JPS5984532A - 半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハ - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法お工ひこの製造方法の実
施に使用する半導体ウェーハに関するものである。
施に使用する半導体ウェーハに関するものである。
一般に半導体装11tに、所定の回路を形成した倣細な
牛導体素子ベレン)kリードフレームやセラミックベー
ス等のパッケージベース上に固着し、このベレットとパ
ンケージベースとtワイヤ接続した上でパンケージ電流
下ことにより完成する工うにしている。そして、この半
導体装置にあっては前記パンケージベースにペレントr
II!d層する場合、Agt含んだ樹脂ペースト’v使
用することが多く、この位・1脂ベース)kディペンス
やスクリーン印刷の手法によってベレット裏面にfi看
してパンケージベースに押圧し、固着を行なっている。
牛導体素子ベレン)kリードフレームやセラミックベー
ス等のパッケージベース上に固着し、このベレットとパ
ンケージベースとtワイヤ接続した上でパンケージ電流
下ことにより完成する工うにしている。そして、この半
導体装置にあっては前記パンケージベースにペレントr
II!d層する場合、Agt含んだ樹脂ペースト’v使
用することが多く、この位・1脂ベース)kディペンス
やスクリーン印刷の手法によってベレット裏面にfi看
してパンケージベースに押圧し、固着を行なっている。
ところで、このようなベレットの固層方法でに、デスペ
ンサvCよる噛脂ペーストの賀ノ出址がペーストの粘度
寺の影響?を受けて一足に%埋することが困鮨なこと、
1だスクリーン印刷の対象と8nる囲槓がベレント躾■
で極めて不毛いために目]刷理(塗布埋)′+C一定に
管理することか困難なこと等が原因となり、ペレット邊
面に供給さ几る1111脂ペースト蓋r一定置にコント
ロールすることが極めて難かしいものと表ってbる。こ
のため、樹脂ペーストitが過剰であるとペレット周囲
のばみ出し量が多くなって短絡(%にワイヤとの接触)
事故が生じ易くなり、1だベースlが不足しているとペ
レット固着強度が低下して後工程のワイヤボンティング
時にペレント剥nが住するという不具合が発生する。
ンサvCよる噛脂ペーストの賀ノ出址がペーストの粘度
寺の影響?を受けて一足に%埋することが困鮨なこと、
1だスクリーン印刷の対象と8nる囲槓がベレント躾■
で極めて不毛いために目]刷理(塗布埋)′+C一定に
管理することか困難なこと等が原因となり、ペレット邊
面に供給さ几る1111脂ペースト蓋r一定置にコント
ロールすることが極めて難かしいものと表ってbる。こ
のため、樹脂ペーストitが過剰であるとペレット周囲
のばみ出し量が多くなって短絡(%にワイヤとの接触)
事故が生じ易くなり、1だベースlが不足しているとペ
レット固着強度が低下して後工程のワイヤボンティング
時にペレント剥nが住するという不具合が発生する。
したがって本発明の目的にペレット固着用の樹脂ペース
ト?通量供給してペレット固着強度の向上r図9、これ
により前述した不具合2解消することができる半導体装
置の製造方法およびこれに使用する半導体ウェーハr提
供することにある。
ト?通量供給してペレット固着強度の向上r図9、これ
により前述した不具合2解消することができる半導体装
置の製造方法およびこれに使用する半導体ウェーハr提
供することにある。
このような目的r連成するために本発明に、超短の回路
を形成したダイシング前の半導体ウェーハの裏面に#脂
ペースト層を形成し、その後ダイシング前佳にてウェー
ハに?jl数個のペレットに切〜f分離してペレットの
固着を行なうようにしている。
を形成したダイシング前の半導体ウェーハの裏面に#脂
ペースト層を形成し、その後ダイシング前佳にてウェー
ハに?jl数個のペレットに切〜f分離してペレットの
固着を行なうようにしている。
1だ、これに使用する半導体ウェーハは表向にlツ1定
の回路パターンを有し、裏面には樹脂ペースト層紮有す
るものである。
の回路パターンを有し、裏面には樹脂ペースト層紮有す
るものである。
以下、本発明r図示の実施列によシ説明する。
第1図は本発明の半導体装置の製造方法を示し、特にペ
レント固層工程?中心として工程図でおる。
レント固層工程?中心として工程図でおる。
先ず、同図(Nのように略円形の半導体ウェーノー基板
2の表面に集積回路等の所定の回路パターン3葡公苅の
技術で形成し、各素子に対応する回路娑枡目状に配列形
成した半導体ウェーノー1に製造する。次に、同図CB
)のようにスクリーン印刷法或いぼスピン塗布法等fc
工って前記半導体ウェー−・1の裏面に樹脂ペーストに
重相し、樹脂ペースト層4を形成する。樹脂ペーストに
にAgk含んだ熱可塑性樹脂が使用さnるがFyr謂B
ステージ化した熱硬化樹脂r使用ムてもよい。また、こ
の樹脂ペースト層4の形成に際しては、比較的多欝の樹
脂ベース)kウェーハ全裏面(ペレットに比軟するとそ
の面積は大である)に塗布するために、樹脂ペースト層
の岸さに^a度に管理することは極めて容易である。こ
の結果、樹脂ペースト層47一旦冷却固化丁nは、表面
に回路パターンヶ有し、裏面に樹脂ペースト層4を有す
る半導体ウェーノー1が第2図のように構成芒れる。
2の表面に集積回路等の所定の回路パターン3葡公苅の
技術で形成し、各素子に対応する回路娑枡目状に配列形
成した半導体ウェーノー1に製造する。次に、同図CB
)のようにスクリーン印刷法或いぼスピン塗布法等fc
工って前記半導体ウェー−・1の裏面に樹脂ペーストに
重相し、樹脂ペースト層4を形成する。樹脂ペーストに
にAgk含んだ熱可塑性樹脂が使用さnるがFyr謂B
ステージ化した熱硬化樹脂r使用ムてもよい。また、こ
の樹脂ペースト層4の形成に際しては、比較的多欝の樹
脂ベース)kウェーハ全裏面(ペレットに比軟するとそ
の面積は大である)に塗布するために、樹脂ペースト層
の岸さに^a度に管理することは極めて容易である。こ
の結果、樹脂ペースト層47一旦冷却固化丁nは、表面
に回路パターンヶ有し、裏面に樹脂ペースト層4を有す
る半導体ウェーノー1が第2図のように構成芒れる。
次いで、同図(C)のように、前記半導体ウエーノ・1
rダイシングして複数個の半導体菓子ペレット5r切断
形成する。そして、同図(功のように約220〜450
℃のヒートブロック6上に載置されたリードフレーム7
の・タブ7a上にペレット5?載せ、これt上方から押
圧子れば樹脂ペースト層4は溶融名nてペレット5にタ
ブ7a上曲に固着する。その後、同図(](i)のよう
にペレット5とリードフレーム7とtワイヤ8で接続し
かつレシン9等にエフモールドr20ぜば同図のような
半導体装[10が完成3詐ることになる。
rダイシングして複数個の半導体菓子ペレット5r切断
形成する。そして、同図(功のように約220〜450
℃のヒートブロック6上に載置されたリードフレーム7
の・タブ7a上にペレット5?載せ、これt上方から押
圧子れば樹脂ペースト層4は溶融名nてペレット5にタ
ブ7a上曲に固着する。その後、同図(](i)のよう
にペレット5とリードフレーム7とtワイヤ8で接続し
かつレシン9等にエフモールドr20ぜば同図のような
半導体装[10が完成3詐ることになる。
したがって、このように製遺嘔扛た半導体装置10は、
半導体ウェーハlの状態で樹脂ペースト層4が形成ちれ
ているために樹脂ペースト層r略−黛の埋δに管理する
ことが容易であり、このことにウェーへtベレントに切
断分離したときには各ペレットにおける樹脂ベース)t
が所望の量に安定保持されることになる。これに↓シ、
ペレット固Hvc使用される樹脂ペースト量r好適鎗に
保ち、ペーストのけみ出し等による短軸事故の防止r図
ると共にベレント固着強度?増大してペレント剥れ等の
不具合kli、lj止することができるのである。
半導体ウェーハlの状態で樹脂ペースト層4が形成ちれ
ているために樹脂ペースト層r略−黛の埋δに管理する
ことが容易であり、このことにウェーへtベレントに切
断分離したときには各ペレットにおける樹脂ベース)t
が所望の量に安定保持されることになる。これに↓シ、
ペレット固Hvc使用される樹脂ペースト量r好適鎗に
保ち、ペーストのけみ出し等による短軸事故の防止r図
ると共にベレント固着強度?増大してペレント剥れ等の
不具合kli、lj止することができるのである。
ここで、前記し7t@脂ペ一スト層の厚さはペレット寸
法や樹脂ペースト材料の違いに工9夫々好適な値に設定
する。1π、樹脂ペースト層の形成方法も前述した方法
に限らnず種々の方法紮通用することができる。
法や樹脂ペースト材料の違いに工9夫々好適な値に設定
する。1π、樹脂ペースト層の形成方法も前述した方法
に限らnず種々の方法紮通用することができる。
以上の工9に本発明の半導体装置の製造方法に工nば、
所定の回路パターン會形成した半導体ウエーノ・の裏面
に樹脂ペースト層r形成しておき、七の後ベレットに、
!2I断分離してベレット付r行なうようにしているの
で、各ペレットに供給される樹脂ペースト鷺r一定に管
理することができ、こ1によシ短絡等の事故防止を図る
と共にベレント固着強KFN大してベレント剥れt防止
することができるという効果が倚ら扛る。
所定の回路パターン會形成した半導体ウエーノ・の裏面
に樹脂ペースト層r形成しておき、七の後ベレットに、
!2I断分離してベレット付r行なうようにしているの
で、各ペレットに供給される樹脂ペースト鷺r一定に管
理することができ、こ1によシ短絡等の事故防止を図る
と共にベレント固着強KFN大してベレント剥れt防止
することができるという効果が倚ら扛る。
1π本発明の半導体ウェーノ1によれはベレントに切断
分離する前の状態でその裏向に樹脂ペースト層r形成し
ているので、ペレットに切断分離したときには各ペレッ
トには均一な量の樹脂ペーストが供給嘔れでいることに
なり、これに工9前述した効果r助長することができる
のである。
分離する前の状態でその裏向に樹脂ペースト層r形成し
ているので、ペレットに切断分離したときには各ペレッ
トには均一な量の樹脂ペーストが供給嘔れでいることに
なり、これに工9前述した効果r助長することができる
のである。
第1図体1〜(ロ)は本発明方法の工程図、第2図は本
発明の半導体ウェーハの側視図である。 ■・・・半導体ウェーハ、2・・・ウェーハ基板、3・
・・回路、4・・・樹脂ペースト、5・・・ペレット、
7・・・リードフレーム、8・・・ワイヤ、9・・・レ
ジン、lO・・・半導体装置。 第 2 図
発明の半導体ウェーハの側視図である。 ■・・・半導体ウェーハ、2・・・ウェーハ基板、3・
・・回路、4・・・樹脂ペースト、5・・・ペレット、
7・・・リードフレーム、8・・・ワイヤ、9・・・レ
ジン、lO・・・半導体装置。 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、表向に所定の回路r形成した半導体ウェーハの裏面
に樹脂ペースト#2形成し、その後牛導体つェーハ’c
m数個のペレットに切断分離してF9r=のパンケージ
ベース上に固着すること?fe徴とする半導体装置の製
造方法。 2、 1tJ脂ヘ一スト層tスクリーン印刷やスピン塗
布にて形格してなる特許請求の範囲第1fj記載の半導
体装置の製造方法。 3、表面には所定の回路tパターン形成し、裏面iCは
均−岸さの樹脂ペースト層を有すること?性徴とする牛
帰体りエーノ・。 4、樹脂ペーストはAgk宮む熱可塑性相加である特許
請求の範囲第3JA記載の半導体ウェー−・。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194719A JPS5984532A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194719A JPS5984532A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984532A true JPS5984532A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57194719A Pending JPS5984532A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 半導体装置の製造方法および半導体ウエ−ハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5984532A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0183332U (ja) * | 1987-11-24 | 1989-06-02 | ||
WO1996013066A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-05-02 | National Semiconductor Corporation | Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers |
EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
JP2009170455A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194719A patent/JPS5984532A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0183332U (ja) * | 1987-11-24 | 1989-06-02 | ||
WO1996013066A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-05-02 | National Semiconductor Corporation | Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers |
EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
JP2009170455A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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