JPS5984491A - 混成集成回路基板の製造方法 - Google Patents
混成集成回路基板の製造方法Info
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- JPS5984491A JPS5984491A JP19341782A JP19341782A JPS5984491A JP S5984491 A JPS5984491 A JP S5984491A JP 19341782 A JP19341782 A JP 19341782A JP 19341782 A JP19341782 A JP 19341782A JP S5984491 A JPS5984491 A JP S5984491A
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- JP
- Japan
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- copper
- aluminum
- etching
- foil
- laminated
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルミニウムー銅重ね合せ箔張り基板の選択
銅エツチングするエツチングした金属箔張り積層基板の
製造方法に関する。
銅エツチングするエツチングした金属箔張り積層基板の
製造方法に関する。
従来、混成集積回路においては、アルミニウム線もしく
は金線による半導体と回路との結線及び回路と外部リー
ド線、半導体およびその他の回路素子との固着を半田付
により行っていた。従ってこの用途の基板においては、
半田付部分には銅回路が必要であり、アルミニウム線等
のワイヤボンディング部分には、貴金属メッキ、ニッケ
ルメッキ等を必要と・した。
は金線による半導体と回路との結線及び回路と外部リー
ド線、半導体およびその他の回路素子との固着を半田付
により行っていた。従ってこの用途の基板においては、
半田付部分には銅回路が必要であり、アルミニウム線等
のワイヤボンディング部分には、貴金属メッキ、ニッケ
ルメッキ等を必要と・した。
これら、この両方の配線を容易に行なえる様にした基板
には、アルミニウムおよび銅の両方の金属が露出した回
路基板がある。すなわち、アルミニウム部分にアルミニ
ウム線もしくは金線による配線を行ない、銅部分に半田
付による配線を行なうものである。
には、アルミニウムおよび銅の両方の金属が露出した回
路基板がある。すなわち、アルミニウム部分にアルミニ
ウム線もしくは金線による配線を行ない、銅部分に半田
付による配線を行なうものである。
この種の回路基板は、アルミニウムと銅の重ね合せ箔を
選択エツチングすることにより製造できる。しかし、従
来から紙フェノールやガラスエポキシ系銅張り積層板の
エツチングに用いられてきた塩化第2鉄、塩化第2銅、
アルカリエッチャント等のエツチング剤では、銅の他に
アルミニウムをもエツチングしてしまうため選択的なエ
ツチングには、無理があった。またこれらのエツチング
剤とは異って、アルミニウムを侵さず銅をエツチングす
るエツチング剤としては、過硫酸アンモニウムが知られ
ているが、廃液処理が難しいこと、およびエツチング時
間の変化が大きいこと等の欠点があった。
選択エツチングすることにより製造できる。しかし、従
来から紙フェノールやガラスエポキシ系銅張り積層板の
エツチングに用いられてきた塩化第2鉄、塩化第2銅、
アルカリエッチャント等のエツチング剤では、銅の他に
アルミニウムをもエツチングしてしまうため選択的なエ
ツチングには、無理があった。またこれらのエツチング
剤とは異って、アルミニウムを侵さず銅をエツチングす
るエツチング剤としては、過硫酸アンモニウムが知られ
ているが、廃液処理が難しいこと、およびエツチング時
間の変化が大きいこと等の欠点があった。
本発明は、かかる欠点を解決したものであり、アルミニ
ウムー銅重ね合せ箔の銅をエツチングするに際し、硫酸
及び過酸化水素を主成分とするエツチング剤を使用する
ことにより、アルミニウムを侵すことなく、エツチング
時間が一定し、かつ廃液処理が容易であるエツチングし
た金属箔張り積層基板の製造方法を提供するものである
。すなわち、本発明は、絶縁物上にアルミニウムー銅重
ね合せ箔を積層した積層基板において、前記アルミニウ
ムー銅重ね合せ箔の銅箔部分をパターンエツチングする
に際し、硫酸及び過酸化水素を主成分とするエツチング
液剤を使用することを特徴とする。
ウムー銅重ね合せ箔の銅をエツチングするに際し、硫酸
及び過酸化水素を主成分とするエツチング剤を使用する
ことにより、アルミニウムを侵すことなく、エツチング
時間が一定し、かつ廃液処理が容易であるエツチングし
た金属箔張り積層基板の製造方法を提供するものである
。すなわち、本発明は、絶縁物上にアルミニウムー銅重
ね合せ箔を積層した積層基板において、前記アルミニウ
ムー銅重ね合せ箔の銅箔部分をパターンエツチングする
に際し、硫酸及び過酸化水素を主成分とするエツチング
液剤を使用することを特徴とする。
本発明におけるアルミニウムー銅重ね合せ箔とは、アル
ミニウムと銅とが電気的に導通した重層剤を言い、具体
的には、アルミニウムと銅とのクラッド消、アルミニウ
ム箔上に銅メッキした箔、或ハアルミニウム箔に亜鉛、
銅を順次メッキしたもの等である。アルミニウム層及び
銅層の夫々の厚さは特に限定しないが、0.1μ〜20
0μが好ましい。
ミニウムと銅とが電気的に導通した重層剤を言い、具体
的には、アルミニウムと銅とのクラッド消、アルミニウ
ム箔上に銅メッキした箔、或ハアルミニウム箔に亜鉛、
銅を順次メッキしたもの等である。アルミニウム層及び
銅層の夫々の厚さは特に限定しないが、0.1μ〜20
0μが好ましい。
本発明における絶縁層には通常の銅張り積層基板に用い
られている紙フェノール、ガラスエポキシ等の積層体、
ポリイミドフィルムの様々フィルム、金属板上にエポキ
シ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、およびそれら
と無機フィラーの複合材を積層し、絶縁をとったものが
ある。
られている紙フェノール、ガラスエポキシ等の積層体、
ポリイミドフィルムの様々フィルム、金属板上にエポキ
シ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、およびそれら
と無機フィラーの複合材を積層し、絶縁をとったものが
ある。
本発明に使用できる基板は、基板表面が銅箔であっても
アルミニラ箔であっても良い。本発明における銅の選択
エツチングとは、アルミニウムをエツチングせずに銅の
みをエツチングすることを言い、基板表面が銅箔の場合
にはレジストを塗布し、下層のアルミニウム箔に達する
まで銅エツチングを行ない、銅回路を形成することであ
る。逆に基板表面がアルミニウム箔の場合には、レジス
トを塗布し、まず、下層の銅箔に達するまでアルミニウ
ムのエツチングを行ない、次に銅パターン用のレジスト
を塗布した後、アルミニウムをエツチングしない銅エツ
チング剤で銅をエツチングすることを言う。
アルミニラ箔であっても良い。本発明における銅の選択
エツチングとは、アルミニウムをエツチングせずに銅の
みをエツチングすることを言い、基板表面が銅箔の場合
にはレジストを塗布し、下層のアルミニウム箔に達する
まで銅エツチングを行ない、銅回路を形成することであ
る。逆に基板表面がアルミニウム箔の場合には、レジス
トを塗布し、まず、下層の銅箔に達するまでアルミニウ
ムのエツチングを行ない、次に銅パターン用のレジスト
を塗布した後、アルミニウムをエツチングしない銅エツ
チング剤で銅をエツチングすることを言う。
本発明における硫酸および過酸化水素を主成分とするエ
ツチング剤におけるエツチングは次の化学式に従って進
行する。
ツチング剤におけるエツチングは次の化学式に従って進
行する。
Cu+ H2O2+H2so4→cuso4+2H2゜
従って銅を硫酸銅の結晶としてエツチング剤から除き、
消費された硫酸および過酸化水素を補給することにより
、常に同じエツチング条件でエツチングできると−う利
点がある。またこの硫酸銅の結晶化はエツチング液を冷
却することにより容易に行なえるため除去しゃすく、過
硫化アンモニウム系エツチング剤の様にアンモニアと銅
イオンが錯塩をつくり、銅イオンが除去しにぐいという
欠点もない。
従って銅を硫酸銅の結晶としてエツチング剤から除き、
消費された硫酸および過酸化水素を補給することにより
、常に同じエツチング条件でエツチングできると−う利
点がある。またこの硫酸銅の結晶化はエツチング液を冷
却することにより容易に行なえるため除去しゃすく、過
硫化アンモニウム系エツチング剤の様にアンモニアと銅
イオンが錯塩をつくり、銅イオンが除去しにぐいという
欠点もない。
本発明における硫酸−過酸化水素系エツチング剤には、
これらの主成分の他にエツチング促進剤や過酸化水素を
安定化させる添加剤等を添加してもよい。
これらの主成分の他にエツチング促進剤や過酸化水素を
安定化させる添加剤等を添加してもよい。
以下、実施例および比較例により本発明を更に説明する
。
。
実施例1
厚す1.6 m+nのガラスエポキシ積層体にアルミニ
ウム層の厚さが15μ、銅層の厚さが35μのアルミニ
ウムー銅クラツド箔を銅面を上にして張り合せた。この
基板の銅面にエツチングレジストDA −200B (
サンフ化学■商品名)をスクリーン印刷により塗布し、
80℃、10分間乾燥した。その後、銅の選択エツチン
グ剤である硫酸を20容量係及びパーマエッチ(荏原電
産■商品名、過酸化水素を50容量係含有する)を10
容量係混合したエツチング液で54℃、2分間スプレー
エツチングした。その結果、下層のアルミニウム層はエ
ツチングされずに、レジストを塗布していない鉤部分の
みがエツチングされ、アルミニウム層の露出した基板が
得られた。次にこの基板を苛性ソーダ2係水溶液で洗浄
しエツチングレジストを除去した。この結果、アルミニ
ウム箔上に銅回路が形成された基板が出来た。
ウム層の厚さが15μ、銅層の厚さが35μのアルミニ
ウムー銅クラツド箔を銅面を上にして張り合せた。この
基板の銅面にエツチングレジストDA −200B (
サンフ化学■商品名)をスクリーン印刷により塗布し、
80℃、10分間乾燥した。その後、銅の選択エツチン
グ剤である硫酸を20容量係及びパーマエッチ(荏原電
産■商品名、過酸化水素を50容量係含有する)を10
容量係混合したエツチング液で54℃、2分間スプレー
エツチングした。その結果、下層のアルミニウム層はエ
ツチングされずに、レジストを塗布していない鉤部分の
みがエツチングされ、アルミニウム層の露出した基板が
得られた。次にこの基板を苛性ソーダ2係水溶液で洗浄
しエツチングレジストを除去した。この結果、アルミニ
ウム箔上に銅回路が形成された基板が出来た。
この基板は、更にアルミニウムを選択エツチングするこ
とにより銅とアルミニウムの両方が露出した基板となる
。
とにより銅とアルミニウムの両方が露出した基板となる
。
実施例2
ラムダイト(電気化学工業■商品名;フィラー人りエポ
キシ樹脂)を100μの厚さに塗布した1、5闘板厚の
アルミニウム板上に実施例1のアルミニウムー銅クラツ
ド箔のアルミニウム面が上になる様に張り合わせ、アル
ミニウムー銅クラッド箔張り基板を得だ。裏面に塩ビフ
ィルムを張り、次にこの基板のアルミニウム箔面に耐ア
ルカリ性エッチングレジス)MR500(アサ化研■商
品名)をスクリーン印刷し、100°C110分間乾燥
した。苛性ソーダ1001/lから成るアルカリエツチ
ング液をこの基板に60°C12分間スプレーした。こ
の結果、下層の銅箔が露出し、その上にアルミニウムの
回路が形成された基板が得られた。
キシ樹脂)を100μの厚さに塗布した1、5闘板厚の
アルミニウム板上に実施例1のアルミニウムー銅クラツ
ド箔のアルミニウム面が上になる様に張り合わせ、アル
ミニウムー銅クラッド箔張り基板を得だ。裏面に塩ビフ
ィルムを張り、次にこの基板のアルミニウム箔面に耐ア
ルカリ性エッチングレジス)MR500(アサ化研■商
品名)をスクリーン印刷し、100°C110分間乾燥
した。苛性ソーダ1001/lから成るアルカリエツチ
ング液をこの基板に60°C12分間スプレーした。こ
の結果、下層の銅箔が露出し、その上にアルミニウムの
回路が形成された基板が得られた。
次にこの基板に実施例1と同じレジストをスクリーン印
刷し、実施例1と同じ銅選択エツチング条件でエツチン
グした。その後、トルエンでレジストを剥離し、銅回路
とアルミニウム回路の両方が露出した基板を得た。アル
ミニウム回路はこの銅選択エツチングでエツチングされ
なかった。
刷し、実施例1と同じ銅選択エツチング条件でエツチン
グした。その後、トルエンでレジストを剥離し、銅回路
とアルミニウム回路の両方が露出した基板を得た。アル
ミニウム回路はこの銅選択エツチングでエツチングされ
なかった。
比較例1
実施例1と同じレジスト付基板を塩化第2鉄の30重重
量穴溶液を40℃でスプレーエツチングした。その結果
下層のアルミニウム層までエツチングされ、銅のみの選
択エツチングはできなかった。
量穴溶液を40℃でスプレーエツチングした。その結果
下層のアルミニウム層までエツチングされ、銅のみの選
択エツチングはできなかった。
比較例2
過硫酸アンモニウム25 OS’ 7 を水溶液、銅濃
度35S’/lの条件下で実施例1と同じレジスト付基
板を40℃で15分間スプレーエツチングした。アルミ
ニウム層はエツチングされなかったが銅が完全にエツチ
ングされず、斑点状に銅が残った。
度35S’/lの条件下で実施例1と同じレジスト付基
板を40℃で15分間スプレーエツチングした。アルミ
ニウム層はエツチングされなかったが銅が完全にエツチ
ングされず、斑点状に銅が残った。
以上述べたように本発明による硫酸−過酸化水素を主成
分とするエツチング剤を使用することにより、アルミニ
ウムと銅の重ね合せ箔を張った基板の銅選択エツチング
が可能であった。
分とするエツチング剤を使用することにより、アルミニ
ウムと銅の重ね合せ箔を張った基板の銅選択エツチング
が可能であった。
特許出願人 電気化学工業株式会社
Claims (1)
- 絶縁物層上にアルミニウムー銅重ね合せ箔を積層した積
層基板において、前記アルミニウムー銅重ね合せ箔の銅
箔部分をパターンエツチングするに際し、硫酸及び過酸
化水素を主成分とするエツチング剤を使用することを特
徴とするエツチングした金属箔張り積層基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19341782A JPS5984491A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 混成集成回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19341782A JPS5984491A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 混成集成回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984491A true JPS5984491A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16307611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19341782A Pending JPS5984491A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 混成集成回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5984491A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7504719B2 (en) | 1998-09-28 | 2009-03-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board having a roughened surface formed on a metal layer, and method for producing the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5030753A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-03-27 | ||
JPS546703A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Laser equipment for optical communication |
JPS5468739A (en) * | 1977-11-08 | 1979-06-02 | Dart Ind Inc | Melting method of metal |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP19341782A patent/JPS5984491A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7535095B1 (en) | 1998-09-28 | 2009-05-19 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
US7994433B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-08-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
US8006377B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-08-30 | Ibiden Co., Ltd. | Method for producing a printed wiring board |
US8018045B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-09-13 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US8020291B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-09-20 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing a printed wiring board |
US8030577B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-10-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
US8093507B2 (en) | 1998-09-28 | 2012-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
US8533943B2 (en) | 1998-09-28 | 2013-09-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
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