JPS5998565A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
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- JPS5998565A JPS5998565A JP57207851A JP20785182A JPS5998565A JP S5998565 A JPS5998565 A JP S5998565A JP 57207851 A JP57207851 A JP 57207851A JP 20785182 A JP20785182 A JP 20785182A JP S5998565 A JPS5998565 A JP S5998565A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、パッケージの改良により絶縁性の同上を図
った光結合素子に関する。
った光結合素子に関する。
電気的に絶縁状態で信号の伝達を行うためにホトカブラ
（或いはオプトアイソレータ）が用いられる。このホト
カブラは、発光素子と受光素子とを同一パッケージ内に
組み込み発光素子側から受光素子側に信号を伝達するも
ので、第１図および第２図に一例として代表的な樹脂モ
ールド型のホトカブラの断面図および平面図を示す。
（或いはオプトアイソレータ）が用いられる。このホト
カブラは、発光素子と受光素子とを同一パッケージ内に
組み込み発光素子側から受光素子側に信号を伝達するも
ので、第１図および第２図に一例として代表的な樹脂モ
ールド型のホトカブラの断面図および平面図を示す。
図において、１１．１２はそれぞれＬＥＤ等の発光素子
およびホ））ランジスタ等の受光素子であり、各々外部
導出リード１：Ｉ、１４の先端部の素子配設部に導電性
エポキシ等によって相対向するように取着され、金線な
どによって隣接するり一ド１３’、１４’にワイヤボン
ディングされている（第１図では図面′ｔｌ−藺一にす
るためにボンディングワイヤは省略されている）。
およびホ））ランジスタ等の受光素子であり、各々外部
導出リード１：Ｉ、１４の先端部の素子配設部に導電性
エポキシ等によって相対向するように取着され、金線な
どによって隣接するり一ド１３’、１４’にワイヤボン
ディングされている（第１図では図面′ｔｌ−藺一にす
るためにボンディングワイヤは省略されている）。
そして、この素子配接部周囲は、光透過性の第１モール
ド樹脂１５によって一体的にモールドされ、さらにその
外周囲を光不透過性の第２モールド樹脂１６によってモ
ールドされたものとなっている。
ド樹脂１５によって一体的にモールドされ、さらにその
外周囲を光不透過性の第２モールド樹脂１６によってモ
ールドされたものとなっている。
このようなホトカプラは、一般に、そのホトカプラが組
み込まれる装置の使用電圧が高ければ高い程、発光素子
用のリードと受光素子用のリードとの間に高い絶縁性が
要求される。
み込まれる装置の使用電圧が高ければ高い程、発光素子
用のリードと受光素子用のリードとの間に高い絶縁性が
要求される。
この絶縁性（耐圧）に関しては種々の規格によって複数
の角度から規定がなされている。その中で重要なものの
一つとして外部沿面距離の規定が、欧州の代表的な規格
であるＶＤＥ（Ｖｅｒｂ予ｎｄｅｓ Ｄｅｕｔｃｈａｒ
Ｅｌａｋｔｒｏｔｅｅｈｎｊｋｓｒ ）規格やＢ Ｓ
（Ｂｒ１ｔｉｓｈ ５ｔａｎｄａｒｄ ）規格等によ
って規定されている。この外部沿面距離とは、パッケー
ジ表面に沿って発光素子側および受光素子側間に電流の
流れる可能性のある電流路のうち最も短いものの距離を
示すものである。すなわち第１図では最も近い発光素子
用リード１３と受光素子用リード１４間のパッケージの
外表面圧ｊ１ｉ ａ ＋ ｂ ＋ ｃを指す。また、第
２図の平面図で示せばパッケージの端の発光素子用リー
ド１３′と受光素子用リード１４′との間の沿面′距離
はａ ’＋ ｂ’＋ｃ’となり、第１図ａ ＋ ｂ ＋
ｃ−と第２図のａ’＋ｂ’＋ｃ’のいずれか短い方が
その製品の最少沿面距離となる。
の角度から規定がなされている。その中で重要なものの
一つとして外部沿面距離の規定が、欧州の代表的な規格
であるＶＤＥ（Ｖｅｒｂ予ｎｄｅｓ Ｄｅｕｔｃｈａｒ
Ｅｌａｋｔｒｏｔｅｅｈｎｊｋｓｒ ）規格やＢ Ｓ
（Ｂｒ１ｔｉｓｈ ５ｔａｎｄａｒｄ ）規格等によ
って規定されている。この外部沿面距離とは、パッケー
ジ表面に沿って発光素子側および受光素子側間に電流の
流れる可能性のある電流路のうち最も短いものの距離を
示すものである。すなわち第１図では最も近い発光素子
用リード１３と受光素子用リード１４間のパッケージの
外表面圧ｊ１ｉ ａ ＋ ｂ ＋ ｃを指す。また、第
２図の平面図で示せばパッケージの端の発光素子用リー
ド１３′と受光素子用リード１４′との間の沿面′距離
はａ ’＋ ｂ’＋ｃ’となり、第１図ａ ＋ ｂ ＋
ｃ−と第２図のａ’＋ｂ’＋ｃ’のいずれか短い方が
その製品の最少沿面距離となる。
上記のようなホトカプラにおいて高耐圧化を計る場合、
外部沿面距離ａ ＋ ｂ ＋ ｅ或いはａ′＋ ｂ’＋
ｃ’ ｆ大きくとる必要がある。しかしながらこの外
部沿面距離の増加に伴いホトカプラの高さや幅等の外形
寸法を大きくしなければならない。このホトカプラの大
型化は、ホトカプラを組み込む装置の大型化を招くだけ
でなく、パッケージ材のモールド樹脂やリードフレーム
材も多量に必要とするものであり、さらには例えばマウ
ンタ、ボンダ、テスト装置等の製造設備までも新たに用
意しなければならないため生産性の悪いものであった。
外部沿面距離ａ ＋ ｂ ＋ ｅ或いはａ′＋ ｂ’＋
ｃ’ ｆ大きくとる必要がある。しかしながらこの外
部沿面距離の増加に伴いホトカプラの高さや幅等の外形
寸法を大きくしなければならない。このホトカプラの大
型化は、ホトカプラを組み込む装置の大型化を招くだけ
でなく、パッケージ材のモールド樹脂やリードフレーム
材も多量に必要とするものであり、さらには例えばマウ
ンタ、ボンダ、テスト装置等の製造設備までも新たに用
意しなければならないため生産性の悪いものであった。
この発明は上記のような点に鍾みなされたもので、外形
寸法を増大化させることなく外部沿面距離を大きくでき
、耐絶縁性および耐電圧性の同上を可能とするホトカプ
ラ等の光結合素子を提供しようとするものである。
寸法を増大化させることなく外部沿面距離を大きくでき
、耐絶縁性および耐電圧性の同上を可能とするホトカプ
ラ等の光結合素子を提供しようとするものである。
すなわちこの発明に係る光結合素子では、発光素子およ
び受光素子並びにそれら素子と電気的接続された外部導
出リードを封止するパッケージにおいて、発光素子用の
外部導出リードと受光素子用の外部導出リードとの間の
パッケージ表面のうち、最短の外部沿面距離をなす表面
に少くとも外部沿面路を横切るように例えば溝状の凹部
或いは凸部を設け、光結合素子を大型化させることなく
発光側から受光側へ至るパッケージの実質的な沿面路を
増加させるようにしたものである。
び受光素子並びにそれら素子と電気的接続された外部導
出リードを封止するパッケージにおいて、発光素子用の
外部導出リードと受光素子用の外部導出リードとの間の
パッケージ表面のうち、最短の外部沿面距離をなす表面
に少くとも外部沿面路を横切るように例えば溝状の凹部
或いは凸部を設け、光結合素子を大型化させることなく
発光側から受光側へ至るパッケージの実質的な沿面路を
増加させるようにしたものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。尚、第１図および第２図と同一構成部分には同一符号
を付しその説明は一部省略する。まず、−例として第３
図（Ａ） （Ｂ）において、ＱａＡｓ（ガリウム・ひ素
）、ＱａＡＪＡｓ（ガリウム・アルミニウム・ひ素）或
いはＱａＡｓＰ（ガリウム・ひ素・リン）等の発光素子
１１およびホトダイオード、ホトトランジスタ等の受光
素子１２を外部導出リード１３および１４の素子配設部
に導電性エポキシ、半田或いは共晶等によってそれぞれ
マウントし、各々隣接する外部導出リードへ極細金線や
アルミ細線によってワイヤボンディングする。
。尚、第１図および第２図と同一構成部分には同一符号
を付しその説明は一部省略する。まず、−例として第３
図（Ａ） （Ｂ）において、ＱａＡｓ（ガリウム・ひ素
）、ＱａＡＪＡｓ（ガリウム・アルミニウム・ひ素）或
いはＱａＡｓＰ（ガリウム・ひ素・リン）等の発光素子
１１およびホトダイオード、ホトトランジスタ等の受光
素子１２を外部導出リード１３および１４の素子配設部
に導電性エポキシ、半田或いは共晶等によってそれぞれ
マウントし、各々隣接する外部導出リードへ極細金線や
アルミ細線によってワイヤボンディングする。
続いて、発光素子１１と受光素子１２とが相対回し、且
つ発光素子用外部導出リード１３と受光素子用外部導出
リード１４とが反対方間に延在するように配設し、素子
並びにその近傍のリード部分を透明もしくはフィラー例
えばＴ１０！を〜３％程度含有したような光透過性のエ
ポキシ樹脂等の第１モールド樹脂１５で樹脂封止し、さ
らにこの第１モールド樹脂１５ｔ′、染料やフィラー等
を含む黒色の光不透過性の第２モールド樹脂１６によっ
て覆う。この際に、従来は図の破線ｅで示す部位まで第
２モールド樹脂１６が覆っていたが、ここではパッケー
ジの最少の外部沿面距離が上、下面側にある場合であっ
て図で示すように溝状の凹部１７を発光素子用外部リー
ド１３と受光素子用外部リード１４間のパッケージの上
面および下面の第２モールド樹脂１６にそのパッケージ
の全長にわたって設ける。
つ発光素子用外部導出リード１３と受光素子用外部導出
リード１４とが反対方間に延在するように配設し、素子
並びにその近傍のリード部分を透明もしくはフィラー例
えばＴ１０！を〜３％程度含有したような光透過性のエ
ポキシ樹脂等の第１モールド樹脂１５で樹脂封止し、さ
らにこの第１モールド樹脂１５ｔ′、染料やフィラー等
を含む黒色の光不透過性の第２モールド樹脂１６によっ
て覆う。この際に、従来は図の破線ｅで示す部位まで第
２モールド樹脂１６が覆っていたが、ここではパッケー
ジの最少の外部沿面距離が上、下面側にある場合であっ
て図で示すように溝状の凹部１７を発光素子用外部リー
ド１３と受光素子用外部リード１４間のパッケージの上
面および下面の第２モールド樹脂１６にそのパッケージ
の全長にわたって設ける。
以上のようなホトカプラでは最少の外部沿面距離をなす
パッケージの表面にその外部沿面路を横切るように凹部
Ｊ７が形成されているためホトカプラが専有する空間を
増加させることなく最少の外部沿面距離を凹部１７の深
さｄの２倍だけ大きくすることができる。
パッケージの表面にその外部沿面路を横切るように凹部
Ｊ７が形成されているためホトカプラが専有する空間を
増加させることなく最少の外部沿面距離を凹部１７の深
さｄの２倍だけ大きくすることができる。
尚、凹部１７の溝幅ｆは、過度に狭くすると、空間を挾
み対向する凹部１２内面間の耐圧が問題となるため、適
度な幅に設定する必要がある。
み対向する凹部１２内面間の耐圧が問題となるため、適
度な幅に設定する必要がある。
また、発光素子用と受光素子用のリードの間に溝部を設
けることによってその間の最少の沿面距離が増加するこ
とから、リードを挾んでパッケージの上下の肉厚が異な
るものではｖ１４図に示すように肉厚の薄い方の面に四
部１７を設ければ良い。
けることによってその間の最少の沿面距離が増加するこ
とから、リードを挾んでパッケージの上下の肉厚が異な
るものではｖ１４図に示すように肉厚の薄い方の面に四
部１７を設ければ良い。
さらに、前記凹部は１個に限らず、第５図に示すように
凹部１７を複数設けても良い。
凹部１７を複数設けても良い。
又、パッケージの最少外部沿面距離が側面側にある場合
には第６図に示すように、パッケージの側面に凹部１７
’ｆ設ければ良く、さらにその凹部は複数設けても良い
。
には第６図に示すように、パッケージの側面に凹部１７
’ｆ設ければ良く、さらにその凹部は複数設けても良い
。
以上のようにこの発明によれば、パッケージにおける発
光素子用の外部導出リードと受光素子用の外部導出リー
ドとの間に溝状凹部を設けることにより、実装上の外形
寸法を増大させることなく光結合素子の外部沿面距離を
増加させることができる。従って製造設備も汎用の低耐
圧小型フォトカプラ用のものを共用できるとともにモー
ルド樹脂等の材量も小臆で済み、素子の小型軽量化と高
耐圧化とを両立できる光結合素子を提供できる。
光素子用の外部導出リードと受光素子用の外部導出リー
ドとの間に溝状凹部を設けることにより、実装上の外形
寸法を増大させることなく光結合素子の外部沿面距離を
増加させることができる。従って製造設備も汎用の低耐
圧小型フォトカプラ用のものを共用できるとともにモー
ルド樹脂等の材量も小臆で済み、素子の小型軽量化と高
耐圧化とを両立できる光結合素子を提供できる。
第１図は従来の光結合素子を示す断面図、第２図はその
平面図、第３図はこの発明の一実施例に係る光結合素子
を示す図、第４図乃至第６図はこの発明の他の実施例を
示す斜視図である。 ＩＪ・・・発光素子、１２・・・受光素子、１３．１４
・・・外部導出リード、１５・・・第１モールド樹脂、
１６・・・第２モールド樹脂、１７・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 （Ａ） 第４図
平面図、第３図はこの発明の一実施例に係る光結合素子
を示す図、第４図乃至第６図はこの発明の他の実施例を
示す斜視図である。 ＩＪ・・・発光素子、１２・・・受光素子、１３．１４
・・・外部導出リード、１５・・・第１モールド樹脂、
１６・・・第２モールド樹脂、１７・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 （Ａ） 第４図
Claims (1)
- 相対向するように配設された発光素子および受光素子と
、上記発光素子および受光素子を埋設する樹脂体から成
るパッケージと、上記発光素子および受光素子とそれぞ
れ電気的に接続され且つ上記パッケージから互いに反対
方向に引き出された外部導出リードとを具備し、上記発
光素子用外部導出リードと受光素子用外部導出リードと
の間の上記パッケージ表面のうち最短の外部沿面距離を
なす表面には、外部沿面路を少くとも横切るように凹部
或いは凸部が設けられていることを特徴とする光結合素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207851A JPS5998565A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207851A JPS5998565A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998565A true JPS5998565A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16546571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207851A Pending JPS5998565A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701289A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Nec Corporation | Photocoupler |
| US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
| US20220157681A1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Stmicroelectronics Sdn Bhd | Integrated circuit package with v-shaped notch creepage structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744564B2 (ja) * | 1976-08-24 | 1982-09-22 |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57207851A patent/JPS5998565A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744564B2 (ja) * | 1976-08-24 | 1982-09-22 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
| EP0701289A1 (en) * | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Nec Corporation | Photocoupler |
| US5665983A (en) * | 1994-09-08 | 1997-09-09 | Nec Corporation | Photocoupler device having light emitting device and photo detector |
| US20220157681A1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Stmicroelectronics Sdn Bhd | Integrated circuit package with v-shaped notch creepage structure |
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