JPS60101704A - 多素子磁気ヘツド装置の製法 - Google Patents
多素子磁気ヘツド装置の製法Info
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- JPS60101704A JPS60101704A JP20949083A JP20949083A JPS60101704A JP S60101704 A JPS60101704 A JP S60101704A JP 20949083 A JP20949083 A JP 20949083A JP 20949083 A JP20949083 A JP 20949083A JP S60101704 A JPS60101704 A JP S60101704A
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- capacitor
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/29—Structure or manufacture of unitary devices formed of plural heads for more than one track
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/105—Mounting of head within housing or assembling of head and housing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電磁誘導型、或いは磁気批抗効果(MR)型
磁気ヘッド等の薄膜型磁気ヘッドによる多素子磁気ヘッ
ドを得る場合に適用して好適な多素子磁気ヘッドの製法
に係わる。
磁気ヘッド等の薄膜型磁気ヘッドによる多素子磁気ヘッ
ドを得る場合に適用して好適な多素子磁気ヘッドの製法
に係わる。
背景技術とその問題点
例えばPCM信号を記録または再生する多チャンネル、
すなわち多素子磁気ヘッドとして1111型の多素子磁
気ヘッドが用いられる。
すなわち多素子磁気ヘッドとして1111型の多素子磁
気ヘッドが用いられる。
ごの薄膜型多素子磁気ヘッドを第1図及び第2図を参照
して説明する。図中(11は、電磁誘導型構成による多
素子磁気ヘッドを全体としてポずもので、このヘッド(
1)は、例えばMn−Zn系フェライト。
して説明する。図中(11は、電磁誘導型構成による多
素子磁気ヘッドを全体としてポずもので、このヘッド(
1)は、例えばMn−Zn系フェライト。
Mn−Ni系フェライト等より成る磁性基板(2)上に
多数の薄膜磁気ヘッド素子りが並置配列される。この場
合、基板(2)には、その−主面(2a)に臨んで、基
板(2)の長手方向に沿って溝(3)が形成され、これ
に非磁性材(4)、例えばガラスが充填される。また基
板(2)の面(2a)上には、基板(2)が導電性を有
する場合にはこれの上に5t(h等の非磁性絶縁ri!
1151が被着され、これの上に各チャンネル(例えば
22チヤンネル)に対応して設けられる信号線輪となる
帯状薄膜導電体(8)が被着配置される。これら導電体
(8)は、少なくともその一部が溝(3)に沿って設け
られ、この溝(3)と、これの上の導電体(8)を横切
って各チャンネルに対応するパーマロイ等より成る薄膜
磁性N(9)が夫々被着される。この場合、導電体(8
)上には5i02等の絶縁層(5)が被着されて薄映磁
性層(9)との電気的絶縁がなされる。各磁性層(9)
の一端は、例えば上述の磁性層(5)による非磁性ギャ
ップスペーサ−aΦを介して磁性基板(2)の、溝(3
)に沿う一側縁(2b)に臨むように延在させる。
多数の薄膜磁気ヘッド素子りが並置配列される。この場
合、基板(2)には、その−主面(2a)に臨んで、基
板(2)の長手方向に沿って溝(3)が形成され、これ
に非磁性材(4)、例えばガラスが充填される。また基
板(2)の面(2a)上には、基板(2)が導電性を有
する場合にはこれの上に5t(h等の非磁性絶縁ri!
1151が被着され、これの上に各チャンネル(例えば
22チヤンネル)に対応して設けられる信号線輪となる
帯状薄膜導電体(8)が被着配置される。これら導電体
(8)は、少なくともその一部が溝(3)に沿って設け
られ、この溝(3)と、これの上の導電体(8)を横切
って各チャンネルに対応するパーマロイ等より成る薄膜
磁性N(9)が夫々被着される。この場合、導電体(8
)上には5i02等の絶縁層(5)が被着されて薄映磁
性層(9)との電気的絶縁がなされる。各磁性層(9)
の一端は、例えば上述の磁性層(5)による非磁性ギャ
ップスペーサ−aΦを介して磁性基板(2)の、溝(3
)に沿う一側縁(2b)に臨むように延在させる。
他端は、例えば絶縁M(5)に穿設した窓(5a)を通
じ°ζ基板(2)の面(2a)に磁気的に密に結合させ
る。
じ°ζ基板(2)の面(2a)に磁気的に密に結合させ
る。
このようにして、共通の基板(2)と各磁性層(9)と
によって夫々閉磁路が形成され、各閉磁路に関して、夫
々薄膜導電体(8)より成る信号線輪を有し、各閉磁路
に、ギャップスペーサ−(Iψによりてギャップ長が規
定されて作動磁気ギャップgが形成された各チャンネル
の磁気ヘッド素子りが構成されるものである。
によって夫々閉磁路が形成され、各閉磁路に関して、夫
々薄膜導電体(8)より成る信号線輪を有し、各閉磁路
に、ギャップスペーサ−(Iψによりてギャップ長が規
定されて作動磁気ギャップgが形成された各チャンネル
の磁気ヘッド素子りが構成されるものである。
そして、各磁気ヘッド素子り上には、基板(2)に対向
して耐摩耗性にすぐれた保護基板(11)が接着剤(1
2)を介して接合される。
して耐摩耗性にすぐれた保護基板(11)が接着剤(1
2)を介して接合される。
一方、各薄膜導電体(8)の各両端部(8a) (8b
)は、夫々外部回路、すなわち、この磁気ヘッド(11
に記録信号を供給するシリアル−パラレル変換器等を含
む出力回路、或いはこの磁気ヘッド(11よりの再生信
号を供給するパラレル−シリアル変換器を含む入力回路
等の外部回路に接続される端子として、基板(2)のo
llI縁(2b)と対向する他側縁(2c)に延在させ
る。この場合、保護基板(11)の幅は磁性基板(2)
の幅より小として、端子(8a) (8b)が保護基板
(11)外に露呈するようになされる。
)は、夫々外部回路、すなわち、この磁気ヘッド(11
に記録信号を供給するシリアル−パラレル変換器等を含
む出力回路、或いはこの磁気ヘッド(11よりの再生信
号を供給するパラレル−シリアル変換器を含む入力回路
等の外部回路に接続される端子として、基板(2)のo
llI縁(2b)と対向する他側縁(2c)に延在させ
る。この場合、保護基板(11)の幅は磁性基板(2)
の幅より小として、端子(8a) (8b)が保護基板
(11)外に露呈するようになされる。
そして、基板(2)の側縁(2b)側において両基板(
2)及び(11)の接合体を切削研摩して各ヘッド素子
りの磁気ギャップgが臨む磁気媒体との対接面(13)
が形成される。
2)及び(11)の接合体を切削研摩して各ヘッド素子
りの磁気ギャップgが臨む磁気媒体との対接面(13)
が形成される。
このような多素子磁気ヘッド(11と、上述した外部回
路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキシブル配線
基鈑によっY接続する。ところが、この場合、互いに別
体に構成された多素子磁気ヘッドと外部回路とを磁気ヘ
ッド外で接続することは、断線等の事故が生じ易く、信
頼性に問題がある。
路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキシブル配線
基鈑によっY接続する。ところが、この場合、互いに別
体に構成された多素子磁気ヘッドと外部回路とを磁気ヘ
ッド外で接続することは、断線等の事故が生じ易く、信
頼性に問題がある。
このような問題点を改善するために、本出願人は次のよ
うな多素子磁気ヘッド装置の製法を提案した。
うな多素子磁気ヘッド装置の製法を提案した。
これは、リードフレームを含んでトランスファーモール
ドでハウジングを成型し、このハウジング内に上述した
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路、外
部信号(ノイズ)を交流的に接地するためにこの集積回
路の電源ラインとアース間に介挿するコンデンサ及び薄
膜多素子磁気ヘッドをマウントし、次で集積回路及び多
素子磁気ヘッドをAu線等で相互に接続して後、液状樹
脂で最終封止するようになされる。この多素子磁気ヘッ
ド装置では、多素子磁気ヘッドがこれに接続される外部
回路と一体に構成されるので、従来に比し信頼性が向上
する。
ドでハウジングを成型し、このハウジング内に上述した
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路、外
部信号(ノイズ)を交流的に接地するためにこの集積回
路の電源ラインとアース間に介挿するコンデンサ及び薄
膜多素子磁気ヘッドをマウントし、次で集積回路及び多
素子磁気ヘッドをAu線等で相互に接続して後、液状樹
脂で最終封止するようになされる。この多素子磁気ヘッ
ド装置では、多素子磁気ヘッドがこれに接続される外部
回路と一体に構成されるので、従来に比し信頼性が向上
する。
しかし乍ら、この場合、上記コンデンサのリードフレー
ムに対するマウントは導電性ペースト等を用いて行って
いるために、その接着部の接着強度にバラツキが生じ、
又、リードフレームでの接着部の面積を大きくする必要
があり、なお、生産性及び信頼性に問題があった。又、
コンデンサのマウントを溶接等で行うことも考えられる
が、この場合には上面側からしか溶接電極を当接できな
いので、リードフレームの接続部の占有面積が大きくな
り、小型化を阻害するものであった。
ムに対するマウントは導電性ペースト等を用いて行って
いるために、その接着部の接着強度にバラツキが生じ、
又、リードフレームでの接着部の面積を大きくする必要
があり、なお、生産性及び信頼性に問題があった。又、
コンデンサのマウントを溶接等で行うことも考えられる
が、この場合には上面側からしか溶接電極を当接できな
いので、リードフレームの接続部の占有面積が大きくな
り、小型化を阻害するものであった。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、多素子磁気ヘッド。
集積回路及びコンデンサを内蔵して樹脂モールドで一体
化する多素子磁気ヘッド装置に於°ζ、特にコンデンサ
の接続部の信頼性を涯めるようにし、更に生産性の向上
と、全体のより小型化を図るようにした多素子磁気ヘッ
ドの製法を提供するものである。
化する多素子磁気ヘッド装置に於°ζ、特にコンデンサ
の接続部の信頼性を涯めるようにし、更に生産性の向上
と、全体のより小型化を図るようにした多素子磁気ヘッ
ドの製法を提供するものである。
発明の概要
本発明においては、リードフレームにコンデンサを接合
して後、このコンデンサを含んでリードフレームを樹脂
モールドして外部回路を構成噛゛る集積回路と多素子磁
気ヘッドを配するハウジングを形成する。そし°Cハウ
ジング内のリードフレームに集積回路及び多素子磁気ヘ
ッドを載置し°ζζ相間間配線を施し°C後、集積回路
及び多素子磁気ヘッドを最終的に樹脂モールドする。
して後、このコンデンサを含んでリードフレームを樹脂
モールドして外部回路を構成噛゛る集積回路と多素子磁
気ヘッドを配するハウジングを形成する。そし°Cハウ
ジング内のリードフレームに集積回路及び多素子磁気ヘ
ッドを載置し°ζζ相間間配線を施し°C後、集積回路
及び多素子磁気ヘッドを最終的に樹脂モールドする。
この発明の製法によれば、コンデンサの接続部の信頼性
が上がり、より高い信頼性のある多素子磁気ヘッド装置
が得られる。また生産性が向上し、且つこの種の多素子
磁気ヘッド装置のより小型化が図れる。
が上がり、より高い信頼性のある多素子磁気ヘッド装置
が得られる。また生産性が向上し、且つこの種の多素子
磁気ヘッド装置のより小型化が図れる。
実施例
第3図以下を参照して本発明製法の一例を詳細に説明す
る。この例では、第3図に示す如きリードフレーム(2
1)を設ける。このリードフレーム(21)は、金属板
を選択的にエツチングすることによって得るものであり
、最終的に集積回路が載置取着される回路取付部(22
)と、集積回路より外部に導出される端子となるリード
部(23)と、所要のリード部(23)間においてコン
デンサを接続する接続部(26)と、これらリード部(
23)を相互に連結する枠部(24)と、各リード部(
23)を横切るように配置され樹脂モールド時の樹脂の
流延を制限する制限部(25)とが全体として一体に形
成されて成る。
る。この例では、第3図に示す如きリードフレーム(2
1)を設ける。このリードフレーム(21)は、金属板
を選択的にエツチングすることによって得るものであり
、最終的に集積回路が載置取着される回路取付部(22
)と、集積回路より外部に導出される端子となるリード
部(23)と、所要のリード部(23)間においてコン
デンサを接続する接続部(26)と、これらリード部(
23)を相互に連結する枠部(24)と、各リード部(
23)を横切るように配置され樹脂モールド時の樹脂の
流延を制限する制限部(25)とが全体として一体に形
成されて成る。
そして本発明においては、第4図及び第5図に示すよう
に、先づリードフレームの状態でコンデンサ(80)を
所要リード部の接続部(26)間にスポット溶接にて接
続する。この場合、コンデンサ(80)のリード(80
a)と各接続部(26)間のスポット溶接は溶接電極(
27)を上下に配して行なわれる・(第4図参照)。従
って、リードフレーム(21)の接続部(26)の面積
は十分小さくて済む。
に、先づリードフレームの状態でコンデンサ(80)を
所要リード部の接続部(26)間にスポット溶接にて接
続する。この場合、コンデンサ(80)のリード(80
a)と各接続部(26)間のスポット溶接は溶接電極(
27)を上下に配して行なわれる・(第4図参照)。従
って、リードフレーム(21)の接続部(26)の面積
は十分小さくて済む。
コンデンサ(80)は外部信号(ノイズ)を交流的に接
地するためのものであり、後述の集積回路の電源ライン
とアース間に介挿されるものである。
地するためのものであり、後述の集積回路の電源ライン
とアース間に介挿されるものである。
次で第6図に示すようにコンデンサ(8o)を一体に樹
脂モールドする如く、磁気ヘッド装置のハウジングを構
成する樹脂モールド体(31)を、樹脂モールド金型を
用いたモールド成型によって形成する。即ち、このモー
ルド体(31)には、そのモールド成型に際して、モー
ルド金型内に上述したコンデンサ(80)を取付けたリ
ードフレーム(21)を配置することによってリードフ
レーム(21)を埋置する。また、モールド体(31)
には、集積回路を収納配置する凹部(32)とその−側
に突堤(33)を介して隣り合う磁気ヘッド配置部(3
4)とが設けられている。これら集積回路の収納凹部(
32)と磁気ヘッド配置部(34)とは、両部(32)
及び(34)に差し渡って相対向する側壁部(35a
)及び(35b)とコンデンサ(80)が埋置された凹
部(32)の後方壁部(35c)とを有する。各壁部(
35a ) 、(35b )及び(35c)の各端面は
同一平面を形成する高さに選ばれる。磁気ヘッド配置部
(34)の前方は開放されており、集積回路の収納凹部
(32)における一方の側壁(35a)または(35b
)の少なくとも一部分には樹脂注入用の切除部(36
)が設けられている。尚、ここに突堤(33)の高さは
、各壁部(35a)〜(35c)の高ざより低く選ばれ
る。
脂モールドする如く、磁気ヘッド装置のハウジングを構
成する樹脂モールド体(31)を、樹脂モールド金型を
用いたモールド成型によって形成する。即ち、このモー
ルド体(31)には、そのモールド成型に際して、モー
ルド金型内に上述したコンデンサ(80)を取付けたリ
ードフレーム(21)を配置することによってリードフ
レーム(21)を埋置する。また、モールド体(31)
には、集積回路を収納配置する凹部(32)とその−側
に突堤(33)を介して隣り合う磁気ヘッド配置部(3
4)とが設けられている。これら集積回路の収納凹部(
32)と磁気ヘッド配置部(34)とは、両部(32)
及び(34)に差し渡って相対向する側壁部(35a
)及び(35b)とコンデンサ(80)が埋置された凹
部(32)の後方壁部(35c)とを有する。各壁部(
35a ) 、(35b )及び(35c)の各端面は
同一平面を形成する高さに選ばれる。磁気ヘッド配置部
(34)の前方は開放されており、集積回路の収納凹部
(32)における一方の側壁(35a)または(35b
)の少なくとも一部分には樹脂注入用の切除部(36
)が設けられている。尚、ここに突堤(33)の高さは
、各壁部(35a)〜(35c)の高ざより低く選ばれ
る。
リードフレーム(21)は、その集積回路の取付部(2
2)の一方の面が凹部(32)の底面に露呈するように
配され、リード部(23)が、壁部(35c)を貫通し
てその外端がモールド体(31)外に突出するように配
置される。そしてこのリードフレーム(21)は、モー
ルド体(31)の成型後に、枠部(24)を切断排除し
、各リード部(23)間の制限部(25)を切断するこ
とによって各リード部(23)間を電気的に分離する。
2)の一方の面が凹部(32)の底面に露呈するように
配され、リード部(23)が、壁部(35c)を貫通し
てその外端がモールド体(31)外に突出するように配
置される。そしてこのリードフレーム(21)は、モー
ルド体(31)の成型後に、枠部(24)を切断排除し
、各リード部(23)間の制限部(25)を切断するこ
とによって各リード部(23)間を電気的に分離する。
次で、リードフレーム(21)のワイヤボンド性を良く
する為に液体フォーニング等でパリや離型剤を除去し、
リードフレーム(21)の面をきれいにする―このとき
、コンデンサ(8o)は既にモールド体(31)内に埋
置され°Cいるので液体フォーニングの影響を受けるこ
とがない。そして、第7図及び第8図に示すようにモー
ルド体(31)の凹部(32)内のリードフレーム(2
1)の集積回路の取付部(22)上に前述したシリアル
−パラレル変換器等の磁気ヘッドに付随する回路が形成
された集積回路(41)を載置ボンディングすることに
よってこの集積回路(41)を四部(32)内に収納す
る。一方モールド体(31)の磁気ヘッド配置部(34
)に磁気ヘッド(11を、その磁気ギヤツブgが臨む前
方端を配置部(34)より前方に突出させて載置する。
する為に液体フォーニング等でパリや離型剤を除去し、
リードフレーム(21)の面をきれいにする―このとき
、コンデンサ(8o)は既にモールド体(31)内に埋
置され°Cいるので液体フォーニングの影響を受けるこ
とがない。そして、第7図及び第8図に示すようにモー
ルド体(31)の凹部(32)内のリードフレーム(2
1)の集積回路の取付部(22)上に前述したシリアル
−パラレル変換器等の磁気ヘッドに付随する回路が形成
された集積回路(41)を載置ボンディングすることに
よってこの集積回路(41)を四部(32)内に収納す
る。一方モールド体(31)の磁気ヘッド配置部(34
)に磁気ヘッド(11を、その磁気ギヤツブgが臨む前
方端を配置部(34)より前方に突出させて載置する。
この磁気ヘッド(11は例えば第1図及び第2図に示し
たVs膜梨型磁気ヘッド、その基板(2)上の各端子(
8a) (8b)が夫々集積回路の対応する出力若しく
は入力端子部に突堤(33)を越え”ζ、夫々リードワ
イヤ(42)によって接続される。また集積回路(41
)の各入力若しくは出方端子部とこれらに対応するリー
ドフレーム(21)の各リード部(23)とが同様にリ
ードワイヤ(43)によって相互接続される。
たVs膜梨型磁気ヘッド、その基板(2)上の各端子(
8a) (8b)が夫々集積回路の対応する出力若しく
は入力端子部に突堤(33)を越え”ζ、夫々リードワ
イヤ(42)によって接続される。また集積回路(41
)の各入力若しくは出方端子部とこれらに対応するリー
ドフレーム(21)の各リード部(23)とが同様にリ
ードワイヤ(43)によって相互接続される。
次に集積回路(41)と磁気ヘッド(1)とを配置した
樹脂モールド体(31)内に樹脂注入、いわゆるキャス
ティングを行う。このキャスティングはモールド体(3
1)と注形型との共働によって行うもので、溶融状態の
樹脂を充満して硬化させる。これによって第9図に示す
ようにモールド体(31)より成るハウジング中に樹脂
(71)が充填されると、集積回路(41)と磁気ヘッ
ド+11と、これらと更にリード部(23)との接続を
行うリードワイヤ等が樹脂(71)とモールド体(31
)とによって外部と遮断封止される。そして、この場合
、この樹)ill注大処理後に、磁気ヘラl’ (1)
O前方が研摩されて磁気媒体との対接面(13)が形
成される。
樹脂モールド体(31)内に樹脂注入、いわゆるキャス
ティングを行う。このキャスティングはモールド体(3
1)と注形型との共働によって行うもので、溶融状態の
樹脂を充満して硬化させる。これによって第9図に示す
ようにモールド体(31)より成るハウジング中に樹脂
(71)が充填されると、集積回路(41)と磁気ヘッ
ド+11と、これらと更にリード部(23)との接続を
行うリードワイヤ等が樹脂(71)とモールド体(31
)とによって外部と遮断封止される。そして、この場合
、この樹)ill注大処理後に、磁気ヘラl’ (1)
O前方が研摩されて磁気媒体との対接面(13)が形
成される。
尚、リードフレーム(21)の集積回路の取付部(22
)の裏面に熱伝導度の高い金属放熱体を配置し、その外
面をモールド体(31)の外面に露呈するように構成す
ることができる。
)の裏面に熱伝導度の高い金属放熱体を配置し、その外
面をモールド体(31)の外面に露呈するように構成す
ることができる。
上述した例においては、磁気ヘッド(11が、電磁誘導
型磁気ヘッドである場合について説明したが、磁気ヘッ
ド(1)がMR型薄膜ヘッドである場合に適用すること
もできることは云う迄もないところである。また再生ヘ
ッドをMRヘッド、記録ヘッドを電磁誘導型ヘッドとす
る場合は、夫々上述した本発明製法によっζ得た磁気ヘ
ッド装置を例えば夫々その樹脂(71)の側を内面にし
て重ね合せて一体化することによっ”で相互に所定の位
置関係に保持された記録、再生ヘッドを得ることができ
る。
型磁気ヘッドである場合について説明したが、磁気ヘッ
ド(1)がMR型薄膜ヘッドである場合に適用すること
もできることは云う迄もないところである。また再生ヘ
ッドをMRヘッド、記録ヘッドを電磁誘導型ヘッドとす
る場合は、夫々上述した本発明製法によっζ得た磁気ヘ
ッド装置を例えば夫々その樹脂(71)の側を内面にし
て重ね合せて一体化することによっ”で相互に所定の位
置関係に保持された記録、再生ヘッドを得ることができ
る。
発明の効果
上述したように本発明製法では、多素子磁気ヘッドと、
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路と、
コンデンサとを樹脂中に一体に封じ込むものであるが、
この場合、特にリードフレームの状態でコンデンサをリ
ードフレームの所要のリード部に接合して後、コンデン
サを含んでリードフレームを樹脂モールドしてハウジン
グを形成し、このハウジング内のリードフレームに磁気
ヘッド及び集積回路をマウントし、最終的に磁気ヘッド
及び集積回路をモールドするようにしている。このため
にリードフレームのリード部とコンデンサのリードとの
接合に際してはスポット溶接による接合が可能となり、
確実な接合が出来る。
磁気ヘッドに付随する外部回路を構成する集積回路と、
コンデンサとを樹脂中に一体に封じ込むものであるが、
この場合、特にリードフレームの状態でコンデンサをリ
ードフレームの所要のリード部に接合して後、コンデン
サを含んでリードフレームを樹脂モールドしてハウジン
グを形成し、このハウジング内のリードフレームに磁気
ヘッド及び集積回路をマウントし、最終的に磁気ヘッド
及び集積回路をモールドするようにしている。このため
にリードフレームのリード部とコンデンサのリードとの
接合に際してはスポット溶接による接合が可能となり、
確実な接合が出来る。
同時に溶接待は溶接電極を第3図に示すように上下より
当てることができ、例えば゛上面側のみに当てる場合に
比べて溶接電極の占有面積が無視できる。したがってリ
ードフレームをより小型にできるので樹脂モールドされ
た全□体の磁気ヘッド装置の小型化を図ることができる
。また、コンデンサを接続し°ζ後、コンデンサを含ん
でモールドしハウジングを形成するので、この後ワイヤ
ボンド性を良くするために、リードフレームの露出され
ている部分に対する液体フォーニング処理においても接
続部及びコンデンサ自体が損傷することがない。
当てることができ、例えば゛上面側のみに当てる場合に
比べて溶接電極の占有面積が無視できる。したがってリ
ードフレームをより小型にできるので樹脂モールドされ
た全□体の磁気ヘッド装置の小型化を図ることができる
。また、コンデンサを接続し°ζ後、コンデンサを含ん
でモールドしハウジングを形成するので、この後ワイヤ
ボンド性を良くするために、リードフレームの露出され
ている部分に対する液体フォーニング処理においても接
続部及びコンデンサ自体が損傷することがない。
このように本発明では耐湿等の封止効果にすぐれた樹脂
モールドによって全体の大半を覆うようにしたことによ
って几いシール効果を得、同時にコンデンサの接続部及
びリードワイヤの接続部の信頼性が高められ、全体とし
Cより信頼性の篩い且つ生産性にすぐれた多素子磁気ヘ
ッド装置が得られる。
モールドによって全体の大半を覆うようにしたことによ
って几いシール効果を得、同時にコンデンサの接続部及
びリードワイヤの接続部の信頼性が高められ、全体とし
Cより信頼性の篩い且つ生産性にすぐれた多素子磁気ヘ
ッド装置が得られる。
第1図は本発明の説明に供する多素子磁気ヘッドの一例
の拡大断面図、第、2図はその拡大平面図、第3図は本
発明の多素子磁気ヘッド装置に用いるリードフレームの
一例の拡大平面図、第4図はリードフレームに対するコ
ンデンサのスポット溶接工程を示す断面図、第5図はリ
ードフレームにコンデンサが取付けられた状態を示す拡
大平曲図、第6図はモールド体の一例の拡大斜視図、第
7図及び第8図は本発明製法の一工程における磁気−\
ラドの拡大平面図とその拡大断面図、第9図は本発明製
法によっ°ζ得た多素子磁気ヘッド装置の一例の拡大斜
視図である。 (11は多素子ヘット、(21)はリードフレーム、(
31)はモールド体、(41)は集積回路、(71)は
樹脂、(80)はコンデンサである。 第1図 第4図 第7図 第8図
の拡大断面図、第、2図はその拡大平面図、第3図は本
発明の多素子磁気ヘッド装置に用いるリードフレームの
一例の拡大平面図、第4図はリードフレームに対するコ
ンデンサのスポット溶接工程を示す断面図、第5図はリ
ードフレームにコンデンサが取付けられた状態を示す拡
大平曲図、第6図はモールド体の一例の拡大斜視図、第
7図及び第8図は本発明製法の一工程における磁気−\
ラドの拡大平面図とその拡大断面図、第9図は本発明製
法によっ°ζ得た多素子磁気ヘッド装置の一例の拡大斜
視図である。 (11は多素子ヘット、(21)はリードフレーム、(
31)はモールド体、(41)は集積回路、(71)は
樹脂、(80)はコンデンサである。 第1図 第4図 第7図 第8図
Claims (1)
- リードフレームにコンデンサを接合する工程と、該コン
デンサを含んで上記リードフレー、ムをモールドし、集
積回路及び多素子磁気ヘッドのハウジングを形成する工
程と、上記集積回路及び多素子磁気ヘッドを上記ハウジ
ング内のリードフレームに載置して配線を施す工程と、
上記集積回路及び多素子磁気ヘッドをモールドする工程
とを有することを特徴とする多素子磁気ヘッド装置の製
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58209490A JPH0760491B2 (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 多素子磁気ヘッド装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58209490A JPH0760491B2 (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 多素子磁気ヘッド装置の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60101704A true JPS60101704A (ja) | 1985-06-05 |
JPH0760491B2 JPH0760491B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16573674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58209490A Expired - Lifetime JPH0760491B2 (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 多素子磁気ヘッド装置の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0760491B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62139101A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回転ヘツド型磁気記録再生装置 |
JP2013045883A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Tokai Rika Co Ltd | 筐体 |
JP2016076613A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4968716A (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-03 | ||
JPS49110320A (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-21 | ||
JPS51114110A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-07 | Toray Ind Inc | Integrated type magnetic head |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP58209490A patent/JPH0760491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4968716A (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-03 | ||
JPS49110320A (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-21 | ||
JPS51114110A (en) * | 1975-04-01 | 1976-10-07 | Toray Ind Inc | Integrated type magnetic head |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62139101A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回転ヘツド型磁気記録再生装置 |
JP2013045883A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Tokai Rika Co Ltd | 筐体 |
JP2016076613A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0760491B2 (ja) | 1995-06-28 |
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