JPS6010120B2 - 粉体の非水溶液系電着法 - Google Patents

粉体の非水溶液系電着法

Info

Publication number
JPS6010120B2
JPS6010120B2 JP57160252A JP16025282A JPS6010120B2 JP S6010120 B2 JPS6010120 B2 JP S6010120B2 JP 57160252 A JP57160252 A JP 57160252A JP 16025282 A JP16025282 A JP 16025282A JP S6010120 B2 JPS6010120 B2 JP S6010120B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
electrodeposition
solution
electrode
electrodeposition method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57160252A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5950200A (ja
Inventor
仁 水口
紘一郎 住
常雄 鞭
真一 祖山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP57160252A priority Critical patent/JPS6010120B2/ja
Priority to AU19039/83A priority patent/AU568089B2/en
Priority to CA000436570A priority patent/CA1195809A/en
Priority to KR1019830004306A priority patent/KR900008254B1/ko
Priority to US06/531,739 priority patent/US4482447A/en
Priority to GB08324630A priority patent/GB2127850B/en
Priority to FR8314650A priority patent/FR2532957B1/fr
Priority to DE3333251A priority patent/DE3333251A1/de
Publication of JPS5950200A publication Critical patent/JPS5950200A/ja
Publication of JPS6010120B2 publication Critical patent/JPS6010120B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/22—Applying luminescent coatings
    • H01J9/221—Applying luminescent coatings in continuous layers
    • H01J9/225—Applying luminescent coatings in continuous layers by electrostatic or electrophoretic processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/02—Electrophoretic coating characterised by the process with inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
    • H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば陰極線管のファインパターンによるカ
ラー蟹光面の形成に際しての蟹光体粉体の電着、或いは
陰極線管のカソードーこおけるカソード材粉体の亀着、
更に或いは陰極線管の防熱型カソードにおけるヒーター
表面へのアルミナ等の絶縁性粉体の軍着半導体装置の表
面の安定化処理、例えばメサ溝へのガラス等の安定膜の
亀着等の各種粉体の亀着に適用して好適な粉体の非水溶
液系電着法に係る。
背景技術とその問題点 上述したような各種粉体の非水溶液系電着法としてケト
ン系溶媒に、ニトロセルロースを溶解し粉体を混入した
亀着液によっていわゆるプラス電着を行うようにした粉
体の非水溶液系電着法は、例えば椿公昭５０−２０４３
１号公報、椿関昭５３一１１８３６３号公報等に開示さ
れている。
このような非水溶液系電着法は、従来一般の水溶液系電
着液によろいわゆるマイナス電着法による場合に比して
優れた粉体電着を行うことができる。例えば陰極線管の
ガラスパネルにカラー蟹光面を露着法によって形成する
場合、ガラスパネル内面に予め蜜光体の塗布パターンを
もって透明電極例えばｌｎ２０３或いはＳｎ０２：Ｓｂ
よりなる電極パターンを形成し、この透明電極パターン
上に蟹光体粉体の亀着を行うものであるが、従来一般の
水溶液系電着法による場合、その電解液中に含まれた水
ＱＯが粉体電着に際してＨ＋とＯＨ−とに分離され、Ｈ
＋が負極側とされた彼電着体としての透明電極側にひか
れ、これが透明電極と反応して日２ガスを生成する。
従ってこのガスの発生によって蝿着された蟹光体粉体膜
にピンホールが生じたりその表面に凹凸が生じたりして
蛍光体の充填密度を低下させ、また表面性を悪化させる
のみならず、透明電極を還元させることによってこれの
電気的特性を劣化させたり、更にまたこれを着色させる
に至るなどの望ましくない現象が生じる。また、その亀
着反応においては、その露着反応以外に水の電気分解が
生じるために電流効率が悪く所定の亀着膜厚すなわち蛍
光体膜厚を得るのに比較的長時間を必要とする。更に電
着液中に添加する金属塩の金属が、絶縁不良の原因にな
ったり、また電着された蛍光体膜の輝度劣化を生じさせ
たりする望ましくない現象が生じる。これに比し、非水
溶液系電着法による場合、この竜着液中にほとんど水分
が存在せず、また存在したとしてもこれがプラス電着法
すなわち被電着側が正極側であるために、水が分解して
生じたＨ＋は、対向電極側に引きよせられて上述した望
ましくない現象を発生させるような恐れがない。
このように非水溶液系電着法による場合、多くの利点を
有するものの実際上この種電着液においては、その電着
の再現性及び露着液の安定性、繰り返し使用等において
必ずしも満足できるものではなく、これがこの種の非水
溶液系電着法の普及の隣路となっている。発明の目的 本発明においては、上述した粉体の非水溶液系電着法に
おいて、再現性及び安定性に優れた電着を行うことがで
きるようにした粉体の非水溶液系電着法を提供するもの
である。
発明の概要 本発明は、ケトン系溶媒に、ニトロセルロースを溶解し
且つ粉体を混入した電解液によって電着、いわゆるプラ
ス電着をなす粉体の非水溶液系電着法において、その電
解液中に強酸及び強アルカリを添加する。
そしてこの電解液の電気伝導度が１〜３０仏０１／肌と
されるようにして電解液中の電極間の泳動電界すなわち
電極間の電位勾配が所要の勾配を有するようにし、且つ
電極近傍においてはこれより急峻な所要の分解電界が生
じるようになす。実施例 本発明においては、第１図に示すように、糟１内に後述
する特別の組成を有する非水溶液系電解液２を収容し、
この電解液２中に被電着体３、例えば蟹光体等の粉体電
着を行わんとする陰極線管パネル等を配置する。
この被電着体３には、例えば予め１比０３等よりなる透
明電極を形成しようとする蛍光体パターンをもつて形成
しおく。例えば第２図に示すようにガラス基板４上に、
ストライプ状の透明電極５を例えば全面蒸着及びフオト
ェッチングによって形成する。また電解液２中に透明電
極５が形成された被電着体３に対向して対向電極６、例
えばアルミニウム電極を浸糟配置する。そして被電着体
３すなわち透明電極５側を正極として両電極５及び６間
に直流電源７を印加していわゆるプラス電着を行う。電
解液２の溶媒としては、ケトン系溶液例えばアセトン、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）「ジエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン
（Ｄ田Ｋ）とジアセトンアルコールとの混合液、アセト
ンとインプロピルアルコールとの混合液、アセトンとト
ルェンとの混合液等を用い得る。
また、電解液２中の粉体は、被電着粉体膜として要求さ
れる各種粉体、例えば蟹光体膜の露着を行わんとする場
合においては各種蟹光体例えばＹ２０３：Ｅｕ，Ｙ２０
２Ｓ：Ｅｕ，Ｙ２０２Ｓ：Ｔｂ，ＣａＳ：Ｃｅ，その他
ＺｎＳ系蟹光体例えばＺｎＳ：Ｃｕ，Ａそ，ＺｎＳ：Ａ
ｇ，或いは白黒用蟹光体、或いは絶縁物電着例えばアル
ミナ電着においてはアルミナ粉Ａ〆２０３、カソード電
着においては（鰍，Ｓｒ，Ｃａ）Ｃ０３，Ｍｇ０等、半
導体装置のメサ溝への亀着においてはＳｉ０２，Ｓｉ○
，多結晶または非晶質Ｓｉ，Ｓｉ３Ｎ４等の粉体、その
他Ｚｎ○，Ｔｉ０２，いＢ６，ＷＣ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｉ，
Ａぞ，フタロシアニン、カーボンブラック等の各粉体を
用い得る。
また電解液中に添加するアルカリとしては、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（Ｃ比）４ＮＯＨ（以
下ＴＭＡＨと略称する）或し、は（Ｃ江日２Ｍ，）４Ｎ
ＯＨ，またはＫＯＨ，ＮａＯＨ等を使用し得る。
更に電解液中に添加する強酸としては硫酸巧Ｓ０４，り
ん酸公Ｐ０４を用いる。
電解液の標準組成としては、 粉体の平均粒径が大きくなるにつれ、ニトロセルロース
量、及び粉体の濃度を上げる必要が生ずる。
また電着条件としては「例えば２０〜８００Ｖ（ＤＣ）
，電流密度１．６〜２．５ｍＡ／めで、１００仏ｍの厚
さの亀着は０．９砂となる。また電解液へのアルカリの
添加は、主として両電極５及び６間に所要の電位勾配す
なわち泳敷電界が得られる程度の電気伝導度の付与と、
両電極５及び６の近傍において、泳動電界に比し急峻な
電位勾配を得るためであり、また強酸の添加は帯電効果
を得るためのものであるが、両者は全体としてほぼ中和
した形のものが、すなわちＰＨＩ〜７で良好な電着が行
われる。
このｐＨ‘ま５分間放置したときの値として示したもの
である。そしてこれらアルカリ及び酸の混入量は、これ
があまり濃いと電解液に沈殿物が発生するので両者の濃
度はある程度薄い方が望ましいが、その電気伝導度は、
上述したように両電極５及び６間に所要の電気漆動電界
が生じ、しかも電極５及び６の近傍においてはこれより
電位勾配が急峻な所要の分解電界強度を得ることができ
る１〜３０一○／弧とされる。すなわち、ここに１〜３
０仏０１／伽に選定する理由は、１一ひ／伽未満では、
電極５及び６間に所要の電界が得られなくなり、また３
０仏○／弧を越えると溶液抵抗が低くなり過ぎて電極近
傍に電界が集中してしまって霞気泳動がしなくなること
を見出したことによる。実施例 １ ヒーター上にアルミナ電着を行った場合で、の電着液を
用いて、電圧４００Ｖで電着を行った。
この場合１秒間で１４０仏ｍの厚さのアルミナ電着がな
された。実施例 ２ カソード電着を行った場合で、 の組成の電着液を用いて電圧３００Ｖで同様に約１秒間
で１４０仏ｍのカソード電着がなされた。
実施例 ３姿光膜の電着を行った場合で、 の組成の亀着液を用いて電圧５００Ｖで電着を行って蟹
光体塗膜を約１秒間で１４０〃ｍの厚さの蟹光体膜が得
られた。
実施例 ４ 赤の蟹光体膜の亀着を行った場合で、 アセトンとトルエンの１：１の の組成の電着液を用いて電圧２００Ｖの竜着を行って蟹
光体被膜を得た。
このときの成長速度は、ほぼ実施例１におけると同様で
あった。実施例 ５ 蟹光体膜の亀着。
ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）と この軍着液を用いて電圧５００Ｖで竜着処理を行った。
実施例 ６蟹光体膜の噂着を行った場合で、 の電着液を用いて電圧ｌｏｗで雷着した。
実施例 ７ 「岬Ｋ ５００ＣＣ の電着液を用いて電圧６００Ｖで露着を行った。
実施例 ８の組成の亀着液を用いて電圧８０Ｖの露着を
行った。
上述の実施例１における組成の電着液においてその硫酸
量を逐次変化させたときの電気伝導度、及びｐＨとの各
関係の測定結果を第３図に示し、同様の硫酸量と雷着重
量との関係の測定結果を第４図に示す。
この場合、５００Ｖで１秒間の竜着を行った。ここに硫
酸量は、粉体の種類などで異なってくるが、各実施例に
関して概ね共通の傾向を示すので相対値として示した。
そして、ここに良好な雷着を行うことができるのは、そ
の電着液の電気伝導度が１〜３０仏○／伽の範囲で、ま
たｐＨは１〜７の範囲であることが確かめられた。尚、
ここに本発明電着法によってカラー蟹光面を形成するに
は、第２図に示したストライプ状の電極６のうちの例え
ば２つの置きを組として、３組の電極群より端子Ｔｒ，
Ｔｇ及びＴｂを導出し、例えば赤の蟹光体粉体を混入し
た霞着液２を用いて、１の組の電極群の端子Ｔｒと対向
電極６との間に電源７を挿入して電着を行って、電極５
の２つ置きのストライプ状電極上に選択的に赤の蟹光体
を電着させ、次に、例えば緑の蟹光体粉体を混入した雷
着液２を用いて、１の粗の電極群の端子Ｔｇと対向電極
６との間に電源７を挿入して霞着を行って、電極５の他
の２つ置きのストライプ状電極上に選択的に緑の蟹光体
を霞着させ、更に、次に例えば青の蜜光体粉体を混入し
た露着液２を用いて、１の細の電極群の端子Ｔｂと対向
電極６との間に電源７を挿入して露着を行って、電極５
の更に他の２つ置きのストライプ状電極上に選択的に青
の蟹光体を霞着させ、各２つ導きのストライプ状電極上
に夫々赤、緑、及び青の蟹光体が電着されたカラー蟹光
面が得られることになる。
発明の効果上述した本発明による露着法によれば、非水
溶液系電着法を適用したことによって亀着された霞着腰
は繊密で、且つ電着膜の厚さ方向に関する粒蚤分布が一
様で、表面平滑性に優れている。
また「その下地金属となる例えば陰極線管におけるヒー
ター、カソードメタル或いは透明電極等を阻害すること
がなく、下地金属材の選定の自由度が大で多種の電着が
可能となった。また彼電着物に不純物混入が少なく高純
度の露着膜が得られる。また高効率で軍着がなされるの
で、例えば従釆の水溶一性電着で３分間を要した亀着を
０．３秒で行うことができた。更にまた特に本発明によ
るときは、安定した再現性のよい亀着を行うことができ
、電着液の寿命が従来数回の使用しかできなかったのに
比し、本発明によるときは数百回の使用が可能となった
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による蚤着法を実施する装置の構成図、
第２図は本発明による蚤着法をカラー蟹光面の作成に適
用する場合の電極パターン図、第３図は本発明による電
着法の電解液における硫酸の添加量と電気伝導度及びｐ
Ｈとの関係を示す曲線図、第４図は同様の硫酸の添加量
と電着量との関係を示す曲線図である。 １は露着槽、２は電解液、３は披露着体、６は対向電極
である。 翁Ｔ図 第２図 第３図 翁」図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ケトン系溶媒に、ニトロセルロースを溶解し粉体を
    混入した電解液によって電着がなされる粉体の非水溶液
    系電着法において、上記電解液に強酸及び強アルカリを
    添加して１〜３０μ■／ｃｍの電気伝導度とした電解液
    によって上記粉体の電着を行うことを特徴とする粉体の
    非水溶液系電着法。
JP57160252A 1982-09-14 1982-09-14 粉体の非水溶液系電着法 Expired JPS6010120B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57160252A JPS6010120B2 (ja) 1982-09-14 1982-09-14 粉体の非水溶液系電着法
AU19039/83A AU568089B2 (en) 1982-09-14 1983-09-12 Non-aqueous suspension for electrophoretic deposition of powders
CA000436570A CA1195809A (en) 1982-09-14 1983-09-13 Nonaqueous suspension for electrophoretic deposition of powders
KR1019830004306A KR900008254B1 (ko) 1982-09-14 1983-09-13 분체(紛體)의 비수용액계전착법
US06/531,739 US4482447A (en) 1982-09-14 1983-09-13 Nonaqueous suspension for electrophoretic deposition of powders
GB08324630A GB2127850B (en) 1982-09-14 1983-09-14 Non-aqueous suspensions for the electrophoretic deposition of powders
FR8314650A FR2532957B1 (fr) 1982-09-14 1983-09-14 Suspension non aqueuse pour le depot de poudres par electrophorese
DE3333251A DE3333251A1 (de) 1982-09-14 1983-09-14 Nichtwaessrige suspension fuer einen elektrophoretischen niederschlag von pulvern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57160252A JPS6010120B2 (ja) 1982-09-14 1982-09-14 粉体の非水溶液系電着法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5950200A JPS5950200A (ja) 1984-03-23
JPS6010120B2 true JPS6010120B2 (ja) 1985-03-15

Family

ID=15710979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57160252A Expired JPS6010120B2 (ja) 1982-09-14 1982-09-14 粉体の非水溶液系電着法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4482447A (ja)
JP (1) JPS6010120B2 (ja)
KR (1) KR900008254B1 (ja)
AU (1) AU568089B2 (ja)
CA (1) CA1195809A (ja)
DE (1) DE3333251A1 (ja)
FR (1) FR2532957B1 (ja)
GB (1) GB2127850B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6219518U (ja) * 1985-07-18 1987-02-05
JPH0541789B2 (ja) * 1983-11-15 1993-06-24 Matsushita Electric Works Ltd

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0113999B1 (en) * 1982-12-22 1987-09-09 Nec Corporation Method of producing electrostrictive effect element
JPH0230797A (ja) * 1988-07-21 1990-02-01 Mitsubishi Metal Corp 電気泳動法による厚膜の製造方法
US5536193A (en) * 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
DE69214780T2 (de) * 1991-12-11 1997-05-15 Agfa Gevaert Nv Methode zur Herstellung eines radiographischen Schirmes
EP0546603B1 (en) * 1991-12-11 1996-10-23 Agfa-Gevaert N.V. Method for the production of a radiographic screen
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5279511A (en) * 1992-10-21 1994-01-18 Copytele, Inc. Method of filling an electrophoretic display
RU2141698C1 (ru) * 1993-11-04 1999-11-20 Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов
US5531880A (en) * 1994-09-13 1996-07-02 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method for producing thin, uniform powder phosphor for display screens
FR2726581B1 (fr) 1994-11-08 1996-12-06 Commissariat Energie Atomique Suspension pour le depot de materiaux luminescents par electrophorese, notamment pour la realisation d'ecrans plats
AU2407100A (en) * 1999-01-07 2000-07-24 Penn State Research Foundation, The Fabrication of particulate tapes by electrophoretic deposition
CA2308092C (en) 2000-05-10 2008-10-21 Partho Sarkar Production of hollow ceramic membranes by electrophoretic deposition
WO2002001649A1 (en) * 2000-06-29 2002-01-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelectric element
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6864110B2 (en) * 2002-10-22 2005-03-08 Agilent Technologies, Inc. Electrophoretic processes for the selective deposition of materials on a semiconducting device
US8409906B2 (en) 2010-10-25 2013-04-02 Imra America, Inc. Non-vacuum method for fabrication of a photovoltaic absorber layer
US8748216B2 (en) 2010-10-25 2014-06-10 Imra America, Inc. Non-vacuum method for fabrication of a photovoltaic absorber layer
US9062847B2 (en) 2011-04-13 2015-06-23 Osram Gmbh Method for manufacturing a phospor device and lighting apparatus comprising such phosphor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB530635A (en) * 1939-06-16 1940-12-17 Trier Bros Ltd Improvements in or relating to the application of coatings of graphite to surfaces
US3070441A (en) * 1958-02-27 1962-12-25 Rca Corp Art of manufacturing cathode-ray tubes of the focus-mask variety
US3163592A (en) * 1960-09-01 1964-12-29 Sylvania Electric Prod Process for electrophoretically applying a coating of phosphor
US3551306A (en) * 1969-01-21 1970-12-29 Columbia Broadcasting Syst Inc Process for coating a metal
US3928785A (en) * 1971-11-23 1975-12-23 Adrian W Standaart Single gun, multi-screen, multi-beam, multi-color cathode ray tube
JPS5927983B2 (ja) * 1979-06-13 1984-07-10 松下電器産業株式会社 磁気テ−プ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0541789B2 (ja) * 1983-11-15 1993-06-24 Matsushita Electric Works Ltd
JPS6219518U (ja) * 1985-07-18 1987-02-05

Also Published As

Publication number Publication date
KR840006191A (ko) 1984-11-22
KR900008254B1 (ko) 1990-11-06
US4482447A (en) 1984-11-13
DE3333251A1 (de) 1984-03-22
FR2532957A1 (fr) 1984-03-16
JPS5950200A (ja) 1984-03-23
GB8324630D0 (en) 1983-10-19
GB2127850A (en) 1984-04-18
FR2532957B1 (fr) 1987-05-22
AU1903983A (en) 1984-03-22
GB2127850B (en) 1985-09-11
AU568089B2 (en) 1987-12-17
CA1195809A (en) 1985-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6010120B2 (ja) 粉体の非水溶液系電着法
Mizuguchi et al. A highly stable nonaqueous suspension for the electrophoretic deposition of powdered substances
US5030331A (en) Process for preparing iridium oxide film
US3554889A (en) Color cathode ray tube screens
US3525679A (en) Method of electrodepositing luminescent material on insulating substrate
US5536383A (en) Suspension for the deposition of luminescent materials by electrophoresis particularly for producing flat screens
US3862892A (en) Aluminium object with anodic oxide surface
Sluzky et al. Electrophoretic preparation of phosphor screens
JP3341385B2 (ja) 電界放出型ディスプレイにおける蛍光体電着方法
US5635048A (en) Method for forming low-energy electron excited fluorescent screen
McGee et al. High Quality Phosphor Screens for Cascade Image Intensifies
JP2000096045A (ja) 電界放出型ディスプレイ用蛍光膜及びこれを用いた電界 放出型ディスプレイ装置
SU641890A3 (ru) Способ изготовлени эмиттера типа металл-диэлектрик-металл
JPS6261293A (ja) エレクトロルミネセンス装置
JPH0359997B2 (ja)
US3700575A (en) Method of forming transparent films of zno
JPS59200797A (ja) 粉体の非水溶液系電着法
JPH08170193A (ja) 金属酸化物膜付き基体の製造方法
US4204136A (en) Dual layer phosphor screen for cathode ray tube
KR100229339B1 (ko) 칼라 음극선관의 내장 도전막
US3551306A (en) Process for coating a metal
JPH02197043A (ja) 導電性蛍光体面の形成方法
JPH0222933Y2 (ja)
JP2702962B2 (ja) ブラウン管
JPH03140496A (ja) 母材の表面着色方法