JPS5970685A - ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 - Google Patents
ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法Info
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- JPS5970685A JPS5970685A JP18038182A JP18038182A JPS5970685A JP S5970685 A JPS5970685 A JP S5970685A JP 18038182 A JP18038182 A JP 18038182A JP 18038182 A JP18038182 A JP 18038182A JP S5970685 A JPS5970685 A JP S5970685A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
で表わされる抗炎症作用及び鎮痛作用を示−を医薬とし
て有用な新規ベンゾイルチオフェン腔導体及びその製法
に関するものである。
て有用な新規ベンゾイルチオフェン腔導体及びその製法
に関するものである。
上記式中、Rは炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオギソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基または環状アミン基で置換されていても
よ<、R2およびR3は同一または異なって水素原子、
置換基として低級アルコキシ基。低級アルキルチオ基、
アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキル
アミノ基若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級
アルキル基、低級アルコキシ基。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオギソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基または環状アミン基で置換されていても
よ<、R2およびR3は同一または異なって水素原子、
置換基として低級アルコキシ基。低級アルキルチオ基、
アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキル
アミノ基若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級
アルキル基、低級アルコキシ基。
低級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示し。
R4およびR5は同一または異なって水素原子。
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、水酸基、低級アルコキシ基、低級nh n−g族ア
シルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状ア
ミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、2はオキ
ソ基または: N−OR’基(式中 R6は水素原子あ
るいは低級アルキル基、低級アルケニル基または低級脂
肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基。
基、水酸基、低級アルコキシ基、低級nh n−g族ア
シルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状ア
ミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、2はオキ
ソ基または: N−OR’基(式中 R6は水素原子あ
るいは低級アルキル基、低級アルケニル基または低級脂
肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基。
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミノ
基、モノ低級アルキルアミノ基9ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよい。)を示
す。但し。
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミノ
基、モノ低級アルキルアミノ基9ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよい。)を示
す。但し。
R1が非置換アルキル基である場合VCはその炭素数は
3以上を表わす。
3以上を表わす。
一般式(I+において好適には、R1はメチル。
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチル、派−ブチル* ’e13rt−ブチル。
ソブチル、派−ブチル* ’e13rt−ブチル。
ローヘンチル。インペンチル、n−ヘキシル−イソヘキ
シル、n−ヘプチル、n−オクチルのような炭素数1乃
至8個を有する直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、
ビニル、アリル、メソフロベニルe 2−フチニル、3
−ペンテニル。
シル、n−ヘプチル、n−オクチルのような炭素数1乃
至8個を有する直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、
ビニル、アリル、メソフロベニルe 2−フチニル、3
−ペンテニル。
3−へキセニル、1−メチル−2−へキセニル。
3−オクテニルのような炭素数2乃至8個を有する直鎖
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基またはホルミル、ア
セチル、プロピオニル。ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、イソバレリル。
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基またはホルミル、ア
セチル、プロピオニル。ブチリル、イソブチリル、バレ
リル、イソバレリル。
ヘキザノイル、ヘプタノイル、オクタノイルのような炭
素数1乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらにオギソ基、水酸基。
素数1乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらにオギソ基、水酸基。
メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、インプロポキシ
、n−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、アセトキシ、プロビオニルオギシ、n−ブチリルオ
キシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族アシルオ
キシ基、カルボキシ基、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、n−プロポキシカルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、ア
ミノ基、モノメチルアミノ、モノエチルアぐ)、モノn
−プロピルアミン、モノn−プロピルアミンのようなモ
ノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ。
、n−ブトキシ、インブトキシのような低級アルコキシ
基、アセトキシ、プロビオニルオギシ、n−ブチリルオ
キシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族アシルオ
キシ基、カルボキシ基、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、n−プロポキシカルボニル、インプロポキ
シカルボニルのような低級アルコキシカルボニル基、ア
ミノ基、モノメチルアミノ、モノエチルアぐ)、モノn
−プロピルアミン、モノn−プロピルアミンのようなモ
ノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ。
ジイソプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノのような
ジ低級アルキルアミノ基または1−ピロリジニル、ピペ
リジノ、モルホリノ、1−ピペラジニルのような環状ア
ミノ基で置換されていてもよく9R2およびR3は同一
まブこは異なって71(X原子、置換基としてメトキシ
、エトキシ。
ジ低級アルキルアミノ基または1−ピロリジニル、ピペ
リジノ、モルホリノ、1−ピペラジニルのような環状ア
ミノ基で置換されていてもよく9R2およびR3は同一
まブこは異なって71(X原子、置換基としてメトキシ
、エトキシ。
ロープロポキシ、イソプロポキシのような低級アルコキ
シ基、メチルチオ、ニゲ′ルチオ、n−プロピルチオ、
イソプロピルヂオのような低級アルキルチオ基、アミン
基、モノメチルアミン。
シ基、メチルチオ、ニゲ′ルチオ、n−プロピルチオ、
イソプロピルヂオのような低級アルキルチオ基、アミン
基、モノメチルアミン。
エチルアミノ、n−プロピルアミノ、イソプロピルアミ
ンのようなモノ低級アルキル゛7” ミ/ a 。
ンのようなモノ低級アルキル゛7” ミ/ a 。
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジローフロビルアミ
ン、ジイソプロピル“アミンのようなジ低級アルキルア
ミノ基若しくはフッ素、塩素。
ン、ジイソプロピル“アミンのようなジ低級アルキルア
ミノ基若しくはフッ素、塩素。
臭素のようなハロゲン原子を有していてもよいメチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル。
エチル、n−プロピル、イソプロピル。
n−ブチル、イソブチルのような低級アルキル基、メト
キシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソブロポキシ、n
−ブトキシ、イソブトキシのような低級アルコキシ基、
メチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、イソプロ
ピルチオ。
キシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソブロポキシ、n
−ブトキシ、イソブトキシのような低級アルコキシ基、
メチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、イソプロ
ピルチオ。
n−ブチJ・ヂオ、〜イソブチルチオのような低級アル
キルチオ215またはフッ素、塩素、臭素のようなハロ
ゲン原子を示し R4およびR5は同一または異7jっ
て水素原子、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、イソブグルのよ5か低級アルキ/1
7基、ビュ2.アリ/Llイソプロペニル、2−ブテニ
ル、3−ブテニルのような低級アルケニル基、ホルミル
、アセチA1.プロピオニル、ローブチリル、イソブチ
リルのような低級脂肪族アシル基、水酸基。
キルチオ215またはフッ素、塩素、臭素のようなハロ
ゲン原子を示し R4およびR5は同一または異7jっ
て水素原子、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、イソブグルのよ5か低級アルキ/1
7基、ビュ2.アリ/Llイソプロペニル、2−ブテニ
ル、3−ブテニルのような低級アルケニル基、ホルミル
、アセチA1.プロピオニル、ローブチリル、イソブチ
リルのような低級脂肪族アシル基、水酸基。
メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、−fソブロボキ
シ、n−プトギシ、イソブトキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチ・リ
ルオキシ、イソブチリルオキシのような僚級脂肪族アシ
ルオキシ基、メルカプト基9メチルチオ、エチルチオ、
n−プロビルチオ。イソプロピルチオ、n−ブチルチオ
、イソブチルチオのような低級アルキルチオ基。アミノ
基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、モノn−プ
ロピルアミン、モノイソプロピルアミノのようなモノ低
級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルアミノのよう
なジ低級アルキルアミノ基、1−ピロリジニル。
シ、n−プトギシ、イソブトキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチ・リ
ルオキシ、イソブチリルオキシのような僚級脂肪族アシ
ルオキシ基、メルカプト基9メチルチオ、エチルチオ、
n−プロビルチオ。イソプロピルチオ、n−ブチルチオ
、イソブチルチオのような低級アルキルチオ基。アミノ
基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、モノn−プ
ロピルアミン、モノイソプロピルアミノのようなモノ低
級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルアミノのよう
なジ低級アルキルアミノ基、1−ピロリジニル。
ピペリジノ、モルホリノ、1−ビベラジニA、(7)よ
うな環状アミン基、フッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子またはニトロ基を示し、2はオキソ基または=N
−OR6基(式中 H6は水素原子あるいはメチル、エ
チル、n−プロピル、イソプロピル、0−ブチル、イソ
ブチルのような低級アルキル基、ビニル、アリル、イン
プロペニル、2−ブテニル、3−ブテニルのような低級
アルケニル基またはホルミル、アセチル、プロピオニル
、n−ブチリル、イソブチリルのような低級脂肪族アシ
ル基を示し、各々の基はさラニオキソ基、水酸基、メト
キシ、エトキシ。
うな環状アミン基、フッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子またはニトロ基を示し、2はオキソ基または=N
−OR6基(式中 H6は水素原子あるいはメチル、エ
チル、n−プロピル、イソプロピル、0−ブチル、イソ
ブチルのような低級アルキル基、ビニル、アリル、イン
プロペニル、2−ブテニル、3−ブテニルのような低級
アルケニル基またはホルミル、アセチル、プロピオニル
、n−ブチリル、イソブチリルのような低級脂肪族アシ
ル基を示し、各々の基はさラニオキソ基、水酸基、メト
キシ、エトキシ。
n−プロポキシ、イソプロポキシのような低級アルコキ
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、 n −フチ
リルオキシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基。メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニルのような低級アルコキシカルボニル
基、アミン基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、
モノn−プロピルアミノ、モノイソプロピルアミンのよ
うなモノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルア
ミノのようなジ低級アルキルアミノ基または1−ピロリ
ジニル、ピペラジノ、モルホリノ、1−ピペラジニルの
ような環状アミン基で置換されていてもよい。)を示す
。
シ基、アセトキシ、プロピオニルオキシ、 n −フチ
リルオキシ、インブチリルオキシのような低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基。メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、n−プロポキシカルボニル、イソプ
ロポキシカルボニルのような低級アルコキシカルボニル
基、アミン基、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、
モノn−プロピルアミノ、モノイソプロピルアミンのよ
うなモノ低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジロープロピルアミン、ジイソプロピルア
ミノのようなジ低級アルキルアミノ基または1−ピロリ
ジニル、ピペラジノ、モルホリノ、1−ピペラジニルの
ような環状アミン基で置換されていてもよい。)を示す
。
本発明によって得られる前記一般式[I3を有する化合
物の具体例を以下に示す。
物の具体例を以下に示す。
(1)2−イソプロピル−5−ペンソイル−J−オフエ
ン (212−ノルマルブチル−5−ベンゾイルチオフェン (3) 2−ノルマルヘプチル−5−ベンゾイルチオ
フェン (4)2−ノルマルブチル−5−(4−メチルベンゾイ
ル)−チオフェン (5)2−ノルマルブチル−5−(4−クロルベンゾイ
ル)−チオフェン (6)2−ノルマルブチル−5−(4−メトキシベンゾ
イル)−チオフェン (7)3−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
プロパン−2−オン (8)4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン (9)4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
ブタン−3−オン (10) 1−ブロム−4−(5−ベンゾイルチオフェ
ン−2−イル)−ブタン−2−オン (11) 1−フルオロ−4−(5−ベンシイ九チでフ
ェン−2−イル)−ブタン−2−オン(12) 4−
(s −(4−メチルベン、〕°イアL)−”オフエン
−2−イル)−ブタン−2−オン(13) 4−(5−
(4−クロルベンゾイル)−チオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン(14) 4− (5−(4−メトキ
シベンゾイル)−チオフェン−2−イル)−ブタン−2
−オン(15) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−
2−イル)−ブタン−2−オール (16) 4− (5−(4−メチルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イ/l/)−ブタン−2−オール(17
) 4− (5−(4−クロルベンゾイル)−チオフェ
ン−2−イル)−ブタン−2−オール(1g) 4−
(5−(4−メトキシベンゾイル)−チオフエンー2−
イル)−ブタン−2−オール (19) 2−アセトキシ−4−(5−ベンゾイルチオ
フェン−2−イル)−ブタン (20) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−2−メトキシ−ブタン (21) 4− ’(5−(4−メチルベンゾイル)−
チオフェン−2−イル)−2−メトキシブタン(22)
4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−ブ
タ−3−エン−2−オン (23) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−1−フルオロ−ブタ−3−エン−2−オン (24) 4− (5−(4−メチルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イル)−ブタ−3−エン−2−オン (25) 4− (5−(4−クロルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イル)−ブタ−3−エン−2−オン (26) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−1−プロムーブター3−エン−2−オン (27) 4− (5−(4−フルオロベンゾイル)−
チオフェン)−フタ−3−エン−2−オン(7,8)
4−(5−(3−メトキシベンゾイル)−チオフェン)
−フタ−3−エン−2−オン(29) 4− (5−ベ
ンゾイルチオフェン−2−イル)−2−(1−モルホリ
ノ)−ブタン(30) 4− (5−ベンゾイルチオフ
ェン−2−イル)−3−(1−モルホリノ)−ブタン(
31) 4− (4−メチル−5−ベンゾイルチオフェ
ン−2−イル)ブタン−2−オン (32) 4− (4’ −トリフルオロメチル−5−
ペンソイルチオフェン−2−イル)ブタン−2−オン (33) 4− (4−メチル−5−ベンゾイルチオフ
ェン−2−イル)ブタン−2−オール (34) 4− (4−メチル−5−(4−フルオロベ
ンソイル)チオフェン−2−イル)ブタン−2−オン (35) 4− (4−メチル−5−(4−フルオロベ
ンゾイル)チオフェン−2−イル)ブタン−2−オール (36) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシム (37) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムメチルエーテル (3B) 、4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムノルマルブチルエー
テル (39) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムノルマルヘプチルエ
ーテル (40) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−フ゛タンー2−オン オキシム−(2ニジメチル
アミンエチル)−エーテル (41) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシム−(°2−カルボキ
シメチル)エーテル (42) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)ブタン−2−オール オキシム−メチルエーテル 本発明による新規化合物は以下に示す方法によって製造
することができる。
ン (212−ノルマルブチル−5−ベンゾイルチオフェン (3) 2−ノルマルヘプチル−5−ベンゾイルチオ
フェン (4)2−ノルマルブチル−5−(4−メチルベンゾイ
ル)−チオフェン (5)2−ノルマルブチル−5−(4−クロルベンゾイ
ル)−チオフェン (6)2−ノルマルブチル−5−(4−メトキシベンゾ
イル)−チオフェン (7)3−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
プロパン−2−オン (8)4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン (9)4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−
ブタン−3−オン (10) 1−ブロム−4−(5−ベンゾイルチオフェ
ン−2−イル)−ブタン−2−オン (11) 1−フルオロ−4−(5−ベンシイ九チでフ
ェン−2−イル)−ブタン−2−オン(12) 4−
(s −(4−メチルベン、〕°イアL)−”オフエン
−2−イル)−ブタン−2−オン(13) 4−(5−
(4−クロルベンゾイル)−チオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン(14) 4− (5−(4−メトキ
シベンゾイル)−チオフェン−2−イル)−ブタン−2
−オン(15) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−
2−イル)−ブタン−2−オール (16) 4− (5−(4−メチルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イ/l/)−ブタン−2−オール(17
) 4− (5−(4−クロルベンゾイル)−チオフェ
ン−2−イル)−ブタン−2−オール(1g) 4−
(5−(4−メトキシベンゾイル)−チオフエンー2−
イル)−ブタン−2−オール (19) 2−アセトキシ−4−(5−ベンゾイルチオ
フェン−2−イル)−ブタン (20) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−2−メトキシ−ブタン (21) 4− ’(5−(4−メチルベンゾイル)−
チオフェン−2−イル)−2−メトキシブタン(22)
4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−ブ
タ−3−エン−2−オン (23) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−1−フルオロ−ブタ−3−エン−2−オン (24) 4− (5−(4−メチルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イル)−ブタ−3−エン−2−オン (25) 4− (5−(4−クロルベンゾイル)−チ
オフェン−2−イル)−ブタ−3−エン−2−オン (26) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−1−プロムーブター3−エン−2−オン (27) 4− (5−(4−フルオロベンゾイル)−
チオフェン)−フタ−3−エン−2−オン(7,8)
4−(5−(3−メトキシベンゾイル)−チオフェン)
−フタ−3−エン−2−オン(29) 4− (5−ベ
ンゾイルチオフェン−2−イル)−2−(1−モルホリ
ノ)−ブタン(30) 4− (5−ベンゾイルチオフ
ェン−2−イル)−3−(1−モルホリノ)−ブタン(
31) 4− (4−メチル−5−ベンゾイルチオフェ
ン−2−イル)ブタン−2−オン (32) 4− (4’ −トリフルオロメチル−5−
ペンソイルチオフェン−2−イル)ブタン−2−オン (33) 4− (4−メチル−5−ベンゾイルチオフ
ェン−2−イル)ブタン−2−オール (34) 4− (4−メチル−5−(4−フルオロベ
ンソイル)チオフェン−2−イル)ブタン−2−オン (35) 4− (4−メチル−5−(4−フルオロベ
ンゾイル)チオフェン−2−イル)ブタン−2−オール (36) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシム (37) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムメチルエーテル (3B) 、4−(5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムノルマルブチルエー
テル (39) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシムノルマルヘプチルエ
ーテル (40) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−フ゛タンー2−オン オキシム−(2ニジメチル
アミンエチル)−エーテル (41) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オン オキシム−(°2−カルボキ
シメチル)エーテル (42) 4− (5−ベンゾイルチオフェン−2−イ
ル)ブタン−2−オール オキシム−メチルエーテル 本発明による新規化合物は以下に示す方法によって製造
することができる。
製法(1)
一般式
(式中、 R’ 、 R2,R’ 、 R’およびR5
は前述したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体は。
は前述したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体は。
一般式
(式中 R1、R2およびR3は前述したものと同意義
を示す。) を有するチオフェン誘導体に一般式 (式中 R4およびR5は前述したものと同意義を示し
、又は塩素、臭素のようなハロゲン原子を示す。) を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることによ
って得られる。
を示す。) を有するチオフェン誘導体に一般式 (式中 R4およびR5は前述したものと同意義を示し
、又は塩素、臭素のようなハロゲン原子を示す。) を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることによ
って得られる。
上記製法を詳細に説明すると、原料のチオフェン(1)
とベンゾイルハライド+1)を無水溶媒中。
とベンゾイルハライド+1)を無水溶媒中。
酸触媒下にフリーデル・クラフト反応を行なうことによ
って得られる。
って得られる。
反応溶媒としては無溶媒でも良いが9M、拌を容易なら
しめるために通常不活性溶媒を用いるのが望ましい。溶
媒としては、二硫化炭素、クロロホルム、メチレンクロ
ライド、ジクロルエタン、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素化合物、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類、ニトロメタン、エーテル。
しめるために通常不活性溶媒を用いるのが望ましい。溶
媒としては、二硫化炭素、クロロホルム、メチレンクロ
ライド、ジクロルエタン、トリクロルエタン等のハロゲ
ン化炭化水素化合物、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類、ニトロメタン、エーテル。
テトラハイドロフラン等のエーテル類を用いることがで
きる。
きる。
又、酸触媒としては、ボロントリフルオライド、塩化ア
ルミニウム、塩化第二スズ、塩化並塩等の金属のハロゲ
ン化物や、硫酸、リン酸のような鉱酸を用いることがで
きる。
ルミニウム、塩化第二スズ、塩化並塩等の金属のハロゲ
ン化物や、硫酸、リン酸のような鉱酸を用いることがで
きる。
反応温度は特に限定されないが通常90℃付近から20
0℃である。
0℃である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異なるが
通常24時間以内である。
通常24時間以内である。
反応の後処理は水を加え、エーテル、トルエン、ベンゼ
ン、酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、溶媒を1重ノウ
水で洗浄後、硫酸ナトリウム又は硫酸マグネシウム等の
乾燥剤を用いて乾燥し、溶媒を留去後9残留物をさらに
蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製し目
的化合物を得ることができる。
ン、酢酸エチル等の有機溶媒で抽出し、溶媒を1重ノウ
水で洗浄後、硫酸ナトリウム又は硫酸マグネシウム等の
乾燥剤を用いて乾燥し、溶媒を留去後9残留物をさらに
蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等で精製し目
的化合物を得ることができる。
製法(2)
一般式
(式中 B1 、 R2、R5、R4およびR5は前述
したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体は、一般
式 (式中 R1、R4およびR5は前述したR1゜a
a aRおよびRにおける
脂肪族アシル基およびオキソ基が保護されている以外は
同意義を示し。
したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体は、一般
式 (式中 R1、R4およびR5は前述したR1゜a
a aRおよびRにおける
脂肪族アシル基およびオキソ基が保護されている以外は
同意義を示し。
R2およびR5は前述したものと同意義を示す。)を有
するベンゾイルチオフェン誘導体にヒドロキシルアミン
を反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除去す
ることによって得られる。
するベンゾイルチオフェン誘導体にヒドロキシルアミン
を反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除去す
ることによって得られる。
上記一般式(IC)における脂肪族アシル基およびオキ
ソ基の保護基としては通常使用されるものであれば特に
限定はないが、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキ
シのようなケタールを形成するアルキレンジオキシ基あ
るいはエチレンジチオのようなチオケタールを形成する
アルキレンジチオ基が好適である。
ソ基の保護基としては通常使用されるものであれば特に
限定はないが、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキ
シのようなケタールを形成するアルキレンジオキシ基あ
るいはエチレンジチオのようなチオケタールを形成する
アルキレンジチオ基が好適である。
上記反応で使用されるハイトロキシルアミン用すればさ
らに反応速度を高めることができる。
らに反応速度を高めることができる。
通常ハイトロキシルアミン類をベンゾイルチオフェン1
モルに対して1〜100モル使用する。
モルに対して1〜100モル使用する。
反応は無溶媒中でも十分進行するが9反応を均−系で行
なうために不活性溶媒を用いてもよい。溶媒としては、
水、ジオキサン、テトラハイドロフラン等のエーテル類
、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等の
低級アルコール等の:容媒が用いられる。
なうために不活性溶媒を用いてもよい。溶媒としては、
水、ジオキサン、テトラハイドロフラン等のエーテル類
、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等の
低級アルコール等の:容媒が用いられる。
反応温度は特に限定されないが1通常室温から150℃
である。
である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異ブ’x
るが通常5日以下である。
るが通常5日以下である。
また反応速度を高めるために酢酸、塩酸、トルエンスル
ホン酸、カンファースルホン酸等の酸やピリジン、トリ
エチルアミン9ピロリジン。
ホン酸、カンファースルホン酸等の酸やピリジン、トリ
エチルアミン9ピロリジン。
ヒヘリジン等の塩基の触媒を用いることができる。
オキシム化反応終了後、上記の保護基は常法に従って除
去することができる。例えばケタール保i、2Gは、酢
酸、シュウ酸、トルエンスルホン酸、希塩酸等の触媒を
用いれば容易に除去して目的化合物を得ることができ。
去することができる。例えばケタール保i、2Gは、酢
酸、シュウ酸、トルエンスルホン酸、希塩酸等の触媒を
用いれば容易に除去して目的化合物を得ることができ。
チオケタール保護基1ユ塩化第二水銀と接触させること
によって目的化合物を得ることができる。
によって目的化合物を得ることができる。
以上の反応終了後1本製法の目的化合物は常法に従って
処理し、さらに蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
処理し、さらに蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
製法(3)
一般式
(式中、Rbは低級アルキル基、低級アルケニル基また
は脂肪族ブシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基9
水酸基、低級アルコキシ基。
は脂肪族ブシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基9
水酸基、低級アルコキシ基。
低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基9低級アルコ
キシカルボニル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよ< 、 B
、j 、 R2、R3、R4およびR5は前述したもの
と同意義を示す。)ヲ有するベンゾイルチオフェンオキ
シムエーテル誘導体は、一般式 (式中、呪 R; 、 R; 、 R8およびR1)は
前述したRI R2、R5、RAおよびR5における
水酸基、カルボギシ基、アミン基、モノ低級アルキルア
ミノ基、環状アミノ基およびメルカプト基が保護されて
いる以外は同意義を示す。)を有するベンゾイルチオフ
ェンオキシム誘導体に一般式 %式%() (式中 R6は低級アルキル基、低級アルケニル基はさ
らにオキソ基,保訛されていてもよい水酸基.低級アル
コギシ基.低級脂肪族アシルオ*シ基.8護されていて
もよいカルボキシ基。
キシカルボニル基、アミン基、モノ低級アルキルアミノ
基または環状アミン基で置換されていてもよ< 、 B
、j 、 R2、R3、R4およびR5は前述したもの
と同意義を示す。)ヲ有するベンゾイルチオフェンオキ
シムエーテル誘導体は、一般式 (式中、呪 R; 、 R; 、 R8およびR1)は
前述したRI R2、R5、RAおよびR5における
水酸基、カルボギシ基、アミン基、モノ低級アルキルア
ミノ基、環状アミノ基およびメルカプト基が保護されて
いる以外は同意義を示す。)を有するベンゾイルチオフ
ェンオキシム誘導体に一般式 %式%() (式中 R6は低級アルキル基、低級アルケニル基はさ
らにオキソ基,保訛されていてもよい水酸基.低級アル
コギシ基.低級脂肪族アシルオ*シ基.8護されていて
もよいカルボキシ基。
低級アルコキシカルボニル基.保護されていてもよいア
ミノ基,保護されていCもよいモノ低級アルキルアミレ
基。ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよ<、yは塩素.臭
素のようなハロゲン原子,メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシのような低級アルカンスルホニル
オキシ基またはベンゼンスルホニルオキシ、p−トルエ
ンスルホニルオキシのヨリナ7リールスルホニルオキシ
基を示す。) を有する化合物を反応させ,得られる化合物に含まれる
保護基を除去することWよって得られる。
ミノ基,保護されていCもよいモノ低級アルキルアミレ
基。ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよ<、yは塩素.臭
素のようなハロゲン原子,メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシのような低級アルカンスルホニル
オキシ基またはベンゼンスルホニルオキシ、p−トルエ
ンスルホニルオキシのヨリナ7リールスルホニルオキシ
基を示す。) を有する化合物を反応させ,得られる化合物に含まれる
保護基を除去することWよって得られる。
上記一般式(Ie)および(W) において存在する
保護基としては通常使用されるものであれば特に限定は
ないが9水酸基の保護基としては例エバ了セチル、トリ
フルオロアセチル、ベンゾイル、ベンジルオキシカルボ
ニル、p−ニトロベンジルオキシカ/+/ボニルのよう
なアシル基。
保護基としては通常使用されるものであれば特に限定は
ないが9水酸基の保護基としては例エバ了セチル、トリ
フルオロアセチル、ベンゾイル、ベンジルオキシカルボ
ニル、p−ニトロベンジルオキシカ/+/ボニルのよう
なアシル基。
トリメチルシリル、ジメチル−tert−ブチルシリル
のようなトリアルキルシリル基、ジヒドロピラン−2−
イル基等が好適であり、カルボキシ基の保護基としては
+ tert−ブチル、p−ニトロベンジル、ベンズヒ
ドリル、トリクロルエチルのようなエステルを形成する
基が好適であす、マたチオール基の保護基としては、ア
セチル、トリフルオロアセチルのようなアシル基が用い
られる。
のようなトリアルキルシリル基、ジヒドロピラン−2−
イル基等が好適であり、カルボキシ基の保護基としては
+ tert−ブチル、p−ニトロベンジル、ベンズヒ
ドリル、トリクロルエチルのようなエステルを形成する
基が好適であす、マたチオール基の保護基としては、ア
セチル、トリフルオロアセチルのようなアシル基が用い
られる。
上記反応はオキシム体(Ie)を塩基の存在下エーテル
化試剤(Ivlど反応させることによって実施すること
ができる。
化試剤(Ivlど反応させることによって実施すること
ができる。
物、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトレ1
チルアミン、ピリジン等の有機塩基を用キることができ
る。
る。
反応は無溶媒中でも十分進行するが反応を均−系で行な
うために溶媒を用いてもよい。溶媒としては、ジオキサ
ン、テトラハイドロフラン等のエーテル類、ジメチルス
ルホキサイド、ジメチルホルムアミド、メタノール、エ
タノール等の低級アルコールが用いられる。
うために溶媒を用いてもよい。溶媒としては、ジオキサ
ン、テトラハイドロフラン等のエーテル類、ジメチルス
ルホキサイド、ジメチルホルムアミド、メタノール、エ
タノール等の低級アルコールが用いられる。
反応温度は特に限定されないが9通常室温から150℃
である。
である。
反応時間は反応温度および原料の反応性により異なるが
通例40時間以下である。
通例40時間以下である。
ニーチル化反応終了後、上記の保護基は常法に従って除
去することができる。例えば水酸基の保護基であるアセ
チル ) +7フルオロアセチル、ベンゾイル等の脂肪
族アシル基は希水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウ
ム水溶液と処理することによって、ベンジルオキシカル
ボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル等のアラ
ルキルオキシカルボニル基はパラジウム−炭素触媒を用
いる接触還元法によって、トリメチルシリル、ジメチル
−tert−ブチルシリル等のトリアルキルシリル基又
は、フッ化水素水。
去することができる。例えば水酸基の保護基であるアセ
チル ) +7フルオロアセチル、ベンゾイル等の脂肪
族アシル基は希水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウ
ム水溶液と処理することによって、ベンジルオキシカル
ボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル等のアラ
ルキルオキシカルボニル基はパラジウム−炭素触媒を用
いる接触還元法によって、トリメチルシリル、ジメチル
−tert−ブチルシリル等のトリアルキルシリル基又
は、フッ化水素水。
ボロントリフルオライド等のフルオロ化合物によって、
あるい#ま酢酸、塩酸等によっても除去することができ
、ジヒドロビラン−2−イル基は塩酸9臭化水素酸等の
鉱酸若しくはギ酸、酢酸等の有機酸によって除去するこ
とができる。
あるい#ま酢酸、塩酸等によっても除去することができ
、ジヒドロビラン−2−イル基は塩酸9臭化水素酸等の
鉱酸若しくはギ酸、酢酸等の有機酸によって除去するこ
とができる。
カルボキシ基の保護基であるtert−ブチル基。
ベンズヒドリル基は塩酸、臭化水素酸等の鉱酸若しくハ
トリフルオロ酢酸等の有機酸と処理するこ七によって、
トリクロルエチル基は亜鉛と酢酸によって処理すること
によって、p−ニトロベンジル基はパラジウム−炭素触
媒を用いる接触還元法によって除去することができる。
トリフルオロ酢酸等の有機酸と処理するこ七によって、
トリクロルエチル基は亜鉛と酢酸によって処理すること
によって、p−ニトロベンジル基はパラジウム−炭素触
媒を用いる接触還元法によって除去することができる。
またチオール基の保護基のアセチル、トリフルオロアセ
チルのようなアシル基は相当する水酸基のアシル基と同
様に除去することができる。
チルのようなアシル基は相当する水酸基のアシル基と同
様に除去することができる。
以上の反応終了後1本製法の目的化合物は常法に従って
処理し、さらに蒸留。再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
処理し、さらに蒸留。再結晶、クロマトグラフィー等で
精製することによって得ることができる。
以上の製法によって合成される前記一般式(1)を有す
るベンゾイルチオフェン誘導体は、必要に応じて薬理学
に許容し得る塩圧することができる。すなわち1例えば
アミン誘導体は酸付加塩として塩酸、硫酸、硝酸のよう
な鉱酸の塩または酒石酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸
のような有機酸の塩にすることができ、カルボン酸誘導
体はナトリウム、カリウム、カルシウムのようなアルカ
リ金属若しくはアルカリ土類金属の塩、アルミニウム塩
、アンモニウム塩、トリエチルアミン、ジシクロヘキシ
ルアミン、モルホリン、ピペリジンのような有機塩基の
塩またはリジン、アルギニンのような塩基性アミノ酸の
塩にすることができる。
るベンゾイルチオフェン誘導体は、必要に応じて薬理学
に許容し得る塩圧することができる。すなわち1例えば
アミン誘導体は酸付加塩として塩酸、硫酸、硝酸のよう
な鉱酸の塩または酒石酸、クエン酸、乳酸、マレイン酸
のような有機酸の塩にすることができ、カルボン酸誘導
体はナトリウム、カリウム、カルシウムのようなアルカ
リ金属若しくはアルカリ土類金属の塩、アルミニウム塩
、アンモニウム塩、トリエチルアミン、ジシクロヘキシ
ルアミン、モルホリン、ピペリジンのような有機塩基の
塩またはリジン、アルギニンのような塩基性アミノ酸の
塩にすることができる。
本発明の前記一般式(I)を有する化合物はすぐれた抗
炎症作用あるいは鎮痛作用を有することが明らかである
が、その薬理作用を以下に例示する。
炎症作用あるいは鎮痛作用を有することが明らかである
が、その薬理作用を以下に例示する。
なお薬理試験は次の方法によって行なった。
抗炎症作用
ウィスター(Wlster )系ラットを用いてカラゲ
ニン浮腫法により試験した。(e、A、wintθr。
ニン浮腫法により試験した。(e、A、wintθr。
Fi、A、R15ley 、 G、W、Nuss: J
、Pharmacol、Exp、Therap−+14
1 、369 (1963) ) 鎮痛作用 ウィスター(Wister )系ラットを用いてランダ
ルセリシト法により試験した。(L。O,Randal
leJ、J、5elitto : Arch、int、
Pharmacodyn、 111 * 409(19
57))。
、Pharmacol、Exp、Therap−+14
1 、369 (1963) ) 鎮痛作用 ウィスター(Wister )系ラットを用いてランダ
ルセリシト法により試験した。(L。O,Randal
leJ、J、5elitto : Arch、int、
Pharmacodyn、 111 * 409(19
57))。
上記の薬理試験の結果からも明らかなように前記一般式
CI)を有する化合物は鎮痛抗炎症剤として有用である
。その投与形態としてはたとえば2錠剤、カプセル剤、
顆粒剤、散剤などによる経口投与あるいは止剤若しくは
軟膏剤、クリーム剤などの外用剤等による非経口投与を
あげることができる。その使用量は症状1年令1体重等
により異なるが、経口投与の場合には通常。
CI)を有する化合物は鎮痛抗炎症剤として有用である
。その投与形態としてはたとえば2錠剤、カプセル剤、
顆粒剤、散剤などによる経口投与あるいは止剤若しくは
軟膏剤、クリーム剤などの外用剤等による非経口投与を
あげることができる。その使用量は症状1年令1体重等
により異なるが、経口投与の場合には通常。
成人に対して1日約50■から200011?であり。
1回又は数回に分けて投与することができる。
次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1 4−(5−ベンゾイルチオフェン2、71
の塩化アルミニウム[30−の塩化メチレンを加え、水
冷下1.91のベンゾイルブロマイドを加える。30分
攪拌後1.54 、li’の4−(チオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オンを加えた後、30分攪拌する。
の塩化アルミニウム[30−の塩化メチレンを加え、水
冷下1.91のベンゾイルブロマイドを加える。30分
攪拌後1.54 、li’の4−(チオフェン−2−イ
ル)−ブタン−2−オンを加えた後、30分攪拌する。
その後冷水に投じエーテルで抽出し、エーテル層を重ソ
ウ水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、エー
テルを留宍し、シリカゲルカラムクロマトグラフ−で精
製すると、目的化合物1.4gが得られた。ノルマルヘ
キサンより再結晶すると9融点40−42℃の結晶が得
られた。
ウ水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、エー
テルを留宍し、シリカゲルカラムクロマトグラフ−で精
製すると、目的化合物1.4gが得られた。ノルマルヘ
キサンより再結晶すると9融点40−42℃の結晶が得
られた。
同様にして以下の化合物を合成した。
1
実施例 RRR置換位置 融点(C) Ma、s
s(M”〕2 H−0H(C!H5)2
2 olt 2303 H−0
4H920112444H−08H17232−353
00 54−Ol −CJ411q
2 50−51 2786 4−0H5
−04H9255−725874−OT(、、O−0,
R9236−38274H 8′H/ヘメ〜 2 0i1260H g HI3表 3 //
26000H。
s(M”〕2 H−0H(C!H5)2
2 olt 2303 H−0
4H920112444H−08H17232−353
00 54−Ol −CJ411q
2 50−51 2786 4−0H5
−04H9255−725874−OT(、、O−0,
R9236−38274H 8′H/ヘメ〜 2 0i1260H g HI3表 3 //
26000H。
1o Ht!(2// 27400
H。
H。
11 Ht9(3// 274000
H5 12H□ 2 //
302000H5 13Ht9(3// 30214
H、−yll、 3 52−54
25815 H/Y′−262−642
581B )(ハ【 2 θB
−64 2440 17 H△人 4 0it258
1114−Fハ人 2 80−82 27
719 H△人) 2 83−85 2
7620 H赫 2 109−111
25621 1[(△人〕” 2 91
−93 33622 HW’ 2
60−62 336T 5−ベンゾイル−2−ブチルチオフェン(2,2,9)
とハイトロキシルアミン塩酸塩1.2gをメタノール2
0m1に溶かし室温−夜装置する。メタノールを留去し
水を加えてエーテルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後エーテルを濃縮すると、 1.3511の目的化合
物が得られた。融点126 − 128 ℃ 実MU例23と同様に。−メチルハイトロキシルアミン
塩酸塩を用いて反応させ目的化合物を得た。
H5 12H□ 2 //
302000H5 13Ht9(3// 30214
H、−yll、 3 52−54
25815 H/Y′−262−642
581B )(ハ【 2 θB
−64 2440 17 H△人 4 0it258
1114−Fハ人 2 80−82 27
719 H△人) 2 83−85 2
7620 H赫 2 109−111
25621 1[(△人〕” 2 91
−93 33622 HW’ 2
60−62 336T 5−ベンゾイル−2−ブチルチオフェン(2,2,9)
とハイトロキシルアミン塩酸塩1.2gをメタノール2
0m1に溶かし室温−夜装置する。メタノールを留去し
水を加えてエーテルで抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後エーテルを濃縮すると、 1.3511の目的化合
物が得られた。融点126 − 128 ℃ 実MU例23と同様に。−メチルハイトロキシルアミン
塩酸塩を用いて反応させ目的化合物を得た。
同様に以下の化合物を合成した。
25 H−04H92o:tz 27326
4−○t −04H92tt 30727
H秩 2 tt 289104
l!の5−ベンゾイル−2−ブチルチオフェンオキシ
ムと0.2gの水素化ナトリウムを20m1のジメチル
ホルムアミド中、水冷下1時間攪拌する。これにブチル
ブロマイド(o、eg) f加えさらに室温1時間攪拌
後、氷水に投じ塩酸酸性としエーテルで抽出し、溶媒を
留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
と。
4−○t −04H92tt 30727
H秩 2 tt 289104
l!の5−ベンゾイル−2−ブチルチオフェンオキシ
ムと0.2gの水素化ナトリウムを20m1のジメチル
ホルムアミド中、水冷下1時間攪拌する。これにブチル
ブロマイド(o、eg) f加えさらに室温1時間攪拌
後、氷水に投じ塩酸酸性としエーテルで抽出し、溶媒を
留去しシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
と。
1゜IIの目的化合物が油として得られた。
29 n−Bu、 n−Bu2 01t3
153Q −CH2CH2N(C!H5)2 n−B
u2t/ 33Q31 −0H2000Hn−B
u 2 ” 317ン塩酸塩 ブタ−2−オール(1,3y>をピリジン10ゴに溶か
し水冷下1.0gのメタンスルホニルクロライドを加え
る。2時間攪拌後、氷水を加えエーテルで抽出する。溶
媒を留去し1.4gのモルホリンを加え90℃で2時間
反応させる。水を加えエーテルで抽出し、溶媒を留去し
カラムクロマトグラフィーで精製しエーテル塩酸を加え
る。
153Q −CH2CH2N(C!H5)2 n−B
u2t/ 33Q31 −0H2000Hn−B
u 2 ” 317ン塩酸塩 ブタ−2−オール(1,3y>をピリジン10ゴに溶か
し水冷下1.0gのメタンスルホニルクロライドを加え
る。2時間攪拌後、氷水を加えエーテルで抽出する。溶
媒を留去し1.4gのモルホリンを加え90℃で2時間
反応させる。水を加えエーテルで抽出し、溶媒を留去し
カラムクロマトグラフィーで精製しエーテル塩酸を加え
る。
エタノール−エーテルより再結晶すると、融点131〜
135℃の目的化合物0.61が得られた。
135℃の目的化合物0.61が得られた。
実施例32と同様にして融点91−93℃の目的化合物
が得られた。
が得られた。
特許出願人 三共株式会社
代理人 弁理士樫出庄治
手続補正書(自発)
昭和58年11月ノP日
特許庁長官 若 杉 オIJ 夫 殿1、事件の表示
昭和5r年特許願第180381号
2、発明の名称
ベンゾイルチオフェン誘導体及びその製法3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目1番地の
6名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 詳細な説明の欄 7、補正の内容 別紙の通シ 1、 明細1の待Fl″請求の範囲を下記のようにhf
圧する。
る者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目1番地の
6名称 (185)三共株式会社 代表者 取締役社長 河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 詳細な説明の欄 7、補正の内容 別紙の通シ 1、 明細1の待Fl″請求の範囲を下記のようにhf
圧する。
[(11−1役式
1式中、R1は炭素数1乃至8制を有する1頁鎖状若し
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する
lIl頌状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素
数1乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基
はさらにオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂
肪族アシルオキシ基、カルボキン基、低級アルコキシカ
ルボニル基、ハロゲン原子、アミン基、モノ低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基゛または環状アミ
ン基で置換されていてもよく、R2およびR3は同一ま
たは異なって水素原子、置換基として低級アルコキシ基
、低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ低級アルキルア
ミノ基、ジ1氏故アルキルアミノ基若しくはハロゲン原
子葡有していてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ
基、低級アルキルチオ基丑たはハロゲン原子を示し R
4およびR5は同一または異なって水素原子、低級アル
キル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル基、水酸
基、低械アルコキシ基、1氏級力旨肪族アシルオキシ基
、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミ7基、モノ
若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基、ハロ
ゲン原子またはニトロ基を示し、Zはオキソ基または−
N −OR6基(式中 R6は水素原子あるいは低級ア
ルキル基、低級アルケニル基まlヒは低級脂肪族アシル
基r示し、各々の基はさらにオキソ基、水酸基、1代級
アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ
a、+aSアルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低
級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環
状アミン基で置換されてい一〇もよい。)勿示ず。
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する
lIl頌状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素
数1乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基
はさらにオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂
肪族アシルオキシ基、カルボキン基、低級アルコキシカ
ルボニル基、ハロゲン原子、アミン基、モノ低級アルキ
ルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基゛または環状アミ
ン基で置換されていてもよく、R2およびR3は同一ま
たは異なって水素原子、置換基として低級アルコキシ基
、低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ低級アルキルア
ミノ基、ジ1氏故アルキルアミノ基若しくはハロゲン原
子葡有していてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ
基、低級アルキルチオ基丑たはハロゲン原子を示し R
4およびR5は同一または異なって水素原子、低級アル
キル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル基、水酸
基、低械アルコキシ基、1氏級力旨肪族アシルオキシ基
、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミ7基、モノ
若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基、ハロ
ゲン原子またはニトロ基を示し、Zはオキソ基または−
N −OR6基(式中 R6は水素原子あるいは低級ア
ルキル基、低級アルケニル基まlヒは低級脂肪族アシル
基r示し、各々の基はさらにオキソ基、水酸基、1代級
アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ
a、+aSアルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低
級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環
状アミン基で置換されてい一〇もよい。)勿示ず。
但し、Rが非直侠アルキル基で必る揚台に、はその炭素
数は3以上?衣わす。」 を有すめベンゾイルチオフェン誘導体。
数は3以上?衣わす。」 を有すめベンゾイルチオフェン誘導体。
(2)一般式
(式中 R1は炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を町する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はざら
にオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、ハロゲン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミ
ノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環状アミン基で置
換されていてもよく、R2およびR3は同一または異な
って水垢原子、置換基として低級アルコキシ基、低級ア
ルキルチオ基、アミノ基1低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基若しくはハロゲン、’、’jl +
k 潰し一〇いてもよい低級アルキル基、低級アルコキ
ン基、1氏級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示す
。但し、R1が非置換アルキル基である場合にはその炭
素数は3以上を表わす。) を南するチオフェン訪導体に一般式 (式中 R4およびR5は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシ
ル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオ
キシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミン基
、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基
、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、Xはハロゲン原
子全示す。) を有する安息査醒ハライド肪導体を反応させることを峙
似とする一般式 (式中、R’ 、 R2+ R’ 、 R’およびR5
は前述したものと同意躾奮示す。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を町する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はざら
にオキソ基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族ア
シルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコギシカルボニ
ル基、ハロゲン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミ
ノ基、ジ低級アルキルアミノ基または環状アミン基で置
換されていてもよく、R2およびR3は同一または異な
って水垢原子、置換基として低級アルコキシ基、低級ア
ルキルチオ基、アミノ基1低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基若しくはハロゲン、’、’jl +
k 潰し一〇いてもよい低級アルキル基、低級アルコキ
ン基、1氏級アルキルチオ基またはハロゲン原子を示す
。但し、R1が非置換アルキル基である場合にはその炭
素数は3以上を表わす。) を南するチオフェン訪導体に一般式 (式中 R4およびR5は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシ
ル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオ
キシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、アミン基
、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状アミン基
、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、Xはハロゲン原
子全示す。) を有する安息査醒ハライド肪導体を反応させることを峙
似とする一般式 (式中、R’ 、 R2+ R’ 、 R’およびR5
は前述したものと同意躾奮示す。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。
(3) 一般式
(式中、R;、tま炭素数1乃至8飼をイする直鎖状若
しくは分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有す
る1IfI C0i状若しくは分枝鎖状のアルケニル基
ま7ζは株数された炭素数1乃至8個を有する脂肪族ア
シル基を示し、各々の基はさらに保護されたオキソ基、
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキン基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級
アルキルアミノ基または環状アミノ基で置換されていで
もよく、R2およびR3は同一または異なって水素原子
、置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基
、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキ
ルアミノ基若しくはハロゲン原子盆イjしていてもよい
低級アルキル基、低級アルコキシ基または)10ゲン原
子tボし、Rz およびRzは同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、保躾された
低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、+hmアルキル
チオ基、アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ
基、環状アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す
0但し、Rzが非置換アルキル基である場合VCはその
IAT、数Iま3以上を表わす。) を有するベンゾイルチオフェン844にヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保峨基を除
去することを特徴とする一般式 (式中、R1,R4およびR5は前述したRz、Rzお
よびRzに含まれる保睦基を除去したものと同意義を示
し R2およびR3は前述したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。
しくは分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有す
る1IfI C0i状若しくは分枝鎖状のアルケニル基
ま7ζは株数された炭素数1乃至8個を有する脂肪族ア
シル基を示し、各々の基はさらに保護されたオキソ基、
水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキン基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級
アルキルアミノ基または環状アミノ基で置換されていで
もよく、R2およびR3は同一または異なって水素原子
、置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基
、アミン基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキ
ルアミノ基若しくはハロゲン原子盆イjしていてもよい
低級アルキル基、低級アルコキシ基または)10ゲン原
子tボし、Rz およびRzは同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、保躾された
低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、+hmアルキル
チオ基、アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ
基、環状アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す
0但し、Rzが非置換アルキル基である場合VCはその
IAT、数Iま3以上を表わす。) を有するベンゾイルチオフェン844にヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保峨基を除
去することを特徴とする一般式 (式中、R1,R4およびR5は前述したRz、Rzお
よびRzに含まれる保睦基を除去したものと同意義を示
し R2およびR3は前述したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。
(4) 一般式
(式中 R4は炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されたカルボキシ基、低
級アルコキ7力ルボニル基、ハロゲン原子、保護された
アミン基、保護されたモノ低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基で置
換されていでもよく、吋およびR二は同一または異なっ
て水素原子、置換基として低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級
アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しくはハ
ロゲン原子を治していてもよい低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、1次級アルキルチオ基またはハロゲン原子
を示し R4および札は同一または異なって水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級アルキ
ルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級ア
ルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護された
環状アミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す。但
し、Rbが非置換アルキル基である場合にはその炭素数
は3以上を表わす。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 (式中 R6は低級アルキル基、低級アルケニル基また
は低級脂肪族アシル基勿示し、各々の基はさらにオキソ
基、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、
低級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカル
ボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、保護されてい
てもよいアミン基、保護されていてもよいモノ低級アル
キルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または保護され
ていてもよい環状アミン基で置換されていてもよ<、X
は/%ロゲン原子、低級ブルカンヌルホニルオキシ基ま
たはアリールスルホニルオキシ基葡示ス。) を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保腰基を除去することを特徴とするー(式中、R1、R
2、RA 、 R4、R5およびR六は前述したR4
、 R: 、 R: 、 R8、R: およびRaVc
@まれる保護基を除去したものと同意義を示す。)ヲ南
スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘導体の製
法。」 2 同第11頁8行目の 「アミン基、」を [ハロゲン原子、アミン基、」と訂正する。
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されたカルボキシ基、低
級アルコキ7力ルボニル基、ハロゲン原子、保護された
アミン基、保護されたモノ低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基で置
換されていでもよく、吋およびR二は同一または異なっ
て水素原子、置換基として低級アルコキシ基、低級アル
キルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級
アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しくはハ
ロゲン原子を治していてもよい低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、1次級アルキルチオ基またはハロゲン原子
を示し R4および札は同一または異なって水素原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族アシル
基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級アルキ
ルチオ基、保護されたアミン基、保護されたモノ低級ア
ルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護された
環状アミノ基、ハロゲン原子またはニトロ基を示す。但
し、Rbが非置換アルキル基である場合にはその炭素数
は3以上を表わす。) を有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 (式中 R6は低級アルキル基、低級アルケニル基また
は低級脂肪族アシル基勿示し、各々の基はさらにオキソ
基、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、
低級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカル
ボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、保護されてい
てもよいアミン基、保護されていてもよいモノ低級アル
キルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基または保護され
ていてもよい環状アミン基で置換されていてもよ<、X
は/%ロゲン原子、低級ブルカンヌルホニルオキシ基ま
たはアリールスルホニルオキシ基葡示ス。) を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保腰基を除去することを特徴とするー(式中、R1、R
2、RA 、 R4、R5およびR六は前述したR4
、 R: 、 R: 、 R8、R: およびRaVc
@まれる保護基を除去したものと同意義を示す。)ヲ南
スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘導体の製
法。」 2 同第11頁8行目の 「アミン基、」を [ハロゲン原子、アミン基、」と訂正する。
3 同第13員下から3行目の
「アミン基、」を
[弗素・塩素、臭素、大業のような・・ロゲン原子、ア
ミノ基、」と訂正する。
ミノ基、」と訂正する。
4、 同第22貞下から5行目と4行目の間に下記の語
句を挿入する。
句を挿入する。
r (43) 1.1.1− )リフルオロ−4−(
5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−ブタン−2−
オン (44) 1.1.1− )リフルオ0−4−(5−
(4−フルオロベンゾイル)チオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン (45) tl、1−トリフルオロ−4−(s−(4
−クロルベンソイル)チオフェン−2−イル)−ブタン
−2−オン (46) 1,1.1−)リフルオロ−4−(5−(
2−フルオロベンゾイル)チオフェン−2−イル)−ブ
タン−2−オンJ 5、 同第35頁最下行および第36負5行目の「クイ
スター(Wister ) Jを「クイスタ−(Wis
tar ) Jとd」正する06 同第3T員最下行の 「R4つ、リーR1」を ○ 「R4−(シー「4すμm1゛」と訂正する。
5−ベンゾイルチオフェン−2−イル)−ブタン−2−
オン (44) 1.1.1− )リフルオ0−4−(5−
(4−フルオロベンゾイル)チオフェン−2−イル)−
ブタン−2−オン (45) tl、1−トリフルオロ−4−(s−(4
−クロルベンソイル)チオフェン−2−イル)−ブタン
−2−オン (46) 1,1.1−)リフルオロ−4−(5−(
2−フルオロベンゾイル)チオフェン−2−イル)−ブ
タン−2−オンJ 5、 同第35頁最下行および第36負5行目の「クイ
スター(Wister ) Jを「クイスタ−(Wis
tar ) Jとd」正する06 同第3T員最下行の 「R4つ、リーR1」を ○ 「R4−(シー「4すμm1゛」と訂正する。
1、 同第38頁1行目の
「実施例 R2R1」を
[実施例 R4’ RI Jと訂正する。
8 同第39頁γ行目と8行目の間に下記の耐句を挿入
する。
する。
r23 4−F △人ay397−99 3302
44−C1△人。F3110−112 34625 2
−F △人OF 73−76 33026
H△人。F379−81 312」 以上
44−C1△人。F3110−112 34625 2
−F △人OF 73−76 33026
H△人。F379−81 312」 以上
Claims (4)
- (1)一般式 〔式中 Hjは炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくは分校鎖状のアルケニル基または炭素数1乃
至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさら
にオキソ基水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシ
ルオキシ基、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル
基、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基9ジ低級アル
キルアミノ基または環状アミノ基で置換されていてもよ
<、R2およびR3は同一またに異なって水素原子、置
換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基。 モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若
しくはハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル基
、低級アルコキシ基9低級アルキルチオ基またはハロゲ
ン原子を示し H4およびR5は同一または異なって
水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂
肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族
アシルオキシ基、メルカプト基、低級アルキルチオ基、
アミン基、モノ若しくはジ低級アルキルアミノ基、環状
アミン基、ハロゲン原子またはニトロ基を示し、2はオ
キソ基また)2 = N−0R6基(式中 R6は水素
原子あるいは低級アルキル基、低級アルケニル基または
低級脂肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキソ基
。 水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミン
基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ
基または現状アミン基で置換されていてもよい。)を示
す。但し。 1 Rが非置換アルキル基である場合にはその炭素数は3以
上を表わす。〕 を有するベンゾイルチオフェン誘導体。 - (2)一般式 (式中、R1は炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しく
は分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直
鎖状若しくヲマ分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1
乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさ
らにオキソ基。 水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシルオキシ基
、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、アミン
基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ
基または環状アミノ基で置換されていてもよく、R2お
よびR5は同一また1ユ異なって水素原子、置換基とし
て低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、アミン基。 低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基若しく
はハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル基、低
級アルコキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン原
子を示す。但し R1が非置換アルキル基である場合に
はその炭素数は3以上を表わす。) を有するチオフェン誘導体に一般式 ) (式中 R4およびR5は同一または異なって水素原子
、低級アルキル基、低級アルケニル基。 似級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基。 低級アルキルチオ基、アミノ基、モノ若しくはジ低級ア
ルキルアミノ基、環状アミノ基、ハロゲン原子またはニ
トロ基を示し、Xはハロゲン原子を示す。) を有する安息香酸ハライド誘導体を反応させることを特
徴とする一般式 (式中 H+ 、 R2、R5、R4およびR5は前述
したものと同意義を示す。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体の製法。 - (3)一般式 (式中、Rは炭素数1乃至8個を有する直鎖状若しくは
分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する直鎖
状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または保護された炭
素数1乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の
基はさらに保護されたオキソ基、水酸基、低級アルコキ
シ基、低級脂肪族アシルオキシ基、カルボキシ基。 低級アルコキシカルボニル基、アミン基、モノ低級アル
キルアミノ基。ジ低級ア」・キルアミノ基または環状ア
ミノ基で置換されていてもよく。 R2およびR3は同一またげ異なって水素原子。 置換基として低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、
アミン基、モノ低級アルキルアミノ基。 ジ低級アルキルアミノ基若しくは)・ロゲン原子を有し
ていてもよい低級アルキル基、低級アルコキシ基または
ハロゲン原子を示し、 R,およびR5は同一または異
なって水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基9
保護された低級脂肪族アシル基、水酸基、低級アルコキ
シ基、低級脂肪族アシルオキシ基、メルカプト基、低級
アルキルチオ基。アミン基、モノ若しくはジ低級アルキ
ルアミノ基、環状アミノ基、ノ・ロゲン原子またはニト
ロ基を示す。但し、Raが非置換アルキル基である場合
にはその炭素数は3以上を表わす。) を有するベンゾイルチオフェン誘導体ニヒドロキシルア
ミンを反応させ、得られる化合物に含まれる保護基を除
去することを特徴とする特許Wは前述したものと同意義
を示す。) ヲ有するベンゾイルチオフェンオキシム誘導体の製法。 - (4)一般式 (式中、R1)は炭素数1乃至8個を有する直鎖状若し
くは分枝鎖状のアルキル基、炭素数2乃至8個を有する
直鎖状若しくは分枝鎖状のアルケニル基または炭素数1
乃至8個を有する脂肪族アシル基を示し、各々の基はさ
らにオキソ基。 保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級脂肪族アシ
ルオキシ基、保護されたカルボキシ基。 低級アルコキシカルボニル基、保護されたアミン基、保
護されたモノ低級アルキルアミノ基。 ジ低級アルキルアミノ基または保護された環状アミン基
で置換されていてもよ<、R2およびRaは同一または
異なって水素原子、置換基として低級アル=+ キシ基
、低級アルキルチオ基、保護されたアミノ基、保護され
たモノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基
若しくはハロゲン原子を有していてもよい低級アルキル
基。 低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン
原子を示し、R8およびR8は同一または異なって水素
原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級脂肪族
アシル基、保護された水酸基、低級アルコキシ基、低級
脂肪族アシルオキシ基、保護されたメルカプト基、低級
アルキルチオ基、保護されたアミノ基、保護されたモノ
低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、保護
された環状アミノ基、ノ・ロゲン原子またはニトロ基を
示す。但し、Rbが非置換アルキル基である場合にはそ
の炭素数は3以上を表わす。) ヲ有スるベンゾイルチオフェンオキシム誘導体に一般式 (式中、Rは低級アルキル基、低級アルケニル基または
低級脂肪族アシル基を示し、各々の基はさらにオキン基
、保護されていてもよい水酸基、低級アルコキシ基、低
級脂肪族アシルオキシ基、保護されていてもよいカルボ
キシ基。 低級アルコキシカルボニル基、保護されていてもよいア
ミン基、保護されていてもよいモノ低級アルキルアミノ
基、ジ低級アルキルアミノ基または保護されていてもよ
い環状アミン基で置換されていてもよく、Yはハロゲン
原子、低級アルカンスルホニルオキシ基または了り−ル
スルホニルオキシ基を示す。) を有する化合物を反応させ、得られる化合物に含まれる
保護基を除去することを特徴とする一般式 (式中 R1、R2、R5、R4、R5およびR6は前
す 述したRb、 Ra、 Ra、 Rh、 RbおよびR
a に含まれる保護基を除去したものと同意義を示す
。)ヲ有スるベンゾイルチオフェンオキシムエーテル誘
導体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18038182A JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18038182A JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5970685A true JPS5970685A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16082236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18038182A Pending JPS5970685A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | ベンゾイルチオフエン誘導体及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5970685A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0243071A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Riker Laboratories, Inc. | Di-t-butylphenols substituted by a thenoyl group |
JPH072665A (ja) * | 1991-08-29 | 1995-01-06 | Ind Technol Res Inst | チオフェン系化合物及びその薬理的に許容できる塩類よりなる医薬 |
JPH08175557A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Seiji Nishihara | 定量振出し用中栓 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP18038182A patent/JPS5970685A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0243071A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Riker Laboratories, Inc. | Di-t-butylphenols substituted by a thenoyl group |
JPH072665A (ja) * | 1991-08-29 | 1995-01-06 | Ind Technol Res Inst | チオフェン系化合物及びその薬理的に許容できる塩類よりなる医薬 |
JPH08175557A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Seiji Nishihara | 定量振出し用中栓 |
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