要求さ５− れる為そのＸ−Ｙステージの位置決め精度も現存の寸法
測定機以上の位置決め精度を持つのが普通であり、それ
故に本発明の方式を採用することによシ一般の寸法測定
機以上の測定精度でステッパー自身の性能を知ることが
でき又測定にかかる工数の低減、及び寸法測定機が不要
になるという点でも有効である。
尚、本発明の一実施例においては、アライメントパター
ン間斜めハツチングパターン、アライメント方式をレー
ザー洸を照射する方法としたが特徴であるアライメント
パターンをアライメントし各々の座標を読み取ることに
ょシ２つのアライメントパターンの距離を測定するとい
う方法を用いている限シ形状、方法の如伺は問わないも
のである。
ン間斜めハツチングパターン、アライメント方式をレー
ザー洸を照射する方法としたが特徴であるアライメント
パターンをアライメントし各々の座標を読み取ることに
ょシ２つのアライメントパターンの距離を測定するとい
う方法を用いている限シ形状、方法の如伺は問わないも
のである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の一実施例で使用するファースト焼付は用レチクルの
斜視図、第３図は本発明の−実施６− 例で使用するセカンド焼付は用レチクルの斜視図、第４
図はファースト、セカンド焼付は後のウェハー状態を示
す斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・ファースト焼
付は用Ｘアライメントパターン、計・・・・・ファース
ト焼付けＹアライメントパターン、４・・・・・・セカ
ンド焼付けＸアライメントパターン、５・・・・・・セ
カンド焼付けＹアライメントパターン、６・・・・・・
アライメントレーザー光軸、７・・・・・・対物レンズ
、８・・・・・・ウェハーステージ、９・・・・・・Ｘ
軸駆動モータ、１０・・・・・・Ｘ駆動軸、１１・・・
・・・Ｙ軸駆動モータ、１２・・・・・・Ｙ駆動軸、１
３・・・・・・ファースト焼付は用レチクル、１４・・
・・・・セカンド焼付は用レチクル。 ＝７− ４２国 ？ 豹３国 躬５閃
明の一実施例で使用するファースト焼付は用レチクルの
斜視図、第３図は本発明の−実施６− 例で使用するセカンド焼付は用レチクルの斜視図、第４
図はファースト、セカンド焼付は後のウェハー状態を示
す斜視図、第５図は第４図のＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・ファースト焼
付は用Ｘアライメントパターン、計・・・・・ファース
ト焼付けＹアライメントパターン、４・・・・・・セカ
ンド焼付けＸアライメントパターン、５・・・・・・セ
カンド焼付けＹアライメントパターン、６・・・・・・
アライメントレーザー光軸、７・・・・・・対物レンズ
、８・・・・・・ウェハーステージ、９・・・・・・Ｘ
軸駆動モータ、１０・・・・・・Ｘ駆動軸、１１・・・
・・・Ｙ軸駆動モータ、１２・・・・・・Ｙ駆動軸、１
３・・・・・・ファースト焼付は用レチクル、１４・・
・・・・セカンド焼付は用レチクル。 ＝７− ４２国 ？ 豹３国 躬５閃
Claims (1)
- 半導体基板の位置合せパターンにレーザー光を照射する
等の手段を用いて該半導体基板の位置決めを行ない、ア
ライメントされ九位置におけるウェハースデージの座標
を記憶する方式を有する縮小投影型露光装置において、
前記位置合せパターンを用いて前記縮小投影型露光装置
自身の単体精度及び複数装置間の互換性能を測定する機
能を有することを特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229525A JPS60120360A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229525A JPS60120360A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120360A true JPS60120360A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16893531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58229525A Pending JPS60120360A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120360A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232614A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 精度検査方法及び該検査機能を有する露光装置 |
| US5120134A (en) * | 1988-12-23 | 1992-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system including a device for analyzing an affect of a wafer resist upon a mark signal |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160455A (ja) * | 1974-11-22 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS5693321A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Method for pattern inspection |
| JPS5757245A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-06 | Hitachi Ltd | Inspecting method and device for appearance of semiconductor wafer |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP58229525A patent/JPS60120360A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160455A (ja) * | 1974-11-22 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS5693321A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Method for pattern inspection |
| JPS5757245A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-06 | Hitachi Ltd | Inspecting method and device for appearance of semiconductor wafer |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232614A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 精度検査方法及び該検査機能を有する露光装置 |
| US5120134A (en) * | 1988-12-23 | 1992-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure system including a device for analyzing an affect of a wafer resist upon a mark signal |
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