JPS5974528A - 表示パネル用上下導通剤 - Google Patents
表示パネル用上下導通剤Info
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- JPS5974528A JPS5974528A JP18495782A JP18495782A JPS5974528A JP S5974528 A JPS5974528 A JP S5974528A JP 18495782 A JP18495782 A JP 18495782A JP 18495782 A JP18495782 A JP 18495782A JP S5974528 A JPS5974528 A JP S5974528A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁体物質からなる表示体用ギャップ剤に金
属酸化物層を形成し、その上に無電解メッキにより金“
属被膜を形成したことによって、導通性を付与した表示
体用上下導通剤に関している。
属酸化物層を形成し、その上に無電解メッキにより金“
属被膜を形成したことによって、導通性を付与した表示
体用上下導通剤に関している。
液晶パネルは従来、時計、i!卓等の表示体として多く
使用されてきている。
使用されてきている。
最近は、液晶パネルの表示容量が大きくなる傾向があり
、それに伴って上下導通部の数が多くなってきている。
、それに伴って上下導通部の数が多くなってきている。
ここで第1図、第2図に従来の液晶パネルの上下導通部
の概略図を示す。
の概略図を示す。
第1図は、上下基板の上下導通を取るために軟金属を用
いた場合のものである。上基板に穴を開けておき、3の
コモン1!極のリード端子5へ導通を取るために、穴の
中に軟金属であるインジウムボール6を入れて、つぶし
た状態のものである。
いた場合のものである。上基板に穴を開けておき、3の
コモン1!極のリード端子5へ導通を取るために、穴の
中に軟金属であるインジウムボール6を入れて、つぶし
た状態のものである。
このように、インジウムボールによって上下導通ヲ取っ
た場合、乙のコモン電極と6のインジウムボールのコン
タクトが取れないことが多く、また、工数もかかり生産
性が悪かった。この欠点を改良して、銀ペースト9を上
下基板のどちらかに印刷することによって、工数を減し
たものが第2図の状態である。ところが、このような状
態の液晶パネルも、上下導通部の不良が液晶パネルの歩
留り低下の大きな原因となっていた。これは、7のシー
ル剤と9の銀ペーストの乾燥温度が異ること、また、通
常液晶パネルは単品で製造するのではなく、二枚のガラ
ス板を貼り合わせ、第5図のような形にしたあと破線部
に、切り込みを入れ、割ることによって学品の液晶パネ
ル10を製造している。
た場合、乙のコモン電極と6のインジウムボールのコン
タクトが取れないことが多く、また、工数もかかり生産
性が悪かった。この欠点を改良して、銀ペースト9を上
下基板のどちらかに印刷することによって、工数を減し
たものが第2図の状態である。ところが、このような状
態の液晶パネルも、上下導通部の不良が液晶パネルの歩
留り低下の大きな原因となっていた。これは、7のシー
ル剤と9の銀ペーストの乾燥温度が異ること、また、通
常液晶パネルは単品で製造するのではなく、二枚のガラ
ス板を貼り合わせ、第5図のような形にしたあと破線部
に、切り込みを入れ、割ることによって学品の液晶パネ
ル10を製造している。
このため液晶パネルの端部には力が加わり、シール剤の
外部にある銀ペーストが、ハガレ上下導通不良を起す原
因となっていた。そこで銀ペーストの接着性を良くする
ために樹脂分を多くすると、銀ペースト内での銀粒子の
接触が取れにくくなり、上下導通不良を起すこととなっ
た。また銀ペースト中の銀粒子を多くすると、当然のこ
とながら接着性が悪くなった。更に、適当の割合であっ
ても製造時の湿度、温度、乾燥時の湿度等によっても歩
留りが大きく変動し、その原因の解析も困難を極めてい
るのが現状である。
外部にある銀ペーストが、ハガレ上下導通不良を起す原
因となっていた。そこで銀ペーストの接着性を良くする
ために樹脂分を多くすると、銀ペースト内での銀粒子の
接触が取れにくくなり、上下導通不良を起すこととなっ
た。また銀ペースト中の銀粒子を多くすると、当然のこ
とながら接着性が悪くなった。更に、適当の割合であっ
ても製造時の湿度、温度、乾燥時の湿度等によっても歩
留りが大きく変動し、その原因の解析も困難を極めてい
るのが現状である。
また銀ペーストを用いた場合、銀粒子の径が一定でなく
、大きい粒子の径が711以上であるのが一般的なもの
である。このため、ギャップ厚が5μmの液晶パネルを
量産することが困難であった。
、大きい粒子の径が711以上であるのが一般的なもの
である。このため、ギャップ厚が5μmの液晶パネルを
量産することが困難であった。
第4図にこの状態を示す。11は銀粒子、12は銀ペー
スト中の接着樹脂である。
スト中の接着樹脂である。
そこで、粒径が液晶パネルのギャップを確保するために
用いられるギャップ剤に無電解メッキをすることで導電
性を付与した上下導通剤が考えられた。ところが絶縁体
物質に直接無電解メツ千被膜を形成したため、メッキ被
膜と絶縁体物質との密着性が悪く、接着剤中にメッキ被
膜のついたギャップ剤を分散させる時メッキ被膜が剥離
し7やすく、分散方法に注意を要し、また上下導通に信
頼性が不足しがちであった。また部分的にメッキ被膜が
形成されないところもあり、信頼性が不足していた。こ
こで本発明者は、絶縁体上に無電解メッキ被膜を密着よ
く均一に形成する方法として絶縁体上に金属酸化物層を
形成後、無電解メッキ被膜を形成する方法を見い出して
いる。
用いられるギャップ剤に無電解メッキをすることで導電
性を付与した上下導通剤が考えられた。ところが絶縁体
物質に直接無電解メツ千被膜を形成したため、メッキ被
膜と絶縁体物質との密着性が悪く、接着剤中にメッキ被
膜のついたギャップ剤を分散させる時メッキ被膜が剥離
し7やすく、分散方法に注意を要し、また上下導通に信
頼性が不足しがちであった。また部分的にメッキ被膜が
形成されないところもあり、信頼性が不足していた。こ
こで本発明者は、絶縁体上に無電解メッキ被膜を密着よ
く均一に形成する方法として絶縁体上に金属酸化物層を
形成後、無電解メッキ被膜を形成する方法を見い出して
いる。
そこで本発明は、このような欠点を改良するために、粒
径が液晶パネルのギャップを確保するために用いられる
ギャップ剤に、金属酸化物層を形成し、更にその上に無
電解メッキをすることによって導電性を付与した上下導
通剤を用いたこと全特徴としている。
径が液晶パネルのギャップを確保するために用いられる
ギャップ剤に、金属酸化物層を形成し、更にその上に無
電解メッキをすることによって導電性を付与した上下導
通剤を用いたこと全特徴としている。
上下導通剤としては、グラスファイバ7、アルミナ、無
機ガラスピーズ等があり、これを使用した場合、液晶パ
ネルのギャップによって上下導通の接点不良が解消され
る訳である。この状態を第5図に示す。
機ガラスピーズ等があり、これを使用した場合、液晶パ
ネルのギャップによって上下導通の接点不良が解消され
る訳である。この状態を第5図に示す。
また、絶縁体物質上に形成する金属酸化物層としては、
5n02 、 Sb20g”、 TiCl2 、 I
n、O,等のうちどれか1つ、あるいは2つ以上の混合
被膜が無電解メッキを密着性良く、均一につけるのには
適当であるが、これらに限定されない。
5n02 、 Sb20g”、 TiCl2 、 I
n、O,等のうちどれか1つ、あるいは2つ以上の混合
被膜が無電解メッキを密着性良く、均一につけるのには
適当であるが、これらに限定されない。
次に本発明の表示パネル用上下導通剤の製造方法の概略
を述べる。
を述べる。
グラスファイバー、アルミナ、無機ガラスピーズ等の無
機ギャップ剤を加熱水中に分散させ加熱懸濁液をつくる
。次にメタノール、エタノール等の低佛点溶媒に、塩化
第2スズ、塩化アンチモン、塩化チタン、塩化インジウ
ム等の金属塩のどれか1−)あるいは2つ以上を溶解し
、これを加熱懸濁液に加えるとアルコールは加熱水と[
1することで瞬時に蒸発し加水分解が起り均一に金属酸
化物層が、無機ギャップ剤上に形成される。これを3別
、洗浄し、空気中で400℃〜500℃で焼成すること
によって、絶縁体上に密着よく金属酸化物被膜が形成さ
れる。次にこの上に無電解メッキをするために、通常状
のような無電解前処理工程を用いる。
機ギャップ剤を加熱水中に分散させ加熱懸濁液をつくる
。次にメタノール、エタノール等の低佛点溶媒に、塩化
第2スズ、塩化アンチモン、塩化チタン、塩化インジウ
ム等の金属塩のどれか1−)あるいは2つ以上を溶解し
、これを加熱懸濁液に加えるとアルコールは加熱水と[
1することで瞬時に蒸発し加水分解が起り均一に金属酸
化物層が、無機ギャップ剤上に形成される。これを3別
、洗浄し、空気中で400℃〜500℃で焼成すること
によって、絶縁体上に密着よく金属酸化物被膜が形成さ
れる。次にこの上に無電解メッキをするために、通常状
のような無電解前処理工程を用いる。
1)アルカリ脱脂
2)酸中和
3)SnOt2溶液におけるセンシタイジング4 )■
’ 〔1,O1,2溶ンf(におけるアクヂベイ千ング
“CA:)る。−トンンタイジングは、絶縁物質の表面
に例えばs n2+ イメンを吸陪さぜる工程であり、
アクチ・\イチングは例えば Sn 2+ + Pd 2” =
Sn’ −ト Pd Oの反1i1)rを絶縁
物質表面に起し、Pd0を無電解メッキの触媒核とする
上程である。
’ 〔1,O1,2溶ンf(におけるアクヂベイ千ング
“CA:)る。−トンンタイジングは、絶縁物質の表面
に例えばs n2+ イメンを吸陪さぜる工程であり、
アクチ・\イチングは例えば Sn 2+ + Pd 2” =
Sn’ −ト Pd Oの反1i1)rを絶縁
物質表面に起し、Pd0を無電解メッキの触媒核とする
上程である。
力(〔電解メッキ前処理工程を行ったあと、所定の方法
に従っ゛C建浴、加湿された無電解メッキ浴に浸漬ずれ
ばメタライジングできる。
に従っ゛C建浴、加湿された無電解メッキ浴に浸漬ずれ
ばメタライジングできる。
無電解メッキ浴としては、Au、Ni、Cu。
A g+ G O+ Sn等のメッキ浴があり、上下導
通剤よして使用可能であるが、メS・キ被膜の密着性は
、N1が最も良く、そのため絶縁性物質のメタライジン
グには力!e ?lf解ニッケル浴が最もずぐれている
。
通剤よして使用可能であるが、メS・キ被膜の密着性は
、N1が最も良く、そのため絶縁性物質のメタライジン
グには力!e ?lf解ニッケル浴が最もずぐれている
。
前述の金属酸化物層の厚さ、及びメッキ膜厚さは、液晶
パネルのギャップ剤を使用する場合は2 〔J OX〜
5000スが良い。200X以下であるとギャップ剤に
メッキ被膜の形成されていない部分が生じたり、また抵
抗が大きくなるため実1:(、ゞ的ではない。5ooo
X以上になると、上下導通部と液晶ギャップ厚が’Il
tm以上の差ができ、液晶層が不均一となり駆動電圧の
変化、あるいけ干渉色により色ムラが出てしまう。
パネルのギャップ剤を使用する場合は2 〔J OX〜
5000スが良い。200X以下であるとギャップ剤に
メッキ被膜の形成されていない部分が生じたり、また抵
抗が大きくなるため実1:(、ゞ的ではない。5ooo
X以上になると、上下導通部と液晶ギャップ厚が’Il
tm以上の差ができ、液晶層が不均一となり駆動電圧の
変化、あるいけ干渉色により色ムラが出てしまう。
また、絶縁性物質にニッケル被膜等を形成した場合、抵
抗値が大きい場合は、ニッケル等の表面に無電解銀メッ
キ無電解金メツキ等の’?lY気導通性の良い貴金属被
膜を形成するとよい。Vt金属蕪電解メッキの被膜の厚
さはsoX〜1μmが好ましい。
抗値が大きい場合は、ニッケル等の表面に無電解銀メッ
キ無電解金メツキ等の’?lY気導通性の良い貴金属被
膜を形成するとよい。Vt金属蕪電解メッキの被膜の厚
さはsoX〜1μmが好ましい。
このようにしてメタライズされた絶縁性物質を接着剤に
加え均一に分散させる。
加え均一に分散させる。
接着剤としては、エボキン樹脂、アクリルjIl脂等を
使用した。
使用した。
上記接着剤中へのメタライズされた絶縁性物質の割合は
0.1 wt%〜30 wt%が適当であり、01wt
%以下であると導通部の抵抗が大きくなったりばらつい
たりしやすくなる。また5 0 wt%以上になると接
着性に問題がでやすくなる。またギヤツブ剤υ)分散状
態は、液晶パネルの少なくとも上下シ14 i1j部に
おいて5つ/ v4〜500ケ/1.4が良い。
0.1 wt%〜30 wt%が適当であり、01wt
%以下であると導通部の抵抗が大きくなったりばらつい
たりしやすくなる。また5 0 wt%以上になると接
着性に問題がでやすくなる。またギヤツブ剤υ)分散状
態は、液晶パネルの少なくとも上下シ14 i1j部に
おいて5つ/ v4〜500ケ/1.4が良い。
1−眼、下限の値は1−記と同様の理由である。もちろ
ん、これらの値は、絶縁性物質の径により多少異る。
ん、これらの値は、絶縁性物質の径により多少異る。
このようにして作られた上下導通剤は、印刷によって液
晶パネルの上下導通部につけられ、液晶パネルに組み込
まれた。
晶パネルの上下導通部につけられ、液晶パネルに組み込
まれた。
液晶パネルの基板は通常ガラスが用いられているが、プ
ラスチックフィルムに透明電極(SnO。
ラスチックフィルムに透明電極(SnO。
+ I n、 (1,、!4 )をパターニングしたも
のを用いてもよい。プラスチックフィルムの場合は、上
下導通部の接触した部分が、組立時の加圧によりへこみ
、それによって」二下導通材との接触面積が大きくなり
信頼性が増すことになる。
のを用いてもよい。プラスチックフィルムの場合は、上
下導通部の接触した部分が、組立時の加圧によりへこみ
、それによって」二下導通材との接触面積が大きくなり
信頼性が増すことになる。
次に実施例を用いて詳細に説明する。
実施例1゜
M 5 It rnのグラスファイバーの粉末10yを
水1tに加え90℃に加熱し攪拌し、均一に分散した加
熱懸濁液を調製した。この加熱懸濁液に、エタノール3
00 ccにS n CZ4 80 fを溶解したもの
からなる溶液を2時間かけてゆっくり注入して、前記グ
ラスファイバー上にSn、02から成る被膜層を析出さ
せ、3別、洗浄して500 ℃で1時間焼成を行った。
水1tに加え90℃に加熱し攪拌し、均一に分散した加
熱懸濁液を調製した。この加熱懸濁液に、エタノール3
00 ccにS n CZ4 80 fを溶解したもの
からなる溶液を2時間かけてゆっくり注入して、前記グ
ラスファイバー上にSn、02から成る被膜層を析出さ
せ、3別、洗浄して500 ℃で1時間焼成を行った。
次に、5nOt21y/ノ、 PICl 1 aa /
tの混合溶液中にこれらの粒子を分散させ、ろ過、水
洗後、所定の方法によって建浴されたカニゼン社製のレ
ッドソー−マー中にこれらの粒子を分散し、ろ過、水洗
した。
tの混合溶液中にこれらの粒子を分散させ、ろ過、水
洗後、所定の方法によって建浴されたカニゼン社製のレ
ッドソー−マー中にこれらの粒子を分散し、ろ過、水洗
した。
そして、所定の方法によって建浴されたカニゼン社製の
S−680溶液(45℃)に6分間分散させ、ろ過、水
洗した。これによってグラスファイバー上に3sooX
のニッケルーリンメッキができた。これをエボキン樹脂
中に25 wt%の割合で分散させ、ポウケイ酸ガラス
の液晶パネルの上下導通剤として使用したところ、抵抗
値は9にΩ(抵抗値はネサガラスを介して測定した)と
なった。また所定の加速試験を行っても抵抗値の変化は
なかった。
S−680溶液(45℃)に6分間分散させ、ろ過、水
洗した。これによってグラスファイバー上に3sooX
のニッケルーリンメッキができた。これをエボキン樹脂
中に25 wt%の割合で分散させ、ポウケイ酸ガラス
の液晶パネルの上下導通剤として使用したところ、抵抗
値は9にΩ(抵抗値はネサガラスを介して測定した)と
なった。また所定の加速試験を行っても抵抗値の変化は
なかった。
実施例2゜
実施例1と同様にS n O2被膜の形成された7μm
のグラスファイバー粒子上に2oooXのニッケルーリ
ンメッキを施した後、日本エンゲルハルト社製のアトメ
ノクス金メッキ浴で、500Xのニッケルーリン層を金
と置換メンキした。つまり1500Xはニッケルーリン
層、その上層として5ooXは金層が形成された。
のグラスファイバー粒子上に2oooXのニッケルーリ
ンメッキを施した後、日本エンゲルハルト社製のアトメ
ノクス金メッキ浴で、500Xのニッケルーリン層を金
と置換メンキした。つまり1500Xはニッケルーリン
層、その上層として5ooXは金層が形成された。
これをエポキシ樹脂中に5’wt%分散させ、液晶パネ
ルの上下導通剤として使用したところ、上下導通の抵抗
、値は8にΩとなった。また所定の加速試験を行っても
、抵抗の変化はなかった。
ルの上下導通剤として使用したところ、上下導通の抵抗
、値は8にΩとなった。また所定の加速試験を行っても
、抵抗の変化はなかった。
実施例3゜
実施例2でメタライズされた7μmのグラスファイバー
粒子をU、V硬化(紫外線硬化)性のアクリル樹脂中に
15wt%分散させ、上下導通剤としてポリエチレンフ
ィルムからなる液晶パネルに使用した。上下導通の抵抗
値は17にΩとなり、加速試験にも抵抗値の変化はなか
った。
粒子をU、V硬化(紫外線硬化)性のアクリル樹脂中に
15wt%分散させ、上下導通剤としてポリエチレンフ
ィルムからなる液晶パネルに使用した。上下導通の抵抗
値は17にΩとなり、加速試験にも抵抗値の変化はなか
った。
実施例4゜
実施例2でメタライズされた7μmのグラスファイバー
粒子を2 wt%、銀ペースト中に分散させて、液晶パ
ネルの上下導通剤として使用した。抵抗値は銀ペースト
よりやや下がり、加速試験での抵抗の変化はなかった。
粒子を2 wt%、銀ペースト中に分散させて、液晶パ
ネルの上下導通剤として使用した。抵抗値は銀ペースト
よりやや下がり、加速試験での抵抗の変化はなかった。
実施例5
実施例4と同様にグラスファイバー粒子を10wt%銀
ペーストに分散させ、液晶パネルの上下導通剤として使
用したところ、同様の結果が得られた。
ペーストに分散させ、液晶パネルの上下導通剤として使
用したところ、同様の結果が得られた。
実施例6
10μmのアルミナ粒子に実施例1と同様の方法でS
n O2被膜を形成後、ニッケルーリン無電解メッキを
3000Xの厚さに行い、実施例1と同様の試験を行っ
たところ、抵抗値は10にΩ(ネサガラスをかえして抵
抗値を測定した)となり、所定の加速試験を行っても抵
抗値に変化はながりた。
n O2被膜を形成後、ニッケルーリン無電解メッキを
3000Xの厚さに行い、実施例1と同様の試験を行っ
たところ、抵抗値は10にΩ(ネサガラスをかえして抵
抗値を測定した)となり、所定の加速試験を行っても抵
抗値に変化はながりた。
実施例Z
径7μ雷のグラスファイバーの粉末10fを水1tに加
え90℃に加熱摺拌し、均一に分散した加熱懸濁液を調
整した。この加熱懸濁液にエタノール500 ccにT
i Cj t、を5CI?溶解したものからなる溶液
を2時間かけてゆっくり注入して、前記グラスファイバ
ー上にT10.からなる被膜層を析出させ、ろ別、洗浄
して500℃で1時間焼成を行った。
え90℃に加熱摺拌し、均一に分散した加熱懸濁液を調
整した。この加熱懸濁液にエタノール500 ccにT
i Cj t、を5CI?溶解したものからなる溶液
を2時間かけてゆっくり注入して、前記グラスファイバ
ー上にT10.からなる被膜層を析出させ、ろ別、洗浄
して500℃で1時間焼成を行った。
これを実施例1と同様な方法で無電解メッキを行ったと
ころ、実施例1と同様な結果を得た。
ころ、実施例1と同様な結果を得た。
以上実施例1から7までの上下導通剤を使用した場合、
上下導通不良は今までの上下導通剤を使用した場合と比
較(7て1/2o←減少した。
上下導通不良は今までの上下導通剤を使用した場合と比
較(7て1/2o←減少した。
本発明により、液晶パネルは大巾なコストダウンが可能
になった。
になった。
第1図・・・従来の液晶パネル断面図
1.2:上下基板
6.4:上下透明電極
5:上電極からの導通端子
6コ軟金属(インジウムボー/I/)
7 ;ギャップ剤を含んだシール部
8;液晶
第2図・・・従来の他の液晶/イネル断面図9二上下導
通剤 第6図・・・一般の液晶パネルの工程途上における基板
平面図 10:単品の液晶パネル 第4図・・・上下導通部の断面図(従来例)11:銀粒
子 12:銀ペースト中の接着樹脂 第5図・・・上下導通部の断面図(本発明ニゲラスファ
イバー) 13!グラスフアイバー 14:接着材 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 牙1図 第4隔
通剤 第6図・・・一般の液晶パネルの工程途上における基板
平面図 10:単品の液晶パネル 第4図・・・上下導通部の断面図(従来例)11:銀粒
子 12:銀ペースト中の接着樹脂 第5図・・・上下導通部の断面図(本発明ニゲラスファ
イバー) 13!グラスフアイバー 14:接着材 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 牙1図 第4隔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 絶縁物の表面に金属酸化物層を形成後、無電解メ
ッキによりて金属被膜を形成したことを特徴とする表示
パネル用上下導通剤。 2、特許請求の範囲第1項において、表示ツクネル用上
下導通剤として、表示ノ々ネルのギャップを確保するた
めに用いる絶縁性物質から成るギャップ剤の表面に金属
酸化物層を形成後、無電解シツキによって金属被膜を形
成したことを特徴とする表示パネル用上下導通剤。 3、 特許請求の範囲第2項において、無電解メッキ被
膜がニッケル合金あるいはニッケル合金上に貴金属被膜
を積層させたものであることを特徴とする表示パネル用
上下導通剤。 4、 特許請求の範囲第1項乃至第3項の少くとも1項
において、表面に金属被膜層を形成した絶縁物質から成
るギャップ剤を、接着剤中に分散したことを特徴とする
表示パネル用上下導通剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18495782A JPS5974528A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 表示パネル用上下導通剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18495782A JPS5974528A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 表示パネル用上下導通剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5974528A true JPS5974528A (ja) | 1984-04-27 |
JPH0151167B2 JPH0151167B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16162302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18495782A Granted JPS5974528A (ja) | 1982-10-21 | 1982-10-21 | 表示パネル用上下導通剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5974528A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE41176E1 (en) * | 1997-01-08 | 2010-03-30 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display device having electrodes connected at a location close to an outside edge of a contact hole |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5337199A (en) * | 1976-08-10 | 1978-04-06 | Kebetsukushiyuu | Process for continuously preparing lithium carbonate |
JPS5343306A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Current collecting method for moving body |
JPS5713164A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Paste of activating metallic material for electroless plating and plating method using said paste |
-
1982
- 1982-10-21 JP JP18495782A patent/JPS5974528A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0151167B2 (ja) | 1989-11-01 |
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