JPS5984589A - アバランシフオトダイオード - Google Patents
アバランシフオトダイオードInfo
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
-
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- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体受光装置、特に増倍雑音が低減される構
造を備えて、受光波長1(lzm:]以上の帯域に適す
る半導体受光装置に関する。
造を備えて、受光波長1(lzm:]以上の帯域に適す
る半導体受光装置に関する。
(b) 技術の背景
光を情報信号の操体とする光通信及びその他の産業、民
生分野において、光信号を電気信号に変換する半導体受
光装置は重要で基本的な宿成要素の一つであシ既に多数
実用化されている。これらの半導体受光装置のうち、光
電流がなだれ降伏によって増倍されて感度が高められた
アバランシフォトダイオード(以下APDと略称する)
は光検波器の信号対雑音比を改善する効果が大きい。
生分野において、光信号を電気信号に変換する半導体受
光装置は重要で基本的な宿成要素の一つであシ既に多数
実用化されている。これらの半導体受光装置のうち、光
電流がなだれ降伏によって増倍されて感度が高められた
アバランシフォトダイオード(以下APDと略称する)
は光検波器の信号対雑音比を改善する効果が大きい。
また光通信の伝送に用いられる石英(Sin2)系光フ
ァイバの材料盆散(屈折率の波長依存性に基づく)は波
長1.3〔μm〕付近において非常に小さくなり、材料
分散と構造分散(伝搬定数の波長依存性に基づく)との
和すなわちモード内分散は波長1.3乃至1.5〔μm
〕において小さくなる。
ァイバの材料盆散(屈折率の波長依存性に基づく)は波
長1.3〔μm〕付近において非常に小さくなり、材料
分散と構造分散(伝搬定数の波長依存性に基づく)との
和すなわちモード内分散は波長1.3乃至1.5〔μm
〕において小さくなる。
従って光通信用の半導体受光装置として波長1〔μm〕
以上の帯域特に1.3〔μm〕乃至1,6〔μm〕程度
の帯域において優れた特性を有するAPDが要求されて
いる。
以上の帯域特に1.3〔μm〕乃至1,6〔μm〕程度
の帯域において優れた特性を有するAPDが要求されて
いる。
(C:! 従来技術と問題点
波長1〔μrn)以上の帯域を対象とするApDとして
は、既にゲルマニウム(Ge)又は■−v族化合物半導
体を用いて多くの提案がなされているが、インジウム・
ガリウム争砒素(InGaAs)を光吸収層に用いだA
PDの一例の断面図を第1図に示す0 第1図において、1は+1+型InP基板、2はn型I
nGaAs光吸収層、3はn型1nP増倍層、4はIn
P層中に形成されたp十型領域、5はガードリング効果
を有するp型領域、6は絶縁膜、7はp側電極、8はn
側電極である。
は、既にゲルマニウム(Ge)又は■−v族化合物半導
体を用いて多くの提案がなされているが、インジウム・
ガリウム争砒素(InGaAs)を光吸収層に用いだA
PDの一例の断面図を第1図に示す0 第1図において、1は+1+型InP基板、2はn型I
nGaAs光吸収層、3はn型1nP増倍層、4はIn
P層中に形成されたp十型領域、5はガードリング効果
を有するp型領域、6は絶縁膜、7はp側電極、8はn
側電極である。
このAPDにn側電極8を正、p側電極7を負の41性
とする逆バイアス電圧を印加することによりpn接合す
なわちp+型領領域4n型Inp増倍層3との界面付近
に空乏層が形成され、これがn型InGaAs光吸収層
2までひろがシこの空乏層内で、入力信号光によって福
1子が伝導帯に励起されることによって、電子正孔対が
発生し、電子はn制電I′Ii、8、止孔はp側電極7
に向ってドリフトし、n型InP増倍層3に訃いてはと
の正孔を一次キャリアとするなだれ増倍が行なわれる。
とする逆バイアス電圧を印加することによりpn接合す
なわちp+型領領域4n型Inp増倍層3との界面付近
に空乏層が形成され、これがn型InGaAs光吸収層
2までひろがシこの空乏層内で、入力信号光によって福
1子が伝導帯に励起されることによって、電子正孔対が
発生し、電子はn制電I′Ii、8、止孔はp側電極7
に向ってドリフトし、n型InP増倍層3に訃いてはと
の正孔を一次キャリアとするなだれ増倍が行なわれる。
なだれ増倍の過程においてはキャリアと結晶格子を構成
する原子との衝突回数に統計的なゆらぎが存在して、こ
れによって固有のショット雑音が現われる。この雑音は
通常増倍雑音と呼ばれる。
する原子との衝突回数に統計的なゆらぎが存在して、こ
れによって固有のショット雑音が現われる。この雑音は
通常増倍雑音と呼ばれる。
なだれ増イ14の過程において、電子が単位長当たり衝
突電離を起す回数、すなわち電子のイオン化率をα、正
孔のイオン化率をβとし、イオン化率比kを β ■(=□ α とするとき、k″:1の場合には、2次キャリアが何れ
も衝突′m、離を起すために、少い回数の衝突電離でも
高い電流増倍率が和ら11る。し7かし、なから衝突回
数の統計的なゆらぎが太き力増倍雑音となって現われる
〇 他方例えばk((1の場合には正孔による増倍は起きず
、電子だけが多数回の衝突電離を繰返す、従って衝突回
αの統計的ゆらぎ娃あまシ問題にならず、増倍雑音は少
ない。正孔のイオン化率βが電子のイオン化率αよシ充
分に大きいに一!(1の場合も同様である。
突電離を起す回数、すなわち電子のイオン化率をα、正
孔のイオン化率をβとし、イオン化率比kを β ■(=□ α とするとき、k″:1の場合には、2次キャリアが何れ
も衝突′m、離を起すために、少い回数の衝突電離でも
高い電流増倍率が和ら11る。し7かし、なから衝突回
数の統計的なゆらぎが太き力増倍雑音となって現われる
〇 他方例えばk((1の場合には正孔による増倍は起きず
、電子だけが多数回の衝突電離を繰返す、従って衝突回
αの統計的ゆらぎ娃あまシ問題にならず、増倍雑音は少
ない。正孔のイオン化率βが電子のイオン化率αよシ充
分に大きいに一!(1の場合も同様である。
前記のイオン化率α及びβは電界の増大に伴って当然に
増大するが、更にイオン化率比k又はに−1は電界の1
<<、1大に伴って1に近づき増倍雑音が増加する。
増大するが、更にイオン化率比k又はに−1は電界の1
<<、1大に伴って1に近づき増倍雑音が増加する。
従って、APDO増倍雑音を低減させるために電子と正
孔とのイオン化率に可能な限りの大きい差異が求められ
て、その具体的方法としてはなだれ降伏を発生させる半
導体材料の選択、W、界強度の最適、化などが一般に行
なわれている。
孔とのイオン化率に可能な限りの大きい差異が求められ
て、その具体的方法としてはなだれ降伏を発生させる半
導体材料の選択、W、界強度の最適、化などが一般に行
なわれている。
この電子と正孔とのイオン化率11Sの拡大は1だ、第
2図に例示する如くエネルギ帯に傾斜を与えることによ
っても可能であることが既に報告されている。第2区1
に示した例においては半導体の禁制帯幅が電子の走行方
行に次第に減少する構造によって、Wヤリアである電子
のエネルギーの禁制帯幅に対する比が禁制帯幅が一定で
ある構造に比較して急速に増大することによって、電子
のイオン化率αが増加]7ている。
2図に例示する如くエネルギ帯に傾斜を与えることによ
っても可能であることが既に報告されている。第2区1
に示した例においては半導体の禁制帯幅が電子の走行方
行に次第に減少する構造によって、Wヤリアである電子
のエネルギーの禁制帯幅に対する比が禁制帯幅が一定で
ある構造に比較して急速に増大することによって、電子
のイオン化率αが増加]7ている。
しかしながら第2図の例においては、−次キャリアとな
る電子の発化すなわち光の吸収は禁制帯幅が最大の」で
導体領域で行なわれることが前提条件とされており、波
長1[Aml以]二の帯域を対象とするApntcつい
てこの構造を仮にその寸ま適用するならば、禁制帯幅が
極めて小さい半導体月料を使用することを余儀なくされ
て暗電流の増大などの問題を生じ、他方従来研究されて
いる半導体材斜傾よっては禁制帯幅が小さい領域でのみ
光の吸収が行なわれて、イオン化率の大きいキャリア、
前記例では電子の効果的な注入がなされず、増倍雑音は
逆に増大する。
る電子の発化すなわち光の吸収は禁制帯幅が最大の」で
導体領域で行なわれることが前提条件とされており、波
長1[Aml以]二の帯域を対象とするApntcつい
てこの構造を仮にその寸ま適用するならば、禁制帯幅が
極めて小さい半導体月料を使用することを余儀なくされ
て暗電流の増大などの問題を生じ、他方従来研究されて
いる半導体材斜傾よっては禁制帯幅が小さい領域でのみ
光の吸収が行なわれて、イオン化率の大きいキャリア、
前記例では電子の効果的な注入がなされず、増倍雑音は
逆に増大する。
従ってイオン化率比を禁制帯幅に傾斜を力えることによ
って拡大する構造を有効に実用化するためには、特に波
長1〔μm3以上を対象とするA I) Dについては
、イオン化率の大なるキャリアが前記禁制帯幅に傾斜が
与えられた半導体層に効果的に注入される構造がこれと
一体化して構成されることが必要である。
って拡大する構造を有効に実用化するためには、特に波
長1〔μm3以上を対象とするA I) Dについては
、イオン化率の大なるキャリアが前記禁制帯幅に傾斜が
与えられた半導体層に効果的に注入される構造がこれと
一体化して構成されることが必要である。
((◇ 発明ガ目的
本発明は、イオン化率の犬なるキャリアのイオン化率が
禁制帯幅の傾斜又は段差によって更に増大されて増倍雑
音が低減される、特に波1〉1〔μm〕以上の帯域に適
するアバランシフォトダイオードを提供することを目的
とする。
禁制帯幅の傾斜又は段差によって更に増大されて増倍雑
音が低減される、特に波1〉1〔μm〕以上の帯域に適
するアバランシフォトダイオードを提供することを目的
とする。
(e) 発明の構成
本発明の前記目的は、第1導電型の第1半導体層と、該
第1半導体層に接して、禁制帯幅が該第1半導体層よυ
大でありかつその厚さ方向の中間の位置において最大と
なる如く分布する第1導電型の第2半導体層と、該第2
半導体層に接して、禁制帯幅が該第2半導体層の接触部
以下でかつ前記第1半導体層よシ大である第2導電型の
第3半導体領域とを備え、該第2導電型の半導体領域を
受光部どしてなる半導体受光装置によシ達成される0 前記の第2半導体層は、禁制帯幅が連続的に増加して再
び減少する様に組成が連続的に変化する構造、或いは禁
制帯幅が最大である層の両側で段階的に減少する様に複
数の組成の異なる層が積層された構造、又は連続的変化
と段階的変化の双方を含む構造の何れであってもよい。
第1半導体層に接して、禁制帯幅が該第1半導体層よυ
大でありかつその厚さ方向の中間の位置において最大と
なる如く分布する第1導電型の第2半導体層と、該第2
半導体層に接して、禁制帯幅が該第2半導体層の接触部
以下でかつ前記第1半導体層よシ大である第2導電型の
第3半導体領域とを備え、該第2導電型の半導体領域を
受光部どしてなる半導体受光装置によシ達成される0 前記の第2半導体層は、禁制帯幅が連続的に増加して再
び減少する様に組成が連続的に変化する構造、或いは禁
制帯幅が最大である層の両側で段階的に減少する様に複
数の組成の異なる層が積層された構造、又は連続的変化
と段階的変化の双方を含む構造の何れであってもよい。
本発明の半導体受光装置においては、前記第1光吸収領
截で発生した電子正孔対のうちなだれ降伏のイオン化率
の大なるキャリアが増倍領域に注入されて、その走行方
向の禁制帯幅が次第に減少することによってイオン化率
が増大する。
截で発生した電子正孔対のうちなだれ降伏のイオン化率
の大なるキャリアが増倍領域に注入されて、その走行方
向の禁制帯幅が次第に減少することによってイオン化率
が増大する。
また前記第2半導体層の最大禁制帯幅と光吸収領域とす
る前記第1半導体層の禁制帯幅との間には大きい差を生
ずるが、この間に禁制帯幅が次第に増加する遷移領域が
挿入されることによって前記のイオン化率の大なるキャ
リアが高速で増倍領域に注入される。
る前記第1半導体層の禁制帯幅との間には大きい差を生
ずるが、この間に禁制帯幅が次第に増加する遷移領域が
挿入されることによって前記のイオン化率の大なるキャ
リアが高速で増倍領域に注入される。
(f) 発明の実施例
以下本発明を実施例によシ図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第3図は本発明の実施例であるI−V族化合物半導体A
PDの断面図、第4図はこの実施例のAPDに所定の電
圧を印加したときのエネルギ帯を示す図であって、同一
符号によって相当する位置を示す。
PDの断面図、第4図はこの実施例のAPDに所定の電
圧を印加したときのエネルギ帯を示す図であって、同一
符号によって相当する位置を示す。
図において、11はn+型InP基板、12はn型In
GaAs光吸収層、13a乃至13fは本発明にかかる
n型半導体層、14はp+型半導体領域、15けガ、−
ドリング効果を有するp型領域、16は絶縁膜、17は
p側電極、18はn側電極である0 本実施例における各半導体層又は領域は下記の組成及び
禁制帯幅を有する。
GaAs光吸収層、13a乃至13fは本発明にかかる
n型半導体層、14はp+型半導体領域、15けガ、−
ドリング効果を有するp型領域、16は絶縁膜、17は
p側電極、18はn側電極である0 本実施例における各半導体層又は領域は下記の組成及び
禁制帯幅を有する。
12 ;組成IuGaAs、禁制帯幅Ea=0.75〔
eV:]13a:組成InGaAsPI EG=1.0
5(eV)13b:#1成1nP、EG=1.35[a
V)13c:組成AlInAs、 Ec=1.45 (
oV〕13d1組成InP、 EG=1.35[eV〕
13e:組成InG’aAsP、 Ec=1.2(eV
)13f 二組酸InGaAsP、EC=1.0(eV
:]14 :組成InGaAsP、 EG=1.0(e
V)ここで12乃至13fの各半導体層はInP基板1
1上に液相エピタキシャル成長方法、分子線エピタキシ
ャル成長方法等の方法によって順次成長して形成し、p
+m生導体領域14は例えばカドミウム(Cd)をIn
GaAsP層13fに選択的に導入して形成する。更に
p型領域15は例えばべIJ IJウム(Be )を選
択的にイオン注入することによって形成される。
eV:]13a:組成InGaAsPI EG=1.0
5(eV)13b:#1成1nP、EG=1.35[a
V)13c:組成AlInAs、 Ec=1.45 (
oV〕13d1組成InP、 EG=1.35[eV〕
13e:組成InG’aAsP、 Ec=1.2(eV
)13f 二組酸InGaAsP、EC=1.0(eV
:]14 :組成InGaAsP、 EG=1.0(e
V)ここで12乃至13fの各半導体層はInP基板1
1上に液相エピタキシャル成長方法、分子線エピタキシ
ャル成長方法等の方法によって順次成長して形成し、p
+m生導体領域14は例えばカドミウム(Cd)をIn
GaAsP層13fに選択的に導入して形成する。更に
p型領域15は例えばべIJ IJウム(Be )を選
択的にイオン注入することによって形成される。
本実施例においては、正孔のイオン化率βが電子のイオ
ン化率αより大であって、正孔は禁制帯幅が最大である
AlInAs層13c通過後pn接合に近づくにつれて
より大きなイオン化率を持つようになる。一方なだれ降
伏によって発生した電子はpn接合から遠ざかる方向に
走行し、禁制帯幅が次第に増大して最大禁制帯幅のN1
3 cに到ることによってイオン化率は減少してイオン
化率比l(−β/αが拡大される。この結果光に述べた
如く増倍雑音が低減される。
ン化率αより大であって、正孔は禁制帯幅が最大である
AlInAs層13c通過後pn接合に近づくにつれて
より大きなイオン化率を持つようになる。一方なだれ降
伏によって発生した電子はpn接合から遠ざかる方向に
走行し、禁制帯幅が次第に増大して最大禁制帯幅のN1
3 cに到ることによってイオン化率は減少してイオン
化率比l(−β/αが拡大される。この結果光に述べた
如く増倍雑音が低減される。
また本発明によれば、pn接合を禁制帯幅が、比較的に
大き゛い半導体層内に形成することができるために、ト
ンネル効果による暗Mt 6ft:が抑制されて低暗電
流となる効果も得ることができる。
大き゛い半導体層内に形成することができるために、ト
ンネル効果による暗Mt 6ft:が抑制されて低暗電
流となる効果も得ることができる。
以上説明した実施例の半導体受光装置は、波長165〔
μm〕に達する受光波長帯域を有し、なだれ降伏電圧の
90〔%〕の逆バイアス’rW、I’、Eを印加すると
きの暗電油;は9kJO[nA:]程度が得られる。
μm〕に達する受光波長帯域を有し、なだれ降伏電圧の
90〔%〕の逆バイアス’rW、I’、Eを印加すると
きの暗電油;は9kJO[nA:]程度が得られる。
また増倍雑音d、イオン化率比をパラメータとしてk
210となるため従来の■−V族受光受光素子1(=2
乃至3に1ヒベて 大きいものとなり、低雑音4.+f
性がイqられる。
210となるため従来の■−V族受光受光素子1(=2
乃至3に1ヒベて 大きいものとなり、低雑音4.+f
性がイqられる。
(g) 発明の効果
以」肩;と明した如く本発明によれば、ギヤリアのイオ
ン化率比が半導体材料固不の値より拡大される効果が得
られて、APDの祥追のうt)/lNも大きい要素であ
る増倍杼音が減少し2、頽に暗’f1+、 yli’、
の抑制も可能であって、特に光通信の主流である波長]
、 C7tm 、1以上の帯域において優秀な特性を有
する半導鉢受′)r、装置をjH供することが可能とな
る。
ン化率比が半導体材料固不の値より拡大される効果が得
られて、APDの祥追のうt)/lNも大きい要素であ
る増倍杼音が減少し2、頽に暗’f1+、 yli’、
の抑制も可能であって、特に光通信の主流である波長]
、 C7tm 、1以上の帯域において優秀な特性を有
する半導鉢受′)r、装置をjH供することが可能とな
る。
第11;<i−従来のA P I−)の例を示す断面図
、第2図は既にりjlられているイオン化率比拡大方法
の説明しI、第3し]1は本発明の実施列を示す断面図
、第4し1はそのエネルギ帯を示す1図である。 図において、Jlはn″−型111P基板、12はn型
InGaAs光吸収層、13a乃至]、 3 fは本発
明の特徴とするn型半渚体層、14はl)+型半導体領
域、15に1p型ガードリング領域、J6は絶縁膜、1
7はpjlll ’t’j、4i、18はnイ1Ill
Ilf、 7J %−示す。 才1(B 才 2 図 第3図 ?4 図
、第2図は既にりjlられているイオン化率比拡大方法
の説明しI、第3し]1は本発明の実施列を示す断面図
、第4し1はそのエネルギ帯を示す1図である。 図において、Jlはn″−型111P基板、12はn型
InGaAs光吸収層、13a乃至]、 3 fは本発
明の特徴とするn型半渚体層、14はl)+型半導体領
域、15に1p型ガードリング領域、J6は絶縁膜、1
7はpjlll ’t’j、4i、18はnイ1Ill
Ilf、 7J %−示す。 才1(B 才 2 図 第3図 ?4 図
Claims (1)
- 第1導電型のKfJl半導体層と、該第1半導体層に接
して、禁制帯幅が該第1半導体層よp大であシかつその
厚さ方向の中間の位置において最大となる如く分布する
第1導電型の第2半導体層と、該第2半導体層に接して
、禁制帯幅が核第2半導体層の接触部以下でかつ前記第
1半導体層よシ大である第2導電型の半導体領域とを(
+ftiえ、該第2導電型の半導体領域を受光部として
なることを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195519A JPS5984589A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | アバランシフオトダイオード |
CA000439833A CA1237511A (en) | 1982-11-08 | 1983-10-27 | Avalanche photodiode |
DE8383306533T DE3379248D1 (en) | 1982-11-08 | 1983-10-27 | Semiconductor device for receiving light and providing an electrical signal |
EP83306533A EP0108561B1 (en) | 1982-11-08 | 1983-10-27 | Semiconductor device for receiving light and providing an electrical signal |
KR8305220A KR880000976B1 (en) | 1982-11-08 | 1983-11-03 | Photoreceptive device |
US06/900,249 US4701773A (en) | 1982-11-08 | 1986-08-25 | Semiconductor device for receiving light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57195519A JPS5984589A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | アバランシフオトダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984589A true JPS5984589A (ja) | 1984-05-16 |
JPH0433148B2 JPH0433148B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=16342430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57195519A Granted JPS5984589A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | アバランシフオトダイオード |
Country Status (6)
Country | Link |
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EP (1) | EP0108561B1 (ja) |
JP (1) | JPS5984589A (ja) |
KR (1) | KR880000976B1 (ja) |
CA (1) | CA1237511A (ja) |
DE (1) | DE3379248D1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0594442A2 (en) * | 1992-10-22 | 1994-04-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Schottky junction device |
KR100403824B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
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JP3828982B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子 |
AU3951500A (en) * | 1999-04-15 | 2000-11-02 | Trenton G. Coroy | Photodiodes with photoconductive gain enhancement |
CN102157599B (zh) * | 2010-09-25 | 2013-03-13 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法 |
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US4254429A (en) * | 1978-07-08 | 1981-03-03 | Shunpei Yamazaki | Hetero junction semiconductor device |
US4250516A (en) * | 1979-08-06 | 1981-02-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Multistage avalanche photodetector |
US4353081A (en) * | 1980-01-29 | 1982-10-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Graded bandgap rectifying semiconductor devices |
US4442444A (en) * | 1980-07-08 | 1984-04-10 | Fujitsu Limited | Avalanche photodiodes |
US4383269A (en) * | 1980-09-19 | 1983-05-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Graded bandgap photodetector |
US4390889A (en) * | 1980-10-09 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photodiode having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction |
JPS5793585A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photoreceiving element |
US4473835A (en) * | 1981-06-19 | 1984-09-25 | At&T Bell Laboratories | Long wavelength avalanche photodetector |
US4486765A (en) * | 1981-12-07 | 1984-12-04 | At&T Bell Laboratories | Avalanche photodetector including means for separating electrons and holes |
US4476477A (en) * | 1982-02-23 | 1984-10-09 | At&T Bell Laboratories | Graded bandgap multilayer avalanche photodetector with energy step backs |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57195519A patent/JPS5984589A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-27 DE DE8383306533T patent/DE3379248D1/de not_active Expired
- 1983-10-27 CA CA000439833A patent/CA1237511A/en not_active Expired
- 1983-10-27 EP EP83306533A patent/EP0108561B1/en not_active Expired
- 1983-11-03 KR KR8305220A patent/KR880000976B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-08-25 US US06/900,249 patent/US4701773A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0234977A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出器及びその製造法 |
EP0594442A2 (en) * | 1992-10-22 | 1994-04-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Schottky junction device |
EP0594442A3 (en) * | 1992-10-22 | 1995-03-15 | Furukawa Electric Co Ltd | Schottky junction device. |
KR100403824B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0433148B2 (ja) | 1992-06-02 |
EP0108561B1 (en) | 1989-02-22 |
EP0108561A2 (en) | 1984-05-16 |
DE3379248D1 (en) | 1989-03-30 |
EP0108561A3 (en) | 1985-12-04 |
CA1237511A (en) | 1988-05-31 |
US4701773A (en) | 1987-10-20 |
KR880000976B1 (en) | 1988-06-07 |
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