JPS5967674A - 発光表示装置 - Google Patents
発光表示装置Info
- Publication number
- JPS5967674A JPS5967674A JP57178811A JP17881182A JPS5967674A JP S5967674 A JPS5967674 A JP S5967674A JP 57178811 A JP57178811 A JP 57178811A JP 17881182 A JP17881182 A JP 17881182A JP S5967674 A JPS5967674 A JP S5967674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- display device
- emitting elements
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばスイッチの切ばあるいは回路の動作
状況に基づく２つの状態を使Ｌｌ１台に知らせるための
２色発光表示装置に関する。
状況に基づく２つの状態を使Ｌｌ１台に知らせるための
２色発光表示装置に関する。
従来、２色発光表示装置は第１図に示すように構成され
ている。すなわち、銅、鉄およびこれらの合金から成り
所定の肉＃な有する金属板にエヅチンゲあるいはプレス
加工をｌｌｊ ｌ−、てり−Ｆフレーム１１を形成し、
このリードフレーム１１の先端の５１１担なリード１７
１ Ｌｌｆ而１面１’ に異なる色の光を発する発光
素子１２ 、１３を導電性ペースト（一般には鏝ペース
））１４によって所定間隔で同行する。次に、両側のリ
ードフレームＦ Ｉ、 、 １１．に金あるいはアルミ
ニウム等の細線１６．．１６．で配線を行なった後、エ
ポキシ樹脂等の透明の外囲’８１７に村山する。
ている。すなわち、銅、鉄およびこれらの合金から成り
所定の肉＃な有する金属板にエヅチンゲあるいはプレス
加工をｌｌｊ ｌ−、てり−Ｆフレーム１１を形成し、
このリードフレーム１１の先端の５１１担なリード１７
１ Ｌｌｆ而１面１’ に異なる色の光を発する発光
素子１２ 、１３を導電性ペースト（一般には鏝ペース
））１４によって所定間隔で同行する。次に、両側のリ
ードフレームＦ Ｉ、 、 １１．に金あるいはアルミ
ニウム等の細線１６．．１６．で配線を行なった後、エ
ポキシ樹脂等の透明の外囲’８１７に村山する。
しかし、を記のような構成では、発光素子の発する光は
放射状に出射されるため発光効率が９１！９い。また、
す、−ド先端が平世面であるため発光素子Ｊ ２ 、
Ｉ Ｊの設置時に導電性ペーストＩ４がリードフレーム
１１の側面に流れ出し、発光素子Ｊ ２ 、 Ｊ 、？
とリード切断面１１′ との接着強度も弱くなる。
放射状に出射されるため発光効率が９１！９い。また、
す、−ド先端が平世面であるため発光素子Ｊ ２ 、
Ｉ Ｊの設置時に導電性ペーストＩ４がリードフレーム
１１の側面に流れ出し、発光素子Ｊ ２ 、 Ｊ 、？
とリード切断面１１′ との接着強度も弱くなる。
４１２図は、発光素子１２ 、１．９の発光効率を高め
るために、反射板として働く凹部ｔｓ＆設け、この四部
Ｉ８の平担な１（【、而に発光素子１２ 、 Ｉ Ｊを
設置して光に指向性を持たせるようにしたものである。
るために、反射板として働く凹部ｔｓ＆設け、この四部
Ｉ８の平担な１（【、而に発光素子１２ 、 Ｉ Ｊを
設置して光に指向性を持たせるようにしたものである。
このような構成によれば、発光効率を高めることかで六
、導電性ペースト１４も流出１．ないため発光素子７２
、７．９の接着強度を強くすることができる。しかし
、発光素子７２ 、１．９間の間隔が狭いため、η３３
図に示すように、導電性ペースト１４が毛細管現象によ
って発光素子１２゜１３間を這いＬす、素子のｐｎ ジ
ャンクションの短絡を引き起す危険がある。発光素子１
２゜１３間の間隔を大きくすればｔ記毛細管現象は防止
できるが、一つの発光素子で２色の発光を行なう発光表
示装置は主にスペースの有効利用を計る意味から使用す
るため、小形化が望まれており、リードフレーム１１の
先端に設ける反射部（四部）ｔＳも必然的に小さくせざ
るを得ない。従って、発光素子１２ 、１．９間の１す
＾ａは最大でも９．２ｍｍ〜０．３鰭程度となる。さら
に、４７電性ペーストＩ４は自動吐出袋層によって反射
部１８の底面に所定量だけ吐出するため、比較的粘度の
軟かいものが使用されており、毛細管現象が発生し易い
。
、導電性ペースト１４も流出１．ないため発光素子７２
、７．９の接着強度を強くすることができる。しかし
、発光素子７２ 、１．９間の間隔が狭いため、η３３
図に示すように、導電性ペースト１４が毛細管現象によ
って発光素子１２゜１３間を這いＬす、素子のｐｎ ジ
ャンクションの短絡を引き起す危険がある。発光素子１
２゜１３間の間隔を大きくすればｔ記毛細管現象は防止
できるが、一つの発光素子で２色の発光を行なう発光表
示装置は主にスペースの有効利用を計る意味から使用す
るため、小形化が望まれており、リードフレーム１１の
先端に設ける反射部（四部）ｔＳも必然的に小さくせざ
るを得ない。従って、発光素子１２ 、１．９間の１す
＾ａは最大でも９．２ｍｍ〜０．３鰭程度となる。さら
に、４７電性ペーストＩ４は自動吐出袋層によって反射
部１８の底面に所定量だけ吐出するため、比較的粘度の
軟かいものが使用されており、毛細管現象が発生し易い
。
１述したように、２つの発光素子を反射部内に設けよう
と干ると、１つの発光素子を設けて製品を作っていた時
には全く間に＋ｊと？ｒらなかつたことが新たな問題と
１７で生じ、この解決が望まれている。
と干ると、１つの発光素子を設けて製品を作っていた時
には全く間に＋ｊと？ｒらなかつたことが新たな問題と
１７で生じ、この解決が望まれている。
この発明は一ヒ記のような事情に鑑みてなされたもので
、その目的とするところは、複数の発光素子を反射板と
して働く凹部の底面に配設する発光表示装置において、
発光素子間の導電性ペーストの逍いＬりによる発光素子
のｐｎジャンクンヨンの短絡を防止できる発光表示装置
を提供することである。
、その目的とするところは、複数の発光素子を反射板と
して働く凹部の底面に配設する発光表示装置において、
発光素子間の導電性ペーストの逍いＬりによる発光素子
のｐｎジャンクンヨンの短絡を防止できる発光表示装置
を提供することである。
〔発明の４１！’ｆ、要〕
すなわち、この発明においては、Ｌ配糖２図における反
射部１８に設肖°される発光素子１２゜Ｉ Ｊ間に、流
出した導電性ペーストＩ４を溜める溝、あるいは導電性
ペーストＩ４を２つの領域に分Ｐ１１トする凸状の障壁
を設けることにより導電性ペースト１４の発光素子１２
、 Ｉ 、９間への３Ｍいヒ、りを抑制するように構
成したものである。
射部１８に設肖°される発光素子１２゜Ｉ Ｊ間に、流
出した導電性ペーストＩ４を溜める溝、あるいは導電性
ペーストＩ４を２つの領域に分Ｐ１１トする凸状の障壁
を設けることにより導電性ペースト１４の発光素子１２
、 Ｉ 、９間への３Ｍいヒ、りを抑制するように構
成したものである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照１７て説
明する。第４図は、反射部付近のリードフレームの拡大
図で、Ｌ配糖２図における反射部１８の底面に、導電性
ペーストを２つの領域に分離する凸状の障壁Ｉ９を設け
たものである。この障壁１９を形成するには、反射部Ｉ
８の形成時にリードフレームＩＩの切断面ｌｌｌに打ち
込むポンチ２０の先端に溝を設けておけば良い。
明する。第４図は、反射部付近のリードフレームの拡大
図で、Ｌ配糖２図における反射部１８の底面に、導電性
ペーストを２つの領域に分離する凸状の障壁Ｉ９を設け
たものである。この障壁１９を形成するには、反射部Ｉ
８の形成時にリードフレームＩＩの切断面ｌｌｌに打ち
込むポンチ２０の先端に溝を設けておけば良い。
このような構成によれば、自動吐出装Ｗ？から吐出され
た導電性ペーストが分離されるので、発光素子の設置時
に導電性ペーストが発光素子間を這い七ることはない。
た導電性ペーストが分離されるので、発光素子の設置時
に導電性ペーストが発光素子間を這い七ることはない。
第５図は、Ｌ２第４図における反射部Ｉ８の断面構成図
で、発光素子１２ 、 Ｉ Ｊ間の幅ａは従来と同様に
０．２〜０．３ｉ、障壁の高さｂは０．１〜０，２龍程
度で、この障壁１９の断面形状は鈍角あるいは丸味を持
たせるとメッキを晦し易い。
で、発光素子１２ 、 Ｉ Ｊ間の幅ａは従来と同様に
０．２〜０．３ｉ、障壁の高さｂは０．１〜０，２龍程
度で、この障壁１９の断面形状は鈍角あるいは丸味を持
たせるとメッキを晦し易い。
第６１１Ａは、この発明の他の実施１々１１を示すもの
で、ＩＺ記タハ４１・Ｙｌにおける障壁１９に代えて、
溝２Ｉ４・設けたものである。このような構成によれば
、発光素子の設置時に流出１．た導電性ペーストは１−
記１１青２１に溜まるため、１＋１１管現象を抑制でき
る。
で、ＩＺ記タハ４１・Ｙｌにおける障壁１９に代えて、
溝２Ｉ４・設けたものである。このような構成によれば
、発光素子の設置時に流出１．た導電性ペーストは１−
記１１青２１に溜まるため、１＋１１管現象を抑制でき
る。
なお、Ｌ記障壁Ｉ９あるいは満２１の形成には、ポンチ
２θの先端に図示１．たような溝あるいは突起を設けれ
ば良いので、ＱＩｒに複雑な金型構造とはｔｃらず、リ
ードフレームの形成コストが高くなど）ことはない。
２θの先端に図示１．たような溝あるいは突起を設けれ
ば良いので、ＱＩｒに複雑な金型構造とはｔｃらず、リ
ードフレームの形成コストが高くなど）ことはない。
以り説明したようにこの発明によれば、複数の発光素子
を反射板としで働く凹部の底面に配置没する発光表示装
置において、発光素子間の導、１（性ペーストの這い上
りによる発光素子のｐｎジャックジョンの短絡を防１ヒ
できる発光表示装置ｉ？ｉ′がイ！）られる。
を反射板としで働く凹部の底面に配置没する発光表示装
置において、発光素子間の導、１（性ペーストの這い上
りによる発光素子のｐｎジャックジョンの短絡を防１ヒ
できる発光表示装置ｉ？ｉ′がイ！）られる。
第１図および修２図はそれぞれ従来の発光表示装置の構
成を示す斜視図、りＩＪ３図はｔ記ｆＰ、２図の装置に
おける発光素子間への導電性ペーストの這い一１ニリを
説明するための図、第４図はこの発明の一実施例に係る
発光表示装置における反射部の拡大図、第５図は上目己
？ＰＪ４図の断面構成図、第６図および第７図はそれぞ
れこの発明の他の実施例を説明するための図である。 １１・・・リードフレーム １２ 、１ ；？・・・発光素子 Ｉ８・・・凹部（反射部） 出１１’、１７人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第
１図 第２図 第３図 ３２９− 第４図 第５図
成を示す斜視図、りＩＪ３図はｔ記ｆＰ、２図の装置に
おける発光素子間への導電性ペーストの這い一１ニリを
説明するための図、第４図はこの発明の一実施例に係る
発光表示装置における反射部の拡大図、第５図は上目己
？ＰＪ４図の断面構成図、第６図および第７図はそれぞ
れこの発明の他の実施例を説明するための図である。 １１・・・リードフレーム １２ 、１ ；？・・・発光素子 Ｉ８・・・凹部（反射部） 出１１’、１７人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第
１図 第２図 第３図 ３２９− 第４図 第５図
Claims (1)
- リードフレームの先端に反射板として働く凹部が設けら
れ、この間部の底面に複数の発光素子が所定の間隔で配
設される発光表示装置において、Ｌ記四部底面の発光素
子設置部と発光素子設置部間とが異なる高さを有する如
く構成したことを特？１“（とする発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178811A JPS5967674A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178811A JPS5967674A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967674A true JPS5967674A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16055066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178811A Pending JPS5967674A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672259U (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-07 | ローム株式会社 | Ｌｅｄランプ |
| KR20010108939A (ko) * | 2000-06-01 | 2001-12-08 | 유무친 | 발광다이오드 및 블랭크를 지닌 발광다이오드 제조방법 |
| WO2002017401A1 (de) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer vielzahl von lumineszenzdiodenchips |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178811A patent/JPS5967674A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672259U (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-07 | ローム株式会社 | Ｌｅｄランプ |
| KR20010108939A (ko) * | 2000-06-01 | 2001-12-08 | 유무친 | 발광다이오드 및 블랭크를 지닌 발광다이오드 제조방법 |
| WO2002017401A1 (de) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer vielzahl von lumineszenzdiodenchips |
| US7435997B2 (en) | 2000-08-24 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Component comprising a large number of light-emitting-diode chips |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3472450B2 (ja) | 発光装置 | |
| TWI462343B (zh) | 發光裝置 | |
| US7282740B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US10355183B2 (en) | LED package | |
| US20160072032A1 (en) | Light emitting device | |
| EP2390915A1 (en) | Light emitting device and light unit having the same | |
| US10381536B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP2005045199A (ja) | チップ発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2005317661A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| EP2746645A2 (en) | Lamp unit and vehicle lamp apparatus including the same | |
| JP2008282932A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| CN106931319B (zh) | 照明设备 | |
| JP6501564B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR100805822B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지 | |
| JP2005175048A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2005158958A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008042149A (ja) | 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法 | |
| KR20090082004A (ko) | 측면 발광 다이오드 패키지 | |
| JPS5967674A (ja) | 発光表示装置 | |
| KR20140145404A (ko) | 발광 장치 | |
| KR20160138680A (ko) | 광학 렌즈, 조명 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
| US20120087120A1 (en) | Grille light fixture and housing thereof | |
| JP2016127059A (ja) | 発光装置 | |
| KR102435569B1 (ko) | 광학 렌즈, 조명 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
| JP2003273406A (ja) | 発光素子実装基板 |