JPS59119774A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
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- JPS59119774A JPS59119774A JP57232809A JP23280982A JPS59119774A JP S59119774 A JPS59119774 A JP S59119774A JP 57232809 A JP57232809 A JP 57232809A JP 23280982 A JP23280982 A JP 23280982A JP S59119774 A JPS59119774 A JP S59119774A
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は同一容器内に発光素子と受光素子と収納した
いわゆるホトカプラと称される光結合半導体装置に関す
る。
いわゆるホトカプラと称される光結合半導体装置に関す
る。
従来、光結合半導体装置いわゆるホトカプラは次のよう
（二構成されている。すなわち、まず一体の細長い金属
細条よシ第１図に示すよう（二各２本のリード１，２を
備えた発光側のリードフレーム３を押抜き等の工程で形
成し、同様（二細長い、金属細条よυ第２図に示すよう
に各３本のリード１１，１２．１３を備えた受光側のリ
ードフレーム１４を構成する。上記発光側す−ドフレー
ム３の一方のリードｌの先端部には幅広部４が設けられ
ておシ、この後の工程でこの幅広部４上に発光ダイオー
ドペレットが載置される。また、発光側リードフレーム
ｌの他方のり−ド２は発光側の１つの電極リードとなる
ものでアシ、この後の工程で上記発光ダイオードペレッ
ト表面上の電極との間で金（Ａｕ）等カラなる細線でボ
ンディングされる。上記受光側リードフレーム１４の中
央に位置・するり一ド１１の先端部にも幅広部１５が設
けられておシ、この幅広部１５上にはこの後の工程でホ
トトランジスタペレットが載置される。また、受光側リ
ードフレーム１４の両側に位置する２本のリード１２．
１３は受光側のたとえばベース、エミッタ電極リードと
なるものであシ、この後の工程で上記ホトトランジスタ
ペレット表面上のベース、エミッタ電極それぞれとの間
で細線によシボンデイングされる。上記一対のリードフ
レーム３，１４はそれぞれ発光ダイオードペレットおよ
びホトトランジスタペレットの載置、細線によるボンデ
ィングの前に予め所定形状（＝折曲形成され、この後、
素子の載置、ボンディングが行なわれた後、発光ダイオ
ードペレットとホトトランジスタペレットが対向するよ
う（二重ね合わされる。そしてとの後は第３図の断面図
で示すように、発光ダイオードペレット５とホトトラン
ジスタペレット１６との間（二透明の液状エポキシ樹脂
２１を注入しこれを硬化させて光通路を形成し、さらに
不透明のエポキシ樹脂２２によるモールディングを行な
って外側容器を成型し、この後、リードフレームの切断
、フォーミング、リードの半田ディツプを行なうことに
よって完成される。
（二構成されている。すなわち、まず一体の細長い金属
細条よシ第１図に示すよう（二各２本のリード１，２を
備えた発光側のリードフレーム３を押抜き等の工程で形
成し、同様（二細長い、金属細条よυ第２図に示すよう
に各３本のリード１１，１２．１３を備えた受光側のリ
ードフレーム１４を構成する。上記発光側す−ドフレー
ム３の一方のリードｌの先端部には幅広部４が設けられ
ておシ、この後の工程でこの幅広部４上に発光ダイオー
ドペレットが載置される。また、発光側リードフレーム
ｌの他方のり−ド２は発光側の１つの電極リードとなる
ものでアシ、この後の工程で上記発光ダイオードペレッ
ト表面上の電極との間で金（Ａｕ）等カラなる細線でボ
ンディングされる。上記受光側リードフレーム１４の中
央に位置・するり一ド１１の先端部にも幅広部１５が設
けられておシ、この幅広部１５上にはこの後の工程でホ
トトランジスタペレットが載置される。また、受光側リ
ードフレーム１４の両側に位置する２本のリード１２．
１３は受光側のたとえばベース、エミッタ電極リードと
なるものであシ、この後の工程で上記ホトトランジスタ
ペレット表面上のベース、エミッタ電極それぞれとの間
で細線によシボンデイングされる。上記一対のリードフ
レーム３，１４はそれぞれ発光ダイオードペレットおよ
びホトトランジスタペレットの載置、細線によるボンデ
ィングの前に予め所定形状（＝折曲形成され、この後、
素子の載置、ボンディングが行なわれた後、発光ダイオ
ードペレットとホトトランジスタペレットが対向するよ
う（二重ね合わされる。そしてとの後は第３図の断面図
で示すように、発光ダイオードペレット５とホトトラン
ジスタペレット１６との間（二透明の液状エポキシ樹脂
２１を注入しこれを硬化させて光通路を形成し、さらに
不透明のエポキシ樹脂２２によるモールディングを行な
って外側容器を成型し、この後、リードフレームの切断
、フォーミング、リードの半田ディツプを行なうことに
よって完成される。
ところで、発光側と受光側との間の絶縁耐圧はホトカプ
ラの重要な特性の１つであシ、との耐圧は発光ダイオー
ドペレットとホトトランジスタペレットとの間の距離に
左右される。しかしながら、上記構成でなる従来のホト
カプラでは、リードフレーム３，１４が平板状の金属細
条から作られ、発光ダイオードペレット５とホトトラン
ジスタペレット１６とを対向させるためにリードフレー
ムを折曲形成しているので、両者間の距離は高々２ｕ程
度にしかならない。
ラの重要な特性の１つであシ、との耐圧は発光ダイオー
ドペレットとホトトランジスタペレットとの間の距離に
左右される。しかしながら、上記構成でなる従来のホト
カプラでは、リードフレーム３，１４が平板状の金属細
条から作られ、発光ダイオードペレット５とホトトラン
ジスタペレット１６とを対向させるためにリードフレー
ムを折曲形成しているので、両者間の距離は高々２ｕ程
度にしかならない。
このため、高い絶縁耐圧を持たせるのに限界がある。ま
た、上記距離を２ｕ以上にするために折曲形成時のリー
ド段差を大きくとると、その分外形容器用のエポキシ樹
脂２２の外形形状が大きくなシ、装置の大型化をもたら
す。
た、上記距離を２ｕ以上にするために折曲形成時のリー
ド段差を大きくとると、その分外形容器用のエポキシ樹
脂２２の外形形状が大きくなシ、装置の大型化をもたら
す。
さらに、仮に装置が大型化してもよく、発光ダイオード
ペレット５とホトトランジスタペレット１６との間の距
離が２朋以上に設定された場合、従来では発光ダイオー
ドペレット５の載置面が平坦となっているので、発光ダ
イオードペレット５から発せられた光が十分にホトトラ
ンジスタペレット１６表面に達せず、ホトカプラとして
の機能がなされなくなってしまう。
ペレット５とホトトランジスタペレット１６との間の距
離が２朋以上に設定された場合、従来では発光ダイオー
ドペレット５の載置面が平坦となっているので、発光ダ
イオードペレット５から発せられた光が十分にホトトラ
ンジスタペレット１６表面に達せず、ホトカプラとして
の機能がなされなくなってしまう。
その上、従来のホトカプラでは、発光ダイオード５およ
びホトトランジスタ１６を載置するリード１．１１の幅
広部４，１５は互いに重なっておシ、この重な多部分の
空間は極めて小さいため、前記光通路を形成する場合に
モールディング成型は行なえずしたがって粘度の低い液
状エポキシ樹脂２１を注入するようにしている。
びホトトランジスタ１６を載置するリード１．１１の幅
広部４，１５は互いに重なっておシ、この重な多部分の
空間は極めて小さいため、前記光通路を形成する場合に
モールディング成型は行なえずしたがって粘度の低い液
状エポキシ樹脂２１を注入するようにしている。
ところが粘度が低いためにこの樹脂２１はリード１，１
１を伝わって外部方向に流れ出してしまう。そしてこの
流れ出て硬化した樹脂２１とリードｌ、 １２との間に
はすきまが生じるため、外部から水分が侵入し易くなっ
て耐湿性能が低下してしまう。
１を伝わって外部方向に流れ出してしまう。そしてこの
流れ出て硬化した樹脂２１とリードｌ、 １２との間に
はすきまが生じるため、外部から水分が侵入し易くなっ
て耐湿性能が低下してしまう。
し発明の目的〕
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あシ、その目的は、高絶縁耐性および高耐湿性を得るこ
とができしかも小型の光結合半導体装置を提供すること
にある。
あシ、その目的は、高絶縁耐性および高耐湿性を得るこ
とができしかも小型の光結合半導体装置を提供すること
にある。
上記目的を達成するためこの発明にあっては、第１のリ
ードの先端部端面に凹状の反射部を設けこの反射部内に
は発光ダイオードペレットを配設し、第２のリードの先
端部端面には正方形状の平坦部を設けこの平坦部上には
ホトトランジスタペレットを配設し、この第２のり一へ
はその先端部が第１のリードの先端部と対向するように
配置し、上記発光ダイオードペレットおよびホトトラン
ジスタベレットを封止するように第１．第２のリードの
先端部を透明エポキシ樹脂でモールディング成型し、さ
らにこの樹脂の回シを不透明エポキシ樹脂でモールディ
ング成型するようにした光結合半導体装置が提供されて
いる。
ードの先端部端面に凹状の反射部を設けこの反射部内に
は発光ダイオードペレットを配設し、第２のリードの先
端部端面には正方形状の平坦部を設けこの平坦部上には
ホトトランジスタペレットを配設し、この第２のり一へ
はその先端部が第１のリードの先端部と対向するように
配置し、上記発光ダイオードペレットおよびホトトラン
ジスタベレットを封止するように第１．第２のリードの
先端部を透明エポキシ樹脂でモールディング成型し、さ
らにこの樹脂の回シを不透明エポキシ樹脂でモールディ
ング成型するようにした光結合半導体装置が提供されて
いる。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。こ
の発明の一実施例に係る光結合半導体装置いわゆるホト
カプラは次のように構成される。すなわち、まず鉄ある
いは銅を含む厚みが０．５ ｆｉ程度の一体の細長い金
属細条よシ、第４図に示すように各３本のリード３１，
３２゜３３を備えた受光側のリードフレーム仁４を押抜
き（パンチ）等の工程で形成する。上記各リード３１．
３２．３３の先端部端面ばプレス加工され、中央に位置
するリード３１の端面には、第５図に示すようにこのリ
ード３１の板厚の約２倍の長さすなわち１．０〜１，２
朗を１辺とする略正方形の平坦部３５が形成される。ま
た上記リード３１に沿ってその両側に配置されている各
リード３２ 、．９３の先端部端面には、第６図に示す
ように１辺の長さが０．５ ｕの正方形状の平坦部３６
が形成される。そして上記リード３１の先端部に形成さ
れる平坦部３５上にはこの後、ホトトランジスタベレッ
トが載置され、残シのリード３２．３３は受光側のたと
えばペース、エミッタ電極リードとなるものであシ、こ
の後の工程で上記ホトトランジスタペレット表面上のペ
ース、エミッタ電極それぞれと平坦部３５との間が金等
からなる細線によシボンデイングされる。
の発明の一実施例に係る光結合半導体装置いわゆるホト
カプラは次のように構成される。すなわち、まず鉄ある
いは銅を含む厚みが０．５ ｆｉ程度の一体の細長い金
属細条よシ、第４図に示すように各３本のリード３１，
３２゜３３を備えた受光側のリードフレーム仁４を押抜
き（パンチ）等の工程で形成する。上記各リード３１．
３２．３３の先端部端面ばプレス加工され、中央に位置
するリード３１の端面には、第５図に示すようにこのリ
ード３１の板厚の約２倍の長さすなわち１．０〜１，２
朗を１辺とする略正方形の平坦部３５が形成される。ま
た上記リード３１に沿ってその両側に配置されている各
リード３２ 、．９３の先端部端面には、第６図に示す
ように１辺の長さが０．５ ｕの正方形状の平坦部３６
が形成される。そして上記リード３１の先端部に形成さ
れる平坦部３５上にはこの後、ホトトランジスタベレッ
トが載置され、残シのリード３２．３３は受光側のたと
えばペース、エミッタ電極リードとなるものであシ、こ
の後の工程で上記ホトトランジスタペレット表面上のペ
ース、エミッタ電極それぞれと平坦部３５との間が金等
からなる細線によシボンデイングされる。
また上記と同様の金属細条を用いて第７図に示すように
各２本のリード４１．４２を備えた発光側のリードフレ
ーム４３を形成する。この画リード４１．４２の先端部
端面もプレス加工され、一方のり−ド４１の端面には第
８図の斜視図で示すように外径が１動程度の凹状の反射
部４４が形成され、他方のリード４２の端面には前記第
６図と同様の平坦部３６が形成される。
各２本のリード４１．４２を備えた発光側のリードフレ
ーム４３を形成する。この画リード４１．４２の先端部
端面もプレス加工され、一方のり−ド４１の端面には第
８図の斜視図で示すように外径が１動程度の凹状の反射
部４４が形成され、他方のリード４２の端面には前記第
６図と同様の平坦部３６が形成される。
そして上記一方のリード４ノの先端部に形成される反射
部４４内にはこの後、発光ダイオードペレットが載置さ
れ、他方のり−ド４２は発光側の１つの電極リードたと
えばアノードリードとなるものでアシ、この後の工程で
上記発光ダイオードペレット表面上のアノード電極とそ
の平坦部３５との間がボンディングされる。
部４４内にはこの後、発光ダイオードペレットが載置さ
れ、他方のり−ド４２は発光側の１つの電極リードたと
えばアノードリードとなるものでアシ、この後の工程で
上記発光ダイオードペレット表面上のアノード電極とそ
の平坦部３５との間がボンディングされる。
このように一対のリードフレーム３４．４３を形成して
から次に第９図に示すように、リードフレーム３４側で
はリード３ノに形成した平坦部３５上にホトトランジス
タペレット５１を載置するとともに細線５２を用いてボ
ンディングを行ない、同様にリードフレーム４３側では
リード４１に形成した反射部４４内に発光ダイオードベ
レット５３を載置するとともに細線５２を用いてボンデ
ィングを行ない、この後、リード３１と４１の先端部が
対向しかつ所定距離を保つように一対のリードフレーム
３４゜４３をモールド用金型に固定する。しかる後、上
記ホトトランジスタベレット５１および発光ダイオード
ペレット５３が封止されるようにリード３１，３２．３
３，４１．４２の先端部を透明エポキシ樹脂５４で第１
０図；二示すようにモールディング成型し、戸イバー等
、リードフレーム３４．４３の不要箇所を切断する。さ
らにこれに黒色等不透明エポキシ樹脂５５による外側容
器用のモールディング成型を行ない、この後、リードフ
レームの切断、フォーミンクおよびリードの半田ディツ
プを行なって第１１図の斜視図で示すような５ビンのホ
トカプラが完成する。
から次に第９図に示すように、リードフレーム３４側で
はリード３ノに形成した平坦部３５上にホトトランジス
タペレット５１を載置するとともに細線５２を用いてボ
ンディングを行ない、同様にリードフレーム４３側では
リード４１に形成した反射部４４内に発光ダイオードベ
レット５３を載置するとともに細線５２を用いてボンデ
ィングを行ない、この後、リード３１と４１の先端部が
対向しかつ所定距離を保つように一対のリードフレーム
３４゜４３をモールド用金型に固定する。しかる後、上
記ホトトランジスタベレット５１および発光ダイオード
ペレット５３が封止されるようにリード３１，３２．３
３，４１．４２の先端部を透明エポキシ樹脂５４で第１
０図；二示すようにモールディング成型し、戸イバー等
、リードフレーム３４．４３の不要箇所を切断する。さ
らにこれに黒色等不透明エポキシ樹脂５５による外側容
器用のモールディング成型を行ない、この後、リードフ
レームの切断、フォーミンクおよびリードの半田ディツ
プを行なって第１１図の斜視図で示すような５ビンのホ
トカプラが完成する。
このような構成でカるフォトカプラでは、従来のように
リードを折曲形成して互いに重ね合わせその内側に発光
ダイオードペレットとホトトランジスタベレットとを対
向配置するものにくらべて、リード３１．４１の先端部
端面に発光ダイオードベレットおよびホトトランジスタ
ベレットを載置し互いに対向させるようにしているので
両ペレット間の距離は十分にとることができ、自由度も
高い。しかも１回目のモールディングによる透明エポキ
シ樹脂５４の厚みは、この距離には依存せず一定の厚み
にすることができるので、高絶縁化を図っても装置の形
状を小形にすることができる。
リードを折曲形成して互いに重ね合わせその内側に発光
ダイオードペレットとホトトランジスタベレットとを対
向配置するものにくらべて、リード３１．４１の先端部
端面に発光ダイオードベレットおよびホトトランジスタ
ベレットを載置し互いに対向させるようにしているので
両ペレット間の距離は十分にとることができ、自由度も
高い。しかも１回目のモールディングによる透明エポキ
シ樹脂５４の厚みは、この距離には依存せず一定の厚み
にすることができるので、高絶縁化を図っても装置の形
状を小形にすることができる。
また、高絶縁化を図る場合、両ベレット間の距離を比較
的大キくシても、発光ダイオードベレット５３側には反
射部４４が形成されておシこのベレット５３から発せら
れた光は集光されてホトトランジスタベレット５ の表
面に到達し従来よシも配光効率が大幅に改善されるので
、両ペレット間の距離を十分に大きくしてもホトカプラ
としての機能を果たす。
的大キくシても、発光ダイオードベレット５３側には反
射部４４が形成されておシこのベレット５３から発せら
れた光は集光されてホトトランジスタベレット５ の表
面に到達し従来よシも配光効率が大幅に改善されるので
、両ペレット間の距離を十分に大きくしてもホトカプラ
としての機能を果たす。
さらにリードフレームの先端部が従来のように折曲形成
されていす、前記光通路に相当する部分はモールディン
グ成型によって形成が可能である。このとき、液状のも
のにくらべて粘度の高いエポキシ樹脂を用いておシ、リ
ード３１．４７を伝わって外部方向に流れ出る量はわず
かであシ、またモールディング時にボンディング用の細
線５２をも含めて成型できるため、細線５２にストレス
を与えることなく流れ出て硬化した樹脂を除去すること
ができ、これによってすきまの発生が防止でき、耐湿性
は従来よりも数倍向上させることができる。
されていす、前記光通路に相当する部分はモールディン
グ成型によって形成が可能である。このとき、液状のも
のにくらべて粘度の高いエポキシ樹脂を用いておシ、リ
ード３１．４７を伝わって外部方向に流れ出る量はわず
かであシ、またモールディング時にボンディング用の細
線５２をも含めて成型できるため、細線５２にストレス
を与えることなく流れ出て硬化した樹脂を除去すること
ができ、これによってすきまの発生が防止でき、耐湿性
は従来よりも数倍向上させることができる。
なお、この発明は上記一実施例に限定されるものではな
く種々の変形が可能である。たとえば上記実施例では発
光側が２ピン、受光側が３ピンの合計５ピンのホトカプ
ラについて説明したが、これは第１２図に示すように発
光側のリードフレーム４３の２本のリード４１．４２に
沿って、配線のなされないもう１本のリード４５を設け
ること（；よ如、第１３図の上面図に示すようなリード
配置が左右対象の６ピンのホトカプラを構成するように
してもよい。
く種々の変形が可能である。たとえば上記実施例では発
光側が２ピン、受光側が３ピンの合計５ピンのホトカプ
ラについて説明したが、これは第１２図に示すように発
光側のリードフレーム４３の２本のリード４１．４２に
沿って、配線のなされないもう１本のリード４５を設け
ること（；よ如、第１３図の上面図に示すようなリード
配置が左右対象の６ピンのホトカプラを構成するように
してもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、高絶縁耐圧、高
耐湿性を得ることができしかも小型の光結合半導体装置
が提供できる。
耐湿性を得ることができしかも小型の光結合半導体装置
が提供できる。
第１図ないし第３図はそれぞれ従来のホトカプラを説明
するためのもので、第１図および第２図はそれぞれリー
ドフレームを示す平面図、第３図はホトカブ２の断面図
、第４図ないし第１１図はこの発明の一実施例に係るホ
トカプラを説明するためのもので、第４図および第７図
はそれぞれリードフレームを示す平面図、第５図および
第６図はそれぞれリード先端部端面の形状を示す平面図
、第８図はリード先端部端面の形状を示す斜視図、第９
図はリードフレームをモールド金型に固定するときの状
態を示す平面図、第１０図は透明樹脂によるモールド状
態を示す平面図、第１１図は完成したホトカプラ全体の
斜視図、第１２図および第１３図はそれぞれこの発明の
他の実施例を示し、第１２図はリードフレームを示す平
面図、第１３図はホトカプラ全体の上面図である。 ３１．３２，３３，４１，４２．４５・・・リード１．
９４ 、 ４ Ｊ用す−ドフレーム、３６．３６・・・
平坦部、４４・・・反射部、５１川ホトトランジスタペ
レツト、５２・・・細線、５３・・・発光ダイオードベ
レット、５４・・・透明エポキシ樹脂、５５・・・不透
明エポキシ樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第５ Ｆ７！Ｊ＠ ６図 窮２図 第４図 第７図 第８図 第１０図 ＠１２図 第９図 １ １ 第１１図 ５ 第１３図
するためのもので、第１図および第２図はそれぞれリー
ドフレームを示す平面図、第３図はホトカブ２の断面図
、第４図ないし第１１図はこの発明の一実施例に係るホ
トカプラを説明するためのもので、第４図および第７図
はそれぞれリードフレームを示す平面図、第５図および
第６図はそれぞれリード先端部端面の形状を示す平面図
、第８図はリード先端部端面の形状を示す斜視図、第９
図はリードフレームをモールド金型に固定するときの状
態を示す平面図、第１０図は透明樹脂によるモールド状
態を示す平面図、第１１図は完成したホトカプラ全体の
斜視図、第１２図および第１３図はそれぞれこの発明の
他の実施例を示し、第１２図はリードフレームを示す平
面図、第１３図はホトカプラ全体の上面図である。 ３１．３２，３３，４１，４２．４５・・・リード１．
９４ 、 ４ Ｊ用す−ドフレーム、３６．３６・・・
平坦部、４４・・・反射部、５１川ホトトランジスタペ
レツト、５２・・・細線、５３・・・発光ダイオードベ
レット、５４・・・透明エポキシ樹脂、５５・・・不透
明エポキシ樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第５ Ｆ７！Ｊ＠ ６図 窮２図 第４図 第７図 第８図 第１０図 ＠１２図 第９図 １ １ 第１１図 ５ 第１３図
Claims (2)
- （１）先端部端面に凹状の反射面を有する第１のリード
と、上記第１のリードの先端部（二その先端部が対向す
るように配置され、その先端部端面に略正方形状の平坦
面を有する第２のリードと、上記第１のリードの反射面
内に配設された発光素子と、上記第２゛のリードの平坦
面上に配設された受光素子と、上記第１のリードに沿っ
て配置されその先端部が金属細線を介して上記発光素子
上の電極と電気的に結合される第３のリードと、上記第
２のリードに沿って配置されそれぞれの先端部が金属細
線を介して上記受光素子上の電極それぞれと電気的に結
合される第４．第５のリードと、上記発光素子および受
光素子を封止するように上記第１ないし第５のリードの
先端部に設けられる光透過性樹脂部材と、上記光透過性
樹脂部材をさら）：封止するように設けられる光不透過
性樹脂部材とを具備したことを特徴とする光結合半導体
装置。 - （２） 前記第１．第３のリードに沿って第６のリー
ドをさらに配置するようにした特許請求の範囲第１項に
記載の光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232809A JPS59119774A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232809A JPS59119774A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119774A true JPS59119774A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0355989B2 JPH0355989B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=16945100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232809A Granted JPS59119774A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373678A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US5127071A (en) * | 1990-03-13 | 1992-06-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module including receptacle, and method of producing the same |
| US5170453A (en) * | 1990-08-28 | 1992-12-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module |
| US5304818A (en) * | 1990-03-16 | 1994-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lead frame |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP57232809A patent/JPS59119774A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373678A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0551192B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US5127071A (en) * | 1990-03-13 | 1992-06-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module including receptacle, and method of producing the same |
| US5304818A (en) * | 1990-03-16 | 1994-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lead frame |
| US5170453A (en) * | 1990-08-28 | 1992-12-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355989B2 (ja) | 1991-08-27 |
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