JPS5988807A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS5988807A JPS5988807A JP57198569A JP19856982A JPS5988807A JP S5988807 A JPS5988807 A JP S5988807A JP 57198569 A JP57198569 A JP 57198569A JP 19856982 A JP19856982 A JP 19856982A JP S5988807 A JPS5988807 A JP S5988807A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- alloy
- thin film
- metal
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
r−kT’0□03.CrO,、、Fe、Fe−Co等
の磁性体粒子全有機樹脂からなる結合剤中に混合分数し
て、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気
記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である
。
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
r−kT’0□03.CrO,、、Fe、Fe−Co等
の磁性体粒子全有機樹脂からなる結合剤中に混合分数し
て、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気
記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である
。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請により
、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が盛ん
に行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ、真
空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法によ
り作られる金属薄膜からなるものと、Jlt、空蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等の手法により作られ
る”e304又はr−Fe2O2等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属薄膜からなる磁気記録
媒体(以下金属薄膜媒体と称する)は高温、高湿下の様
な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金属
薄膜媒体はまだ知られていない。
、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が盛ん
に行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ、真
空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法によ
り作られる金属薄膜からなるものと、Jlt、空蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等の手法により作られ
る”e304又はr−Fe2O2等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属薄膜からなる磁気記録
媒体(以下金属薄膜媒体と称する)は高温、高湿下の様
な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金属
薄膜媒体はまだ知られていない。
本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気特性度を
有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する
磁気記憶体を提供−Iるものである。
有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する
磁気記憶体を提供−Iるものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非磁性金属
層又は非磁性金属酸化物層が抜機され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物l#上にバナジウムと白金とコバ
ルトからなる合金又はタングステンと白金とコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
層又は非磁性金属酸化物層が抜機され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物l#上にバナジウムと白金とコバ
ルトからなる合金又はタングステンと白金とコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護
膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
第1図において磁気記憶体の金属円盤1と1−てアルミ
合金が軽くて加工性が良く安価なことがら最も良く用い
られるが、場合によってはチタン合金が用いられること
もある。基盤表面は機械加工により小さなうねり(円周
方向で50 m以下、半径方向で100m以下)を有す
る面に仕上けられている。
合金が軽くて加工性が良く安価なことがら最も良く用い
られるが、場合によってはチタン合金が用いられること
もある。基盤表面は機械加工により小さなうねり(円周
方向で50 m以下、半径方向で100m以下)を有す
る面に仕上けられている。
次にこの基盤1の上に非磁性金属層2としてニッケルー
合金又は酸化アルミがめっきにより被&され、この下
地体2の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03
m 以下に鏡面仕上げされる。
合金又は酸化アルミがめっきにより被&され、この下
地体2の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03
m 以下に鏡面仕上げされる。
次に上記下地体2の鏡面研磨面上に金属磁性媒体3とし
てバナジウムまたはタングステンおよび白金を含むコバ
ルトからなる金属薄膜媒体が高周波スパーツタ法により
被覆される。次に上記金属薄膜媒体3の上にSiOに代
表される保il!膜4が高周波スパッタ法により被覆さ
れる。
てバナジウムまたはタングステンおよび白金を含むコバ
ルトからなる金属薄膜媒体が高周波スパーツタ法により
被覆される。次に上記金属薄膜媒体3の上にSiOに代
表される保il!膜4が高周波スパッタ法により被覆さ
れる。
金属薄膜媒体は抗磁力(Ha) 5’00〜1200Q
θにルステッド)、飽和磁束密度(B8)10,0OO
G(ガラス)以下角形比(8%8)0.7〜0.9
保磁力角形比(S*) 0.7〜09の範囲の磁気記録
媒体と1〜て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性
は金初薄膜よび角形性の、金属薄膜媒体中のバナジウム
またはタングステンの原子パーセントによる変化を示し
たものでバナジウム又はタングステンがそれぞれ1〜3
Q at、%、又は1〜2Qat係の範囲で昼記録密度
可能な磁気記憶媒体として使用出来る。
θにルステッド)、飽和磁束密度(B8)10,0OO
G(ガラス)以下角形比(8%8)0.7〜0.9
保磁力角形比(S*) 0.7〜09の範囲の磁気記録
媒体と1〜て優れたヒステリシス特性を示す。上記特性
は金初薄膜よび角形性の、金属薄膜媒体中のバナジウム
またはタングステンの原子パーセントによる変化を示し
たものでバナジウム又はタングステンがそれぞれ1〜3
Q at、%、又は1〜2Qat係の範囲で昼記録密度
可能な磁気記憶媒体として使用出来る。
以上の様に白金を含み、かつバナジウム父はタングステ
ン全それぞれ30原子パーセント以下、又は20原子パ
ーセント以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気
記録媒体として優れていることが分る。
ン全それぞれ30原子パーセント以下、又は20原子パ
ーセント以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気
記録媒体として優れていることが分る。
金属薄膜媒体3の上に被覆される保護膜は硬質であるこ
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム、5− イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窯化物または炭化物あるいけホウ素、炭素またけホウ素
と炭素の合金あるいけポリ珪酸が望寸しい さらに保護膜4の上にR−G(RはC数10〜40の飽
和又は不飽和炭化水素又けふり素化炭化水素Gけcoo
pr、 OHNH2、coof、 Sl < 017”
)3、CONH2などの官能基)からなる潤滑剤あるい
はフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラ70ロエ
チレンテロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム、5− イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窯化物または炭化物あるいけホウ素、炭素またけホウ素
と炭素の合金あるいけポリ珪酸が望寸しい さらに保護膜4の上にR−G(RはC数10〜40の飽
和又は不飽和炭化水素又けふり素化炭化水素Gけcoo
pr、 OHNH2、coof、 Sl < 017”
)3、CONH2などの官能基)からなる潤滑剤あるい
はフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラ70ロエ
チレンテロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
次にいくつかの例をあけて本発明を説明する。
実施例1
合金円盤1として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり(円 方向で50 m以下および半径方向で
10 rn以下)を有する面に仕上げられたディスク状
アルミニウム合金盤上に非磁性合金2としてニッケルー
燐合金を約50 mの厚さにめっきし、このニッケルー
燐めつき膜を最大表面粗さ0.02 m厚さ30 m
まで鏡面研磨仕上げした。
さなうねり(円 方向で50 m以下および半径方向で
10 rn以下)を有する面に仕上げられたディスク状
アルミニウム合金盤上に非磁性合金2としてニッケルー
燐合金を約50 mの厚さにめっきし、このニッケルー
燐めつき膜を最大表面粗さ0.02 m厚さ30 m
まで鏡面研磨仕上げした。
6−
次にこのニッケルー燐めつき膜の上に金属磁性媒体3と
して高周波スパッタ法によりアルゴン圧4 X 10
torr、パワー密度I W/crIにて膜厚・511
OAのバナジウムを9原子パーセント、白金全20原
子パーセント含むコバルト合金薄膜全被覆1.た。
して高周波スパッタ法によりアルゴン圧4 X 10
torr、パワー密度I W/crIにて膜厚・511
OAのバナジウムを9原子パーセント、白金全20原
子パーセント含むコバルト合金薄膜全被覆1.た。
さらにこの金属磁性媒体3の上に5ifl、 f 20
OAの膜厚に高周波スパッタ法により被覆して磁気ディ
スクを作った。抗磁力HC,残留磁束密度13r、* 角形性Sおよび保磁力角形性Sけそれぞれ9600θ、
6500G 、 0.85.0,85であった。
OAの膜厚に高周波スパッタ法により被覆して磁気ディ
スクを作った。抗磁力HC,残留磁束密度13r、* 角形性Sおよび保磁力角形性Sけそれぞれ9600θ、
6500G 、 0.85.0,85であった。
実施例2
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてタングステ
ンを6原子パーセント、白金を32原子パーセント含む
コバルト合金薄膜y 5oonの膜厚にて被覆して磁気
ディスクを作った。)lc、 Br、 Sおよび?はそ
れぞれ9500111.4500GXO,8、OBであ
った。
ンを6原子パーセント、白金を32原子パーセント含む
コバルト合金薄膜y 5oonの膜厚にて被覆して磁気
ディスクを作った。)lc、 Br、 Sおよび?はそ
れぞれ9500111.4500GXO,8、OBであ
った。
実施例3
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてタングステ
ンを3原子パーセント、白金を32原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚5ooXにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
ンを3原子パーセント、白金を32原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚5ooXにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
Ha、 BrX5XS*はそれぞれ12000s、 5
’1OO(Es O,85,085であった。
’1OO(Es O,85,085であった。
実施例4
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてバナジウム
を2原子パーセント、白金全20原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚300Xにて被* 覆して磁気ディスクを作った。HQ、 Br、 SXS
はそれぞれ11000θ、9600 G、0.85.0
85であった。
を2原子パーセント、白金全20原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚300Xにて被* 覆して磁気ディスクを作った。HQ、 Br、 SXS
はそれぞれ11000θ、9600 G、0.85.0
85であった。
実施例5
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてタングステ
ンを10原子パーセント、白金1に32原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を膜厚tsoofにて被覆して磁
気ディスクを作った。He、 13r、 S。
ンを10原子パーセント、白金1に32原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を膜厚tsoofにて被覆して磁
気ディスクを作った。He、 13r、 S。
Sはそれぞれ60000.3200G、 0.80.0
.80であったO 実施例6 実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてバナジウム
を13原子パーセント、白金全20原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚800Aにて被覆して磁気ディ
スクを作った。He、 nr、 s、 E”はそれぞれ
c+oooc、 5000G、 0.85.0.85で
あった。
.80であったO 実施例6 実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてバナジウム
を13原子パーセント、白金全20原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚800Aにて被覆して磁気ディ
スクを作った。He、 nr、 s、 E”はそれぞれ
c+oooc、 5000G、 0.85.0.85で
あった。
実施例7
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてタングステ
ン’+1−10原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚2(lnOAにて被覆
して磁気ディスクを作った )IC,Br、 S、?は
それぞれ8000e、3200G、 0.80.0.8
0fあツェ。
ン’+1−10原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚2(lnOAにて被覆
して磁気ディスクを作った )IC,Br、 S、?は
それぞれ8000e、3200G、 0.80.0.8
0fあツェ。
実施例8
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3と1−でバナジウ
ムを25原子パーセント、白金を20原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚500A’にて被覆して磁気
ディスクを作った。I(a、 Br、S、 d’はそれ
ぞれ7000θ、2000 G、 0.80.0.80
であった。
ムを25原子パーセント、白金を20原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚500A’にて被覆して磁気
ディスクを作った。I(a、 Br、S、 d’はそれ
ぞれ7000θ、2000 G、 0.80.0.80
であった。
実施例9
実施例1と同様に但し金属磁性媒体3としてタングステ
ンを15原子パーセント、白金に20IjA子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚s O(l Aにて被覆
して磁気ディスクを作った。HQ、、 13r、 &
S*はそれぞれ5500θ、2000α0.80.0.
80であった9一 実施例10 実施例1と同様にして但しアルゴン圧4X10torr
、パワー密度15 W//ctlにて磁気ディスクを作
った。
ンを15原子パーセント、白金に20IjA子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚s O(l Aにて被覆
して磁気ディスクを作った。HQ、、 13r、 &
S*はそれぞれ5500θ、2000α0.80.0.
80であった9一 実施例10 実施例1と同様にして但しアルゴン圧4X10torr
、パワー密度15 W//ctlにて磁気ディスクを作
った。
実施例11
実施例1と同様にして但しアルゴン圧8X10torr
、パワー密度15W/iにて磁気ディスクを作った。
、パワー密度15W/iにて磁気ディスクを作った。
実施例12
実施例2と同様にして但しアルゴン圧4X10torr
。
。
パワー密度15 W/iにて磁気ディスクを作った。
実施例13
実施例2と同様にして但しアルゴン圧8X10tOrr
。
。
パワー密度1sW/iにて磁気ディスクを作った。
実施例14
実施例」または2と同様にして但し非磁性合金層として
アルミニウム合金円盤1表面を陽極酸化により非磁性金
属酸化物層と1〜で酸化アルミf被覆しこの酸化アルミ
を最大表面粗さ0.02 +nまで鏡面研磨仕上げし
て、磁気ディスクを作った。
アルミニウム合金円盤1表面を陽極酸化により非磁性金
属酸化物層と1〜で酸化アルミf被覆しこの酸化アルミ
を最大表面粗さ0.02 +nまで鏡面研磨仕上げし
て、磁気ディスクを作った。
実施例15
実施例1または2と同様にして但し保護膜として10−
次の物質全それぞれスパッタ法により5ooAの厚比較
例1 実施例1と同様にして但しニッケルー燐めっき膜の上に
膜厚1 mのクロムを介して金属磁性媒体3としてコバ
ルトに膜厚5OOXで被覆して磁気ディスク全作った。
例1 実施例1と同様にして但しニッケルー燐めっき膜の上に
膜厚1 mのクロムを介して金属磁性媒体3としてコバ
ルトに膜厚5OOXで被覆して磁気ディスク全作った。
抗磁力HQS残留磁束密度Br、角形性S、保磁力角形
性?はそれぞれ6000θ、136000108.08
であった。
性?はそれぞれ6000θ、136000108.08
であった。
比較例2
実施例1と同様に1−て白金を35at、%残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚5oofで被覆し
て磁気ディスク全作った。抗磁力HC,残留磁束密度B
r、角形性S、保磁力角形性s%それぞれ8000θ、
11000 G、 0.80.0.80であった。
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚5oofで被覆し
て磁気ディスク全作った。抗磁力HC,残留磁束密度B
r、角形性S、保磁力角形性s%それぞれ8000θ、
11000 G、 0.80.0.80であった。
以上実施例1〜15および比較例1.2で示した磁気デ
ィスクを用いて電磁変換特性およびへ、ドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬属食試験を行なった結果、
次の特性を得た。電磁み変換特性についてけ実施例1〜
15のディスク1(ついて40.000〜80,0(I
OFRPIの記録密度が得られたが、比較例1.2のデ
ィスクでU 20,000 FRPIの記録密度しか得
られなかった。ヘッドとの摩耗試験は2万回のコンタク
トスタートストップテスト全行なったところディスク表
面に傷は全く見られなかった。又、温度80°C1相対
湿度90%で6ケ月放置する環境試験全行な″)たとこ
る実施例1〜15および比較例2についてはエラーの増
加数は全て0であったが、比較例1のディスクはエラー
が100倍に増加(−た。最後に実施例1〜15および
比較例1.2のディスクを切断して15 ran X
15mmの切片全作り、1ケ月間2ICの水中に浸漬し
て飽和磁束密度Bllの変化を調べたところ、第4図の
様な結果が得られた。第4図は磁気記憶体音29Cの水
中に浸漬した時の飽和磁束密度13sの変化率(8%
。、BOは浸漬前の飽和磁束密度)の時間変化を示1−
たものであり、値が10に近い程耐食性が良い。す乃、
わち実施例1〜15は1ケ月の水中浸漬後も「伯の変化
は全くなかったが比較例1は50%、比較例2け25
% HBが減少j−た。υ上の結果から本発明の磁気記
憶体は優れた・耐食性(耐環境性)及び耐摩耗性及び高
記録密度特性を有していることが分った。
ィスクを用いて電磁変換特性およびへ、ドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬属食試験を行なった結果、
次の特性を得た。電磁み変換特性についてけ実施例1〜
15のディスク1(ついて40.000〜80,0(I
OFRPIの記録密度が得られたが、比較例1.2のデ
ィスクでU 20,000 FRPIの記録密度しか得
られなかった。ヘッドとの摩耗試験は2万回のコンタク
トスタートストップテスト全行なったところディスク表
面に傷は全く見られなかった。又、温度80°C1相対
湿度90%で6ケ月放置する環境試験全行な″)たとこ
る実施例1〜15および比較例2についてはエラーの増
加数は全て0であったが、比較例1のディスクはエラー
が100倍に増加(−た。最後に実施例1〜15および
比較例1.2のディスクを切断して15 ran X
15mmの切片全作り、1ケ月間2ICの水中に浸漬し
て飽和磁束密度Bllの変化を調べたところ、第4図の
様な結果が得られた。第4図は磁気記憶体音29Cの水
中に浸漬した時の飽和磁束密度13sの変化率(8%
。、BOは浸漬前の飽和磁束密度)の時間変化を示1−
たものであり、値が10に近い程耐食性が良い。す乃、
わち実施例1〜15は1ケ月の水中浸漬後も「伯の変化
は全くなかったが比較例1は50%、比較例2け25
% HBが減少j−た。υ上の結果から本発明の磁気記
憶体は優れた・耐食性(耐環境性)及び耐摩耗性及び高
記録密度特性を有していることが分った。
第1図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図。
図中、1は基鈑、2は非磁性合金層、3は金属薄膜媒体
、4は保護膜である。第2図および3図は本磁気記憶体
に用いられる金属薄膜媒体に一13= おける飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金属薄膜
媒体中のバナジウムまたはタングステンの原子パーセン
トによる変化を示した特性図。 第4図(は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 14− 第1図 第2図 ■の含有量(αt、%) 第3図 酋じp波て薊猶斗番
、4は保護膜である。第2図および3図は本磁気記憶体
に用いられる金属薄膜媒体に一13= おける飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金属薄膜
媒体中のバナジウムまたはタングステンの原子パーセン
トによる変化を示した特性図。 第4図(は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 14− 第1図 第2図 ■の含有量(αt、%) 第3図 酋じp波て薊猶斗番
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層
が被覆され、該非磁性金楓 又は非磁性金属酸化物層上
にバナジウムと白金とコバルトからなる合金又はタング
ステンと白金とコバルトからなる合金の合金薄膜媒体が
被覆され、該合金薄膜媒体上に保#膜が被覆されて構5
+i、されたこと(r l+!f徴とする磁気記憶体。 2、非磁性金属層がニッケルー燐である特許請求の範囲
第1−項記載の磁気記憶体。 3、非磁性酸化物I―が醸化アルミである柚許請求の範
囲第1項記載の磁気記憶体。 4 保護膜〃・オスミウム、ルテニウム、イリジウム、
マンガン、タングステンである特許請求の範囲ml!J
l記載の磁気記憶体。 5、保護膜がケイ素、チタン、タンタルオたなまハフニ
ウムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請求の範
囲第1項記載の磁気記憶体、。 6 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金で
ある特許請求の範囲第1項記載の磁気記憶体0 7、保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第1項記載
の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5988807A true JPS5988807A (ja) | 1984-05-22 |
JPH0580805B2 JPH0580805B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16393357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57198569A Granted JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5988807A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021010490A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57198569A patent/JPS5988807A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021010490A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0580805B2 (ja) | 1993-11-10 |
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