JPS5975658A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
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- JPS5975658A JPS5975658A JP18702182A JP18702182A JPS5975658A JP S5975658 A JPS5975658 A JP S5975658A JP 18702182 A JP18702182 A JP 18702182A JP 18702182 A JP18702182 A JP 18702182A JP S5975658 A JPS5975658 A JP S5975658A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 3
- VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N NPNP Chemical compound NPNP VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の属する分野
本発明は高耐圧半導体装置に係り、特にブレーナ接合に
よシ形成される高側圧トランジスタ又はザイリスタ、ト
ライブックに関する。
よシ形成される高側圧トランジスタ又はザイリスタ、ト
ライブックに関する。
(2)従来技術の欣1明
従来のプレーナ形高耐圧半導体素子に於て、フローティ
ングリングを有するNPN )ランジスタの断面図を第
1図に、平凹図を第2図にフローティンクリング付近の
空乏層の延びを第3図に示す。
ングリングを有するNPN )ランジスタの断面図を第
1図に、平凹図を第2図にフローティンクリング付近の
空乏層の延びを第3図に示す。
一般にクレープ−接合において電界強度は接合の曲部に
集中し降伏1R圧は平面接合に比べて大きく低下する。
集中し降伏1R圧は平面接合に比べて大きく低下する。
これは接合の曲部の曲率の大きさに左右され接合曲部の
曲率が大きい方がその部分での1!醒強度が弱められ、
反対に小さければ集中しやすい為である。そこで一般的
には第1図の様にフローティンクリングを入れることに
よシ耐圧を向上させることができる。つまシ第3図に示
すようにこの構造に於て点Xに生ずる電界強度の集中を
フローティンクリング人を導入することにより減少でき
るためである。又第3図に示しである第2のフローティ
ングリングも点Yに生ず′る電界強度を低下させる働き
を持っている。この様に全印加電圧の70−ティングリ
ングの各々に分圧することによシ接合部の電界強度を弱
め耐圧を向上させることができる。しかしながら、従来
のフローティンクリング2は第3図で示すX部での電界
強度が点Y。
曲率が大きい方がその部分での1!醒強度が弱められ、
反対に小さければ集中しやすい為である。そこで一般的
には第1図の様にフローティンクリングを入れることに
よシ耐圧を向上させることができる。つまシ第3図に示
すようにこの構造に於て点Xに生ずる電界強度の集中を
フローティンクリング人を導入することにより減少でき
るためである。又第3図に示しである第2のフローティ
ングリングも点Yに生ず′る電界強度を低下させる働き
を持っている。この様に全印加電圧の70−ティングリ
ングの各々に分圧することによシ接合部の電界強度を弱
め耐圧を向上させることができる。しかしながら、従来
のフローティンクリング2は第3図で示すX部での電界
強度が点Y。
点Zのそれよシも強く、点X部分での電界強度を他の点
Y2点Zよシ相対的に弱める事はできなかった。しかし
実際には特に強い電界強度の集中する点X部でよシ効果
的に70−ティングリングの電界集中抑制効果を働かせ
なければならない。
Y2点Zよシ相対的に弱める事はできなかった。しかし
実際には特に強い電界強度の集中する点X部でよシ効果
的に70−ティングリングの電界集中抑制効果を働かせ
なければならない。
ブレーナ接合による半導体装置において剛圧値は接合曲
部の曲率に影響される。その為従来は深い接合によシ耐
圧特性を向上させていた。
部の曲率に影響される。その為従来は深い接合によシ耐
圧特性を向上させていた。
従来のフローティングリングを用いる場合も主接合曲部
での電界集中を他の70−ティング曲部の電界強度と比
べて弱めることは困難であった。
での電界集中を他の70−ティング曲部の電界強度と比
べて弱めることは困難であった。
(3)発明の目的
本発明の目的は、かかる従来の欠点のない高耐圧な半導
体装置を提供することにある・。
体装置を提供することにある・。
(4)発明の構成
本発明の特徴は、−導筒型の半導体基板の少なくとも1
方の而にプレーナ拡散によシ形成される逆導電型の第1
および第2の拡散層とこの拡散層の少なくとも一方に一
導電型の第3の拡散層をもつPNP又はNPNの3層構
造あるいはPNPN、NPNPの4層構造の第1と第2
の拡散層の各々に隣接してこれらの拡散領域をとシ囲み
これらと同導電型を有する複数個の第4及び第5の拡散
層をもち第4及び第5の少なくとも一組の拡散層の深さ
が第1の拡散層のそれらよシも深くかつ拡散層の曲率が
他のそれよシも大きい高耐圧半導体装置にある。
方の而にプレーナ拡散によシ形成される逆導電型の第1
および第2の拡散層とこの拡散層の少なくとも一方に一
導電型の第3の拡散層をもつPNP又はNPNの3層構
造あるいはPNPN、NPNPの4層構造の第1と第2
の拡散層の各々に隣接してこれらの拡散領域をとシ囲み
これらと同導電型を有する複数個の第4及び第5の拡散
層をもち第4及び第5の少なくとも一組の拡散層の深さ
が第1の拡散層のそれらよシも深くかつ拡散層の曲率が
他のそれよシも大きい高耐圧半導体装置にある。
本発明は第一拡散層と同等あるいは1回の拡散工程を追
加する事によシ前記電界強度を弱め耐圧値を格段に向上
する事ができる。
加する事によシ前記電界強度を弱め耐圧値を格段に向上
する事ができる。
(5)実施例
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。第4
図は本発明実施例であり1はN型基板、2はP型ベース
層、3はN型エミッタ厖、・、4.5はP型フローティ
ングリング、6はエツチングして除去した部分である。
図は本発明実施例であり1はN型基板、2はP型ベース
層、3はN型エミッタ厖、・、4.5はP型フローティ
ングリング、6はエツチングして除去した部分である。
先づN型基板を酸化し酸化膜でマスキングする。ことで
第4図6に示す部分を取り除く為エツチングを実施する
。次にフローティングリング部とPベース部のマスキン
グを施してフローティング部分およびPベース層を拡散
形成する。次に再び酸化し酸化膜でマスキングしてNエ
ミッタ部3を形成する。
第4図6に示す部分を取り除く為エツチングを実施する
。次にフローティングリング部とPベース部のマスキン
グを施してフローティング部分およびPベース層を拡散
形成する。次に再び酸化し酸化膜でマスキングしてNエ
ミッタ部3を形成する。
この様にして第4図の様に第1のフローティング部がP
ベース層よシ深くかつ曲率の大きい構造を実現し得る。
ベース層よシ深くかつ曲率の大きい構造を実現し得る。
つtb他のフローティングリンクとまったく同じ拡散を
行なっていながらそのフローティングリングの内の1つ
あるいは複i 個のフローティングリングの曲率を太き
くしかつ他の70−ティングリングよシも接合を深くす
る事ができた。これによシ第3図点Xに対応する部分X
′の電界集中は大+1]に抑制され従来のフローティン
グ構造により得られる耐圧特性に比べ格段の向上が得ら
れる。
行なっていながらそのフローティングリングの内の1つ
あるいは複i 個のフローティングリングの曲率を太き
くしかつ他の70−ティングリングよシも接合を深くす
る事ができた。これによシ第3図点Xに対応する部分X
′の電界集中は大+1]に抑制され従来のフローティン
グ構造により得られる耐圧特性に比べ格段の向上が得ら
れる。
(6)効果の説明
本発明によりPベース層の接合、表面濃度等を変更する
事なく任意のフローティング部の接合を深くしかつ曲率
を小さくすることによ、Dtl圧特性の向上を計ること
ができた。従来技術においてはフローティングを深くす
るために長時間拡散したシ、曲率を大きくとる為にフロ
ーティンクリングの巾を広くせざるをえずベレット面積
に占める割合が大きかっだが、本発明の方法をとる事に
より容易にフローティングリングの接合を深くしかつそ
れの曲率を大きくする事にかでき他の特性に影響fiI
えずに耐圧特性のみ向上させる事ができる。
事なく任意のフローティング部の接合を深くしかつ曲率
を小さくすることによ、Dtl圧特性の向上を計ること
ができた。従来技術においてはフローティングを深くす
るために長時間拡散したシ、曲率を大きくとる為にフロ
ーティンクリングの巾を広くせざるをえずベレット面積
に占める割合が大きかっだが、本発明の方法をとる事に
より容易にフローティングリングの接合を深くしかつそ
れの曲率を大きくする事にかでき他の特性に影響fiI
えずに耐圧特性のみ向上させる事ができる。
第1図は従来のフィールドリングを有するを示す断面図
、第4図は本発明実施例によるベレット断巾1図である
。 なお図において、1・・・・・・N型基板、2・・・・
・P型ベース層、3・・・・・・N型エミツタ層、4.
5・・・ P型フローティングリング、6・・・ エツ
チングによシ除去した部分、である。
、第4図は本発明実施例によるベレット断巾1図である
。 なお図において、1・・・・・・N型基板、2・・・・
・P型ベース層、3・・・・・・N型エミツタ層、4.
5・・・ P型フローティングリング、6・・・ エツ
チングによシ除去した部分、である。
Claims (1)
- 1つの導電型をもつ半導体基板の少なくとも1方の血に
プレーナ拡散により形成される前記導電型と逆の41b
、型を有する第1および第2の拡散層とこの拡散層の少
なくとも一方にこの導電型と反対の導霜、型全有する第
3の拡散層をもつPNP又はNPNの3層構造あるいは
PNPN、NPNPの4層構造の第1と第2の拡散層の
各々に隣接してこれらの拡散領域をとり囲みこれらと同
導%f型を有する複数個の第4及び第5の拡散Nをもち
第4及び第5の少なくとも一組の拡散層の深さが第1の
拡散層のそれらよりも深くかつ拡散層の曲率が他のそれ
よりも大きいことを特徴とする高耐圧半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18702182A JPS5975658A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18702182A JPS5975658A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5975658A true JPS5975658A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16198803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18702182A Pending JPS5975658A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5975658A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893162A (en) * | 1986-07-09 | 1990-01-09 | U.S. Philips Corp. | Integrated semiconductor arrangement of the coupling type between a photodetector and a light waveguide |
DE102004040523A1 (de) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Verfahren zur Herstellung von Feldringen |
DE102007062305B3 (de) * | 2007-12-21 | 2009-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterbauelement mit grabenförmiger Feldringstruktur und Herstellungsverfahren hierzu |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18702182A patent/JPS5975658A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893162A (en) * | 1986-07-09 | 1990-01-09 | U.S. Philips Corp. | Integrated semiconductor arrangement of the coupling type between a photodetector and a light waveguide |
DE102004040523A1 (de) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Verfahren zur Herstellung von Feldringen |
US7268079B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-11 | Infineon Technologies Ag | Method for fabricating a semiconductor having a field zone |
DE102004040523B4 (de) * | 2004-08-20 | 2008-10-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Feldringen |
DE102007062305B3 (de) * | 2007-12-21 | 2009-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterbauelement mit grabenförmiger Feldringstruktur und Herstellungsverfahren hierzu |
EP2073273A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-24 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungsdiode mit grabenförmiger Feldringstruktur |
US7821028B2 (en) | 2007-12-21 | 2010-10-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor component with trench-type field ring structure |
EP2073273B1 (de) * | 2007-12-21 | 2015-09-16 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungsdiode mit grabenförmiger Feldringstruktur |
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