JPS5983023A - 半導体圧力差圧検出器 - Google Patents

半導体圧力差圧検出器

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JPS5983023A
JPS5983023A JP19245482A JP19245482A JPS5983023A JP S5983023 A JPS5983023 A JP S5983023A JP 19245482 A JP19245482 A JP 19245482A JP 19245482 A JP19245482 A JP 19245482A JP S5983023 A JPS5983023 A JP S5983023A
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JP
Japan
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strain
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pressure
diaphragm
convex
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JP19245482A
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JPH0419495B2 (ja
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Michitaka Shimazoe
島添 道隆
Tsutomu Okayama
岡山 努
Yoshitaka Matsuoka
松岡 祥隆
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
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    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は圧力差圧検出器に係り、特に半導体自体をダイ
Vフラムとする圧力差圧検出器に関する。
〔従来技術〕
従来の81ダイヤフラム形圧力差圧検出器に用いられる
測定ダイヤフラムはSi単結晶よシなシ、肉薄の起歪部
およびそれを囲む肉厚の固定部を有し、該肉薄起歪部の
一生面側に複数のピエゾ抵抗素子が通常のICプロセス
により形成されている、。
このSiダイヤフラムの周囲肉厚部の裏面は、シリコン
と熱膨張係数の近似し、かつ中央に通気孔が形成された
7リコンあるいはカラスからなる支持体に結合されてい
る。
この81ダイヤフラム形圧力差圧検出器はIC技術を応
用できることがら計度性に優れ、かつSi単結晶が理想
的な弾性材料であるためヒステリシスがなくp+−m性
に優れている効果を有する。
しかしながら、かかる構成の測定タイヤフラムは、極め
て低い圧力を611定する場合において、圧力と出力の
面側性が悪くなる欠点紮有する。この理由は、低圧領威
の測定のためには、測ボタイヤフラムの起全部肉厚を薄
くする必要があるため、これにより圧力を印加したとき
のたわみが太きくなシ、測定タイヤフラム全体が伸ひる
という・・ル□−ン幼果が生じるためである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来波jllの欠点を・なく
シ、低圧測定時でも圧力と出力の直線関係に曖れた半導
体圧力差圧センサを提供するにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成させるため、本発明においては、起歪部
内に厚さの異なった領域を設け、その9ちの肉厚起歪部
に歪感応素子を形成したものである。
〔発明の実施例〕
以ド、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は差圧検出器の全体構成を示す断面図で、輌結晶
S1からなる測定ダイヤフラムlOがあり、この測定ダ
イヤフラム10は中空の第]の支持部月12、中空の第
2の支持部材14を介してノ・ウジング16に取り付け
られている。第1の支持部材12は測定ダイヤフラム1
00ノ・ウノング16からの電気的絶縁および測定タイ
ヤフラム10との熱歪を考慮し、Slと熱膨張係数の近
似した、たとえば硼珪酸ガラスが使用されている。また
、第2の支持部材14は、3iと熱膨張係数の近似た、
たとえばFe−Ni合釜が使用されている。
ここで測定タイヤフラムlOと第1の支持部材12、及
び第1の支持部材12と第2の支持部材14間はたとえ
ば陽極結合法で接合されている。
測定タイヤフラム10からの電気的出力は、リード線1
8及びハウ?ング16にノ・−7チソクシールされた端
子20を介して外部に取9出されている。
第2図は、iis記測短タイヤフクム10ケ主教面すな
わちゲージ抵抗形成面側から見た平面図、第3図は第2
図のIII −In ’線における断面図であるっ測定
ダイヤフラム10は、たとえば(+00)D¥Iのn形
単結晶3iで、外周を厚内の固定部30で囲−まれた肉
薄のダイヤフラム部を有する。このダイヤフラム部は二
段の異なった厚さに形成され、比較的肉厚の起歪はシ部
34とそれより肉薄の隔膜部36を有し、前記起歪は・
シ部34は端1部をniJ記固足固足部30続された十
字形をなしている。
この起歪はり部34の上面にはp形のゲージ抵抗38が
4個<110>軸方向に、たとえば拡散法ヤイオンイン
7”う/チージョン法により形成されている。これらの
ゲージ抵抗38は起歪はり部34の固定端近傍に形成さ
れ、そのうちの2本は径方向に、他の2本は径と直角方
向に配置され、圧力によりフルブリッジ出力を取り出せ
るようになっている。測定ダイヤフラム100表面には
図示しないゲージ抵抗38を保護する酸化膜およびゲー
ジ抵抗38の出力を敗り出すアルミ配線がそれぞれ設け
られている。
このような構成において、測だダイヤフラム10に圧力
Pを印加すると、起歪はり34がたわみ、この際、隔膜
部36は起歪はシ34に比べ薄く、軟かくなっているた
め単なる気密膜として働き、受圧■積SX圧力Pの大半
の力は起歪はシ34をたわます力として作用する。しだ
がって、起歪Cj:す34は小さな力、すなわち低い圧
力で大きな歪を発生することができるようになる。
第4図は本発明の第2の実施例を示す。第2図と異なる
点はダイヤフラムの中央に起歪はり部38と同一の厚さ
の幅広領域を設けたことにある。
このようにするとダイヤフラムの中央部が比較的f朗く
なるので、圧力を加えた際に起歪はり部34に発生する
ひずみはゲージ抵抗38の配置領域に集中する。このた
め第2図と比較しさらに低い圧力領域まで楕匿良く測定
することができるようになる。
第5図は本発明の第3の実施例を7廖す。ig2図と異
なる点は起歪はり部34を一端を固定部30に接続され
た片持ばり状としたことにある。かかる構成では、起歪
はり部が片持はシであるため、第2図と比較し、さらに
低い圧力領域凍で梢1及良く測定することができるよう
になる。
第6図は本発明の第4の実施例を示す。第2図と異なる
点はタイヤフラム部中の起歪に9部34と隔膜部36の
分離にあって、測定ダイヤフラム10の裏面からのエツ
チング全採用したことにある。この形状では、ゲージ抵
抗面側は起歪部、固友部ともすべで平坦で表面が810
2で覆われているため、測定ダイヤフラム上の金鵡配線
引きまわしの自由度が増加する利点ヲ個する。J:うに
なる。
以上、述べた実施例では、タイヤフラム部上に起歪は9
部をたとえば十字形にする等、2個形成する場合を説明
したものであるが、起歪tより稀の数は1個でも良く、
さらに3個以上でも良いことはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上述べたことから明らかなよりに、本発明による半導
体圧力差圧検出器によれば、低圧測定時であっても、圧
力と出力との関係を直線的にすることができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明が適用される圧力差圧検出器の全体償成
を示す断面図、第2図および第3図ンよ本発明の圧力差
圧検出器の一実施例を示す構成図で、第2図は平面図、
第3図は第2図のIII −II ’にお&−する断面
図、第4図ないし第6図はそれぞれ本発明fCよる圧力
差圧検出器の他の実施例を示ず構成図である。 10・・・測定タイヤフフム、30・・・固定部、32
・・ダイヤフラム部、34・・・起φは9部、36・・
・隔膜部、38・・・ゲージ抵抗。 代理人 弁理士 旨橋明夫− 、キー9・′・、、、、:J、、、。 第 1  口 第 2 口 第 3 阻 第 4 図 第 5 凶 −一〒〒〒〒〒G

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、周辺部に厚肉の固定部と、その内側に薄肉のダイヤ
    フラム部とを有する半導体基板の前記ダイヤフラム部面
    に歪感応素子を形成した半導体圧力差圧検出器において
    、前記ダイヤフラム部は歪感応素子が形成された領域部
    においてそれ以外の領域部よシも肉厚を厚くしたはり部
    が前記固定部と接続させた状態にて形成されていること
    を特徴とする半導体圧力差圧検出器。
JP19245482A 1982-11-04 1982-11-04 半導体圧力差圧検出器 Granted JPS5983023A (ja)

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JPH0419495B2 JPH0419495B2 (ja) 1992-03-30

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