JPS5978491A - 薄膜elの製造方法 - Google Patents
薄膜elの製造方法Info
- Publication number
- JPS5978491A JPS5978491A JP57189406A JP18940682A JPS5978491A JP S5978491 A JPS5978491 A JP S5978491A JP 57189406 A JP57189406 A JP 57189406A JP 18940682 A JP18940682 A JP 18940682A JP S5978491 A JPS5978491 A JP S5978491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- insulating film
- light emitting
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分賢
Cの発明は薄膜KLの製造方法に関し、特にその絶縁膜
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
背景技術
薄膜KLは従来の無機型や有機型のKLに比較して、発
光輝度が大きいため最近注目されている。
光輝度が大きいため最近注目されている。
第1図は従来の代表的な二重絶縁膜構造の薄膜ELの断
面図を示す。図において、1は透明ガラス基板で、その
片面にSnow 、 TiO、工nt03等の透明導電
膜2を形成し、その上に透明導電膜2よりも小面積に1
YtOx 、 TarOg 、 5irN+ 、 Sm
20s 、 AjL20s等の第1の絶縁膜3を形成し
、この第1の絶縁膜3上にこれよりも小面積にZnS
: Mn (Ou 、 C!見)、Tb?++Zn5e
:Mn等の発光層4を形成し、この発光層4の上から前
記第1の絶縁膜3と同一面積に前記のような材料で第2
の絶縁膜5を形成し、はらにこの第2の絶縁膜5の上に
前記発光層4とほぼ同一面積VCアルミニウム等よりな
る背面電極6を形成している。
面図を示す。図において、1は透明ガラス基板で、その
片面にSnow 、 TiO、工nt03等の透明導電
膜2を形成し、その上に透明導電膜2よりも小面積に1
YtOx 、 TarOg 、 5irN+ 、 Sm
20s 、 AjL20s等の第1の絶縁膜3を形成し
、この第1の絶縁膜3上にこれよりも小面積にZnS
: Mn (Ou 、 C!見)、Tb?++Zn5e
:Mn等の発光層4を形成し、この発光層4の上から前
記第1の絶縁膜3と同一面積に前記のような材料で第2
の絶縁膜5を形成し、はらにこの第2の絶縁膜5の上に
前記発光層4とほぼ同一面積VCアルミニウム等よりな
る背面電極6を形成している。
従来上記各膜3〜6は蒸着やスパッタ法で形成されてい
たが、第1.第2の絶縁膜3,5をこれらの方法で大面
積に均一な厚さに形成することは非常に困難で、しかも
大型、複雑、高価な装置が必要になるといった問題点が
あった。
たが、第1.第2の絶縁膜3,5をこれらの方法で大面
積に均一な厚さに形成することは非常に困難で、しかも
大型、複雑、高価な装置が必要になるといった問題点が
あった。
発明の開示
そこで、この発明は大型の装置を必要としないで、犬面
填に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄膜ELの製造方
法を提供することを目的とする。
填に均一な厚さの絶縁膜を形成できる薄膜ELの製造方
法を提供することを目的とする。
この発明は簡単に言えば、酸化膜形成剤を塗布。
スプレー、ディップ法によって成膜し、加熱分解するこ
とによって絶縁膜を形成することを特徴とするものであ
る。
とによって絶縁膜を形成することを特徴とするものであ
る。
すなわち、上記成膜作業は蒸着やスパッタ法に比較して
、大気中で常圧で行なえるので、成膜作業が著しく容易
になり、また大型の装置を必要としないで、大面積に均
一な厚さに成膜できるものであって、大面積のかつ発光
層のない薄膜ELを安価に製造できるという効果がある
。
、大気中で常圧で行なえるので、成膜作業が著しく容易
になり、また大型の装置を必要としないで、大面積に均
一な厚さに成膜できるものであって、大面積のかつ発光
層のない薄膜ELを安価に製造できるという効果がある
。
発明を実施するための最良の形態
透明カラス基板1の片面に透明導電膜2を形成したのち
、第2図に示すような工程で第1の絶縁膜3を形成した
。すなわち、まず界面活性剤水溶液で超音波洗浄したの
ち、水洗してアルコールまたはアセトンで洗浄して、前
処理ユOを施す。その後10cm 150°Cの温度で
10分間程度乾燥して表面の水分およびアルコール分を
揮発させることにより前乾燥処理11を施す。こののち
、酸化物膜形成剤1例えば技研科学社製G工P型BaT
iO3溶液に浸漬し、l Q cm / min で引
き上げて、透明導電膜2上に有機金属化合物膜を形成し
成膜処理12を施す。続いて、100〜l 50 ’C
で30分間以上加熱して後乾燥処理13を施す。さらに
これを500°Cで30分間加熱して焼成処理14を施
し、徐冷処理15を施した。以上のようにして、30
an’内の厚さのばらつきが500A以下の厚さ400
0 Aの第1の絶縁膜3が形成できた。
、第2図に示すような工程で第1の絶縁膜3を形成した
。すなわち、まず界面活性剤水溶液で超音波洗浄したの
ち、水洗してアルコールまたはアセトンで洗浄して、前
処理ユOを施す。その後10cm 150°Cの温度で
10分間程度乾燥して表面の水分およびアルコール分を
揮発させることにより前乾燥処理11を施す。こののち
、酸化物膜形成剤1例えば技研科学社製G工P型BaT
iO3溶液に浸漬し、l Q cm / min で引
き上げて、透明導電膜2上に有機金属化合物膜を形成し
成膜処理12を施す。続いて、100〜l 50 ’C
で30分間以上加熱して後乾燥処理13を施す。さらに
これを500°Cで30分間加熱して焼成処理14を施
し、徐冷処理15を施した。以上のようにして、30
an’内の厚さのばらつきが500A以下の厚さ400
0 Aの第1の絶縁膜3が形成できた。
上記のG工P型成膜剤は、M−(○−R)3.M(01
ER)x(Mは金属、Rは直鎖アルキル基などの有機物
)等の構造を有し、加熱によって(O−R)s 、 (
o−0−R)s 等が熱分解し、酸素(0)が1 金属(M)と結合して、金属酸化物よりなる絶縁膜を形
成するのである。したがって、上記構造式の金属(M)
を適宜選定することによって、P ’b T i○、。
ER)x(Mは金属、Rは直鎖アルキル基などの有機物
)等の構造を有し、加熱によって(O−R)s 、 (
o−0−R)s 等が熱分解し、酸素(0)が1 金属(M)と結合して、金属酸化物よりなる絶縁膜を形
成するのである。したがって、上記構造式の金属(M)
を適宜選定することによって、P ’b T i○、。
T 102 z M g OIB a O、T a 2
0 s 等唸たはそれらの複合膜も形成することができ
る。
0 s 等唸たはそれらの複合膜も形成することができ
る。
このようにして得られた第1の絶縁膜3を周知のフォト
エツチング法等によりパターニングし、その上に従来と
同様に発光層4を形成し、さらに上記と同様の方法で第
2の絶縁膜5を形成したのち、背m]電錐6を形成した
ところ、発光層のない薄膜ELが得られた。
エツチング法等によりパターニングし、その上に従来と
同様に発光層4を形成し、さらに上記と同様の方法で第
2の絶縁膜5を形成したのち、背m]電錐6を形成した
ところ、発光層のない薄膜ELが得られた。
なお、上記の成膜工程12では、上記実fli例に示し
たティップ法のみならず、スピンナー塗布法。
たティップ法のみならず、スピンナー塗布法。
スプレー法や印刷法を採用することができる。
第11図はこの発明の背景となる二重絶縁膜構造の薄膜
ELの断面図、第2図はこの発明の薄@ELの製造方法
V(おける絶縁膜の製造工程のブロック図である。 1・・・・・透明ガラス基板、 2・・・・透明導電膜、 3.5・・・・ 絶縁膜、 4・−・・・発光層、 6 ・・・・背面電極。 第1図 第2図
ELの断面図、第2図はこの発明の薄@ELの製造方法
V(おける絶縁膜の製造工程のブロック図である。 1・・・・・透明ガラス基板、 2・・・・透明導電膜、 3.5・・・・ 絶縁膜、 4・−・・・発光層、 6 ・・・・背面電極。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明ガラス基板に透明導電膜、絶縁膜1発光層。 背面電極を簿膜状に積層形成する薄膜EI、の製造方法
において、 前記絶縁膜を、酸化物形成剤を塗布、スプレー。 ディップ法により成膜し、加熱分解によって形成するこ
とを特徴とする薄膜ELの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜elの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57189406A JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜elの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5978491A true JPS5978491A (ja) | 1984-05-07 |
JPS6250956B2 JPS6250956B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=16240740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57189406A Granted JPS5978491A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 薄膜elの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5978491A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10516121B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-12-24 | Sakai Display Products Corporation | Apparatus for producing flexible display |
JP6518841B1 (ja) | 2017-09-13 | 2019-05-22 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルディスプレイ、その製造方法、およびフレキシブルディスプレイ用支持基板 |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57189406A patent/JPS5978491A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6250956B2 (ja) | 1987-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2366572A1 (en) | Composite substrate, thin-film light-emitting device comprising the same, and method for producing the same | |
US3210214A (en) | Electrical conductive patterns | |
JPS63312964A (ja) | インジウム・スズ・酸化物層の製造方法 | |
JPS5978491A (ja) | 薄膜elの製造方法 | |
US6248958B1 (en) | Resistivity control of CIC material | |
CN105762305A (zh) | 一种复合阳极、qled器件及其制备方法 | |
US4126713A (en) | Forming films on semiconductor surfaces with metal-silica solution | |
US3499782A (en) | Substrate protective oxidized coating process | |
JPH01173041A (ja) | パターン形成方法 | |
JPH04139005A (ja) | 無機化合物薄膜の製造方法 | |
JP2667231B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
JPS57145499A (en) | Piezoelectric or pyroelectric element and its production | |
JPH01249171A (ja) | 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 | |
JPS5511208A (en) | Production of electrochromic layer | |
US4190458A (en) | Metal-silica solution for forming films on semiconductor surfaces | |
JPS62205267A (ja) | 酸化アルミニウム膜の製造方法 | |
SU384541A1 (ru) | Способ изготовления электродов из двуокиси марганца | |
JPH04331745A (ja) | 透光性導電性酸化亜鉛膜の製造方法 | |
JPH0722176A (ja) | 薄膜発光素子 | |
GB1384793A (en) | Electrodes for electrochemical processes | |
JPS62146273A (ja) | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 | |
JPS6443922A (en) | Formation of superconductive thin film | |
JPS59201311A (ja) | 透明電極の形成方法 | |
KR910005115B1 (ko) | 금속판에 세라믹 전열선을 형성시키는 방법 | |
RU2070616C1 (ru) | Способ получения защитного покрытия на основе оксидов металлов на поверхности материалов и изделий |