JPS5988807A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS5988807A JPS5988807A JP57198569A JP19856982A JPS5988807A JP S5988807 A JPS5988807 A JP S5988807A JP 57198569 A JP57198569 A JP 57198569A JP 19856982 A JP19856982 A JP 19856982A JP S5988807 A JPS5988807 A JP S5988807A
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- Japan
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- magnetic
- alloy
- thin film
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
ｒ−ｋＴ’０□０３．ＣｒＯ，、、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ等
の磁性体粒子全有機樹脂からなる結合剤中に混合分数し
て、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気
記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である
。
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
ｒ−ｋＴ’０□０３．ＣｒＯ，、、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ等
の磁性体粒子全有機樹脂からなる結合剤中に混合分数し
て、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気
記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である
。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請により
、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が盛ん
に行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ、真
空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法によ
り作られる金属薄膜からなるものと、Ｊｌｔ、空蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等の手法により作られ
る”ｅ３０４又はｒ−Ｆｅ２Ｏ２等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属薄膜からなる磁気記録
媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は高温、高湿下の様
な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金属
薄膜媒体はまだ知られていない。
、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が盛ん
に行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ、真
空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法によ
り作られる金属薄膜からなるものと、Ｊｌｔ、空蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等の手法により作られ
る”ｅ３０４又はｒ−Ｆｅ２Ｏ２等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属薄膜からなる磁気記録
媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は高温、高湿下の様
な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金属
薄膜媒体はまだ知られていない。
本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気特性度を
有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する
磁気記憶体を提供−Ｉるものである。
有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する
磁気記憶体を提供−Ｉるものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非磁性金属
層又は非磁性金属酸化物層が抜機され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物ｌ＃上にバナジウムと白金とコバ
ルトからなる合金又はタングステンと白金とコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
層又は非磁性金属酸化物層が抜機され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物ｌ＃上にバナジウムと白金とコバ
ルトからなる合金又はタングステンと白金とコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
第１図において磁気記憶体の金属円盤１と１−てアルミ
合金が軽くて加工性が良く安価なことがら最も良く用い
られるが、場合によってはチタン合金が用いられること
もある。基盤表面は機械加工により小さなうねり（円周
方向で５０ ｍ以下、半径方向で１００ｍ以下）を有す
る面に仕上けられている。
合金が軽くて加工性が良く安価なことがら最も良く用い
られるが、場合によってはチタン合金が用いられること
もある。基盤表面は機械加工により小さなうねり（円周
方向で５０ ｍ以下、半径方向で１００ｍ以下）を有す
る面に仕上けられている。
次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニッケルー
合金又は酸化アルミがめっきにより被＆され、この下
地体２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ０．０３
ｍ 以下に鏡面仕上げされる。
合金又は酸化アルミがめっきにより被＆され、この下
地体２の表面は機械的研磨により最大表面粗さ０．０３
ｍ 以下に鏡面仕上げされる。
次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３とし
てバナジウムまたはタングステンおよび白金を含むコバ
ルトからなる金属薄膜媒体が高周波スパーツタ法により
被覆される。次に上記金属薄膜媒体３の上にＳｉＯに代
表される保ｉｌ！膜４が高周波スパッタ法により被覆さ
れる。
てバナジウムまたはタングステンおよび白金を含むコバ
ルトからなる金属薄膜媒体が高周波スパーツタ法により
被覆される。次に上記金属薄膜媒体３の上にＳｉＯに代
表される保ｉｌ！膜４が高周波スパッタ法により被覆さ
れる。
金属薄膜媒体は抗磁力（Ｈａ） ５’００〜１２００Ｑ
θにルステッド）、飽和磁束密度（Ｂ８）１０，０ＯＯ
Ｇ（ガラス）以下角形比（８％８）０．７〜０．９
保磁力角形比（Ｓ＊） ０．７〜０９の範囲の磁気記録
媒体と１〜て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性
は金初薄膜よび角形性の、金属薄膜媒体中のバナジウム
またはタングステンの原子パーセントによる変化を示し
たものでバナジウム又はタングステンがそれぞれ１〜３
Ｑ ａｔ、％、又は１〜２Ｑａｔ係の範囲で昼記録密度
可能な磁気記憶媒体として使用出来る。
θにルステッド）、飽和磁束密度（Ｂ８）１０，０ＯＯ
Ｇ（ガラス）以下角形比（８％８）０．７〜０．９
保磁力角形比（Ｓ＊） ０．７〜０９の範囲の磁気記録
媒体と１〜て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性
は金初薄膜よび角形性の、金属薄膜媒体中のバナジウム
またはタングステンの原子パーセントによる変化を示し
たものでバナジウム又はタングステンがそれぞれ１〜３
Ｑ ａｔ、％、又は１〜２Ｑａｔ係の範囲で昼記録密度
可能な磁気記憶媒体として使用出来る。
以上の様に白金を含み、かつバナジウム父はタングステ
ン全それぞれ３０原子パーセント以下、又は２０原子パ
ーセント以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気
記録媒体として優れていることが分る。
ン全それぞれ３０原子パーセント以下、又は２０原子パ
ーセント以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気
記録媒体として優れていることが分る。
金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質であるこ
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム、５− イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窯化物または炭化物あるいけホウ素、炭素またけホウ素
と炭素の合金あるいけポリ珪酸が望寸しい さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数１０〜４０の飽
和又は不飽和炭化水素又けふり素化炭化水素Ｇけｃｏｏ
ｐｒ、 ＯＨＮＨ２、ｃｏｏｆ、 Ｓｌ ＜ ０１７”
）３、ＣＯＮＨ２などの官能基）からなる潤滑剤あるい
はフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラ７０ロエ
チレンテロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム、５− イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窯化物または炭化物あるいけホウ素、炭素またけホウ素
と炭素の合金あるいけポリ珪酸が望寸しい さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数１０〜４０の飽
和又は不飽和炭化水素又けふり素化炭化水素Ｇけｃｏｏ
ｐｒ、 ＯＨＮＨ２、ｃｏｏｆ、 Ｓｌ ＜ ０１７”
）３、ＣＯＮＨ２などの官能基）からなる潤滑剤あるい
はフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラ７０ロエ
チレンテロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
次にいくつかの例をあけて本発明を説明する。
実施例１
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円 方向で５０ ｍ以下および半径方向で
１０ ｒｎ以下）を有する面に仕上げられたディスク状
アルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー
燐合金を約５０ ｍの厚さにめっきし、このニッケルー
燐めつき膜を最大表面粗さ０．０２ ｍ厚さ３０ ｍ
まで鏡面研磨仕上げした。
さなうねり（円 方向で５０ ｍ以下および半径方向で
１０ ｒｎ以下）を有する面に仕上げられたディスク状
アルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー
燐合金を約５０ ｍの厚さにめっきし、このニッケルー
燐めつき膜を最大表面粗さ０．０２ ｍ厚さ３０ ｍ
まで鏡面研磨仕上げした。
６−
次にこのニッケルー燐めつき膜の上に金属磁性媒体３と
して高周波スパッタ法によりアルゴン圧４ Ｘ １０
ｔｏｒｒ、パワー密度Ｉ Ｗ／ｃｒＩにて膜厚・５１１
ＯＡのバナジウムを９原子パーセント、白金全２０原
子パーセント含むコバルト合金薄膜全被覆１．た。
して高周波スパッタ法によりアルゴン圧４ Ｘ １０
ｔｏｒｒ、パワー密度Ｉ Ｗ／ｃｒＩにて膜厚・５１１
ＯＡのバナジウムを９原子パーセント、白金全２０原
子パーセント含むコバルト合金薄膜全被覆１．た。
さらにこの金属磁性媒体３の上に５ｉｆｌ、 ｆ ２０
ＯＡの膜厚に高周波スパッタ法により被覆して磁気ディ
スクを作った。抗磁力ＨＣ，残留磁束密度１３ｒ、＊ 角形性Ｓおよび保磁力角形性Ｓけそれぞれ９６００θ、
６５００Ｇ 、 ０．８５．０，８５であった。
ＯＡの膜厚に高周波スパッタ法により被覆して磁気ディ
スクを作った。抗磁力ＨＣ，残留磁束密度１３ｒ、＊ 角形性Ｓおよび保磁力角形性Ｓけそれぞれ９６００θ、
６５００Ｇ 、 ０．８５．０，８５であった。
実施例２
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタングステ
ンを６原子パーセント、白金を３２原子パーセント含む
コバルト合金薄膜ｙ ５ｏｏｎの膜厚にて被覆して磁気
ディスクを作った。）ｌｃ、 Ｂｒ、 Ｓおよび？はそ
れぞれ９５００１１１．４５００ＧＸＯ，８、ＯＢであ
った。
ンを６原子パーセント、白金を３２原子パーセント含む
コバルト合金薄膜ｙ ５ｏｏｎの膜厚にて被覆して磁気
ディスクを作った。）ｌｃ、 Ｂｒ、 Ｓおよび？はそ
れぞれ９５００１１１．４５００ＧＸＯ，８、ＯＢであ
った。
実施例３
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタングステ
ンを３原子パーセント、白金を３２原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚５ｏｏＸにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
ンを３原子パーセント、白金を３２原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚５ｏｏＸにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
Ｈａ、 ＢｒＸ５ＸＳ＊はそれぞれ１２０００ｓ、 ５
’１ＯＯ（Ｅｓ Ｏ，８５，０８５であった。
’１ＯＯ（Ｅｓ Ｏ，８５，０８５であった。
実施例４
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバナジウム
を２原子パーセント、白金全２０原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚３００Ｘにて被＊ 覆して磁気ディスクを作った。ＨＱ、 Ｂｒ、 ＳＸＳ
はそれぞれ１１０００θ、９６００ Ｇ、０．８５．０
８５であった。
を２原子パーセント、白金全２０原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚３００Ｘにて被＊ 覆して磁気ディスクを作った。ＨＱ、 Ｂｒ、 ＳＸＳ
はそれぞれ１１０００θ、９６００ Ｇ、０．８５．０
８５であった。
実施例５
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタングステ
ンを１０原子パーセント、白金１に３２原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を膜厚ｔｓｏｏｆにて被覆して磁
気ディスクを作った。Ｈｅ、 １３ｒ、 Ｓ。
ンを１０原子パーセント、白金１に３２原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を膜厚ｔｓｏｏｆにて被覆して磁
気ディスクを作った。Ｈｅ、 １３ｒ、 Ｓ。
Ｓはそれぞれ６００００．３２００Ｇ、 ０．８０．０
．８０であったＯ 実施例６ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバナジウム
を１３原子パーセント、白金全２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚８００Ａにて被覆して磁気ディ
スクを作った。Ｈｅ、 ｎｒ、 ｓ、 Ｅ”はそれぞれ
ｃ＋ｏｏｏｃ、 ５０００Ｇ、 ０．８５．０．８５で
あった。
．８０であったＯ 実施例６ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバナジウム
を１３原子パーセント、白金全２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚８００Ａにて被覆して磁気ディ
スクを作った。Ｈｅ、 ｎｒ、 ｓ、 Ｅ”はそれぞれ
ｃ＋ｏｏｏｃ、 ５０００Ｇ、 ０．８５．０．８５で
あった。
実施例７
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタングステ
ン’＋１−１０原子パーセント、白金を２０原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚２（ｌｎＯＡにて被覆
して磁気ディスクを作った ）ＩＣ，Ｂｒ、 Ｓ、？は
それぞれ８０００ｅ、３２００Ｇ、 ０．８０．０．８
０ｆあツェ。
ン’＋１−１０原子パーセント、白金を２０原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚２（ｌｎＯＡにて被覆
して磁気ディスクを作った ）ＩＣ，Ｂｒ、 Ｓ、？は
それぞれ８０００ｅ、３２００Ｇ、 ０．８０．０．８
０ｆあツェ。
実施例８
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３と１−でバナジウ
ムを２５原子パーセント、白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚５００Ａ’にて被覆して磁気
ディスクを作った。Ｉ（ａ、 Ｂｒ、Ｓ、 ｄ’はそれ
ぞれ７０００θ、２０００ Ｇ、 ０．８０．０．８０
であった。
ムを２５原子パーセント、白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚５００Ａ’にて被覆して磁気
ディスクを作った。Ｉ（ａ、 Ｂｒ、Ｓ、 ｄ’はそれ
ぞれ７０００θ、２０００ Ｇ、 ０．８０．０．８０
であった。
実施例９
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタングステ
ンを１５原子パーセント、白金に２０ＩｊＡ子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚ｓ Ｏ（ｌ Ａにて被覆
して磁気ディスクを作った。ＨＱ、、 １３ｒ、 ＆
Ｓ＊はそれぞれ５５００θ、２０００α０．８０．０．
８０であった９一 実施例１０ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４Ｘ１０ｔｏｒｒ
、パワー密度１５ Ｗ／／ｃｔｌにて磁気ディスクを作
った。
ンを１５原子パーセント、白金に２０ＩｊＡ子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚ｓ Ｏ（ｌ Ａにて被覆
して磁気ディスクを作った。ＨＱ、、 １３ｒ、 ＆
Ｓ＊はそれぞれ５５００θ、２０００α０．８０．０．
８０であった９一 実施例１０ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４Ｘ１０ｔｏｒｒ
、パワー密度１５ Ｗ／／ｃｔｌにて磁気ディスクを作
った。
実施例１１
実施例１と同様にして但しアルゴン圧８Ｘ１０ｔｏｒｒ
、パワー密度１５Ｗ／ｉにて磁気ディスクを作った。
、パワー密度１５Ｗ／ｉにて磁気ディスクを作った。
実施例１２
実施例２と同様にして但しアルゴン圧４Ｘ１０ｔｏｒｒ
。
。
パワー密度１５ Ｗ／ｉにて磁気ディスクを作った。
実施例１３
実施例２と同様にして但しアルゴン圧８Ｘ１０ｔＯｒｒ
。
。
パワー密度１ｓＷ／ｉにて磁気ディスクを作った。
実施例１４
実施例」または２と同様にして但し非磁性合金層として
アルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金
属酸化物層と１〜で酸化アルミｆ被覆しこの酸化アルミ
を最大表面粗さ０．０２ ＋ｎまで鏡面研磨仕上げし
て、磁気ディスクを作った。
アルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金
属酸化物層と１〜で酸化アルミｆ被覆しこの酸化アルミ
を最大表面粗さ０．０２ ＋ｎまで鏡面研磨仕上げし
て、磁気ディスクを作った。
実施例１５
実施例１または２と同様にして但し保護膜として１０−
次の物質全それぞれスパッタ法により５ｏｏＡの厚比較
例１ 実施例１と同様にして但しニッケルー燐めっき膜の上に
膜厚１ ｍのクロムを介して金属磁性媒体３としてコバ
ルトに膜厚５ＯＯＸで被覆して磁気ディスク全作った。
例１ 実施例１と同様にして但しニッケルー燐めっき膜の上に
膜厚１ ｍのクロムを介して金属磁性媒体３としてコバ
ルトに膜厚５ＯＯＸで被覆して磁気ディスク全作った。
抗磁力ＨＱＳ残留磁束密度Ｂｒ、角形性Ｓ、保磁力角形
性？はそれぞれ６０００θ、１３６０００１０８．０８
であった。
性？はそれぞれ６０００θ、１３６０００１０８．０８
であった。
比較例２
実施例１と同様に１−て白金を３５ａｔ、％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚５ｏｏｆで被覆し
て磁気ディスク全作った。抗磁力ＨＣ，残留磁束密度Ｂ
ｒ、角形性Ｓ、保磁力角形性ｓ％それぞれ８０００θ、
１１０００ Ｇ、 ０．８０．０．８０であった。
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚５ｏｏｆで被覆し
て磁気ディスク全作った。抗磁力ＨＣ，残留磁束密度Ｂ
ｒ、角形性Ｓ、保磁力角形性ｓ％それぞれ８０００θ、
１１０００ Ｇ、 ０．８０．０．８０であった。
以上実施例１〜１５および比較例１．２で示した磁気デ
ィスクを用いて電磁変換特性およびへ、ドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬属食試験を行なった結果、
次の特性を得た。電磁み変換特性についてけ実施例１〜
１５のディスク１（ついて４０．０００〜８０，０（Ｉ
ＯＦＲＰＩの記録密度が得られたが、比較例１．２のデ
ィスクでＵ ２０，０００ ＦＲＰＩの記録密度しか得
られなかった。ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタク
トスタートストップテスト全行なったところディスク表
面に傷は全く見られなかった。又、温度８０°Ｃ１相対
湿度９０％で６ケ月放置する環境試験全行な″）たとこ
る実施例１〜１５および比較例２についてはエラーの増
加数は全て０であったが、比較例１のディスクはエラー
が１００倍に増加（−た。最後に実施例１〜１５および
比較例１．２のディスクを切断して１５ ｒａｎ Ｘ
１５ｍｍの切片全作り、１ケ月間２ＩＣの水中に浸漬し
て飽和磁束密度Ｂｌｌの変化を調べたところ、第４図の
様な結果が得られた。第４図は磁気記憶体音２９Ｃの水
中に浸漬した時の飽和磁束密度１３ｓの変化率（８％
。、ＢＯは浸漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示１−
たものであり、値が１０に近い程耐食性が良い。す乃、
わち実施例１〜１５は１ケ月の水中浸漬後も「伯の変化
は全くなかったが比較例１は５０％、比較例２け２５
％ ＨＢが減少ｊ−た。υ上の結果から本発明の磁気記
憶体は優れた・耐食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高
記録密度特性を有していることが分った。
ィスクを用いて電磁変換特性およびへ、ドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬属食試験を行なった結果、
次の特性を得た。電磁み変換特性についてけ実施例１〜
１５のディスク１（ついて４０．０００〜８０，０（Ｉ
ＯＦＲＰＩの記録密度が得られたが、比較例１．２のデ
ィスクでＵ ２０，０００ ＦＲＰＩの記録密度しか得
られなかった。ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタク
トスタートストップテスト全行なったところディスク表
面に傷は全く見られなかった。又、温度８０°Ｃ１相対
湿度９０％で６ケ月放置する環境試験全行な″）たとこ
る実施例１〜１５および比較例２についてはエラーの増
加数は全て０であったが、比較例１のディスクはエラー
が１００倍に増加（−た。最後に実施例１〜１５および
比較例１．２のディスクを切断して１５ ｒａｎ Ｘ
１５ｍｍの切片全作り、１ケ月間２ＩＣの水中に浸漬し
て飽和磁束密度Ｂｌｌの変化を調べたところ、第４図の
様な結果が得られた。第４図は磁気記憶体音２９Ｃの水
中に浸漬した時の飽和磁束密度１３ｓの変化率（８％
。、ＢＯは浸漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示１−
たものであり、値が１０に近い程耐食性が良い。す乃、
わち実施例１〜１５は１ケ月の水中浸漬後も「伯の変化
は全くなかったが比較例１は５０％、比較例２け２５
％ ＨＢが減少ｊ−た。υ上の結果から本発明の磁気記
憶体は優れた・耐食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高
記録密度特性を有していることが分った。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図。
図中、１は基鈑、２は非磁性合金層、３は金属薄膜媒体
、４は保護膜である。第２図および３図は本磁気記憶体
に用いられる金属薄膜媒体に一１３＝ おける飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金属薄膜
媒体中のバナジウムまたはタングステンの原子パーセン
トによる変化を示した特性図。 第４図（は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 １４− 第１図 第２図 ■の含有量（αｔ、％） 第３図 酋じｐ波て薊猶斗番
、４は保護膜である。第２図および３図は本磁気記憶体
に用いられる金属薄膜媒体に一１３＝ おける飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金属薄膜
媒体中のバナジウムまたはタングステンの原子パーセン
トによる変化を示した特性図。 第４図（は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 １４− 第１図 第２図 ■の含有量（αｔ、％） 第３図 酋じｐ波て薊猶斗番
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層
が被覆され、該非磁性金楓 又は非磁性金属酸化物層上
にバナジウムと白金とコバルトからなる合金又はタング
ステンと白金とコバルトからなる合金の合金薄膜媒体が
被覆され、該合金薄膜媒体上に保＃膜が被覆されて構５
＋ｉ、されたこと（ｒ ｌ＋！ｆ徴とする磁気記憶体。 ２、非磁性金属層がニッケルー燐である特許請求の範囲
第１−項記載の磁気記憶体。 ３、非磁性酸化物Ｉ―が醸化アルミである柚許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体。 ４ 保護膜〃・オスミウム、ルテニウム、イリジウム、
マンガン、タングステンである特許請求の範囲ｍｌ！Ｊ
ｌ記載の磁気記憶体。 ５、保護膜がケイ素、チタン、タンタルオたなまハフニ
ウムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体、。 ６ 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金で
ある特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体０ ７、保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記載
の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988807A true JPS5988807A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0580805B2 JPH0580805B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16393357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198569A Granted JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021010490A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57198569A patent/JPS5988807A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021010490A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580805B2 (ja) | 1993-11-10 |
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