JPS60100439A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に樹脂封止
形半導体装置における半導体ベーシックエレメントの熱
応力緩衝材の改良に係るものである。
形半導体装置における半導体ベーシックエレメントの熱
応力緩衝材の改良に係るものである。
従来例によるこの種の樹脂封止形半導体装置として、第
1図に示すように、平板状に形成された1対の熱応力緩
衝材2.3間に半導体ペレツト1をろう付けしてベーシ
ックエレメントとし、この半導体ベーシックエレメント
に外部電極4,5を半田付けすると共に、絶縁基板1を
介して放熱ベース6に取付け、またこの放熱ベース6に
ケース8を配した上で、これらにエポキシ樹脂9などを
充填硬化させて樹脂封止した構成のものがある。
1図に示すように、平板状に形成された1対の熱応力緩
衝材2.3間に半導体ペレツト1をろう付けしてベーシ
ックエレメントとし、この半導体ベーシックエレメント
に外部電極4,5を半田付けすると共に、絶縁基板1を
介して放熱ベース6に取付け、またこの放熱ベース6に
ケース8を配した上で、これらにエポキシ樹脂9などを
充填硬化させて樹脂封止した構成のものがある。
そしてこの構成の樹脂封止形半導体装置は、熱応力緩衝
材をろう付けする半導体ベレツトの接合部にガラスなど
の絶縁物を塗布することで、この接合部を電気的に安定
した状態で保護することができたために、従前からのハ
ーメ゛テンクシールを施した半導体素子とか、トランス
ファモールドで樹脂封止した半導体素子に比較して、コ
ンパクトかつ安価に提供できるものとしてその需要が多
い。
材をろう付けする半導体ベレツトの接合部にガラスなど
の絶縁物を塗布することで、この接合部を電気的に安定
した状態で保護することができたために、従前からのハ
ーメ゛テンクシールを施した半導体素子とか、トランス
ファモールドで樹脂封止した半導体素子に比較して、コ
ンパクトかつ安価に提供できるものとしてその需要が多
い。
ところでこの従来例による樹脂封止形半導体装置におい
ては、前記半導体ペレット1にガラスパッシベーション
サイリスタを用いた場合には、その両面の熱応力緩衝材
2,3の材料として熱膨張係数の小さいモリブデン、タ
ングステンなどが用いられておル、これによって半導体
ベレツト1を温度サイクル、通電時などでの熱応力によ
る歪みから保護し得るのである。しかし一方、この場合
には、製造時における治具組みの容易さから、ゲート部
のある表面側にろう付けされる緩衝材2の大きさは、同
表面の大きさよシも小さく、また裏面側にろう付けされ
る緩衝材3の大きさは、同裏面の大きさよシも大きくさ
せているのが普通であって、この状態で所定温度に昇温
された水素雰囲気の加熱炉内を通過させてろう付けさせ
ると、このような構成での半導体装置においては、半導
体ペレットに好ましくない影響を生ずることがある。
ては、前記半導体ペレット1にガラスパッシベーション
サイリスタを用いた場合には、その両面の熱応力緩衝材
2,3の材料として熱膨張係数の小さいモリブデン、タ
ングステンなどが用いられておル、これによって半導体
ベレツト1を温度サイクル、通電時などでの熱応力によ
る歪みから保護し得るのである。しかし一方、この場合
には、製造時における治具組みの容易さから、ゲート部
のある表面側にろう付けされる緩衝材2の大きさは、同
表面の大きさよシも小さく、また裏面側にろう付けされ
る緩衝材3の大きさは、同裏面の大きさよシも大きくさ
せているのが普通であって、この状態で所定温度に昇温
された水素雰囲気の加熱炉内を通過させてろう付けさせ
ると、このような構成での半導体装置においては、半導
体ペレットに好ましくない影響を生ずることがある。
すなわち、第2図に示すように、ガラスパッシベーショ
ンサイリスタによる半導体ペレット1のゲート部のある
表面側にろう付けされる緩衝材2の大きさが、同表面よ
シも小さいために、こ\に介在されるろう材10は同表
面から流れ出すことはないが、裏面側にろう付けされる
緩衝材3の大きさは、同裏面よシも大きいことから、こ
\に介在されるろう材11は同裏面で緩衝材3の端部側
にまで広がって、その一部に盛シ上シ部11aを生ずる
ことがらシ、このようにして製造された樹脂封止形半導
体装置では、この盛シ上シ部11aとベレット端部1a
との間に放電を生じたシ、あるいはペレット自体の特性
劣化を招いたシするという不都合があった。
ンサイリスタによる半導体ペレット1のゲート部のある
表面側にろう付けされる緩衝材2の大きさが、同表面よ
シも小さいために、こ\に介在されるろう材10は同表
面から流れ出すことはないが、裏面側にろう付けされる
緩衝材3の大きさは、同裏面よシも大きいことから、こ
\に介在されるろう材11は同裏面で緩衝材3の端部側
にまで広がって、その一部に盛シ上シ部11aを生ずる
ことがらシ、このようにして製造された樹脂封止形半導
体装置では、この盛シ上シ部11aとベレット端部1a
との間に放電を生じたシ、あるいはペレット自体の特性
劣化を招いたシするという不都合があった。
この発明は従来のとのよ5な欠点に鑑み、熱応力緩衝材
を一体化された内側部材と外側部材とから形成させ、半
導体ベーシックエレメントの主面にろう付けされる内側
部材の大きさを、この主面の大きさよシも小さくシ、か
つ同内側部材の厚さを外側部材の厚さよシも厚くしたも
のである。
を一体化された内側部材と外側部材とから形成させ、半
導体ベーシックエレメントの主面にろう付けされる内側
部材の大きさを、この主面の大きさよシも小さくシ、か
つ同内側部材の厚さを外側部材の厚さよシも厚くしたも
のである。
以下この発明に係る樹脂封止形半導体装置の一実施例に
つき、第3図を参照して詳細に説明す゛る。
つき、第3図を参照して詳細に説明す゛る。
この第3図実施例装置において前記第1図および第2図
従来例装置と同一符号は同一または相当部分を示してお
)、この実施例装置では、従来例装置において半導体ペ
レツト1の裏面側にろう付けさせているとζろの、同裏
面よシも大きくした熱応力緩衝材3に換えて、圧入ある
いはかしめ付けなどによシ一体化された内側部材12a
と外側部材12bとから形成させると共に、半導体ペレ
ット1の裏面に直接ろう付けされる内側部材12aの大
きさを、この裏面の大きさよシも小さくし、かつ厚さを
外側部材12bの厚さよ多も厚くシ、さらには外側部材
12bの大きさを、同裏面の大きさよシも大きくした熱
応力緩衝材12を用いるようにしたものである。
従来例装置と同一符号は同一または相当部分を示してお
)、この実施例装置では、従来例装置において半導体ペ
レツト1の裏面側にろう付けさせているとζろの、同裏
面よシも大きくした熱応力緩衝材3に換えて、圧入ある
いはかしめ付けなどによシ一体化された内側部材12a
と外側部材12bとから形成させると共に、半導体ペレ
ット1の裏面に直接ろう付けされる内側部材12aの大
きさを、この裏面の大きさよシも小さくし、かつ厚さを
外側部材12bの厚さよ多も厚くシ、さらには外側部材
12bの大きさを、同裏面の大きさよシも大きくした熱
応力緩衝材12を用いるようにしたものである。
しかしてこの実施例装置においても、前記従来例装置と
同様にして、熱応力緩衝材2および12aを半導体ペレ
ット1にろう付けさせることによシ半導体ベーシックエ
レメントを製造するが、この場合、半導体ペレット1の
裏面側でのろう材11の流れ出しは、せいぜい内側部材
12aの端面上程度であって、前記した従来例でのよう
に熱応力緩衝材3上に大きく広がったシ、あるいは一部
が盛夛上がったシせず、従って放電を生じ、また特性劣
化を招いたシする欠点を解消できるのである。
同様にして、熱応力緩衝材2および12aを半導体ペレ
ット1にろう付けさせることによシ半導体ベーシックエ
レメントを製造するが、この場合、半導体ペレット1の
裏面側でのろう材11の流れ出しは、せいぜい内側部材
12aの端面上程度であって、前記した従来例でのよう
に熱応力緩衝材3上に大きく広がったシ、あるいは一部
が盛夛上がったシせず、従って放電を生じ、また特性劣
化を招いたシする欠点を解消できるのである。
ちなみに1発明者の実験結果によれば、250〜350
℃の水素雰囲気中の加熱炉内でのろう付けを行なった場
合、従来例では7〜lO%の特性劣化を生じていたが、
実施例ではこれを0.1チ以下に抑制し得ることを確認
できた。
℃の水素雰囲気中の加熱炉内でのろう付けを行なった場
合、従来例では7〜lO%の特性劣化を生じていたが、
実施例ではこれを0.1チ以下に抑制し得ることを確認
できた。
なお、前記実施例においては、ガラスパッシベーション
サイリスタに適用する場合について述べたが、その他に
もガラスパッシベーションダイオードなどのガラスパン
シペーションを施した半導体ペレットについても同様に
適用できることは勿論である。
サイリスタに適用する場合について述べたが、その他に
もガラスパッシベーションダイオードなどのガラスパン
シペーションを施した半導体ペレットについても同様に
適用できることは勿論である。
以上詳述したようにこの発明によれば、ガラスパッシベ
ーションサイリスタなどのように、ガラスなどによって
絶縁分離された半導体ベレツトの主面に、熱応力緩衝材
をろう付けさせて構成する半導体ベーシックエレメント
において、熱応力緩衝材を一体化された内側部材と外側
部材とから形成させ、少なくとも主面にろう付けされる
内側部材の大きさを、この主面の大きさよシも小さくシ
。
ーションサイリスタなどのように、ガラスなどによって
絶縁分離された半導体ベレツトの主面に、熱応力緩衝材
をろう付けさせて構成する半導体ベーシックエレメント
において、熱応力緩衝材を一体化された内側部材と外側
部材とから形成させ、少なくとも主面にろう付けされる
内側部材の大きさを、この主面の大きさよシも小さくシ
。
また内側部材の厚さを外側部材の厚さよシも厚くしたの
で、ろう付けの際のろう材の流れ出しを抑制でき、これ
によって半導体ベレットでの放電の低減、特性劣化の防
止を図シ得るもので、装置の製造歩溜シ向上に資すると
ころが大である。
で、ろう付けの際のろう材の流れ出しを抑制でき、これ
によって半導体ベレットでの放電の低減、特性劣化の防
止を図シ得るもので、装置の製造歩溜シ向上に資すると
ころが大である。
第1図は従来例による半導体装置の概要構成を示す要部
断面図、第2図は同上半導体ベーシックエレメントのろ
う付は部を示す拡大図、第3図はこの発明の一実施例を
適用した半導体ベーシックエレメントのろう付は部を示
す拡大図である。 1・・・・半導体ベレツト、2,3および12・・・・
熱応力緩衝材、4,5・・・・外部電極。 6・・・・放熱ベース、9・・・・エポキシ樹脂(封止
樹脂)、10.11・・・・ろう材、12a。 12b・・・・内側、外側部材。 代理人 大 岩 増 雄
断面図、第2図は同上半導体ベーシックエレメントのろ
う付は部を示す拡大図、第3図はこの発明の一実施例を
適用した半導体ベーシックエレメントのろう付は部を示
す拡大図である。 1・・・・半導体ベレツト、2,3および12・・・・
熱応力緩衝材、4,5・・・・外部電極。 6・・・・放熱ベース、9・・・・エポキシ樹脂(封止
樹脂)、10.11・・・・ろう材、12a。 12b・・・・内側、外側部材。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (2)
- (1)ガンスパンシベーションヲ施シタ半導体ヘレット
の主面に、熱応力緩衝材をろう付けさせて構成する半導
体ベーシックエレメントにおいて、前記熱応力緩衝材を
一体化された内側部材と外側部材とから形成させると共
に、少なくとも前記主面にろう付けされる内側部材の大
きさを同主面の大きさよシも小さくシ、かつ内側部材の
厚さを外側部材の厚さよシも厚くしたことを特徴とする
樹脂封止形半導体装置。 - (2)外側部材の大きさを主面の大きさよルも大きくし
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂封
止形半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58207721A JPS60100439A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 樹脂封止形半導体装置 |
DE19843439111 DE3439111A1 (de) | 1983-11-05 | 1984-10-25 | Halbleiterelement |
GB8427908A GB2149573B (en) | 1983-11-05 | 1984-11-05 | Semiconductor device |
US06/946,127 US4692788A (en) | 1983-11-05 | 1986-12-24 | Semiconductor device with solder overflow prevention geometry |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58207721A JPS60100439A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60100439A true JPS60100439A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16544445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58207721A Pending JPS60100439A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4692788A (ja) |
JP (1) | JPS60100439A (ja) |
DE (1) | DE3439111A1 (ja) |
GB (1) | GB2149573B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8818957D0 (en) * | 1988-08-10 | 1988-09-14 | Marconi Electronic Devices | Semiconductor devices |
DE4344193C2 (de) * | 1993-12-23 | 1996-09-05 | Foerster Inst Dr Friedrich | Verfahren zur Anbringung einer Schutzschicht und Schutzelement |
KR102508945B1 (ko) * | 2016-04-19 | 2023-03-09 | 현대모비스 주식회사 | 양방향 반도체 패키지 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512433U (ja) * | 1978-07-12 | 1980-01-26 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1054422B (de) * | 1954-06-02 | 1959-04-09 | Guenter Heinrich Dipl Ing | Niederschlagselektrode fuer Elektrofilter |
US3311798A (en) * | 1963-09-27 | 1967-03-28 | Trw Semiconductors Inc | Component package |
US3399332A (en) * | 1965-12-29 | 1968-08-27 | Texas Instruments Inc | Heat-dissipating support for semiconductor device |
US3434018A (en) * | 1966-07-05 | 1969-03-18 | Motorola Inc | Heat conductive mounting base for a semiconductor device |
GB1297046A (ja) * | 1969-08-25 | 1972-11-22 | ||
US3919709A (en) * | 1974-11-13 | 1975-11-11 | Gen Electric | Metallic plate-semiconductor assembly and method for the manufacture thereof |
US4143395A (en) * | 1976-10-15 | 1979-03-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Stud-type semiconductor device |
CH601917A5 (ja) * | 1976-10-27 | 1978-07-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
DE2704914C2 (de) * | 1977-02-05 | 1982-03-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zum Kontaktieren eingehäuster Leistungs-Halbleiterbauelemente |
US4248920A (en) * | 1978-04-26 | 1981-02-03 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
JPS56142645A (en) * | 1980-04-07 | 1981-11-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5787139A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP58207721A patent/JPS60100439A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-25 DE DE19843439111 patent/DE3439111A1/de not_active Ceased
- 1984-11-05 GB GB8427908A patent/GB2149573B/en not_active Expired
-
1986
- 1986-12-24 US US06/946,127 patent/US4692788A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512433U (ja) * | 1978-07-12 | 1980-01-26 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2149573B (en) | 1987-07-08 |
GB2149573A (en) | 1985-06-12 |
DE3439111A1 (de) | 1985-05-15 |
US4692788A (en) | 1987-09-08 |
GB8427908D0 (en) | 1984-12-12 |
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