JPS59163878A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPS59163878A JPS59163878A JP58038519A JP3851983A JPS59163878A JP S59163878 A JPS59163878 A JP S59163878A JP 58038519 A JP58038519 A JP 58038519A JP 3851983 A JP3851983 A JP 3851983A JP S59163878 A JPS59163878 A JP S59163878A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
+a+ 発明の技術分野
本発明は半導体受光装置、特に受光波長1〔珈〕以上1
.65Cμm〕以内の帯域に適合して雑音が物性的制約
を超えて低減される構造を有するアバランシフォトダイ
オードに関する。
.65Cμm〕以内の帯域に適合して雑音が物性的制約
を超えて低減される構造を有するアバランシフォトダイ
オードに関する。
(1))技術の背景
光を情報信号の媒体とする光通信その他のシステムにお
いて、光信号を電気信号に変換する半導体受光装置は重
要で基本的な構成要素の一つであり、既に多数実用化さ
れている。これらの半導体受光装置のうち、光電流がな
だれ降伏によって増倍されて感度が高められるアバラン
シフォトダイオード(以下APDと略称する)は光検知
器の信号対雑音比を改善する効果が大きい。
いて、光信号を電気信号に変換する半導体受光装置は重
要で基本的な構成要素の一つであり、既に多数実用化さ
れている。これらの半導体受光装置のうち、光電流がな
だれ降伏によって増倍されて感度が高められるアバラン
シフォトダイオード(以下APDと略称する)は光検知
器の信号対雑音比を改善する効果が大きい。
半導体受光装置応用の代表例として光フアイバ通信にお
いては、光伝送に用いられる石英(sro2)系光ファ
イバの材料分散(屈折率の波長依存性に基づく)は波長
1.3〔μm〕付近において非常に小さくなり材料分散
と構造分散(伝搬定数の波長依存性に基づく)との和す
なわちモード内分散は波長1.3乃至1.55Cμm〕
において小さくなる。
いては、光伝送に用いられる石英(sro2)系光ファ
イバの材料分散(屈折率の波長依存性に基づく)は波長
1.3〔μm〕付近において非常に小さくなり材料分散
と構造分散(伝搬定数の波長依存性に基づく)との和す
なわちモード内分散は波長1.3乃至1.55Cμm〕
において小さくなる。
従って光通信用の半導体受光装置として波長1〔μm〕
以上の帯域特に1.3〔μm〕乃至1.65(μm〕程
度の帯域において優れた特性を有するAPDが要求され
ている。
以上の帯域特に1.3〔μm〕乃至1.65(μm〕程
度の帯域において優れた特性を有するAPDが要求され
ている。
(C1従来技術と問題点
波長1〔μm〕以上の帯域を対象とするAPDとしては
、既にゲルマニウム(Ge)又はTTT −V族化合物
半導体を用いて多くの提案がなされている。
、既にゲルマニウム(Ge)又はTTT −V族化合物
半導体を用いて多くの提案がなされている。
■−v族化合物半導体のうち、インジウム・燐(InP
)結晶に格子整合するインジウム・ガリウム・砒素(I
nGaAs )もしくはインジウム・ガリウム・砒素・
燐(InGaAsP )混晶を用いだAPDは、この波
長帯域において良好々受光感度をもち、かつ現在実用化
されているGeに比較して低雑音、低暗電流となる物性
をもつために、この波長帯域に対応する受光装置として
重要な位置を占めている。
)結晶に格子整合するインジウム・ガリウム・砒素(I
nGaAs )もしくはインジウム・ガリウム・砒素・
燐(InGaAsP )混晶を用いだAPDは、この波
長帯域において良好々受光感度をもち、かつ現在実用化
されているGeに比較して低雑音、低暗電流となる物性
をもつために、この波長帯域に対応する受光装置として
重要な位置を占めている。
第1図はI nP −I nGaAs系APDの代表的
構造を示す断面図である。図において、1はn++In
P基板、2はn型InPバッファ層、3はn型I nG
aA(s光吸収層、4はn型InPウィンド層、5はI
nPウィンド層4に形成されたp型領域、6はガードリ
ングを構成するp型領域、7は保護絶縁膜、8は反射防
止膜、9はp側電極、10はn側電極を示す。
構造を示す断面図である。図において、1はn++In
P基板、2はn型InPバッファ層、3はn型I nG
aA(s光吸収層、4はn型InPウィンド層、5はI
nPウィンド層4に形成されたp型領域、6はガードリ
ングを構成するp型領域、7は保護絶縁膜、8は反射防
止膜、9はp側電極、10はn側電極を示す。
このAPDにn側電極10を正、p側電極9を負の極性
とする逆バイアー電圧を印加することにより、p?接合
すなわちp+型領領域5n型InPウィンド層4との界
面を挟んで空乏層が形成され、これがn型I nGaA
s光吸収層3までひろがり、この光吸収層3内で入力信
号光によって電子が伝導帯に励起されることによって、
電子正孔対が発生し、電子はn(I′III電極10、
正孔はp側電極9に向ってドリフトし、n型InPウィ
ンド層4においてはとの正孔を一次キャリアとするなだ
れ増倍が行なわれる。このためにn型InPウィンド層
4はまた増倍層もしくは増倍領域とも呼ばれる。
とする逆バイアー電圧を印加することにより、p?接合
すなわちp+型領領域5n型InPウィンド層4との界
面を挟んで空乏層が形成され、これがn型I nGaA
s光吸収層3までひろがり、この光吸収層3内で入力信
号光によって電子が伝導帯に励起されることによって、
電子正孔対が発生し、電子はn(I′III電極10、
正孔はp側電極9に向ってドリフトし、n型InPウィ
ンド層4においてはとの正孔を一次キャリアとするなだ
れ増倍が行なわれる。このためにn型InPウィンド層
4はまた増倍層もしくは増倍領域とも呼ばれる。
なだれ増倍の過程においてはキャリアと結晶格子を構成
する原子との衝突回数に統計的なゆらぎが存在して、こ
れによって固有のショット雑音が現われる。この雑音は
通常増倍雑音と呼ばれる。
する原子との衝突回数に統計的なゆらぎが存在して、こ
れによって固有のショット雑音が現われる。この雑音は
通常増倍雑音と呼ばれる。
なだれ増倍の過程において、電子が単位長当たり衝突電
離を起す回数すなわち電子のイオン化率をα、正正孔イ
オン化率をβとするとき、イオン化率比k(β/αもし
くはα/β)が1に近いときに増倍雑音が大きく、イオ
ン化率比が大きいと3− きに増倍雑音は減少する。
離を起す回数すなわち電子のイオン化率をα、正正孔イ
オン化率をβとするとき、イオン化率比k(β/αもし
くはα/β)が1に近いときに増倍雑音が大きく、イオ
ン化率比が大きいと3− きに増倍雑音は減少する。
先に説明したI nP −I nGaAs系APDの従
来例においてはイオン化率比に=α/βは2乃至3程度
と小さく、その増倍雑音には物性的制約がある。
来例においてはイオン化率比に=α/βは2乃至3程度
と小さく、その増倍雑音には物性的制約がある。
他方、種々の半導体装置に関して超格子構造の導入が提
案されており、APDに関しても増倍層をガリウム・砒
素(GaAs )とガリウムΦアルミニウム・砒素(G
aAtAs )とが交互に積層された超格子構造として
、GaAs層とGaAtAs層とのへテロ接合界面に生
ずるエネルギーバンドの不連続性によって、キャリアの
見掛上のイオン化エネルギーを増減させ、電子と正孔と
のイオン化率比を拡大して増倍雑音を低減する構造が既
に知られている。
案されており、APDに関しても増倍層をガリウム・砒
素(GaAs )とガリウムΦアルミニウム・砒素(G
aAtAs )とが交互に積層された超格子構造として
、GaAs層とGaAtAs層とのへテロ接合界面に生
ずるエネルギーバンドの不連続性によって、キャリアの
見掛上のイオン化エネルギーを増減させ、電子と正孔と
のイオン化率比を拡大して増倍雑音を低減する構造が既
に知られている。
しかしながらGaAs −GaAtAs系半導体材料に
よっては、波長帯域1.0〔μm〕以上に対応する受光
装置を構成することは不可能であって、この波長帯域に
対応し得るInP −InGaAsもしくはIn−Ga
AsP系半導体材料を使用して、かつ先に述べた物性的
制約を超えるAPDの構造が要望されている。
よっては、波長帯域1.0〔μm〕以上に対応する受光
装置を構成することは不可能であって、この波長帯域に
対応し得るInP −InGaAsもしくはIn−Ga
AsP系半導体材料を使用して、かつ先に述べた物性的
制約を超えるAPDの構造が要望されている。
4−
+d+ 発明の目的
本発明は波長1〔μm〕以上の帯域、特に波長1.3〔
μm〕乃至1.65〔μm〕の帯域に対応して、しかも
雑音がきわめて少ないアバランシフォトダイオードを提
供することを目的とする。
μm〕乃至1.65〔μm〕の帯域に対応して、しかも
雑音がきわめて少ないアバランシフォトダイオードを提
供することを目的とする。
(61発明の構成
本発明の前記目的は、インジウム・燐化合物半導体基板
と、該基板結晶に格子整合して形成された、インジウム
・ガリウム・砒素化合物もしくはインジウム・ガリウム
・砒素・燐化合物よりなる半導体光吸収領域と、インジ
ウム・燐化合物半導体層とインジウム・ガリウム・砒素
化合物もしくはインジウム・ガリウム・砒素・燐化合物
よりなる半導体層とが交互に積層された超格子構造を有
するなだれ増倍領域とを備えてうなる半導体受光装置に
より達成される。
と、該基板結晶に格子整合して形成された、インジウム
・ガリウム・砒素化合物もしくはインジウム・ガリウム
・砒素・燐化合物よりなる半導体光吸収領域と、インジ
ウム・燐化合物半導体層とインジウム・ガリウム・砒素
化合物もしくはインジウム・ガリウム・砒素・燐化合物
よりなる半導体層とが交互に積層された超格子構造を有
するなだれ増倍領域とを備えてうなる半導体受光装置に
より達成される。
特に超格子構造を構成するインジウム燐化合物半導体層
及びインジウム・ガリウム・砒素化合物もしくはインジ
ウム拳ガリウム・砒素・燐化合物よりなる半導体層の厚
さを30 (nm1以上70 (nm)以下とし、超格
子構造全体の厚さを0.5(μm〕以−ヒとするときに
最も聾真著な効果を得ることができる。
及びインジウム・ガリウム・砒素化合物もしくはインジ
ウム拳ガリウム・砒素・燐化合物よりなる半導体層の厚
さを30 (nm1以上70 (nm)以下とし、超格
子構造全体の厚さを0.5(μm〕以−ヒとするときに
最も聾真著な効果を得ることができる。
(f) 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第2図(a)及び(b)は本発明の実施例をその主要製
造工程について示す断面図である。
造工程について示す断面図である。
第2図ial参照
不純物濃度がI X 1018Ccrn−3:]程程度
上のp+型インジウム・燐化合物(InP )基板11
上に、何れも不純物濃度がI X 10”[crn−3
J程度以下であるに型+11p層12aとn−型インジ
ウム・ガリウム・砒素化合物(In053Qao、47
As )層12bとを交互に積層した超格子構造12を
例えば気相成長方法によって形成する。本実施例におい
ては、n−型InP層12a及びn−型I n o、5
3Ga 0.47As層12bの厚さはそれぞれ約50
〔nm〕とし、n−型InP層12aを11層、n″′
′型io、53Ga (1,47As層12bを10層
交互に順次形成して、超格子構造12全体の厚さを1〔
μm3強としている。
上のp+型インジウム・燐化合物(InP )基板11
上に、何れも不純物濃度がI X 10”[crn−3
J程度以下であるに型+11p層12aとn−型インジ
ウム・ガリウム・砒素化合物(In053Qao、47
As )層12bとを交互に積層した超格子構造12を
例えば気相成長方法によって形成する。本実施例におい
ては、n−型InP層12a及びn−型I n o、5
3Ga 0.47As層12bの厚さはそれぞれ約50
〔nm〕とし、n−型InP層12aを11層、n″′
′型io、53Ga (1,47As層12bを10層
交互に順次形成して、超格子構造12全体の厚さを1〔
μm3強としている。
更に超格子構造12に接して不純物濃度が1×1015
〔crn−S〕程度以下のn−7J ■nO,53Ga
0.47AS層13を厚さ3〔μm〕程度に成長させ
て光吸収領域とする。
〔crn−S〕程度以下のn−7J ■nO,53Ga
0.47AS層13を厚さ3〔μm〕程度に成長させ
て光吸収領域とする。
第2図(1))参照
以上の如く超格子構造12及びn−型I n o、53
Ga −0,47A8 光吸収層13をエピタキシャル
成長させた半導体基体を、図に示す如くp型InP基板
11に達する深さにメサ型にエツチングし、n−型:[
fi 0.53−GBo、47As光吸収層13面上に
無反射コート膜14、メサエッチング面に表面保膿膜1
5をそれぞれ窒化シリコン(S′13N4)等によって
形成し、♂型In−〇、53QB0.47A3光吸収層
13に接するn (ftll電極16を例えば金・ゲル
マニウム(AuGe)を用いて、p+型InP基板11
に接するp側電極17を例えば金・亜鉛(AnZn、
)を用いて形成する。
Ga −0,47A8 光吸収層13をエピタキシャル
成長させた半導体基体を、図に示す如くp型InP基板
11に達する深さにメサ型にエツチングし、n−型:[
fi 0.53−GBo、47As光吸収層13面上に
無反射コート膜14、メサエッチング面に表面保膿膜1
5をそれぞれ窒化シリコン(S′13N4)等によって
形成し、♂型In−〇、53QB0.47A3光吸収層
13に接するn (ftll電極16を例えば金・ゲル
マニウム(AuGe)を用いて、p+型InP基板11
に接するp側電極17を例えば金・亜鉛(AnZn、
)を用いて形成する。
以上説明した構造を有する本実施例に逆ノ(イアスミ圧
を印加したときのエネルギーダイヤグラムを第3図に示
し、第3図において第2図fa)及び(b)7− と同一符号によって対応する半導体層を示す。禁制帯幅
はInPが約1.35(eV]、I n 0.53Ga
0.47Asが約0.74 (eV 〕であって、I
nP層12aとIfio、53−Ga0.47As層1
2bとのへテロ接合界面における伝導体の不連続性△E
c # 0.2 CeV 1価電子帯の不連続性△Ev
# 0.4 (eV ’3である。
を印加したときのエネルギーダイヤグラムを第3図に示
し、第3図において第2図fa)及び(b)7− と同一符号によって対応する半導体層を示す。禁制帯幅
はInPが約1.35(eV]、I n 0.53Ga
0.47Asが約0.74 (eV 〕であって、I
nP層12aとIfio、53−Ga0.47As層1
2bとのへテロ接合界面における伝導体の不連続性△E
c # 0.2 CeV 1価電子帯の不連続性△Ev
# 0.4 (eV ’3である。
本実施例のAPDに入射する光はn−型Ifi0.53
−生ずる。この電子はn (Jill電極16に流入し
、正孔は超格子構造12に注入されて、InP層12a
とI n 0.53QB 0.47AS層12bとを順
次通過する。
−生ずる。この電子はn (Jill電極16に流入し
、正孔は超格子構造12に注入されて、InP層12a
とI n 0.53QB 0.47AS層12bとを順
次通過する。
正孔がInP層12aよりI n O,53Ga 0.
47AB層12bに入るときには、価電子帯のエネルギ
ー差△Evだけ見掛上余分にエネルギーを得た状態とな
り、見掛上のイオン化エネルギーが下ってイオン化率が
増大する。正孔がI n O,53Ga0.47A、8
層12bよりInP層12aに入るときにはイオン化率
は逆に減少するが、超格子構造12にかかる電界がlX
l0’(V/副〕程度以上となるように逆バイアス電圧
を印加8− することによって、正孔のエネルギーがなだれ増倍の閾
値近傍に到達してIn0.53Q80.47AS層12
bに注入されたときに、前記の見掛上のエネルギーが加
わることによってなだれ増倍が発生する。
47AB層12bに入るときには、価電子帯のエネルギ
ー差△Evだけ見掛上余分にエネルギーを得た状態とな
り、見掛上のイオン化エネルギーが下ってイオン化率が
増大する。正孔がI n O,53Ga0.47A、8
層12bよりInP層12aに入るときにはイオン化率
は逆に減少するが、超格子構造12にかかる電界がlX
l0’(V/副〕程度以上となるように逆バイアス電圧
を印加8− することによって、正孔のエネルギーがなだれ増倍の閾
値近傍に到達してIn0.53Q80.47AS層12
bに注入されたときに、前記の見掛上のエネルギーが加
わることによってなだれ増倍が発生する。
なだれ増倍によって生じた電子も超格子構造12の各層
に正孔とは逆方向に順次注入されるが、伝導帯のエネル
ギー差△Ecが小さいだめに正孔の場合の如き効果が殆
んどなく、正孔のイオン化率βは電子のイオン化率αの
10倍以上となる。この様にイオン化率比に=β/αが
大きくなる結果、本実施例のAPDの過剰雑音は充分に
小さくなる。
に正孔とは逆方向に順次注入されるが、伝導帯のエネル
ギー差△Ecが小さいだめに正孔の場合の如き効果が殆
んどなく、正孔のイオン化率βは電子のイオン化率αの
10倍以上となる。この様にイオン化率比に=β/αが
大きくなる結果、本実施例のAPDの過剰雑音は充分に
小さくなる。
超格子構造12を構成するInP層12a及びIn−0
,53Ga O,47AS層12bの厚さは、前記実施
例においては約50(nm)としているが、これらの各
層の厚さがキャリアのド・ブロイ波長程度以下になるな
らば厚さ方向の運動に量子力学的効果が現われてイオン
化率比が低下する。従って各層の厚さは約30(nm)
程度以上とすることが必要である。
,53Ga O,47AS層12bの厚さは、前記実施
例においては約50(nm)としているが、これらの各
層の厚さがキャリアのド・ブロイ波長程度以下になるな
らば厚さ方向の運動に量子力学的効果が現われてイオン
化率比が低下する。従って各層の厚さは約30(nm)
程度以上とすることが必要である。
逆に各層の厚さを過大にするならばイオン化率比拡大の
効果が減少するために70(nm)程度以下とすること
が望ましい。
効果が減少するために70(nm)程度以下とすること
が望ましい。
またなだれ増倍領域の厚さが過小であるならば、なだれ
増倍に必要とするエネルギーを正孔に与えるために電界
強度を大きくすることが必要となる。
増倍に必要とするエネルギーを正孔に与えるために電界
強度を大きくすることが必要となる。
電界強度が大きくなるに伴って正孔の実効イオン化率比
βと電子の実効イオン化率比αとが接近するから、イオ
ン化率比に一β/αを10以上とするためには電界強度
を1.5 X 10’ 〔V/ctn〕程度以下とする
ことが必要であり、このために々だれ増倍領域である超
格子構造1zの厚さは少なくとも0.5〔μm〕以上と
する。
βと電子の実効イオン化率比αとが接近するから、イオ
ン化率比に一β/αを10以上とするためには電界強度
を1.5 X 10’ 〔V/ctn〕程度以下とする
ことが必要であり、このために々だれ増倍領域である超
格子構造1zの厚さは少なくとも0.5〔μm〕以上と
する。
更に前記実施例においては、光吸収領域13ならびに超
格子構造12の条割帯幅の狭い層12bをn′″型In
O,53Ga0.47As層によって形成しているが、
これらの層をInP基板結晶に格子整合するIn1−x
GaXAsyPl−y層としても同様の効果を得ること
ができる。この場合I n 1−xGaXA s yP
l−’lの組成比をIn0.530&0.47Asの
組成比(x=0.47 、 y=l )にできるだけ近
づける方が超格子構造によるイオン化率比増大の効果が
大きく、β/αを10以上とするにはyを0.9程度以
上とすることが必要である。
格子構造12の条割帯幅の狭い層12bをn′″型In
O,53Ga0.47As層によって形成しているが、
これらの層をInP基板結晶に格子整合するIn1−x
GaXAsyPl−y層としても同様の効果を得ること
ができる。この場合I n 1−xGaXA s yP
l−’lの組成比をIn0.530&0.47Asの
組成比(x=0.47 、 y=l )にできるだけ近
づける方が超格子構造によるイオン化率比増大の効果が
大きく、β/αを10以上とするにはyを0.9程度以
上とすることが必要である。
fg+ 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、波長1〔μm〕以」二
の帯域特に波長1.3〔μm〕乃至1.65(μm〕の
帯域について大きい一一子効率を有し、しかもI nP
−I nGaAsもしくはInGaAsPの物性の限
界より雑音が減少されたアバランシフォトダイオードを
提供することができる。
の帯域特に波長1.3〔μm〕乃至1.65(μm〕の
帯域について大きい一一子効率を有し、しかもI nP
−I nGaAsもしくはInGaAsPの物性の限
界より雑音が減少されたアバランシフォトダイオードを
提供することができる。
第1図はInP −InGaAs系APDの従来例を示
す断面図、第2図(a)及び(blは本発明の実施例の
主要工程における状態を示す断面図、第3図は前記実施
例のエネルギーダイヤグラムを示す図である。 図において、11はp型InP基板、12はなだれ増倍
領域である超格子構造、12aはn−型InP/if!
、12 b Id、 n−礼’)I n O,5aQa
0.47As層、13はn−型In −〇、53GB
0.47AS光吸収領域、14は無反射コート膜、1
5は表面保護膜、16はn側電極、17はp側電極を示
す。 11− 察1町 ≠?囚 12− 蓼 :5 図
す断面図、第2図(a)及び(blは本発明の実施例の
主要工程における状態を示す断面図、第3図は前記実施
例のエネルギーダイヤグラムを示す図である。 図において、11はp型InP基板、12はなだれ増倍
領域である超格子構造、12aはn−型InP/if!
、12 b Id、 n−礼’)I n O,5aQa
0.47As層、13はn−型In −〇、53GB
0.47AS光吸収領域、14は無反射コート膜、1
5は表面保護膜、16はn側電極、17はp側電極を示
す。 11− 察1町 ≠?囚 12− 蓼 :5 図
Claims (1)
- 厨 インジウム・燐化合物半導体基板と、該基板結晶に
格子整合して形成された、インジウム・ガリウム番砒素
化合物もしくはインジウム・ガリウム・砒素・燐化合物
よりなる半導体光吸収領域と、インジウム・燐化合物半
導体層とインジウム・ガリウム・砒素化合物もしくはイ
ンジウム・ガリウム・砒素・燐化合物よりなる半導体層
とが交互に積層された超格子構造を有するなだれ増倍領
域とを備えてなることを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58038519A JPS59163878A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58038519A JPS59163878A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59163878A true JPS59163878A (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12527516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58038519A Pending JPS59163878A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59163878A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2597662A1 (fr) * | 1986-04-22 | 1987-10-23 | Thomson Csf | Photodiode pin realisee a partir de semi-conducteur amorphe |
FR2627013A1 (fr) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Thomson Csf | Generateur photovoltaique a semiconducteurs realise sur un substrat de parametre de maille different |
JPH0290575A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子 |
US4982255A (en) * | 1988-11-18 | 1991-01-01 | Nec Corporation | Avalanche photodiode |
JPH088455A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
-
1983
- 1983-03-09 JP JP58038519A patent/JPS59163878A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2597662A1 (fr) * | 1986-04-22 | 1987-10-23 | Thomson Csf | Photodiode pin realisee a partir de semi-conducteur amorphe |
US4784702A (en) * | 1986-04-22 | 1988-11-15 | Thomson-Csf | PIN photodiode formed from an amorphous semiconductor |
FR2627013A1 (fr) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Thomson Csf | Generateur photovoltaique a semiconducteurs realise sur un substrat de parametre de maille different |
JPH0290575A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子 |
US4982255A (en) * | 1988-11-18 | 1991-01-01 | Nec Corporation | Avalanche photodiode |
JPH088455A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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