JPS5980683A - 6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体およびその製造法 - Google Patents
6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1−エチル−6−フルオロ−1,4−ジヒドロ
−4−オキソ−7−(4−エトキシカルボニル−1−ヒ
。
−4−オキソ−7−(4−エトキシカルボニル−1−ヒ
。
ベラシニル)−1,8−ナフチリジン−6−カルボン酸
BP キレート化合物(以下、BF2キレート化合物
という)およびその製造法ならびにBI”2キレ一ト化
合物を加水分解することにより1−エチル−6−フルオ
ロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−(1−ヒ°ペラジ
ニル)−1,8−ナフチリジン−6−カルボン酸を製造
する方法に関する。さらに詳しくは式(■):であられ
される化合物および式(■):であられされるジエチル
−N−エチル−N−(2−(4−エトキシカルボニル−
1−ピペラジニル)−3−フルオロ−6−ピリジルコア
ミノメチレンマロネートを三フッ化ホウ素および(また
は)三フッ化ホウ素錯体を用いて環化縮合させることを
特徴とする前記式(I)であられされる化合物の製造法
ならびに前記BF2キレート化合物な加水分解すること
を特徴とする式(■): であられされる1−エチル−6−フルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−7−(1−ピペラジニル)−1,
8−ナフチリジン−6−カルボン酸の製造法に関する。
BP キレート化合物(以下、BF2キレート化合物
という)およびその製造法ならびにBI”2キレ一ト化
合物を加水分解することにより1−エチル−6−フルオ
ロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−(1−ヒ°ペラジ
ニル)−1,8−ナフチリジン−6−カルボン酸を製造
する方法に関する。さらに詳しくは式(■):であられ
される化合物および式(■):であられされるジエチル
−N−エチル−N−(2−(4−エトキシカルボニル−
1−ピペラジニル)−3−フルオロ−6−ピリジルコア
ミノメチレンマロネートを三フッ化ホウ素および(また
は)三フッ化ホウ素錯体を用いて環化縮合させることを
特徴とする前記式(I)であられされる化合物の製造法
ならびに前記BF2キレート化合物な加水分解すること
を特徴とする式(■): であられされる1−エチル−6−フルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−7−(1−ピペラジニル)−1,
8−ナフチリジン−6−カルボン酸の製造法に関する。
式(lIl)であられされる化合物は抗菌剤としての賭
性質が公知の抗菌作用を有する化合物(特開昭55−8
5785号公報参照)の中でも優れており、きわめて有
用な化合物である。また式CI)であられされる化合物
は新規化合物であり、前記式(,111)であられされ
る6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体へのきわ
めて適切な前駆体である。
性質が公知の抗菌作用を有する化合物(特開昭55−8
5785号公報参照)の中でも優れており、きわめて有
用な化合物である。また式CI)であられされる化合物
は新規化合物であり、前記式(,111)であられされ
る6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体へのきわ
めて適切な前駆体である。
式(m)であられされる化合物の製造法として特公昭−
57−10109号公報に次式に示すごとく、化合物(
A)を加熱閉環せしめ、ついでヨウ化エチルでエチル化
し、生成した化合物(0)を加水分解することにより目
的の化合物FD)をうる報告がなされている。
57−10109号公報に次式に示すごとく、化合物(
A)を加熱閉環せしめ、ついでヨウ化エチルでエチル化
し、生成した化合物(0)を加水分解することにより目
的の化合物FD)をうる報告がなされている。
(A)、 (B)(
0) (D)しか
し前記式(II)であられされる化合物を環化縮合させ
、相当する1、8−ナフチリジン環を形成せしめる例は
得られる式(I)の化合物およびその製造法ともこれま
で知られてぃなかった。
0) (D)しか
し前記式(II)であられされる化合物を環化縮合させ
、相当する1、8−ナフチリジン環を形成せしめる例は
得られる式(I)の化合物およびその製造法ともこれま
で知られてぃなかった。
本発明者らは前記式([)であられされる化合物を三フ
ッ化ホウ素および(またはン三7ツ化ホウ、1体と加熱
することにより容易に1.8−ナフチリジン環を形成す
ることを見出し、すなわち式(損であられされる化合物
を三7〕化ホウ素および(または)三フッ化ホウ素錯体
を用いて溶媒の存在下または非存在下に加熱環化縮合せ
しめることにより、式(1)であられされる新規な化合
物を容易にえられることおよび該化合物を加水分解する
ことによりすぐれた収率で抗菌剤として有用な式(Il
l)であられされる化合物、1−エチル−6−フルオロ
−1,4−ジヒド四−4−オキソ−7−(1−ピペラジ
ニル)−1,8−ナフチリジン−6−カルボン酸を容易
にえられることを見出し、本発明を完成するにいたった
。
ッ化ホウ素および(またはン三7ツ化ホウ、1体と加熱
することにより容易に1.8−ナフチリジン環を形成す
ることを見出し、すなわち式(損であられされる化合物
を三7〕化ホウ素および(または)三フッ化ホウ素錯体
を用いて溶媒の存在下または非存在下に加熱環化縮合せ
しめることにより、式(1)であられされる新規な化合
物を容易にえられることおよび該化合物を加水分解する
ことによりすぐれた収率で抗菌剤として有用な式(Il
l)であられされる化合物、1−エチル−6−フルオロ
−1,4−ジヒド四−4−オキソ−7−(1−ピペラジ
ニル)−1,8−ナフチリジン−6−カルボン酸を容易
にえられることを見出し、本発明を完成するにいたった
。
本発明に用いる原料物質である式(n)であられされる
化合物は新規化合物であり次式の工程で製箔されうる。
化合物は新規化合物であり次式の工程で製箔されうる。
前記の様に従来法による環化生成物(B)はその1位が
未だエチル化されておらず、さらにエチル化の工程を必
要とする。これに対し、本発明に用いる原料物質である
(…)であられされる化合物は2,6−ジクロルピリジ
ンのエチルアミノ化工程を経て製造されるため、これを
環化縮合させた式(I)であられされる化合物の1位に
はすでにエチル基が導入されており、化合物(A)を原
料物質とする従来法のごとくさらにエチル化する工程は
不要である。しかも2,6−ジクロルピリジンのエチル
アミンによるエチルアミノ化はアンモニア水による単な
るアミノ化と比較して140°0(〜9 kg/cm”
) 6時間、収率93%というはるかに容易な条件で
、かつ高収率で製造することができるという利点を有す
ることもまた見出している。
未だエチル化されておらず、さらにエチル化の工程を必
要とする。これに対し、本発明に用いる原料物質である
(…)であられされる化合物は2,6−ジクロルピリジ
ンのエチルアミノ化工程を経て製造されるため、これを
環化縮合させた式(I)であられされる化合物の1位に
はすでにエチル基が導入されており、化合物(A)を原
料物質とする従来法のごとくさらにエチル化する工程は
不要である。しかも2,6−ジクロルピリジンのエチル
アミンによるエチルアミノ化はアンモニア水による単な
るアミノ化と比較して140°0(〜9 kg/cm”
) 6時間、収率93%というはるかに容易な条件で
、かつ高収率で製造することができるという利点を有す
ることもまた見出している。
前記のように式(It)であられされる化合物を用いて
新規な化合物である式(I)であられされる化合物を容
易に製造し、該化合物より式(Jll)であられさf−
L、6ローフルオロー1.8−ナフチリジン誘導体が化
合物(A)を原料物質とする従来法と比較して極めて有
利に製造される。
新規な化合物である式(I)であられされる化合物を容
易に製造し、該化合物より式(Jll)であられさf−
L、6ローフルオロー1.8−ナフチリジン誘導体が化
合物(A)を原料物質とする従来法と比較して極めて有
利に製造される。
本発明の式(1)の化合物を製造する方法は式(])で
あられされる化合物と三フッ化ホウ素および(または)
三フッ化ホウ素錯体との混合物を溶媒の存在下で180
〜250°C1好ましくは200〜240°0で1〜6
0分間、好ましくは4〜40分間保持することにより行
なわれる。
あられされる化合物と三フッ化ホウ素および(または)
三フッ化ホウ素錯体との混合物を溶媒の存在下で180
〜250°C1好ましくは200〜240°0で1〜6
0分間、好ましくは4〜40分間保持することにより行
なわれる。
該環化縮合を溶媒の存在下で行なうさいの原料化合物お
よび溶媒の混合法は種々可能であり、たとえば溶媒と式
(n)であられされる化合物とを混合し、所定の温度に
加熱し、それに三フッ化ホウ素を吹き込むかまたは三フ
ッ化ホウ素錯体を添加する、または式(II)であられ
される化合物、三フッ化ホウ素錯体および溶媒を室温で
混合し、その混合物をそれとは別に所定の温度に加熱さ
れた溶媒中に滴下する方法などがあげられる。
よび溶媒の混合法は種々可能であり、たとえば溶媒と式
(n)であられされる化合物とを混合し、所定の温度に
加熱し、それに三フッ化ホウ素を吹き込むかまたは三フ
ッ化ホウ素錯体を添加する、または式(II)であられ
される化合物、三フッ化ホウ素錯体および溶媒を室温で
混合し、その混合物をそれとは別に所定の温度に加熱さ
れた溶媒中に滴下する方法などがあげられる。
本発明において用いる三フフ化ホウ素錯体としては三フ
ッ化ホウ素の環状エーテル錯体、ジアルキルエーテル錯
体などのエーテルM体など各種のものが使用できる。た
とえば三フフ化ホウ素のテトラヒドロフラン錯体、ジブ
チルエーテル錯体、ジエチルエーテル錯体などが具体例
としてあげられ、それらは単独または2種以上を混合し
て使用される。かかる三フッ化ホウ素および(または)
三フッ化ホウ素錯体の使用量は式(1)であられされる
化合物1モルに対して1〜6モルの範囲、とくに1〜1
.5モルの範囲が好ましい。本発明において使用される
溶媒としては安定でしかも反応温度を180〜250°
Oに保持するのに充分な沸点を有するものであればとく
に制限されず、ジアリール、ジアリールエーテルなどが
好ましく、たとえばジフェニルエーテルまたはジフェニ
ルエーテルとジフェニルとの混合物などが入手しやすい
などの点から好ましい。溶媒の使用量はとくに制限され
ないが作業能率の面から式(II)であられされる化合
物1重量部に対して15重に部具下の範囲が好ましい。
ッ化ホウ素の環状エーテル錯体、ジアルキルエーテル錯
体などのエーテルM体など各種のものが使用できる。た
とえば三フフ化ホウ素のテトラヒドロフラン錯体、ジブ
チルエーテル錯体、ジエチルエーテル錯体などが具体例
としてあげられ、それらは単独または2種以上を混合し
て使用される。かかる三フッ化ホウ素および(または)
三フッ化ホウ素錯体の使用量は式(1)であられされる
化合物1モルに対して1〜6モルの範囲、とくに1〜1
.5モルの範囲が好ましい。本発明において使用される
溶媒としては安定でしかも反応温度を180〜250°
Oに保持するのに充分な沸点を有するものであればとく
に制限されず、ジアリール、ジアリールエーテルなどが
好ましく、たとえばジフェニルエーテルまたはジフェニ
ルエーテルとジフェニルとの混合物などが入手しやすい
などの点から好ましい。溶媒の使用量はとくに制限され
ないが作業能率の面から式(II)であられされる化合
物1重量部に対して15重に部具下の範囲が好ましい。
本発明の方法、すなわち式(I)であられされるBF2
キレート化合物を加水分解することにより目的とする式
(Il[)であられされる化合物、1−エチル−6−フ
ルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−7−(1−ピ
ペラジニル)−1,a−ナフチリジン−6−カルボン酸
を収率約95%という高率でうろことができるが、環化
縮合を溶媒の存在下で行なうばあい、式(I)であられ
されるBF2キレート化合物を反応液から取出さず、反
応液をそのまま加水分解することもできる。加水分解は
酸処理でも行ないうるが、アルカリ処理が好ましい。加
水分解は水および(または)アルコール中で実施するこ
とができ、本発明にいう加水分解とは水のみならずメタ
ノール、エタノールナトのアルコール中で行なわれる反
応をも含む概念である。アルカリ処理で使用するアルカ
リとしてはとくに限定されないが、工業的に入手しやす
いナトリウム、カリウムなどの水酸化物などがあげられ
る。それらのアルカリの使用量としてはとくに限定され
ないが、たとえば原誉である式(1)であられされる化
合物を1モル用いてたとえば10%(重量%、以下同様
)苛性ソーダ水溶液で処理するばあいには苛性ソーダ水
溶液を1〜10!程度使用するのが操作上好ましい。該
処理の温度は50〜100°Cの範囲で行なうのが好ま
しい。アルカリ処理終了後、酸で中和することにより式
(Ill)であられされる化合物を結晶でうろことがで
きる。
キレート化合物を加水分解することにより目的とする式
(Il[)であられされる化合物、1−エチル−6−フ
ルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−7−(1−ピ
ペラジニル)−1,a−ナフチリジン−6−カルボン酸
を収率約95%という高率でうろことができるが、環化
縮合を溶媒の存在下で行なうばあい、式(I)であられ
されるBF2キレート化合物を反応液から取出さず、反
応液をそのまま加水分解することもできる。加水分解は
酸処理でも行ないうるが、アルカリ処理が好ましい。加
水分解は水および(または)アルコール中で実施するこ
とができ、本発明にいう加水分解とは水のみならずメタ
ノール、エタノールナトのアルコール中で行なわれる反
応をも含む概念である。アルカリ処理で使用するアルカ
リとしてはとくに限定されないが、工業的に入手しやす
いナトリウム、カリウムなどの水酸化物などがあげられ
る。それらのアルカリの使用量としてはとくに限定され
ないが、たとえば原誉である式(1)であられされる化
合物を1モル用いてたとえば10%(重量%、以下同様
)苛性ソーダ水溶液で処理するばあいには苛性ソーダ水
溶液を1〜10!程度使用するのが操作上好ましい。該
処理の温度は50〜100°Cの範囲で行なうのが好ま
しい。アルカリ処理終了後、酸で中和することにより式
(Ill)であられされる化合物を結晶でうろことがで
きる。
なお本発明において加水分解とは、B%キレート化合物
をそのBFキレート部分のBF2をはずしカルボン酸ま
たはその塩とする反応および7位のヒヘラジン環上の4
位のエトキシカルボニル基の脱141を反応をも同時に
行なわしめるものである。
をそのBFキレート部分のBF2をはずしカルボン酸ま
たはその塩とする反応および7位のヒヘラジン環上の4
位のエトキシカルボニル基の脱141を反応をも同時に
行なわしめるものである。
前記のごとく本発明の方法により高収率がっ高能率で式
(Ill)であられされる化合物、1−エチル−6−フ
ルオtff−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−7−(1
−ピペラジニル)−1,8−ナフチリジン−3−カルボ
ン酔ヲうることかできるので本発明の方法は工業的にき
わめて有利な方法である。
(Ill)であられされる化合物、1−エチル−6−フ
ルオtff−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−7−(1
−ピペラジニル)−1,8−ナフチリジン−3−カルボ
ン酔ヲうることかできるので本発明の方法は工業的にき
わめて有利な方法である。
つぎに実施例をあげて本発明の化合物および本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
実施例1
ジエチル−N−エチル−N−(2−(4−エトキシカル
ボニル−1−ヒ°ベラジニル>−S−フルオ四−6−ヒ
°リジル〕アミノメチレンマロネ・−) 46.6g
、タウサーム(熱媒体、ダウケミカル社製)140gお
よび三フッ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体15.49
を室温で混合した。その混合物を230oO付近に加熱
され攪拌されているダウ−リーム200g中に、反応中
に生じる低115点物質を反応系外に溜出させjjから
、1o分間かけて滴下した。滴下終了後さらに5分間同
温度に保持した。
ボニル−1−ヒ°ベラジニル>−S−フルオ四−6−ヒ
°リジル〕アミノメチレンマロネ・−) 46.6g
、タウサーム(熱媒体、ダウケミカル社製)140gお
よび三フッ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体15.49
を室温で混合した。その混合物を230oO付近に加熱
され攪拌されているダウ−リーム200g中に、反応中
に生じる低115点物質を反応系外に溜出させjjから
、1o分間かけて滴下した。滴下終了後さらに5分間同
温度に保持した。
環化縮合終了後反応液を室温まで冷却し、析出した結晶
を側渦し、石油エーテルで洗浄して1−エチル−7−(
4−エトキシカルボニル−1−ピペラジニル)−6−フ
ルメロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−1,8−ナフ
チリジン−3−カルボン1浚−BF2−キレート59.
69(収率9o%)をえた。
を側渦し、石油エーテルで洗浄して1−エチル−7−(
4−エトキシカルボニル−1−ピペラジニル)−6−フ
ルメロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−1,8−ナフ
チリジン−3−カルボン1浚−BF2−キレート59.
69(収率9o%)をえた。
えられた化合物の元素分析、融点測定、NMR分析、工
R分析を行なった結果を以下に示す。
R分析を行なった結果を以下に示す。
元素分析値:
実測値C%) : 049.02 H4,46N 1
2.48B 2.32 F 12.88 理論値(%)! o 49.11 H4,58N 1
2.73B 2.46 F 12.95 融 点:270〜275°0(549°Cで分解)
NMR(δ値、ppm ) : 0F300OD中1.
57 (t、 N−0H2−OH3) 、1.66 、
(ts 000−aH2=−aH3)、3.60〜4.
50(m、ピペラジン環の水素原子)、4.35(q
、 N−0R2−OH3)、4.80 (q、 N0O
O−OH2−OH3)、8.11(d、ナフチリジン環
の5位の水素原子)、9.16(8%ナフチリジン環の
2位の水M原子)工Rj KBr法 1640cm (共役カルボニル基)実施例2 ジエチル−N−エチル−N−(2−(4−エトキシカル
ボニル−1−ピペラジニル)−3−フルオロ−6−ピリ
ジル〕アミノメチジンマロネー) 46.6g 、E
yフ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体15.8gおよび
ジフェニルエーテルとジフェニルのJYjjt比2.4
:1の混合物sopを室温で混合した。その混合物を2
28〜231°0に加熱され、11押されているジフェ
ニルエーテルとジフェニルト(7)ffi量比2.4:
1の混合物1209中に、反応中に生じる低沸点物質を
反応系外に溜出させながら、25分間かけて滴下した。
2.48B 2.32 F 12.88 理論値(%)! o 49.11 H4,58N 1
2.73B 2.46 F 12.95 融 点:270〜275°0(549°Cで分解)
NMR(δ値、ppm ) : 0F300OD中1.
57 (t、 N−0H2−OH3) 、1.66 、
(ts 000−aH2=−aH3)、3.60〜4.
50(m、ピペラジン環の水素原子)、4.35(q
、 N−0R2−OH3)、4.80 (q、 N0O
O−OH2−OH3)、8.11(d、ナフチリジン環
の5位の水素原子)、9.16(8%ナフチリジン環の
2位の水M原子)工Rj KBr法 1640cm (共役カルボニル基)実施例2 ジエチル−N−エチル−N−(2−(4−エトキシカル
ボニル−1−ピペラジニル)−3−フルオロ−6−ピリ
ジル〕アミノメチジンマロネー) 46.6g 、E
yフ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体15.8gおよび
ジフェニルエーテルとジフェニルのJYjjt比2.4
:1の混合物sopを室温で混合した。その混合物を2
28〜231°0に加熱され、11押されているジフェ
ニルエーテルとジフェニルト(7)ffi量比2.4:
1の混合物1209中に、反応中に生じる低沸点物質を
反応系外に溜出させながら、25分間かけて滴下した。
滴下終了後さらに5分間同温度に保持した。
環化縮合終了後反応液を冷却し、それに10%苛性ソー
ダ水溶液400gを加え、攪拌下に6時間I!lf!
R水浴上でアルカリ処理した。冷却後水層を10%酢酸
でpH7〜7.5に調整し、析出した結晶をp取、水洗
後乾燥させて結晶27.59 (原料マロネートよりの
1il収率86%)をえた。
ダ水溶液400gを加え、攪拌下に6時間I!lf!
R水浴上でアルカリ処理した。冷却後水層を10%酢酸
でpH7〜7.5に調整し、析出した結晶をp取、水洗
後乾燥させて結晶27.59 (原料マロネートよりの
1il収率86%)をえた。
えられた結晶をジメチルホルムアミド−エタノール混合
溶媒を用いて再結晶させ、精製した1−エチル−6−フ
ルオ四−1,4−ジヒドロー4−オキソ−7−(1−ピ
ペラジニル)−1,8−す7チリジンー6−カルボン酸
27.2g(原料マロネートよりの収率82%)をえた
。
溶媒を用いて再結晶させ、精製した1−エチル−6−フ
ルオ四−1,4−ジヒドロー4−オキソ−7−(1−ピ
ペラジニル)−1,8−す7チリジンー6−カルボン酸
27.2g(原料マロネートよりの収率82%)をえた
。
えられた化合物の融点測定、MSスペクトル分析を行な
った結果を以下に示す。
った結果を以下に示す。
融 点:220〜224°O
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式(I): であられされる1−エチル−6−フルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−7−(4−エトキシカルボニル−
1−ピペラジニル)−1,8−す7チリジンー6−カル
ボンa Bl’2キレート化合物。 2 式(II) : であられされるジエチル−N−エチル−N−(2−(4
−エトキシカルボニル−1−ピペラジニル)−6−フル
オロ−6−ピリジルコアミノメチレンマロネートを三フ
ッ化ホウ素および(または)三フッ化ホウ素錨体を用い
て溶媒の存在下または非存在下に加熱環化縮合させるこ
とを特徴とする式(I): であられされる1−エチル−6−フルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−7−(4−エトキシカルボニル−
1−ピペラジニル)−1,8・−ナフチリジン−3一カ
ルボン酸EF2キレート化合物の製造法。 6 前記式(It)であられされる化合物と溶媒とを混
合、加熱し、これに三フッ化ポウ素および(または)三
フッ化ホウ素錯体を加える特許請求の範囲第2項記載の
方法。 4 前記式(II)であられされる化合物、三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体および溶媒を室温付近で混合し、その
混合物をそれとは別に加熱された溶媒中に加える特許請
求の範囲第2項記載の方法。 5 前記溶W カシフェニルエーテル、ジフェニルま
たは両番の混合物である特許請求の範囲第2項、第6項
または第4項記載の方法。 6 式(n): であられされる化合物奈三フッ化ホウ素および(または
)三フッ化ホウ素錨体を用いて加熱環化縮合させて、式
(■): であられされるキレート化1,8−ナフチリジン誘導体
を製造し、つぎにそれを加水分解することを特徴とする
式([0: であられされる1−エチル−6−フルオロ−1,4−・
クヒドロー4−オキソ−7−(1−ピペラジニル)−1
,8−す7チリジンー6−カルボン酸の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57191594A JPS5980683A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57191594A JPS5980683A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5980683A true JPS5980683A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=16277231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57191594A Pending JPS5980683A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 6−フルオロ−1,8−ナフチリジン誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5980683A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871849A (en) * | 1985-12-09 | 1989-10-03 | Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | 1-Methylamino-quinoline-carboxylic acid derivatives |
US4981966A (en) * | 1985-12-09 | 1991-01-01 | Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | Process for the preparation of quinoline carboxylic acids |
US5091530A (en) * | 1987-04-08 | 1992-02-25 | Chinoin Gyogyszer- Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | Baron chelates of quinoline carboxylic acids |
JP2009030873A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 貯蔵庫 |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP57191594A patent/JPS5980683A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871849A (en) * | 1985-12-09 | 1989-10-03 | Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | 1-Methylamino-quinoline-carboxylic acid derivatives |
US4981966A (en) * | 1985-12-09 | 1991-01-01 | Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | Process for the preparation of quinoline carboxylic acids |
US5091530A (en) * | 1987-04-08 | 1992-02-25 | Chinoin Gyogyszer- Es Vegyeszeti Termekek Gyara Rt. | Baron chelates of quinoline carboxylic acids |
JP2009030873A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 貯蔵庫 |
US8220888B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-07-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Storage with a symmetric hinge assembly |
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