JPS6011181A - 磁界センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁気汝方性を有し、その磁化容易方向が表面
に治った方向である溝型性薄層で形成されたセンサ表面
を有する磁界センサおよびそのよう外磁界センサを用い
た位置センサに関するものである。

〔発明の技術的背景〕

従来よりホール効果は磁界の測定に使用されている。電
流が導体を流れ、同時に磁界が電流に垂直にこの導体に
作用するとこれら電流および磁界の両者の方向に対して
垂直な方向に起電力が発生し、それは電圧として導体の
表面から取り出すことができる。もしもこの導体が磁気
異方性を示し、その磁化容易方向が電流の方向と一致し
ているならば、付加的な起電力が発生され、その方向は
磁界および電流の方向によって決定される平面にある。

この効果は［プレーナポール効果」と呼ばれている。

この効果を利用した磁界センナは例えば磁気異方性を示
す円板状金属薄板から成り、その磁化容易方向は金属薄
板の平面に沿った方向にある。このセンサは４個の端子
を備え、それらはその周辺に等間隔で配置され、互いに
交叉する２つの電流路が形成され、その一方は磁気異方
性の磁化容易方向にある。そのようか磁界センサを薄膜
技術を使用して製作することも知られている（例えばＰ
ｈｙｓ、５ｔａｔ、Ｓｏｌ、第２６巻第５６５頁のＶ、
Ｄ、Ｋｙ氏の論文ｒＰ１ａｎａｒ　Ｈａｌｌ　ＦＪｆｆ
ｅｃｔ　ｉｎＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｆｉ１ｍｓ
’、　１９６８年参照）。

このような磁界センサは弱い、特に空間的に制限された
磁界を測定するのに非常に適したものである。その感度
は略々保磁力に比例しており、したがって下隅を有する
。従来のセンサは金属合金、好ましくはニッケル、鉄お
よびコバルトの合金を使用する。このような合金によっ
て得るととができる最小保磁力は約１００　ｍＡ／ｍで
ある。

磁界の存在は導体を横切って発生されるホール電圧を生
じるだけではなく、この導体の電気抵抗を変化させる。

この効果もまた磁界強度の測定に利用できる。しかし表
から弱い磁界がこの方法で測定されるとき、導体の電気
抵抗は他の因子、特に温度変化によっても影響を受けて
擾乱される。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、非常に弱い磁界でも測定することので
きる磁界センサを提供することである。

本発明によればセンサ表面（薄膜または薄層状のセンサ
体を以下センサ表面と呼ぶ）は強磁性アモルファス金属
で作られる。その好ましい実施態様については特許請求
の範囲第２項乃至第８項に記載されている。

本発明による磁界センサの有利な特性は非常に高い分解
能を有する位置検出装置を可能にする。

〔発明の実施例〕

以下添付図面を参照に実施例で詳細−説明する。

プレーナホール効果に基づく磁界センサの感度はそれに
作用する異方性磁界強度が減少するに従って増加する。

最低の可能々異方性磁界強度は材料の保磁力に等しい。

強磁性アモルファス金属はその保磁力が約１００　ｍＡ
７ｃｍ　より小さいよう製造されることができる。この
約］００ｍ）ｖ−と云う値は結晶金属合金における最小
の達成し得る保磁力の値である。アモルファス金属は主
として薄い条帯（１００μｍの厚さｌでのもの）の形態
で製造され、それから小さい円板が打抜かれ、或いは薄
い層（５μｍの厚さまでのもの）の形態で製造される。

この薄層は蒸着或いはカッーＦスパ、タリングによって
製造されることができる。

磁界センサに適したアモルファス金属は鉄族の遷移元素
に基づく合金である。アモルファス金属はまたＢ　、　
Ｃ、Ｓｉ　、Ｇｅ、Ｐより成る群から得られた半金属お
よび、或いはＴｉ　、　Ｚｒ　、　）Ｉｆ　、Ｎｂから
成る群から得られた遷移金属を含んでいてもよい０アモ
ルファス金属の５　ｉ＋−セント（原子裂）まで他の元
素が含まれていてもよい。特に適しているのはＣｏ−Ｆ
ｅベースの合金、好ましくはＣｏｚＦｅｙＢｌ　０ｎ−
ｘ−ｙで、７０＜ｘ＜８０．４＜：ｙ＜１０（ただしｘ
、ｙは原子チ）であるアモルファス金属である。

磁気異方性における磁化容易方向は例えば磁界中におけ
る焼入れ（ｔｅｍｐｅｒ）によって得られる。

すず本発明において使用されるプレーナホール効果を第
１図を用いて説明する。図は方形のセンサ表面、例えば
厚さｄ　ＸＩｌ’１ｉｌｉ　ｂおよび任意であるが充分
な（後述する）長さの金属薄片部材或いは基体上に伺着
された薄膜を示す。変化しない異方性磁界■■には長手
方向にセンサ表面に与えられる。図示されない電極を通
って与えられ、取り出される電流密度Ｊの電流は異方性
磁界瓜と平行に図示し々い電極を介して流れる。測定さ
れるべき外部磁界Ｈはセンサ表面に沿った方向で異方性
磁界■（ｋに垂直な方向にあ・る。磁化Ｍは異方性磁界
Ｈｋの方向から外部磁界Ｈの方向へ角度ψ回転した方向
である。異方性磁ｊ％Ｈｋの方向はまた「磁化容易方向
」と呼ばれ、それと垂直の方向は「磁化困難方向」と呼
ばれる。プレーナホール効果は、理想的な場合には均一
で異方性磁界Ｈｋおよび密度ｊの電流の方向に垂直の方
向でかつセンサ平面にある電界を生成する。この電界に
よって生じるホール電圧Ｕｌ（はセンサ表面の長手方向
の両側に対向して位置する２個の電極から取り出すとと
ができる。

電流密度ｊの電流Ｉは長手方向の両端に位置する短い辺
に対向して取り伺けられた２個の電極を介して流通する
。もしもこれらの電極が短い辺の幅全体に亘って存在す
るならば、ホール電圧はそれら電イウによって小なくと
も一部は短絡される。また、もしもそれらの電流供給電
極が辺の幅全体に亘って存在しないならばセンサ表面に
流れる電流は均一ではなくなる。測定は一ホール電圧を
測定するだめの電極によって、および測定の目的でこれ
らの電極から何等かの電流を取り出すことによって行わ
れる。もしもセンサ表面およびそれに取付けられた電極
の幾何学的形状寸法がホール電圧を与える電極の間の領
域において電流密度ｊおよびプレーナホール効果で生じ
る電、界強度の両者が均質であるように整合されるなら
ばセンサは理想的のものと考えることができる。

その場合には、 （２） Ｕ、、　＝−、Ｚ　ｐ　−ｊ　Ｉｂ　０ｓｌｎ２ψＵｎ
′＋＋ｓｌｎψ°匹Φ、　、　（３）ここで、ｐｉｉ′
ｆレーナホール定数である。

そのようなセンサ表面、例えば製造中或いはそれに続く
温度処理中に所望の方向（印加される異方性磁界によっ
て特徴付けられる磁化容易方向）を与えられた薄層が異
方性磁界）Ｉｋに垂直でセ／す平面にある外部磁界Ｈ中
に置かれる時、ｂｓｌｎ２ψ（２式）がその時電極間に
生じる。電圧Ｕｎはまたｓｉｎψ・魚ψ・百に比例する
（３式）ものである。それらの式から明ら−かなように
ＵＨはＨｋが減少するに従って増加する。すなわちセン
サの感度はＨｋの減少に従って増加する。Ｈｌｃに対す
る下限は保持力Ｈｅである。結晶金属では約１００ｍＡ
／ｃｍ　より小さい保磁力は得られない。強磁性アモル
ファス金属、特にＣｏ　−Ｆｅをベースとする合金では
著しく低い値を得ることができる。それ故そのようなア
モルファス金属はプレーナホール効果を利用する磁界セ
ンサで使用するのに特に適している。この目的に特に適
していることが立証された合金はＣ０ＸＦｅｙＢ１ｏｏ
−ニー７　で、７０＜ｘ＜、８０　、４＜：ｙ＜１０　
（ｘ　、　ｙは原子％）の合金である。実験でけＣ７ｓ
　Ｆ　ｅ　ｓ　Ｂ　２　ｏおよびＣ０８０Ｂ２０が好ま
しい結果を与えた。

鉄族の遷移元素に基づく合金である他のアモルファス金
属を使用することも可能でちる。そのような合金はまた
Ｂ　、　Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐより成る群から選ばれた半
金属および、或いはＴｉ　。

Ｚｒ　、　Ｔ（ｆ　、　Ｎｂ　から成る群から選ばれた
遷移金属を含んでいてもよい。アモルファス金属の５チ
（原子チ）まで他の元素を含んでいてもよい。

以下第２図によって磁界センサの実施例を説明する。第
２図はセンサの上面図および断面図を示す。４個の電極
１３が円板状石英基体１１の上面に付着されている。電
極１３は円板の外側領域に半径方向に９０度の間隔で配
置されている。それらはクロームの接着層を備えた金よ
り成る。円形のセンサ表面１２が石英基体ｌｌ上に同心
状に、電極を一部汐うように付着されている。それはＣ
０７ｓＦ８５Ｂ２ｏ　より成９、スパッタリングによっ
て厚さ１００乃至５００　ｎｍ　の層として形成されて
いる。直径は約５乃至２０腿である。この層はまた蒸着
によって形成されてもよい。センサ表面１２は磁気異方
性を示し、その磁化容易方向はセンサ表面において２個
の対向する電極１３を結ぶ線に平行である。この磁化容
易方向は磁界中での焼入ｉ′１．　（３５０℃、４００
　Ａ／ｍにおいて３０分）によってセンサ表面に与えら
れる。それは異方性磁界強度Ｈｋ　として示されている
。全センサ表面１２は磁化が磁化容易方向に平行である
単一の磁区を表わす。

原理的に磁気異方性はまた製造処理中にすてに得ること
ができる。すなわち石英基体１ノがス・フッタリング或
いは蒸着処理中磁界中にある時には磁気異方性を得るこ
とができる。薄層の代りにセンサ表面１２は上述のアモ
ルファス金属で作られた薄片であってもよい。

異方性磁界Ｈｋの方向において互いに対向して配置され
たこの磁界センサの２個の電極は質流Ｉを供給する電源
に接続される。この電流を流しているセンサが磁化困難
方向（磁化容易方向に垂直の方向）の外部磁界Ｈ中に置
かれる時、センサ表面１２中の磁化Ｍは磁化容易方向か
ら困難方向の互いに対向した電極間にｓｉｎψ・いψ・
ｉに比νげるホール電圧が発生する。ここでｄはセンサ
表面１２の層の厚さである。外部磁界が磁化困難方向を
向いていない時でさえも、磁化Ｍは磁化容易方向から正
確に定められた角度だけ回転する。この場合にもまた、
ホール電圧が発生Ｌ２、磁界の大きさおよび方向は、た
とえ２個の磁界センサの磁化容易方向が互いに垂直でな
い場合であっても２個の磁界センサによって正確に決定
できる。これは適当に分布した電極を有する単一の基体
を使用して両センサを構成することを可能にする。

石英の代りに基体としてガラス、半導体材料或いはセラ
ミック材料も使用可能である。

第３図は磁界センサ（、？　７　、３２　、３３で構成
されている）と永久磁石３４と２個の中間マスク（それ
ぞれ３５．３７および３６．３８で構成されている）か
ら成る位置センサの断面図を示す。各マスクは非導電性
で強磁性まだはフェリ磁性ではない支持体３５．３６と
その上に付着された軟磁性体層３７．３８とより成る。

２個のマスクは相対的に移動可能であり、軟磁　・性体
層は開口３９を有しく第４図番・照）、それは全体とし
て２個のマスクの位置の相互関係に応じてセンサを永久
磁石の磁界から遮蔽し、或いはセンサに磁界の一部を通
過させるように設計されている。２個のマスクの一方だ
けが可動であり検知されるべき位「、を示し、一方他方
のし 直方向に離れて）位置札、磁石がセンサ表面に平行にな
っているように配信される。その時永久磁石の磁力線は
センサ表面に垂直々平面にある。２個のマスクによって
構成されたシャッターが開かれると、磁力線の一部はセ
ンサ表面に到達する。磁界センサはその磁気異方性磁界
Ｈｋの磁化容易方向がこれらの磁力線に垂直である（第
３図で紙面に垂直である）ように方向を定められている
。ホール電圧ＵＨは２個の電イ詣、？３によって取り出
される。これらの電極３３お・よび永久磁石３４の２（
ｊｉｌの磁柿は略々センサ表面に垂直な平面（図の紙面
）にある。電流■は異方性磁界Ｈｋに平行に流れる。

第４図は２個のマスクの一方の一部の土面図および断面
図を示し、そのマスクは支持体３５゜軟磁性体層３７か
も成り、開０．３９を有する。

他方のマスクも同じ設計である。

第５図は、ブレーナホール効果を利用した磁界センサを
有する位置センサの別の実施例を示す。磁界センサｌは
マスク３の、一方の側に設けられた支持体２内に配置さ
れている。マスク３のそれと反対側には磁界センサｌと
対向して永久磁石４が配置されている。永久磁石４の両
磁析を通る軸はマスク３に平行である。マスク３はこの
永久磁石４の軸に平行なスリットを備えている。磁界セ
ンサＩはセンサ表面がマスク３に垂直で永久磁石４の軸
を含む平面にある。異方性磁界Ｈｋによって特徴付けら
れる磁化容易方向はマスク３に垂直である。２個の電極
は電流■が異方性磁界■■にと平行に流れることができ
るように磁界センサ１に設けられる（これらの電極の一
方はマスク３に面しており、他方は反対側にある）。さ
らに別の２個の電極が磁界センサ１のセンサ表面の頂部
および底部に設けられ、それらの電極６からホール電圧
を得ることができる。主としてスリット５を通って永久
磁石の磁界は磁界センサ１中にその端縁から侵入する。

その時ホール電圧は信号７として上下の電極６から取り
出され、マスク３が永久磁石４と磁界センサ１との間で
移動するとその信号７０大きさはスリット５と中間の金
属条帯橋絡体８とのシーケンスに従って変化する。

第６ａ図乃至第６ｃ図は第５図の装置を３方向から見た
図である。−参照記号ＮおよびＳは永久磁石４の磁極を
示し、その他の参照記号は第５図のものと対応している
。

第７図は、磁界センサｌがマスク３のパターンの前を距
離Ｘだけ平行に移動し、定常磁界がマスク３の背後に存
在する場合の磁界センサ１の出力として得られる信号７
の交流電圧成分Ｗを示す。第５図および第６ａ図乃至第
６ｃ図の装置によって同じ出力信号が移動するマスク３
により得られる。

第５図の装置において、プレーナポール効果を利用して
いる磁界センサの表面は磁力線の方向にある。２次元セ
ンサの代りに「線形」センサが形成される。磁界感知表
面の代りに磁界感知線があり、それによって磁界は磁界
に垂直な方向に走査され、したがってこの線に垂直な方
向に走査される。もしも磁界がマスク３のような「磁気
格子」によって変調される々らば、この変調はセンサの
薄層の縁部により、すなわち磁力線に平行な紛により、
高度か位置の精確度で走査されることができる。

位置センサは主として位置を決定するため、或いは自動
装置中の機械部品の速度或いは加速度を測定するために
使用される。

もしも目的物の位置が観測されるべきであれば、この目
的物によって影響を受ける磁界の変化が目的物の位置を
決定するために利用されるととができる。もしも目的物
が強磁性体でなければ、磁石と磁界センサとの間に延在
する磁気的に滲透するマスクが割当てられる。そのよう
な装置は簡単で頑丈で、多くの用途に容易に適応される
。しかしながら、もしも運動中の小さな変化が正確に記
録されるべきであるならば、通常の磁界検知性センサの
空間的大きさはそめような装置の分解能を制限する。そ
のような場合には通常光学的装置が使用され、それにお
いて例えば開ロバターン或いは格子を設けられた１個或
いは２個のマスクが放射線源と放射線検出器との間で移
動される。そのような格子が光学的に走査されて運動す
る部品の位置、速度、或いは加速度を正確に決定する時
、２つの要求が対立する。すなわち、運動の分解能（パ
ルス数／路長）および輝度に依存する装置の感度であり
、したがって例えば光ビームの直径によって決定される
。光ビームの直径が小さくなる程分解能は増加するが、
得られる感度は低下する。

もしもビームがあまりにも細過ぎるならば評価は明らか
に不可能になるであろう。もしも信頼できる評価ができ
るように充分太いビームにすれば分解能は低下する。光
学走査においてはとれらの置部は固定された格子および
類似の移動格子を使用することによって克服されている
。

その場合には光の束が使用されることができ、それにも
拘らず高い解像度が得られる。何故ならば全体の輝度は
２個の格子の相対的な位置に依存するからである。しか
しながらこれは２個の格子を互いに非常に接近して配置
するという新しい要求を生じることになり、それは機械
的公差の問題からしばしば不可能である。さらにそのよ
うな光学的位置センサの解像度が高くなる程、それらは
汚染に対して敏感になる。

本発明による位置センサによれば、発生する可能性のあ
る汚染は何の問題もなく、高い解像度と高い感度の両者
が達成される。

本発明による位置センサの場合には高い解像度と高い感
度は両立する。もしも本発明の実施例に従ってセンサが
アモルファス金属の薄層を備え、その薄層の端縁がマス
クのスリットに平行に位置するならば、そしてもしもマ
スクの層と反対側に永久磁石が配置されてその磁力線も
スリットに平行であり、スリットを充分な強さの磁界強
度で貫通し、それ故スリット間を橋絡する金属薄片が飽
和されるならば、センサが薄い程その感度および解像度
は高くなる。スリットの背後では全磁界強度が作用し、
金属橋絡片の背後では全磁界強度と飽和磁界強度との間
の差が作用する。これらの磁界強度の変化は電圧変化の
形態で信号を発生し、それは増幅器中で増幅され、周波
数および位相について評価され、或いはカウンタ中で計
数されることができる。

アモルファス金属薄層の１端縁はマスクに面しており、
スリットおよび金属ａ絡片に平行である。したがって磁
力腺は頂部で薄層の端縁に入り、薄層中を通ってその底
部から出て、プレーナホール効果の結果として頂部およ
び底部端縣の電極間に電圧が発生する。

永久磁石の代りに電磁石を使用するととももちろん可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図はプレーナホール効果を説明する図であり、第２
図は本発明の一実施例の磁界センサの上面図および断面
図である。第３図は磁界センサと、永久磁石と、２個の
相対運動可能なマスクとを備えた本発明の一実施例の位
置センサのＵｒ’Ｕｉｉ図であり、第４図は第３図の位
置センサ用のマスクの一部分の上面図および断面図であ
る。第５図は磁界センサと永久磁石と１個のマスクとよ
り成る本発明の一実施例の位置センサの斜視図であり、
第６ａ図、第６ｂ図および第６ｃ図は第５図の位置セン
サの異なる３方向から見た図であり、第７図は第５図の
位置センサにより得られる信号の波形を示す。 １・・・センナ表面、２・・・支持体、３・・・マスク
、４・・・永久磁石、５・・・スリット、１１・・・基
体、１２・・・センサ表面、１３・・・電柘、３１・・
・基体、３２・・・センサ表面、３３・・・電極、３４
・・・永久磁石、３１５．３６・・支持体、３７　、３
８・・・軟磁性体層。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦Ｆｉｇ、７ 第１頁の続き 優先権主張　＠　１９８３年６月２８日■西ド（ＤＥ）
■Ｐ３３２３１９７．４ ＠発明者　ゲルハルトーゲー・ガスマ ドイツ連邦共和国７３００エス ゲン・トーマゼツカーベー ０発　明　者　ジ−グツリード・ミュラードイツ連邦共
和国７４４０ニユ インゲン・プファイフエル トラーセ１９ −４２（ ）−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）磁気異方性を示し、その磁化容易方向がセンサ表
   面にある導電性の金属薄板または薄層よ多形成されたセ
   ンサ表面と３個以上の端子とを具備し、とのセンサ表面
   が強磁性アモルファス金属により作られていることを特
   徴とする磁界センサ。 （２）　アモルファス金属が鉄族の遷移元素をペースと
   する合金であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁界センサ。 （３）　アモルファス金属がＢ　、　Ｃ、Ｓｔ　、Ｇｅ
   、Ｐから成る群から選択された半金属を含んでいること
   を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁界センサ。 （４）　アモルファス金属がＴｉ　、　Ｚｒ　、　Ｈｆ
   　、　Ｎｂから成る群から選択された遷移金属を含んで
   いることを特徴とする特許請求の範囲第２項または第３
   項記載の磁界センサ。 （５）アモルファス金属の５チ（原子チ）壕での他の元
   素を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第２項
   乃至第４項の何れか１項記載の磁界センサ。 （６）　アモルファス金属がＣＯ〜Ｆｅをペースとする
   合金であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
   の磁界センサ。 （７）　アモルファス金属がＣｏｘＦｅｙＢｌ　０Ｏ−
   ｘ−ｙ　であり、それにおいて原子係で表わすとＸは７
   　Ｑ　＜　ｘ　＜　８０であり、ｙは４　りｙ　＜　１
   ０であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
   磁界センサ。 （８）　センサ表面は略々円形または正方形であり、２
   個の端子が電流がそれらの端子を通って磁気異方性の磁
   化容易方向に略々平行にセンサ表面を流れる如くセンサ
   表面の周辺に取り付けられ、別の２個の端子がそれらを
   結ぶ直線が磁気異方性の磁化容易方向に垂直であ”るよ
   うにセンサ表面の周辺に取り付けられていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項乃至第７項の何れか１項記
   載の磁界センサ。 （９）磁気異方性を示し、その磁化容易方向がセンサ表
   面にある導電性の金属薄板又は薄層より形成されたセン
   サ表面を備え、仁のセンサ表面が強磁性アモルファス金
   属により作られ、３個以上の電極が取付けられており、
   とのセンサ表面の付近に永久磁石が配置され、磁界セン
   サと永久磁石との間に可動マスクが配置されていること
   を特徴とする位置検出装置として構成された磁界センサ
   。 （１ｃ）　アモルファス金属が鉄族の遷移元素をペース
   とする合金であることを特徴とする特許請求の範囲第９
   項記載の磁界センサ。 ０η　アモルファス金属がＢ　、　Ｃ、８１，Ｇｅ　、
   Ｐから成る群から選択された半金属を含んでいることを
   特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の磁界センサ。 （６）　アモルファス金属がＴｉ　、　Ｚｒ　、　Ｈｆ
   　、Ｎｂ　から成る群から選択された遷移金属を含んで
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１０項または第
   １１項記載の磁界センサ。 （１つ　アモルファス金属の５％（原子％）ｔでの他の
   元素を含んでい２ことを特徴とする特許請求の範囲第１
   ０項乃至第１２項の倒れか１項記載の磁界センサ。 ０→　アモルファス金属がＣｏ−Ｆｅを４−スとする合
   金であることを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載
   の磁界センサ。 （１つ　アモルファス金属がＣｏｘＦｅｙＢｌｏｏ−ｘ
   −ｙ　テあり、それにおいて原子係で表わすとＸは７０
   ＜Ｘく８０であり、ｙは４＜ｙ＜ｔｏであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１１項記載の磁界センサ。 αＱ　センサ表面は略々円形または正方形であり、２個
   の端子が電流がそれらの端子を通って磁気異方性の磁化
   容易方向に略々平行にセンサ表面を流れる如くセンナ表
   面の周辺に取り付けられ、別の２個の端子がそれらを結
   ぶ直線が磁気異方性の磁化容易方向に垂直であるように
   センサ表面の周辺に取り付けられていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第９項乃至第１５項の何れか１項記載
   の磁界センサ。 ａ′Ｉ）　前記永久磁石の両磁極を含む平面がセンサ表
   面に垂直であり、センサ表面の磁気異方性の磁化容易方
   向が前記平面に垂直であり、センサ表面と永久磁石との
   間に２個の相対的に可動な位置指示マスクがセンサ表面
   と本質的に平行に配置され、それらマスクはそれらの相
   互位置に応じて磁界を完全に遮蔽し或いは磁界の一部を
   通過させる如く構成されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第９項乃至第１６項の倒れか１項記載の磁界セ
   ンサ。 Ｏｅ　センサ表面が永久磁石の２個の磁極を含む面上に
   あり、センサ表面の磁気異方性の磁化容易方向が永久磁
   石の磁力線の方向に垂直であり、可動泣顔指示マスクは
   磁界を盪、斯する区域と磁界を遮断しない区域とを有し
   、磁界センサと永久磁石との間に配置されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１６項の伺れか
   １項記載の磁界センサ。