JPS5970685A - ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 - Google Patents
ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法Info
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- JPS5970685A JPS5970685A JP18038182A JP18038182A JPS5970685A JP S5970685 A JPS5970685 A JP S5970685A JP 18038182 A JP18038182 A JP 18038182A JP 18038182 A JP18038182 A JP 18038182A JP S5970685 A JPS5970685 A JP S5970685A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
で表わされる抗炎症作用及び鎮痛作用を示−を医薬とし
て有用な新規ベンゾイルチオフェン腔導体及びその製法
に関するものである。
て有用な新規ベンゾイルチオフェン腔導体及びその製法
に関するものである。
上記式中、Ｒは炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオギソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基または環状アミン基で置換されていても
よ＜、Ｒ２およびＲ３は同一または異なって水素原子、
置換基として低級アルコキシ基。低級アルキルチオ基、
アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキル
アミノ基若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級
アルキル基、低級アルコキシ基。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオギソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基または環状アミン基で置換されていても
よ＜、Ｒ２およびＲ３は同一または異なって水素原子、
置換基として低級アルコキシ基。低級アルキルチオ基、
アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキル
アミノ基若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級
アルキル基、低級アルコキシ基。
低級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示し。
Ｒ４およびＲ５は同一または異なって水素原子。
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、水酸基、低級アルコキシ基、低級ｎｈ ｎ−ｇ族ア
シルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状ア
ミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、２はオキ
ソ基または： Ｎ−ＯＲ’基（式中 Ｒ６は水素原子あ
るいは低級アルキル基、低級アルケニル基または低級脂
肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基。
基、水酸基、低級アルコキシ基、低級ｎｈ ｎ−ｇ族ア
シルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状ア
ミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、２はオキ
ソ基または： Ｎ−ＯＲ’基（式中 Ｒ６は水素原子あ
るいは低級アルキル基、低級アルケニル基または低級脂
肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基。
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミノ
基、モノ低級アルキルアミノ基９ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよい。）を示
す。但し。
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミノ
基、モノ低級アルキルアミノ基９ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよい。）を示
す。但し。
Ｒ１が非置換アルキル基である場合ＶＣはその炭素数は
３以上を表わす。
３以上を表わす。
一般式（Ｉ＋において好適には、Ｒ１はメチル。
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、派−ブチル＊ ’ｅ１３ｒｔ−ブチル。
ソブチル、派−ブチル＊ ’ｅ１３ｒｔ−ブチル。
ローヘンチル。インペンチル、ｎ−ヘキシル−イソヘキ
シル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチルのような炭素数１乃
至８個を有する直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、
ビニル、アリル、メソフロベニルｅ ２−フチニル、３
−ペンテニル。
シル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチルのような炭素数１乃
至８個を有する直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、
ビニル、アリル、メソフロベニルｅ ２−フチニル、３
−ペンテニル。
３−へキセニル、１−メチル−２−へキセニル。
３−オクテニルのような炭素数２乃至８個を有する直鎖
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基またはホルミル、ア
セチル、プロピオニル。ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、イソバレリル。
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基またはホルミル、ア
セチル、プロピオニル。ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、イソバレリル。
ヘキザノイル、ヘプタノイル、オクタノイルのような炭
素数１乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらにオギソ基、水酸基。
素数１乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらにオギソ基、水酸基。
メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、インプロポキシ
、ｎ−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、アセトキシ、プロビオニルオギシ、ｎ−ブチリルオ
キシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族アシルオ
キシ基、カルボキシ基、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、ア
ミノ基、モノメチルアミノ、モノエチルアぐ）、モノｎ
−プロピルアミン、モノｎ−プロピルアミンのようなモ
ノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ。
、ｎ−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、アセトキシ、プロビオニルオギシ、ｎ−ブチリルオ
キシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族アシルオ
キシ基、カルボキシ基、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、ア
ミノ基、モノメチルアミノ、モノエチルアぐ）、モノｎ
−プロピルアミン、モノｎ−プロピルアミンのようなモ
ノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ。
ジイソプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノのような
ジ低級アルキルアミノ基または１−ピロリジニル、ピペ
リジノ、モルホリノ、１−ピペラジニルのような環状ア
ミノ基で置換されていてもよく９Ｒ２およびＲ３は同一
まブこは異なって７１（Ｘ原子、置換基としてメトキシ
、エトキシ。
ジ低級アルキルアミノ基または１−ピロリジニル、ピペ
リジノ、モルホリノ、１−ピペラジニルのような環状ア
ミノ基で置換されていてもよく９Ｒ２およびＲ３は同一
まブこは異なって７１（Ｘ原子、置換基としてメトキシ
、エトキシ。
ロープロポキシ、イソプロポキシのような低級アルコキ
シ基、メチルチオ、ニゲ′ルチオ、ｎ−プロピルチオ、
イソプロピルヂオのような低級アルキルチオ基、アミン
基、モノメチルアミン。
シ基、メチルチオ、ニゲ′ルチオ、ｎ−プロピルチオ、
イソプロピルヂオのような低級アルキルチオ基、アミン
基、モノメチルアミン。
エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミ
ンのようなモノ低級アルキル゛７” ミ／ ａ 。
ンのようなモノ低級アルキル゛７” ミ／ ａ 。
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジローフロビルアミ
ン、ジイソプロピル“アミンのようなジ低級アルキルア
ミノ基若しくはフッ素、塩素。
ン、ジイソプロピル“アミンのようなジ低級アルキルア
ミノ基若しくはフッ素、塩素。
臭素のようなハロゲン原子を有していてもよいメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル。
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル。
ｎ−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、メト
キシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソブロポキシ、ｎ
−ブトキシ、イソブトキシのような低級アルコキシ基、
メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、イソプロ
ピルチオ。
キシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソブロポキシ、ｎ
−ブトキシ、イソブトキシのような低級アルコキシ基、
メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、イソプロ
ピルチオ。
ｎ−ブチＪ・ヂオ、〜イソブチルチオのような低級アル
キルチオ２１５またはフッ素、塩素、臭素のようなハロ
ゲン原子を示し Ｒ４およびＲ５は同一または異７ｊっ
て水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、イソブグルのよ５か低級アルキ／１
７基、ビュ２．アリ／Ｌｌイソプロペニル、２−ブテニ
ル、３−ブテニルのような低級アルケニル基、ホルミル
、アセチＡ１．プロピオニル、ローブチリル、イソブチ
リルのような低級脂肪族アシル基、水酸基。
キルチオ２１５またはフッ素、塩素、臭素のようなハロ
ゲン原子を示し Ｒ４およびＲ５は同一または異７ｊっ
て水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、イソブグルのよ５か低級アルキ／１
７基、ビュ２．アリ／Ｌｌイソプロペニル、２−ブテニ
ル、３−ブテニルのような低級アルケニル基、ホルミル
、アセチＡ１．プロピオニル、ローブチリル、イソブチ
リルのような低級脂肪族アシル基、水酸基。
メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、−ｆソブロボキ
シ、ｎ−プトギシ、イソブトキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ｎ−ブチ・リ
ルオキシ、イソブチリルオキシのような僚級脂肪族アシ
ルオキシ基、メルカプト基９メチルチオ、エチルチオ、
ｎ−プロビルチオ。イソプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ
、イソブチルチオのような低級アルキルチオ基。アミノ
基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、モノｎ−プ
ロピルアミン、モノイソプロピルアミノのようなモノ低
級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルアミノのよう
なジ低級アルキルアミノ基、１−ピロリジニル。
シ、ｎ−プトギシ、イソブトキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ｎ−ブチ・リ
ルオキシ、イソブチリルオキシのような僚級脂肪族アシ
ルオキシ基、メルカプト基９メチルチオ、エチルチオ、
ｎ−プロビルチオ。イソプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ
、イソブチルチオのような低級アルキルチオ基。アミノ
基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、モノｎ−プ
ロピルアミン、モノイソプロピルアミノのようなモノ低
級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルアミノのよう
なジ低級アルキルアミノ基、１−ピロリジニル。
ピペリジノ、モルホリノ、１−ビベラジニＡ、（７）よ
うな環状アミン基、フッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子またはニトロ基を示し、２はオキソ基または＝Ｎ
−ＯＲ６基（式中 Ｈ６は水素原子あるいはメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、０−ブチル、イソ
ブチルのような低級アルキル基、ビニル、アリル、イン
プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニルのような低級
アルケニル基またはホルミル、アセチル、プロピオニル
、ｎ−ブチリル、イソブチリルのような低級脂肪族アシ
ル基を示し、各々の基はさラニオキソ基、水酸基、メト
キシ、エトキシ。
うな環状アミン基、フッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子またはニトロ基を示し、２はオキソ基または＝Ｎ
−ＯＲ６基（式中 Ｈ６は水素原子あるいはメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、０−ブチル、イソ
ブチルのような低級アルキル基、ビニル、アリル、イン
プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニルのような低級
アルケニル基またはホルミル、アセチル、プロピオニル
、ｎ−ブチリル、イソブチリルのような低級脂肪族アシ
ル基を示し、各々の基はさラニオキソ基、水酸基、メト
キシ、エトキシ。
ｎ−プロポキシ、イソプロポキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、 ｎ −フチ
リルオキシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基。メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニルのような低級アルコキシカルボニル
基、アミン基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、
モノｎ−プロピルアミノ、モノイソプロピルアミンのよ
うなモノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルア
ミノのようなジ低級アルキルアミノ基または１−ピロリ
ジニル、ピペラジノ、モルホリノ、１−ピペラジニルの
ような環状アミン基で置換されていてもよい。）を示す
。
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、 ｎ −フチ
リルオキシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基。メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニルのような低級アルコキシカルボニル
基、アミン基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、
モノｎ−プロピルアミノ、モノイソプロピルアミンのよ
うなモノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルア
ミノのようなジ低級アルキルアミノ基または１−ピロリ
ジニル、ピペラジノ、モルホリノ、１−ピペラジニルの
ような環状アミン基で置換されていてもよい。）を示す
。
本発明によって得られる前記一般式［Ｉ３を有する化合
物の具体例を以下に示す。
物の具体例を以下に示す。
（１）２−イソプロピル−５−ペンソイル−Ｊ−オフエ
ン （２１２−ノルマルブチル−５−ベンゾイルチオフェン （３） ２−ノルマルヘプチル−５−ベンゾイルチオ
フェン （４）２−ノルマルブチル−５−（４−メチルベンゾイ
ル）−チオフェン （５）２−ノルマルブチル−５−（４−クロルベンゾイ
ル）−チオフェン （６）２−ノルマルブチル−５−（４−メトキシベンゾ
イル）−チオフェン （７）３−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
プロパン−２−オン （８）４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン （９）４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
ブタン−３−オン （１０） １−ブロム−４−（５−ベンゾイルチオフェ
ン−２−イル）−ブタン−２−オン （１１） １−フルオロ−４−（５−ベンシイ九チでフ
ェン−２−イル）−ブタン−２−オン（１２） ４−
（ｓ −（４−メチルベン、〕°イアＬ）−”オフエン
−２−イル）−ブタン−２−オン（１３） ４−（５−
（４−クロルベンゾイル）−チオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン（１４） ４− （５−（４−メトキ
シベンゾイル）−チオフェン−２−イル）−ブタン−２
−オン（１５） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−
２−イル）−ブタン−２−オール （１６） ４− （５−（４−メチルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イ／ｌ／）−ブタン−２−オール（１７
） ４− （５−（４−クロルベンゾイル）−チオフェ
ン−２−イル）−ブタン−２−オール（１ｇ） ４−
（５−（４−メトキシベンゾイル）−チオフエンー２−
イル）−ブタン−２−オール （１９） ２−アセトキシ−４−（５−ベンゾイルチオ
フェン−２−イル）−ブタン （２０） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−２−メトキシ−ブタン （２１） ４− ’（５−（４−メチルベンゾイル）−
チオフェン−２−イル）−２−メトキシブタン（２２）
４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−ブ
タ−３−エン−２−オン （２３） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−１−フルオロ−ブタ−３−エン−２−オン （２４） ４− （５−（４−メチルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イル）−ブタ−３−エン−２−オン （２５） ４− （５−（４−クロルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イル）−ブタ−３−エン−２−オン （２６） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−１−プロムーブター３−エン−２−オン （２７） ４− （５−（４−フルオロベンゾイル）−
チオフェン）−フタ−３−エン−２−オン（７，８）
４−（５−（３−メトキシベンゾイル）−チオフェン）
−フタ−３−エン−２−オン（２９） ４− （５−ベ
ンゾイルチオフェン−２−イル）−２−（１−モルホリ
ノ）−ブタン（３０） ４− （５−ベンゾイルチオフ
ェン−２−イル）−３−（１−モルホリノ）−ブタン（
３１） ４− （４−メチル−５−ベンゾイルチオフェ
ン−２−イル）ブタン−２−オン （３２） ４− （４’ −トリフルオロメチル−５−
ペンソイルチオフェン−２−イル）ブタン−２−オン （３３） ４− （４−メチル−５−ベンゾイルチオフ
ェン−２−イル）ブタン−２−オール （３４） ４− （４−メチル−５−（４−フルオロベ
ンソイル）チオフェン−２−イル）ブタン−２−オン （３５） ４− （４−メチル−５−（４−フルオロベ
ンゾイル）チオフェン−２−イル）ブタン−２−オール （３６） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシム （３７） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムメチルエーテル （３Ｂ） 、４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムノルマルブチルエー
テル （３９） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムノルマルヘプチルエ
ーテル （４０） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−フ゛タンー２−オン オキシム−（２ニジメチル
アミンエチル）−エーテル （４１） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシム−（°２−カルボキ
シメチル）エーテル （４２） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）ブタン−２−オール オキシム−メチルエーテル 本発明による新規化合物は以下に示す方法によって製造
することができる。
ン （２１２−ノルマルブチル−５−ベンゾイルチオフェン （３） ２−ノルマルヘプチル−５−ベンゾイルチオ
フェン （４）２−ノルマルブチル−５−（４−メチルベンゾイ
ル）−チオフェン （５）２−ノルマルブチル−５−（４−クロルベンゾイ
ル）−チオフェン （６）２−ノルマルブチル−５−（４−メトキシベンゾ
イル）−チオフェン （７）３−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
プロパン−２−オン （８）４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン （９）４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−
ブタン−３−オン （１０） １−ブロム−４−（５−ベンゾイルチオフェ
ン−２−イル）−ブタン−２−オン （１１） １−フルオロ−４−（５−ベンシイ九チでフ
ェン−２−イル）−ブタン−２−オン（１２） ４−
（ｓ −（４−メチルベン、〕°イアＬ）−”オフエン
−２−イル）−ブタン−２−オン（１３） ４−（５−
（４−クロルベンゾイル）−チオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン（１４） ４− （５−（４−メトキ
シベンゾイル）−チオフェン−２−イル）−ブタン−２
−オン（１５） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−
２−イル）−ブタン−２−オール （１６） ４− （５−（４−メチルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イ／ｌ／）−ブタン−２−オール（１７
） ４− （５−（４−クロルベンゾイル）−チオフェ
ン−２−イル）−ブタン−２−オール（１ｇ） ４−
（５−（４−メトキシベンゾイル）−チオフエンー２−
イル）−ブタン−２−オール （１９） ２−アセトキシ−４−（５−ベンゾイルチオ
フェン−２−イル）−ブタン （２０） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−２−メトキシ−ブタン （２１） ４− ’（５−（４−メチルベンゾイル）−
チオフェン−２−イル）−２−メトキシブタン（２２）
４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−ブ
タ−３−エン−２−オン （２３） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−１−フルオロ−ブタ−３−エン−２−オン （２４） ４− （５−（４−メチルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イル）−ブタ−３−エン−２−オン （２５） ４− （５−（４−クロルベンゾイル）−チ
オフェン−２−イル）−ブタ−３−エン−２−オン （２６） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−１−プロムーブター３−エン−２−オン （２７） ４− （５−（４−フルオロベンゾイル）−
チオフェン）−フタ−３−エン−２−オン（７，８）
４−（５−（３−メトキシベンゾイル）−チオフェン）
−フタ−３−エン−２−オン（２９） ４− （５−ベ
ンゾイルチオフェン−２−イル）−２−（１−モルホリ
ノ）−ブタン（３０） ４− （５−ベンゾイルチオフ
ェン−２−イル）−３−（１−モルホリノ）−ブタン（
３１） ４− （４−メチル−５−ベンゾイルチオフェ
ン−２−イル）ブタン−２−オン （３２） ４− （４’ −トリフルオロメチル−５−
ペンソイルチオフェン−２−イル）ブタン−２−オン （３３） ４− （４−メチル−５−ベンゾイルチオフ
ェン−２−イル）ブタン−２−オール （３４） ４− （４−メチル−５−（４−フルオロベ
ンソイル）チオフェン−２−イル）ブタン−２−オン （３５） ４− （４−メチル−５−（４−フルオロベ
ンゾイル）チオフェン−２−イル）ブタン−２−オール （３６） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシム （３７） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムメチルエーテル （３Ｂ） 、４−（５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムノルマルブチルエー
テル （３９） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシムノルマルヘプチルエ
ーテル （４０） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−フ゛タンー２−オン オキシム−（２ニジメチル
アミンエチル）−エーテル （４１） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オン オキシム−（°２−カルボキ
シメチル）エーテル （４２） ４− （５−ベンゾイルチオフェン−２−イ
ル）ブタン−２−オール オキシム−メチルエーテル 本発明による新規化合物は以下に示す方法によって製造
することができる。
製法（１）
一般式
（式中、 Ｒ’ 、 Ｒ２，Ｒ’ 、 Ｒ’およびＲ５
は前述したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体は。
は前述したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体は。
一般式
（式中 Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前述したものと同意義
を示す。） を有するチオフェン誘導体に一般式 （式中 Ｒ４およびＲ５は前述したものと同意義を示し
、又は塩素、臭素のようなハロゲン原子を示す。） を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることによ
って得られる。
を示す。） を有するチオフェン誘導体に一般式 （式中 Ｒ４およびＲ５は前述したものと同意義を示し
、又は塩素、臭素のようなハロゲン原子を示す。） を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることによ
って得られる。
上記製法を詳細に説明すると、原料のチオフェン（１）
とベンゾイルハライド＋１）を無水溶媒中。
とベンゾイルハライド＋１）を無水溶媒中。
酸触媒下にフリーデル・クラフト反応を行なうことによ
って得られる。
って得られる。
反応溶媒としては無溶媒でも良いが９Ｍ、拌を容易なら
しめるために通常不活性溶媒を用いるのが望ましい。溶
媒としては、二硫化炭素、クロロホルム、メチレンクロ
ライド、ジクロルエタン、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素化合物、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類、ニトロメタン、エーテル。
しめるために通常不活性溶媒を用いるのが望ましい。溶
媒としては、二硫化炭素、クロロホルム、メチレンクロ
ライド、ジクロルエタン、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素化合物、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類、ニトロメタン、エーテル。
テトラハイドロフラン等のエーテル類を用いることがで
きる。
きる。
又、酸触媒としては、ボロントリフルオライド、塩化ア
ルミニウム、塩化第二スズ、塩化並塩等の金属のハロゲ
ン化物や、硫酸、リン酸のような鉱酸を用いることがで
きる。
ルミニウム、塩化第二スズ、塩化並塩等の金属のハロゲ
ン化物や、硫酸、リン酸のような鉱酸を用いることがで
きる。
反応温度は特に限定されないが通常９０℃付近から２０
０℃である。
０℃である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異なるが
通常２４時間以内である。
通常２４時間以内である。
反応の後処理は水を加え、エーテル、トルエン、ベンゼ
ン、酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、溶媒を１重ノウ
水で洗浄後、硫酸ナトリウム又は硫酸マグネシウム等の
乾燥剤を用いて乾燥し、溶媒を留去後９残留物をさらに
蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製し目
的化合物を得ることができる。
ン、酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、溶媒を１重ノウ
水で洗浄後、硫酸ナトリウム又は硫酸マグネシウム等の
乾燥剤を用いて乾燥し、溶媒を留去後９残留物をさらに
蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製し目
的化合物を得ることができる。
製法（２）
一般式
（式中 Ｂ１ 、 Ｒ２、Ｒ５、Ｒ４およびＲ５は前述
したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体は、一般
式 （式中 Ｒ１、Ｒ４およびＲ５は前述したＲ１゜ａ
ａ ａＲおよびＲにおける
脂肪族アシル基およびオキソ基が保護されている以外は
同意義を示し。
したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体は、一般
式 （式中 Ｒ１、Ｒ４およびＲ５は前述したＲ１゜ａ
ａ ａＲおよびＲにおける
脂肪族アシル基およびオキソ基が保護されている以外は
同意義を示し。
Ｒ２およびＲ５は前述したものと同意義を示す。）を有
するベンゾイルチオフェン誘導体にヒドロキシルアミン
を反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除去す
ることによって得られる。
するベンゾイルチオフェン誘導体にヒドロキシルアミン
を反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除去す
ることによって得られる。
上記一般式（ＩＣ）における脂肪族アシル基およびオキ
ソ基の保護基としては通常使用されるものであれば特に
限定はないが、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキ
シのようなケタールを形成するアルキレンジオキシ基あ
るいはエチレンジチオのようなチオケタールを形成する
アルキレンジチオ基が好適である。
ソ基の保護基としては通常使用されるものであれば特に
限定はないが、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキ
シのようなケタールを形成するアルキレンジオキシ基あ
るいはエチレンジチオのようなチオケタールを形成する
アルキレンジチオ基が好適である。
上記反応で使用されるハイトロキシルアミン用すればさ
らに反応速度を高めることができる。
らに反応速度を高めることができる。
通常ハイトロキシルアミン類をベンゾイルチオフェン１
モルに対して１〜１００モル使用する。
モルに対して１〜１００モル使用する。
反応は無溶媒中でも十分進行するが９反応を均−系で行
なうために不活性溶媒を用いてもよい。溶媒としては、
水、ジオキサン、テトラハイドロフラン等のエーテル類
、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等の
低級アルコール等の：容媒が用いられる。
なうために不活性溶媒を用いてもよい。溶媒としては、
水、ジオキサン、テトラハイドロフラン等のエーテル類
、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等の
低級アルコール等の：容媒が用いられる。
反応温度は特に限定されないが１通常室温から１５０℃
である。
である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異ブ’ｘ
るが通常５日以下である。
るが通常５日以下である。
また反応速度を高めるために酢酸、塩酸、トルエンスル
ホン酸、カンファースルホン酸等の酸やピリジン、トリ
エチルアミン９ピロリジン。
ホン酸、カンファースルホン酸等の酸やピリジン、トリ
エチルアミン９ピロリジン。
ヒヘリジン等の塩基の触媒を用いることができる。
オキシム化反応終了後、上記の保護基は常法に従って除
去することができる。例えばケタール保ｉ、２Ｇは、酢
酸、シュウ酸、トルエンスルホン酸、希塩酸等の触媒を
用いれば容易に除去して目的化合物を得ることができ。
去することができる。例えばケタール保ｉ、２Ｇは、酢
酸、シュウ酸、トルエンスルホン酸、希塩酸等の触媒を
用いれば容易に除去して目的化合物を得ることができ。
チオケタール保護基１ユ塩化第二水銀と接触させること
によって目的化合物を得ることができる。
によって目的化合物を得ることができる。
以上の反応終了後１本製法の目的化合物は常法に従って
処理し、さらに蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
処理し、さらに蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
製法（３）
一般式
（式中、Ｒｂは低級アルキル基、低級アルケニル基また
は脂肪族ブシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基９
水酸基、低級アルコキシ基。
は脂肪族ブシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基９
水酸基、低級アルコキシ基。
低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基９低級アルコ
キシカルボニル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよ＜ 、 Ｂ
、ｊ 、 Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は前述したもの
と同意義を示す。）ヲ有するベンゾイルチオフェンオキ
シムエーテル誘導体は、一般式 （式中、呪 Ｒ； 、 Ｒ； 、 Ｒ８およびＲ１）は
前述したＲＩ Ｒ２、Ｒ５、ＲＡおよびＲ５における
水酸基、カルボギシ基、アミン基、モノ低級アルキルア
ミノ基、環状アミノ基およびメルカプト基が保護されて
いる以外は同意義を示す。）を有するベンゾイルチオフ
ェンオキシム誘導体に一般式 ％式％（） （式中 Ｒ６は低級アルキル基、低級アルケニル基はさ
らにオキソ基，保訛されていてもよい水酸基．低級アル
コギシ基．低級脂肪族アシルオ＊シ基．８護されていて
もよいカルボキシ基。
キシカルボニル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよ＜ 、 Ｂ
、ｊ 、 Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は前述したもの
と同意義を示す。）ヲ有するベンゾイルチオフェンオキ
シムエーテル誘導体は、一般式 （式中、呪 Ｒ； 、 Ｒ； 、 Ｒ８およびＲ１）は
前述したＲＩ Ｒ２、Ｒ５、ＲＡおよびＲ５における
水酸基、カルボギシ基、アミン基、モノ低級アルキルア
ミノ基、環状アミノ基およびメルカプト基が保護されて
いる以外は同意義を示す。）を有するベンゾイルチオフ
ェンオキシム誘導体に一般式 ％式％（） （式中 Ｒ６は低級アルキル基、低級アルケニル基はさ
らにオキソ基，保訛されていてもよい水酸基．低級アル
コギシ基．低級脂肪族アシルオ＊シ基．８護されていて
もよいカルボキシ基。
低級アルコキシカルボニル基．保護されていてもよいア
ミノ基，保護されていＣもよいモノ低級アルキルアミレ
基。ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよ＜、ｙは塩素．臭
素のようなハロゲン原子，メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシのような低級アルカンスルホニル
オキシ基またはベンゼンスルホニルオキシ、ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシのヨリナ７リールスルホニルオキシ
基を示す。） を有する化合物を反応させ，得られる化合物に含まれる
保護基を除去することＷよって得られる。
ミノ基，保護されていＣもよいモノ低級アルキルアミレ
基。ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよ＜、ｙは塩素．臭
素のようなハロゲン原子，メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシのような低級アルカンスルホニル
オキシ基またはベンゼンスルホニルオキシ、ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシのヨリナ７リールスルホニルオキシ
基を示す。） を有する化合物を反応させ，得られる化合物に含まれる
保護基を除去することＷよって得られる。
上記一般式（Ｉｅ）および（Ｗ） において存在する
保護基としては通常使用されるものであれば特に限定は
ないが９水酸基の保護基としては例エバ了セチル、トリ
フルオロアセチル、ベンゾイル、ベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカ／＋／ボニルのよう
なアシル基。
保護基としては通常使用されるものであれば特に限定は
ないが９水酸基の保護基としては例エバ了セチル、トリ
フルオロアセチル、ベンゾイル、ベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカ／＋／ボニルのよう
なアシル基。
トリメチルシリル、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル
のようなトリアルキルシリル基、ジヒドロピラン−２−
イル基等が好適であり、カルボキシ基の保護基としては
＋ ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−ニトロベンジル、ベンズヒ
ドリル、トリクロルエチルのようなエステルを形成する
基が好適であす、マたチオール基の保護基としては、ア
セチル、トリフルオロアセチルのようなアシル基が用い
られる。
のようなトリアルキルシリル基、ジヒドロピラン−２−
イル基等が好適であり、カルボキシ基の保護基としては
＋ ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−ニトロベンジル、ベンズヒ
ドリル、トリクロルエチルのようなエステルを形成する
基が好適であす、マたチオール基の保護基としては、ア
セチル、トリフルオロアセチルのようなアシル基が用い
られる。
上記反応はオキシム体（Ｉｅ）を塩基の存在下エーテル
化試剤（Ｉｖｌど反応させることによって実施すること
ができる。
化試剤（Ｉｖｌど反応させることによって実施すること
ができる。
物、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトレ１
チルアミン、ピリジン等の有機塩基を用キることができ
る。
る。
反応は無溶媒中でも十分進行するが反応を均−系で行な
うために溶媒を用いてもよい。溶媒としては、ジオキサ
ン、テトラハイドロフラン等のエーテル類、ジメチルス
ルホキサイド、ジメチルホルムアミド、メタノール、エ
タノール等の低級アルコールが用いられる。
うために溶媒を用いてもよい。溶媒としては、ジオキサ
ン、テトラハイドロフラン等のエーテル類、ジメチルス
ルホキサイド、ジメチルホルムアミド、メタノール、エ
タノール等の低級アルコールが用いられる。
反応温度は特に限定されないが９通常室温から１５０℃
である。
である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異なるが
通例４０時間以下である。
通例４０時間以下である。
ニーチル化反応終了後、上記の保護基は常法に従って除
去することができる。例えば水酸基の保護基であるアセ
チル ） ＋７フルオロアセチル、ベンゾイル等の脂肪
族アシル基は希水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウ
ム水溶液と処理することによって、ベンジルオキシカル
ボニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル等のアラ
ルキルオキシカルボニル基はパラジウム−炭素触媒を用
いる接触還元法によって、トリメチルシリル、ジメチル
−ｔｅｒｔ−ブチルシリル等のトリアルキルシリル基又
は、フッ化水素水。
去することができる。例えば水酸基の保護基であるアセ
チル ） ＋７フルオロアセチル、ベンゾイル等の脂肪
族アシル基は希水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウ
ム水溶液と処理することによって、ベンジルオキシカル
ボニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル等のアラ
ルキルオキシカルボニル基はパラジウム−炭素触媒を用
いる接触還元法によって、トリメチルシリル、ジメチル
−ｔｅｒｔ−ブチルシリル等のトリアルキルシリル基又
は、フッ化水素水。
ボロントリフルオライド等のフルオロ化合物によって、
あるい＃ま酢酸、塩酸等によっても除去することができ
、ジヒドロビラン−２−イル基は塩酸９臭化水素酸等の
鉱酸若しくはギ酸、酢酸等の有機酸によって除去するこ
とができる。
あるい＃ま酢酸、塩酸等によっても除去することができ
、ジヒドロビラン−２−イル基は塩酸９臭化水素酸等の
鉱酸若しくはギ酸、酢酸等の有機酸によって除去するこ
とができる。
カルボキシ基の保護基であるｔｅｒｔ−ブチル基。
ベンズヒドリル基は塩酸、臭化水素酸等の鉱酸若しくハ
トリフルオロ酢酸等の有機酸と処理するこ七によって、
トリクロルエチル基は亜鉛と酢酸によって処理すること
によって、ｐ−ニトロベンジル基はパラジウム−炭素触
媒を用いる接触還元法によって除去することができる。
トリフルオロ酢酸等の有機酸と処理するこ七によって、
トリクロルエチル基は亜鉛と酢酸によって処理すること
によって、ｐ−ニトロベンジル基はパラジウム−炭素触
媒を用いる接触還元法によって除去することができる。
またチオール基の保護基のアセチル、トリフルオロアセ
チルのようなアシル基は相当する水酸基のアシル基と同
様に除去することができる。
チルのようなアシル基は相当する水酸基のアシル基と同
様に除去することができる。
以上の反応終了後１本製法の目的化合物は常法に従って
処理し、さらに蒸留。再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
処理し、さらに蒸留。再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
以上の製法によって合成される前記一般式（１）を有す
るベンゾイルチオフェン誘導体は、必要に応じて薬理学
に許容し得る塩圧することができる。すなわち１例えば
アミン誘導体は酸付加塩として塩酸、硫酸、硝酸のよう
な鉱酸の塩または酒石酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸
のような有機酸の塩にすることができ、カルボン酸誘導
体はナトリウム、カリウム、カルシウムのようなアルカ
リ金属若しくはアルカリ土類金属の塩、アルミニウム塩
、アンモニウム塩、トリエチルアミン、ジシクロヘキシ
ルアミン、モルホリン、ピペリジンのような有機塩基の
塩またはリジン、アルギニンのような塩基性アミノ酸の
塩にすることができる。
るベンゾイルチオフェン誘導体は、必要に応じて薬理学
に許容し得る塩圧することができる。すなわち１例えば
アミン誘導体は酸付加塩として塩酸、硫酸、硝酸のよう
な鉱酸の塩または酒石酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸
のような有機酸の塩にすることができ、カルボン酸誘導
体はナトリウム、カリウム、カルシウムのようなアルカ
リ金属若しくはアルカリ土類金属の塩、アルミニウム塩
、アンモニウム塩、トリエチルアミン、ジシクロヘキシ
ルアミン、モルホリン、ピペリジンのような有機塩基の
塩またはリジン、アルギニンのような塩基性アミノ酸の
塩にすることができる。
本発明の前記一般式（Ｉ）を有する化合物はすぐれた抗
炎症作用あるいは鎮痛作用を有することが明らかである
が、その薬理作用を以下に例示する。
炎症作用あるいは鎮痛作用を有することが明らかである
が、その薬理作用を以下に例示する。
なお薬理試験は次の方法によって行なった。
抗炎症作用
ウィスター（Ｗｌｓｔｅｒ ）系ラットを用いてカラゲ
ニン浮腫法により試験した。（ｅ、Ａ、ｗｉｎｔθｒ。
ニン浮腫法により試験した。（ｅ、Ａ、ｗｉｎｔθｒ。
Ｆｉ、Ａ、Ｒ１５ｌｅｙ 、 Ｇ、Ｗ、Ｎｕｓｓ： Ｊ
、Ｐｈａｒｍａｃｏｌ、Ｅｘｐ、Ｔｈｅｒａｐ−＋１４
１ 、３６９ （１９６３） ） 鎮痛作用 ウィスター（Ｗｉｓｔｅｒ ）系ラットを用いてランダ
ルセリシト法により試験した。（Ｌ。Ｏ，Ｒａｎｄａｌ
ｌｅＪ、Ｊ、５ｅｌｉｔｔｏ ： Ａｒｃｈ、ｉｎｔ、
Ｐｈａｒｍａｃｏｄｙｎ、 １１１ ＊ ４０９（１９
５７））。
、Ｐｈａｒｍａｃｏｌ、Ｅｘｐ、Ｔｈｅｒａｐ−＋１４
１ 、３６９ （１９６３） ） 鎮痛作用 ウィスター（Ｗｉｓｔｅｒ ）系ラットを用いてランダ
ルセリシト法により試験した。（Ｌ。Ｏ，Ｒａｎｄａｌ
ｌｅＪ、Ｊ、５ｅｌｉｔｔｏ ： Ａｒｃｈ、ｉｎｔ、
Ｐｈａｒｍａｃｏｄｙｎ、 １１１ ＊ ４０９（１９
５７））。
上記の薬理試験の結果からも明らかなように前記一般式
ＣＩ）を有する化合物は鎮痛抗炎症剤として有用である
。その投与形態としてはたとえば２錠剤、カプセル剤、
顆粒剤、散剤などによる経口投与あるいは止剤若しくは
軟膏剤、クリーム剤などの外用剤等による非経口投与を
あげることができる。その使用量は症状１年令１体重等
により異なるが、経口投与の場合には通常。
ＣＩ）を有する化合物は鎮痛抗炎症剤として有用である
。その投与形態としてはたとえば２錠剤、カプセル剤、
顆粒剤、散剤などによる経口投与あるいは止剤若しくは
軟膏剤、クリーム剤などの外用剤等による非経口投与を
あげることができる。その使用量は症状１年令１体重等
により異なるが、経口投与の場合には通常。
成人に対して１日約５０■から２０００１１？であり。
１回又は数回に分けて投与することができる。
次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１ ４−（５−ベンゾイルチオフェン２、７１
の塩化アルミニウム［３０−の塩化メチレンを加え、水
冷下１．９１のベンゾイルブロマイドを加える。３０分
攪拌後１．５４ 、ｌｉ’の４−（チオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オンを加えた後、３０分攪拌する。
の塩化アルミニウム［３０−の塩化メチレンを加え、水
冷下１．９１のベンゾイルブロマイドを加える。３０分
攪拌後１．５４ 、ｌｉ’の４−（チオフェン−２−イ
ル）−ブタン−２−オンを加えた後、３０分攪拌する。
その後冷水に投じエーテルで抽出し、エーテル層を重ソ
ウ水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、エー
テルを留宍し、シリカゲルカラムクロマトグラフ−で精
製すると、目的化合物１．４ｇが得られた。ノルマルヘ
キサンより再結晶すると９融点４０−４２℃の結晶が得
られた。
ウ水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、エー
テルを留宍し、シリカゲルカラムクロマトグラフ−で精
製すると、目的化合物１．４ｇが得られた。ノルマルヘ
キサンより再結晶すると９融点４０−４２℃の結晶が得
られた。
同様にして以下の化合物を合成した。
１
実施例 ＲＲＲ置換位置 融点（Ｃ） Ｍａ、ｓ
ｓ（Ｍ”〕２ Ｈ−０Ｈ（Ｃ！Ｈ５）２
２ ｏｌｔ ２３０３ Ｈ−０
４Ｈ９２０１１２４４４Ｈ−０８Ｈ１７２３２−３５３
００ ５４−Ｏｌ −ＣＪ４１１ｑ
２ ５０−５１ ２７８６ ４−０Ｈ５
−０４Ｈ９２５５−７２５８７４−ＯＴ（、、Ｏ−０，
Ｒ９２３６−３８２７４Ｈ ８′Ｈ／ヘメ〜 ２ ０ｉ１２６０Ｈ ｇ ＨＩ３表 ３ ／／
２６０００Ｈ。
ｓ（Ｍ”〕２ Ｈ−０Ｈ（Ｃ！Ｈ５）２
２ ｏｌｔ ２３０３ Ｈ−０
４Ｈ９２０１１２４４４Ｈ−０８Ｈ１７２３２−３５３
００ ５４−Ｏｌ −ＣＪ４１１ｑ
２ ５０−５１ ２７８６ ４−０Ｈ５
−０４Ｈ９２５５−７２５８７４−ＯＴ（、、Ｏ−０，
Ｒ９２３６−３８２７４Ｈ ８′Ｈ／ヘメ〜 ２ ０ｉ１２６０Ｈ ｇ ＨＩ３表 ３ ／／
２６０００Ｈ。
１ｏ Ｈｔ！（２／／ ２７４００
Ｈ。
Ｈ。
１１ Ｈｔ９（３／／ ２７４０００
Ｈ５ １２Ｈ□ ２ ／／
３０２０００Ｈ５ １３Ｈｔ９（３／／ ３０２１４
Ｈ、−ｙｌｌ、 ３ ５２−５４
２５８１５ Ｈ／Ｙ′−２６２−６４２
５８１Ｂ ）（ハ【 ２ θＢ
−６４ ２４４０ １７ Ｈ△人 ４ ０ｉｔ２５８
１１１４−Ｆハ人 ２ ８０−８２ ２７
７１９ Ｈ△人） ２ ８３−８５ ２
７６２０ Ｈ赫 ２ １０９−１１１
２５６２１ １［（△人〕” ２ ９１
−９３ ３３６２２ ＨＷ’ ２
６０−６２ ３３６Ｔ ５−ベンゾイル−２−ブチルチオフェン（２，２，９）
とハイトロキシルアミン塩酸塩１．２ｇをメタノール２
０ｍ１に溶かし室温−夜装置する。メタノールを留去し
水を加えてエーテルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後エーテルを濃縮すると、 １．３５１１の目的化合
物が得られた。融点１２６ − １２８ ℃ 実ＭＵ例２３と同様に。−メチルハイトロキシルアミン
塩酸塩を用いて反応させ目的化合物を得た。
Ｈ５ １２Ｈ□ ２ ／／
３０２０００Ｈ５ １３Ｈｔ９（３／／ ３０２１４
Ｈ、−ｙｌｌ、 ３ ５２−５４
２５８１５ Ｈ／Ｙ′−２６２−６４２
５８１Ｂ ）（ハ【 ２ θＢ
−６４ ２４４０ １７ Ｈ△人 ４ ０ｉｔ２５８
１１１４−Ｆハ人 ２ ８０−８２ ２７
７１９ Ｈ△人） ２ ８３−８５ ２
７６２０ Ｈ赫 ２ １０９−１１１
２５６２１ １［（△人〕” ２ ９１
−９３ ３３６２２ ＨＷ’ ２
６０−６２ ３３６Ｔ ５−ベンゾイル−２−ブチルチオフェン（２，２，９）
とハイトロキシルアミン塩酸塩１．２ｇをメタノール２
０ｍ１に溶かし室温−夜装置する。メタノールを留去し
水を加えてエーテルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後エーテルを濃縮すると、 １．３５１１の目的化合
物が得られた。融点１２６ − １２８ ℃ 実ＭＵ例２３と同様に。−メチルハイトロキシルアミン
塩酸塩を用いて反応させ目的化合物を得た。
同様に以下の化合物を合成した。
２５ Ｈ−０４Ｈ９２ｏ：ｔｚ ２７３２６
４−○ｔ −０４Ｈ９２ｔｔ ３０７２７
Ｈ秩 ２ ｔｔ ２８９１０４
ｌ！の５−ベンゾイル−２−ブチルチオフェンオキシ
ムと０．２ｇの水素化ナトリウムを２０ｍ１のジメチル
ホルムアミド中、水冷下１時間攪拌する。これにブチル
ブロマイド（ｏ、ｅｇ） ｆ加えさらに室温１時間攪拌
後、氷水に投じ塩酸酸性としエーテルで抽出し、溶媒を
留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
と。
４−○ｔ −０４Ｈ９２ｔｔ ３０７２７
Ｈ秩 ２ ｔｔ ２８９１０４
ｌ！の５−ベンゾイル−２−ブチルチオフェンオキシ
ムと０．２ｇの水素化ナトリウムを２０ｍ１のジメチル
ホルムアミド中、水冷下１時間攪拌する。これにブチル
ブロマイド（ｏ、ｅｇ） ｆ加えさらに室温１時間攪拌
後、氷水に投じ塩酸酸性としエーテルで抽出し、溶媒を
留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
と。
１゜ＩＩの目的化合物が油として得られた。
２９ ｎ−Ｂｕ、 ｎ−Ｂｕ２ ０１ｔ３
１５３Ｑ −ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ！Ｈ５）２ ｎ−Ｂ
ｕ２ｔ／ ３３Ｑ３１ −０Ｈ２０００Ｈｎ−Ｂ
ｕ ２ ” ３１７ン塩酸塩 ブタ−２−オール（１，３ｙ＞をピリジン１０ゴに溶か
し水冷下１．０ｇのメタンスルホニルクロライドを加え
る。２時間攪拌後、氷水を加えエーテルで抽出する。溶
媒を留去し１．４ｇのモルホリンを加え９０℃で２時間
反応させる。水を加えエーテルで抽出し、溶媒を留去し
カラムクロマトグラフィーで精製しエーテル塩酸を加え
る。
１５３Ｑ −ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ！Ｈ５）２ ｎ−Ｂ
ｕ２ｔ／ ３３Ｑ３１ −０Ｈ２０００Ｈｎ−Ｂ
ｕ ２ ” ３１７ン塩酸塩 ブタ−２−オール（１，３ｙ＞をピリジン１０ゴに溶か
し水冷下１．０ｇのメタンスルホニルクロライドを加え
る。２時間攪拌後、氷水を加えエーテルで抽出する。溶
媒を留去し１．４ｇのモルホリンを加え９０℃で２時間
反応させる。水を加えエーテルで抽出し、溶媒を留去し
カラムクロマトグラフィーで精製しエーテル塩酸を加え
る。
エタノール−エーテルより再結晶すると、融点１３１〜
１３５℃の目的化合物０．６１が得られた。
１３５℃の目的化合物０．６１が得られた。
実施例３２と同様にして融点９１−９３℃の目的化合物
が得られた。
が得られた。
特許出願人 三共株式会社
代理人 弁理士樫出庄治
手続補正書（自発）
昭和５８年１１月ノＰ日
特許庁長官 若 杉 オＩＪ 夫 殿１、事件の表示
昭和５ｒ年特許願第１８０３８１号
２、発明の名称
ベンゾイルチオフェン誘導体及びその製法３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称 （１８５）三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 ４、代理人 居所 〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通シ １、 明細１の待Ｆｌ″請求の範囲を下記のようにｈｆ
圧する。
る者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１０３東京都中央区日本橋本町３丁目１番地の
６名称 （１８５）三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 ４、代理人 居所 〒１４０東京部品川区広町１丁目２番５８号三共
株式会社内 詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通シ １、 明細１の待Ｆｌ″請求の範囲を下記のようにｈｆ
圧する。
［（１１−１役式
１式中、Ｒ１は炭素数１乃至８制を有する１頁鎖状若し
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する
ｌＩｌ頌状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素
数１乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基
はさらにオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂
肪族アシルオキシ基、カルボキン基、低級アルコキシカ
ルボニル基、ハロゲン原子、アミン基、モノ低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基゛または環状アミ
ン基で置換されていてもよく、Ｒ２およびＲ３は同一ま
たは異なって水素原子、置換基として低級アルコキシ基
、低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ低級アルキルア
ミノ基、ジ１氏故アルキルアミノ基若しくはハロゲン原
子葡有していてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ
基、低級アルキルチオ基丑たはハロゲン原子を示し Ｒ
４およびＲ５は同一または異なって水素原子、低級アル
キル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル基、水酸
基、低械アルコキシ基、１氏級力旨肪族アシルオキシ基
、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミ７基、モノ
若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基、ハロ
ゲン原子またはニトロ基を示し、Ｚはオキソ基または−
Ｎ −ＯＲ６基（式中 Ｒ６は水素原子あるいは低級ア
ルキル基、低級アルケニル基まｌヒは低級脂肪族アシル
基ｒ示し、各々の基はさらにオキソ基、水酸基、１代級
アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ
ａ、＋ａＳアルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低
級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環
状アミン基で置換されてい一〇もよい。）勿示ず。
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する
ｌＩｌ頌状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素
数１乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基
はさらにオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂
肪族アシルオキシ基、カルボキン基、低級アルコキシカ
ルボニル基、ハロゲン原子、アミン基、モノ低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基゛または環状アミ
ン基で置換されていてもよく、Ｒ２およびＲ３は同一ま
たは異なって水素原子、置換基として低級アルコキシ基
、低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ低級アルキルア
ミノ基、ジ１氏故アルキルアミノ基若しくはハロゲン原
子葡有していてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ
基、低級アルキルチオ基丑たはハロゲン原子を示し Ｒ
４およびＲ５は同一または異なって水素原子、低級アル
キル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル基、水酸
基、低械アルコキシ基、１氏級力旨肪族アシルオキシ基
、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミ７基、モノ
若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基、ハロ
ゲン原子またはニトロ基を示し、Ｚはオキソ基または−
Ｎ −ＯＲ６基（式中 Ｒ６は水素原子あるいは低級ア
ルキル基、低級アルケニル基まｌヒは低級脂肪族アシル
基ｒ示し、各々の基はさらにオキソ基、水酸基、１代級
アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ
ａ、＋ａＳアルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低
級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環
状アミン基で置換されてい一〇もよい。）勿示ず。
但し、Ｒが非直侠アルキル基で必る揚台に、はその炭素
数は３以上？衣わす。」 を有すめベンゾイルチオフェン誘導体。
数は３以上？衣わす。」 を有すめベンゾイルチオフェン誘導体。
（２）一般式
（式中 Ｒ１は炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を町する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はざら
にオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、ハロゲン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミ
ノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環状アミン基で置
換されていてもよく、Ｒ２およびＲ３は同一または異な
って水垢原子、置換基として低級アルコキシ基、低級ア
ルキルチオ基、アミノ基１低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基若しくはハロゲン、’、’ｊｌ ＋
ｋ 潰し一〇いてもよい低級アルキル基、低級アルコキ
ン基、１氏級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示す
。但し、Ｒ１が非置換アルキル基である場合にはその炭
素数は３以上を表わす。） を南するチオフェン訪導体に一般式 （式中 Ｒ４およびＲ５は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシ
ル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオ
キシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミン基
、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基
、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、Ｘはハロゲン原
子全示す。） を有する安息査醒ハライド肪導体を反応させることを峙
似とする一般式 （式中、Ｒ’ 、 Ｒ２＋ Ｒ’ 、 Ｒ’およびＲ５
は前述したものと同意躾奮示す。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を町する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はざら
にオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、ハロゲン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミ
ノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環状アミン基で置
換されていてもよく、Ｒ２およびＲ３は同一または異な
って水垢原子、置換基として低級アルコキシ基、低級ア
ルキルチオ基、アミノ基１低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基若しくはハロゲン、’、’ｊｌ ＋
ｋ 潰し一〇いてもよい低級アルキル基、低級アルコキ
ン基、１氏級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示す
。但し、Ｒ１が非置換アルキル基である場合にはその炭
素数は３以上を表わす。） を南するチオフェン訪導体に一般式 （式中 Ｒ４およびＲ５は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシ
ル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオ
キシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミン基
、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基
、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、Ｘはハロゲン原
子全示す。） を有する安息査醒ハライド肪導体を反応させることを峙
似とする一般式 （式中、Ｒ’ 、 Ｒ２＋ Ｒ’ 、 Ｒ’およびＲ５
は前述したものと同意躾奮示す。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。
（３） 一般式
（式中、Ｒ；、ｔま炭素数１乃至８飼をイする直鎖状若
しくは分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有す
る１ＩｆＩ Ｃ０ｉ状若しくは分枝鎖状のアルケニル基
ま７ζは株数された炭素数１乃至８個を有する脂肪族ア
シル基を示し、各々の基はさらに保護されたオキソ基、
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキン基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級
アルキルアミノ基または環状アミノ基で置換されていで
もよく、Ｒ２およびＲ３は同一または異なって水素原子
、置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基
、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキ
ルアミノ基若しくはハロゲン原子盆イｊしていてもよい
低級アルキル基、低級アルコキシ基または）１０ゲン原
子ｔボし、Ｒｚ およびＲｚは同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、保躾された
低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、＋ｈｍアルキル
チオ基、アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ
基、環状アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す
０但し、Ｒｚが非置換アルキル基である場合ＶＣはその
ＩＡＴ、数Ｉま３以上を表わす。） を有するベンゾイルチオフェン８４４にヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保峨基を除
去することを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１，Ｒ４およびＲ５は前述したＲｚ、Ｒｚお
よびＲｚに含まれる保睦基を除去したものと同意義を示
し Ｒ２およびＲ３は前述したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。
しくは分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有す
る１ＩｆＩ Ｃ０ｉ状若しくは分枝鎖状のアルケニル基
ま７ζは株数された炭素数１乃至８個を有する脂肪族ア
シル基を示し、各々の基はさらに保護されたオキソ基、
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキン基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級
アルキルアミノ基または環状アミノ基で置換されていで
もよく、Ｒ２およびＲ３は同一または異なって水素原子
、置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基
、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキ
ルアミノ基若しくはハロゲン原子盆イｊしていてもよい
低級アルキル基、低級アルコキシ基または）１０ゲン原
子ｔボし、Ｒｚ およびＲｚは同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、保躾された
低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、＋ｈｍアルキル
チオ基、アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ
基、環状アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す
０但し、Ｒｚが非置換アルキル基である場合ＶＣはその
ＩＡＴ、数Ｉま３以上を表わす。） を有するベンゾイルチオフェン８４４にヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保峨基を除
去することを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１，Ｒ４およびＲ５は前述したＲｚ、Ｒｚお
よびＲｚに含まれる保睦基を除去したものと同意義を示
し Ｒ２およびＲ３は前述したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。
（４） 一般式
（式中 Ｒ４は炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されたカルボキシ基、低
級アルコキ７力ルボニル基、ハロゲン原子、保護された
アミン基、保護されたモノ低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基で置
換されていでもよく、吋およびＲ二は同一または異なっ
て水素原子、置換基として低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級
アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しくはハ
ロゲン原子を治していてもよい低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、１次級アルキルチオ基またはハロゲン原子
を示し Ｒ４および札は同一または異なって水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級アルキ
ルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級ア
ルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護された
環状アミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す。但
し、Ｒｂが非置換アルキル基である場合にはその炭素数
は３以上を表わす。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 （式中 Ｒ６は低級アルキル基、低級アルケニル基また
は低級脂肪族アシル基勿示し、各々の基はさらにオキソ
基、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、
低級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカル
ボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、保護されてい
てもよいアミン基、保護されていてもよいモノ低級アル
キルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または保護され
ていてもよい環状アミン基で置換されていてもよ＜、Ｘ
は／％ロゲン原子、低級ブルカンヌルホニルオキシ基ま
たはアリールスルホニルオキシ基葡示ス。） を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保腰基を除去することを特徴とするー（式中、Ｒ１、Ｒ
２、ＲＡ 、 Ｒ４、Ｒ５およびＲ六は前述したＲ４
、 Ｒ： 、 Ｒ： 、 Ｒ８、Ｒ： およびＲａＶｃ
＠まれる保護基を除去したものと同意義を示す。）ヲ南
スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘導体の製
法。」 ２ 同第１１頁８行目の 「アミン基、」を ［ハロゲン原子、アミン基、」と訂正する。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されたカルボキシ基、低
級アルコキ７力ルボニル基、ハロゲン原子、保護された
アミン基、保護されたモノ低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基で置
換されていでもよく、吋およびＲ二は同一または異なっ
て水素原子、置換基として低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級
アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しくはハ
ロゲン原子を治していてもよい低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、１次級アルキルチオ基またはハロゲン原子
を示し Ｒ４および札は同一または異なって水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級アルキ
ルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級ア
ルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護された
環状アミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す。但
し、Ｒｂが非置換アルキル基である場合にはその炭素数
は３以上を表わす。） を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 （式中 Ｒ６は低級アルキル基、低級アルケニル基また
は低級脂肪族アシル基勿示し、各々の基はさらにオキソ
基、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、
低級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカル
ボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、保護されてい
てもよいアミン基、保護されていてもよいモノ低級アル
キルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または保護され
ていてもよい環状アミン基で置換されていてもよ＜、Ｘ
は／％ロゲン原子、低級ブルカンヌルホニルオキシ基ま
たはアリールスルホニルオキシ基葡示ス。） を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保腰基を除去することを特徴とするー（式中、Ｒ１、Ｒ
２、ＲＡ 、 Ｒ４、Ｒ５およびＲ六は前述したＲ４
、 Ｒ： 、 Ｒ： 、 Ｒ８、Ｒ： およびＲａＶｃ
＠まれる保護基を除去したものと同意義を示す。）ヲ南
スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘導体の製
法。」 ２ 同第１１頁８行目の 「アミン基、」を ［ハロゲン原子、アミン基、」と訂正する。
３ 同第１３員下から３行目の
「アミン基、」を
［弗素・塩素、臭素、大業のような・・ロゲン原子、ア
ミノ基、」と訂正する。
ミノ基、」と訂正する。
４、 同第２２貞下から５行目と４行目の間に下記の語
句を挿入する。
句を挿入する。
ｒ （４３） １．１．１− ）リフルオロ−４−（
５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−ブタン−２−
オン （４４） １．１．１− ）リフルオ０−４−（５−
（４−フルオロベンゾイル）チオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン （４５） ｔｌ、１−トリフルオロ−４−（ｓ−（４
−クロルベンソイル）チオフェン−２−イル）−ブタン
−２−オン （４６） １，１．１−）リフルオロ−４−（５−（
２−フルオロベンゾイル）チオフェン−２−イル）−ブ
タン−２−オンＪ ５、 同第３５頁最下行および第３６負５行目の「クイ
スター（Ｗｉｓｔｅｒ ） Ｊを「クイスタ−（Ｗｉｓ
ｔａｒ ） Ｊとｄ」正する０６ 同第３Ｔ員最下行の 「Ｒ４つ、リーＲ１」を ○ 「Ｒ４−（シー「４すμｍ１゛」と訂正する。
５−ベンゾイルチオフェン−２−イル）−ブタン−２−
オン （４４） １．１．１− ）リフルオ０−４−（５−
（４−フルオロベンゾイル）チオフェン−２−イル）−
ブタン−２−オン （４５） ｔｌ、１−トリフルオロ−４−（ｓ−（４
−クロルベンソイル）チオフェン−２−イル）−ブタン
−２−オン （４６） １，１．１−）リフルオロ−４−（５−（
２−フルオロベンゾイル）チオフェン−２−イル）−ブ
タン−２−オンＪ ５、 同第３５頁最下行および第３６負５行目の「クイ
スター（Ｗｉｓｔｅｒ ） Ｊを「クイスタ−（Ｗｉｓ
ｔａｒ ） Ｊとｄ」正する０６ 同第３Ｔ員最下行の 「Ｒ４つ、リーＲ１」を ○ 「Ｒ４−（シー「４すμｍ１゛」と訂正する。
１、 同第３８頁１行目の
「実施例 Ｒ２Ｒ１」を
［実施例 Ｒ４’ ＲＩ Ｊと訂正する。
８ 同第３９頁γ行目と８行目の間に下記の耐句を挿入
する。
する。
ｒ２３ ４−Ｆ △人ａｙ３９７−９９ ３３０２
４４−Ｃ１△人。Ｆ３１１０−１１２ ３４６２５ ２
−Ｆ △人ＯＦ ７３−７６ ３３０２６
Ｈ△人。Ｆ３７９−８１ ３１２」 以上
４４−Ｃ１△人。Ｆ３１１０−１１２ ３４６２５ ２
−Ｆ △人ＯＦ ７３−７６ ３３０２６
Ｈ△人。Ｆ３７９−８１ ３１２」 以上
Claims (4)
- （１）一般式 〔式中 Ｈｊは炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくは分校鎖状のアルケニル基または炭素数１乃
至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシ
ルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル
基、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基９ジ低級アル
キルアミノ基または環状アミノ基で置換されていてもよ
＜、Ｒ２およびＲ３は同一またに異なって水素原子、置
換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基。 モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若
しくはハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル基
、低級アルコキシ基９低級アルキルチオ基またはハロゲ
ン原子を示し Ｈ４およびＲ５は同一または異なって
水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂
肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、
アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状
アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、２はオ
キソ基また）２ ＝ Ｎ−０Ｒ６基（式中 Ｒ６は水素
原子あるいは低級アルキル基、低級アルケニル基または
低級脂肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基
。 水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミン
基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ
基または現状アミン基で置換されていてもよい。）を示
す。但し。 １ Ｒが非置換アルキル基である場合にはその炭素数は３以
上を表わす。〕 を有するベンゾイルチオフェン誘導体。 - （２）一般式 （式中、Ｒ１は炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直
鎖状若しくヲマ分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１
乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさ
らにオキソ基。 水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミン
基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミノ基で置換されていてもよく、Ｒ２お
よびＲ５は同一また１ユ異なって水素原子、置換基とし
て低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、アミン基。 低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しく
はハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル基、低
級アルコキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン原
子を示す。但し Ｒ１が非置換アルキル基である場合に
はその炭素数は３以上を表わす。） を有するチオフェン誘導体に一般式 ） （式中 Ｒ４およびＲ５は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基。 似級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基。 低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ若しくはジ低級ア
ルキルアミノ基、環状アミノ基、ハロゲン原子またはニ
トロ基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。） を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることを特
徴とする一般式 （式中 Ｈ＋ 、 Ｒ２、Ｒ５、Ｒ４およびＲ５は前述
したものと同意義を示す。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。 - （３）一般式 （式中、Ｒは炭素数１乃至８個を有する直鎖状若しくは
分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する直鎖
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または保護された炭
素数１乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらに保護されたオキソ基、水酸基、低級アルコキ
シ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基。 低級アルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低級アル
キルアミノ基。ジ低級ア」・キルアミノ基または環状ア
ミノ基で置換されていてもよく。 Ｒ２およびＲ３は同一またげ異なって水素原子。 置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、
アミン基、モノ低級アルキルアミノ基。 ジ低級アルキルアミノ基若しくは）・ロゲン原子を有し
ていてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ基または
ハロゲン原子を示し、 Ｒ，およびＲ５は同一または異
なって水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基９
保護された低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキ
シ基、低級脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、低級
アルキルチオ基。アミン基、モノ若しくはジ低級アルキ
ルアミノ基、環状アミノ基、ノ・ロゲン原子またはニト
ロ基を示す。但し、Ｒａが非置換アルキル基である場合
にはその炭素数は３以上を表わす。） を有するベンゾイルチオフェン誘導体ニヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除
去することを特徴とする特許Ｗは前述したものと同意義
を示す。） ヲ有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。 - （４）一般式 （式中、Ｒ１）は炭素数１乃至８個を有する直鎖状若し
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数２乃至８個を有する
直鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数１
乃至８個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさ
らにオキソ基。 保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシ
ルオキシ基、保護されたカルボキシ基。 低級アルコキシカルボニル基、保護されたアミン基、保
護されたモノ低級アルキルアミノ基。 ジ低級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基
で置換されていてもよ＜、Ｒ２およびＲａは同一または
異なって水素原子、置換基として低級アル＝＋ キシ基
、低級アルキルチオ基、保護されたアミノ基、保護され
たモノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基
若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル
基。 低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン
原子を示し、Ｒ８およびＲ８は同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族
アシル基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級
アルキルチオ基、保護されたアミノ基、保護されたモノ
低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護
された環状アミノ基、ノ・ロゲン原子またはニトロ基を
示す。但し、Ｒｂが非置換アルキル基である場合にはそ
の炭素数は３以上を表わす。） ヲ有スるベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 （式中、Ｒは低級アルキル基、低級アルケニル基または
低級脂肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキン基
、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカルボ
キシ基。 低級アルコキシカルボニル基、保護されていてもよいア
ミン基、保護されていてもよいモノ低級アルキルアミノ
基、ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよく、Ｙはハロゲン
原子、低級アルカンスルホニルオキシ基または了り−ル
スルホニルオキシ基を示す。） を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保護基を除去することを特徴とする一般式 （式中 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は前
す 述したＲｂ、 Ｒａ、 Ｒａ、 Ｒｈ、 ＲｂおよびＲ
ａ に含まれる保護基を除去したものと同意義を示す
。）ヲ有スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘
導体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18038182A JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18038182A JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970685A true JPS5970685A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16082236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18038182A Pending JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0243071A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Riker Laboratories, Inc. | Di-t-butylphenols substituted by a thenoyl group |
| JPH072665A (ja) * | 1991-08-29 | 1995-01-06 | Ind Technol Res Inst | チオフェン系化合物及びその薬理的に許容できる塩類よりなる医薬 |
| JPH08175557A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Seiji Nishihara | 定量振出し用中栓 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP18038182A patent/JPS5970685A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0243071A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Riker Laboratories, Inc. | Di-t-butylphenols substituted by a thenoyl group |
| JPH072665A (ja) * | 1991-08-29 | 1995-01-06 | Ind Technol Res Inst | チオフェン系化合物及びその薬理的に許容できる塩類よりなる医薬 |
| JPH08175557A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Seiji Nishihara | 定量振出し用中栓 |
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