JPS59670A - 光フアイバ磁界センサ - Google Patents
光フアイバ磁界センサInfo
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- JPS59670A JPS59670A JP57109140A JP10914082A JPS59670A JP S59670 A JPS59670 A JP S59670A JP 57109140 A JP57109140 A JP 57109140A JP 10914082 A JP10914082 A JP 10914082A JP S59670 A JPS59670 A JP S59670A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁界の変化に応じて偏光面が回転を行う磁気光
学効果を利用した高電圧領域における電流計測などに応
用される光ファイバ磁毘センサの改良に関するものであ
る。
学効果を利用した高電圧領域における電流計測などに応
用される光ファイバ磁毘センサの改良に関するものであ
る。
光源から発した光を偏光子手段により一定の偏光状態と
した後これを鉛ガラス等の磁気光学効果素子の１つであ
るいわゆるファラデー効果素子の内部を透過させると９
周囲の磁界に対応した偏光の変調をうけるため、その光
゛を検光子手段を通過させると、この偏光の変化に応じ
た光電力の変化がある。これを更にフォトダイオード等
の光検出手段で電気信号に変換することにより、逆に磁
界を求められるとい）計測法は広く知られている。
した後これを鉛ガラス等の磁気光学効果素子の１つであ
るいわゆるファラデー効果素子の内部を透過させると９
周囲の磁界に対応した偏光の変調をうけるため、その光
゛を検光子手段を通過させると、この偏光の変化に応じ
た光電力の変化がある。これを更にフォトダイオード等
の光検出手段で電気信号に変換することにより、逆に磁
界を求められるとい）計測法は広く知られている。
光フアイバ磁界センサはこの計測法を電気的絶縁性の高
い光ファイバと組合わせて構成したもので。
い光ファイバと組合わせて構成したもので。
数十万ないし百方ボルトの超高圧の電力設備の計測が可
能でちるため古くから研究が行われ成る程度実用化され
ている。
能でちるため古くから研究が行われ成る程度実用化され
ている。
しかし乍ら上記のような光フアイバ磁界センサにおいて
は、出力信号が検光子手段の出力光電力であるだめ、各
構成要素間における光結合損失や光フアイバ内の光伝送
損失などが温度変動や光ファイバの屈曲その他にょシ変
化すると直ちに測定誤差となり、正確な結果が得られず
長期的な測定信頼性に乏しいという欠点があった。
は、出力信号が検光子手段の出力光電力であるだめ、各
構成要素間における光結合損失や光フアイバ内の光伝送
損失などが温度変動や光ファイバの屈曲その他にょシ変
化すると直ちに測定誤差となり、正確な結果が得られず
長期的な測定信頼性に乏しいという欠点があった。
したがって本発明の目的は光フアイバ磁界センサにおけ
る上記の測定誤差を可及的に小さくした信頼性の高い光
フアイバ磁界センサを得ようとするものである。
る上記の測定誤差を可及的に小さくした信頼性の高い光
フアイバ磁界センサを得ようとするものである。
本発明は前述の偏光の変調が伝波光波長により異ること
に着目し、同一の光路内に互いに波長の異る複数の光を
伝搬させ、これらの光が磁界Ｈによシ受ける影響の差異
を演算処理することにょシ磁界を求めようとするもので
ある。
に着目し、同一の光路内に互いに波長の異る複数の光を
伝搬させ、これらの光が磁界Ｈによシ受ける影響の差異
を演算処理することにょシ磁界を求めようとするもので
ある。
すなわち本発明によれば、複数の波長の偏光を時分割的
に送出する手段と、外部磁界の変化に対応してその内部
を通過する偏光に変化を与える磁気光学効果手段と、検
光子手段と、光フアイバ手段と、光検出手段と、この光
検出手段の出方電気信号を前記光波長との対応のもとに
演算処理して前記磁界を求める演算手段とを順次配設し
て成る光フアイバ磁界センサが得られる。また前記の光
送出手段から光検出手段までのほかに、前記光送出手段
の出力または内部における光の一部を分岐する光分岐手
段と１分岐された一部の光を検出するモニタ光検出手段
と、このモニタ光検出手段の検出した出力電気信号と前
記光検出手段の発する出力電気信号を用いて演算処理し
て前記磁界を求める演算手段とを有する光フアイバ磁界
センサが得られる。
に送出する手段と、外部磁界の変化に対応してその内部
を通過する偏光に変化を与える磁気光学効果手段と、検
光子手段と、光フアイバ手段と、光検出手段と、この光
検出手段の出方電気信号を前記光波長との対応のもとに
演算処理して前記磁界を求める演算手段とを順次配設し
て成る光フアイバ磁界センサが得られる。また前記の光
送出手段から光検出手段までのほかに、前記光送出手段
の出力または内部における光の一部を分岐する光分岐手
段と１分岐された一部の光を検出するモニタ光検出手段
と、このモニタ光検出手段の検出した出力電気信号と前
記光検出手段の発する出力電気信号を用いて演算処理し
て前記磁界を求める演算手段とを有する光フアイバ磁界
センサが得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第１図は従来の光フアイバ磁界センサのト渉→−４補成
を示した図である。第１図において、レーザダイオード
（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源１から発
した光を光ファイバ２および偏光子３を介して鉛ガラス
等の磁気光学効果手段４に導き、その出力光を検光子手
段５および光ファイバ６を介し、光検出手段７によシミ
気信号に変換出力する。いま磁気光学効果手段４の長さ
をｌとし、これが光線と平行な磁界成分Ｈを有する磁界
内におかれているとすると、偏光子３により直線偏光と
された光はいわゆるファラデー効果によりα＝ＶＨ１”
・・・・・・・・・（１）で表される角度αだけ
の偏光面回転をうける。ここでＶはベルデ定数と呼ばれ
るもので、材料にょシ異なる磁気光学効果の影響の強さ
を表わす定数である。（１）式から分るように、磁界Ｈ
の変化に対するαの関係は直線の関係となる。この回転
の結果検光子手段５の出力光レベルＰｏは磁気光学効果
手段４への入力すなわち偏光子手段３の出力光の偏波面
方向と検光子手段５の偏光方向の設定によシ、磁界Ｈの
変化に対し特異な関係を示す。
を示した図である。第１図において、レーザダイオード
（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源１から発
した光を光ファイバ２および偏光子３を介して鉛ガラス
等の磁気光学効果手段４に導き、その出力光を検光子手
段５および光ファイバ６を介し、光検出手段７によシミ
気信号に変換出力する。いま磁気光学効果手段４の長さ
をｌとし、これが光線と平行な磁界成分Ｈを有する磁界
内におかれているとすると、偏光子３により直線偏光と
された光はいわゆるファラデー効果によりα＝ＶＨ１”
・・・・・・・・・（１）で表される角度αだけ
の偏光面回転をうける。ここでＶはベルデ定数と呼ばれ
るもので、材料にょシ異なる磁気光学効果の影響の強さ
を表わす定数である。（１）式から分るように、磁界Ｈ
の変化に対するαの関係は直線の関係となる。この回転
の結果検光子手段５の出力光レベルＰｏは磁気光学効果
手段４への入力すなわち偏光子手段３の出力光の偏波面
方向と検光子手段５の偏光方向の設定によシ、磁界Ｈの
変化に対し特異な関係を示す。
第２図は上に説明した偏光回転角αと出力光レベルＰａ
の磁界Ｈに対する関係すなわち磁界センサの磁気光学効
果をあられした図である。これらの関係を用いて超高圧
の電流Ｉが生起する磁界Ｈの中にこのセンサを配置すれ
ば、出力光レベルＰｏを測定することによシ磁界Ｈ従っ
て電流■を測定することが可能である。この構成では通
常絶縁のために光ファイバ２および６が用いられる。
の磁界Ｈに対する関係すなわち磁界センサの磁気光学効
果をあられした図である。これらの関係を用いて超高圧
の電流Ｉが生起する磁界Ｈの中にこのセンサを配置すれ
ば、出力光レベルＰｏを測定することによシ磁界Ｈ従っ
て電流■を測定することが可能である。この構成では通
常絶縁のために光ファイバ２および６が用いられる。
ここで偏光子手段３は、もし光源１がＬＤやＩＩｅ−Ｎ
ｅレーザ等で既に十分な偏光特性を有しておシその偏光
が例えばファイバ２を用いないで直接磁気光学効果素子
４に導入可能である場合、或いは特殊な偏光保存ファイ
バ等の利用によシ十分に偏光が維持されている場合には
無くて済むものであるが１通常は必要となるものである
。
ｅレーザ等で既に十分な偏光特性を有しておシその偏光
が例えばファイバ２を用いないで直接磁気光学効果素子
４に導入可能である場合、或いは特殊な偏光保存ファイ
バ等の利用によシ十分に偏光が維持されている場合には
無くて済むものであるが１通常は必要となるものである
。
さて、上記のような構成の光フアイバ磁界センサにおい
ては、出力信号が出力光レベルそのものであるため、先
に簡単に説明したように１例えば光ファイバ６が屈曲や
温度変化をうけて伝搬損失に変化がでたシ各手段の間で
の結合損失が変動したりすると、それはただちに測定誤
差となる欠点があったのである。
ては、出力信号が出力光レベルそのものであるため、先
に簡単に説明したように１例えば光ファイバ６が屈曲や
温度変化をうけて伝搬損失に変化がでたシ各手段の間で
の結合損失が変動したりすると、それはただちに測定誤
差となる欠点があったのである。
第３図は本発明の詳細な説明する図である。第３図にお
いて、簡単のために入射側でのλｌ。
いて、簡単のために入射側でのλｌ。
λ２の２つの波長の光レベルが同図（Ａ）の様に共にＰ
ｏであるとすると、出射側では通常短波長側（λ１ ）
の方がベルデ定数が大なため、λｌ側の方が磁界の影響
をうけ易く同図（Ｂ）の様な結果を得る。いま波長λｌ
、λ２に対するベルデ定数を■Ｉ ＋ ｖ２ とし、さ
らに Ｐ＝ｆ（α） ・Ｐｏ −＝ ｆ（ＶＨｌ）・Ｐ。
ｏであるとすると、出射側では通常短波長側（λ１ ）
の方がベルデ定数が大なため、λｌ側の方が磁界の影響
をうけ易く同図（Ｂ）の様な結果を得る。いま波長λｌ
、λ２に対するベルデ定数を■Ｉ ＋ ｖ２ とし、さ
らに Ｐ＝ｆ（α） ・Ｐｏ −＝ ｆ（ＶＨｌ）・Ｐ。
の関係があるとすれば＊ Ｖｔ７ ＝ Ｋ＋ ＋ Ｖ２
１＝に２として。
１＝に２として。
Ｐ＋＝ｆ（α１）・Ｐｏ＝ｆ（Ｖ＋Ｈ６）Ｐｏ＝ｆ（Ｋ
ｔＨ）Ｐ。
ｔＨ）Ｐ。
Ｐ２＝ｆ（α２） Ｐｏ ＝ ｆ （Ｖ２Ｈｌ） Ｐｏ
＝ ｆ （Ｋ２Ｈ） Ｐ。
＝ ｆ （Ｋ２Ｈ） Ｐ。
から１両出力の比ＹミＰｌ／Ｐ２は
Ｙ”” ｆ（ＫｔＨ）／ｆ（Ｋ２Ｈ） ・・・曲・・
（２）であられされる。通常ｆ（α）は正弦又は余弦関
数であるので、成る測定範囲では、（２）式のＹの値は
Ｈに対し１価の非線形関数となり、ＹとＨに１対１の関
係をとることができ、従って両川力の比Ｙを測定するこ
とによシ磁界Ｈを求めることができる。而もこの場合フ
ァイバ系およびその結合部の損失変動に起因する誤差は
除去できるので、従来より精度よく磁界Ｈを求めること
ができる。
（２）であられされる。通常ｆ（α）は正弦又は余弦関
数であるので、成る測定範囲では、（２）式のＹの値は
Ｈに対し１価の非線形関数となり、ＹとＨに１対１の関
係をとることができ、従って両川力の比Ｙを測定するこ
とによシ磁界Ｈを求めることができる。而もこの場合フ
ァイバ系およびその結合部の損失変動に起因する誤差は
除去できるので、従来より精度よく磁界Ｈを求めること
ができる。
第４図は本発明の一実施例の構成を示した図である。は
じめに概要について説明すると、１１はλ１．λ２の２
波長にピークを有しかつ後述の様に時分割的にこの２波
長を送出する光源手段。
じめに概要について説明すると、１１はλ１．λ２の２
波長にピークを有しかつ後述の様に時分割的にこの２波
長を送出する光源手段。
１２〜１６は第１図の従来例と同様に光ファイバ。
偏光子手段、磁気光学効果手段、検光子手段および光フ
アイバ手段をそれぞれあられしている。この系において
、制御手段１７の信号によシ例えば交互に数十μｓの開
光源１１より発した光λ１゜λ２はそれぞれレベル変化
をうけて光電力Ｐｌ。
アイバ手段をそれぞれあられしている。この系において
、制御手段１７の信号によシ例えば交互に数十μｓの開
光源１１より発した光λ１゜λ２はそれぞれレベル変化
をうけて光電力Ｐｌ。
Ｐ２として光検出手段１８に入射する。光検出手段１８
はλｌ、λ２の制御手段１７による２つの波長の発生の
タイミングに同期してそれぞれのレベルを検出し、その
結果をアナログ又はマイクロコンピュータなどのデジタ
ル演算手段１９で演算処理することによシ磁界Ｈを求め
ることができる。
はλｌ、λ２の制御手段１７による２つの波長の発生の
タイミングに同期してそれぞれのレベルを検出し、その
結果をアナログ又はマイクロコンピュータなどのデジタ
ル演算手段１９で演算処理することによシ磁界Ｈを求め
ることができる。
いうまでもなく、λｌ 、λ２の交互に発生する間隔が
短ければ、ファイバ等への外乱の影響は無視可能となる
。
短ければ、ファイバ等への外乱の影響は無視可能となる
。
次に部分的に説明すると、光源手段１１としては波長λ
ｌ、λ２をそれぞれ発するＬＥＤ 、 ＬＤ等矩形・ぞ
ルスにより交互に出力するようになっている。第５図は
光源手段１１の他の例を示した図であって、λｌ、λ２
の２つの光源２３ａ 、２３ｂからの光を制御手段１７
の信号にもとづいて高速光スイッチ２４で交互に切替え
て光ファイバ１２に結合するものである。以上の２つの
例は現状では実用的である。将来的には１発光波長を制
御可能なり、ＤやＬＥＤも開発され利用可能と考えられ
る。
ｌ、λ２をそれぞれ発するＬＥＤ 、 ＬＤ等矩形・ぞ
ルスにより交互に出力するようになっている。第５図は
光源手段１１の他の例を示した図であって、λｌ、λ２
の２つの光源２３ａ 、２３ｂからの光を制御手段１７
の信号にもとづいて高速光スイッチ２４で交互に切替え
て光ファイバ１２に結合するものである。以上の２つの
例は現状では実用的である。将来的には１発光波長を制
御可能なり、ＤやＬＥＤも開発され利用可能と考えられ
る。
ここで第４図に戻って、光検出手段１８は光ファイバ１
６の出力端に結合されたフォトダイオード（ＰＤ）等の
光検出素子３１と、制御手段１７の信号によ多動作する
デマルチブレフサ３２を用いてレベルＰ１＋Ｐ１ を検
出するようになっている。この光検出手段１８の出力は
制御手段１７の信号にもとすいて波長λｌ、λ２に対応
したデータがアナログ形又はデジタル形の演算手段１９
に入力され演算処理される。
６の出力端に結合されたフォトダイオード（ＰＤ）等の
光検出素子３１と、制御手段１７の信号によ多動作する
デマルチブレフサ３２を用いてレベルＰ１＋Ｐ１ を検
出するようになっている。この光検出手段１８の出力は
制御手段１７の信号にもとすいて波長λｌ、λ２に対応
したデータがアナログ形又はデジタル形の演算手段１９
に入力され演算処理される。
第６図は光検出手段１８の他の１つの例を示した図であ
って、光検出素子３３（３１と同じ）の出力をサンプル
ホールド回路３４を介してＡ／Ｄ変換回路３５に送るよ
うになっている。この回路の出力はこの場合デジタル形
の演算手段に送出される。
って、光検出素子３３（３１と同じ）の出力をサンプル
ホールド回路３４を介してＡ／Ｄ変換回路３５に送るよ
うになっている。この回路の出力はこの場合デジタル形
の演算手段に送出される。
第７図は光検出手段１８の更に他の例を示した図であっ
て、光フアイバ分波器３６によシλ１゜λ２の波長に分
波し、光検出素子３７ａ、３７ｂの出力を制御手段１７
の信号によ多動作するサンプルホールド回路３８ａ 、
３８ｂを介して演算手段１９に出力するようになってい
る。
て、光フアイバ分波器３６によシλ１゜λ２の波長に分
波し、光検出素子３７ａ、３７ｂの出力を制御手段１７
の信号によ多動作するサンプルホールド回路３８ａ 、
３８ｂを介して演算手段１９に出力するようになってい
る。
ここで再度第４図に戻って、この第４図の装置には偏光
子１３が設けられているが、もし光源１１がＬＤのよう
な一定の偏光特性を有し且つ光ファイバ１２が偏光保全
性光ファイバであって磁気光学光学素子に送られる光が
偏光である場合は。
子１３が設けられているが、もし光源１１がＬＤのよう
な一定の偏光特性を有し且つ光ファイバ１２が偏光保全
性光ファイバであって磁気光学光学素子に送られる光が
偏光である場合は。
偏光子１３は必ずしも設けなくてよいものである。
第８図は本発明の他の実施例の構成を示す図である。こ
の実施例は特に測定精度を向上させるだめのものである
。すなわち、前記の４図の例では２つの波長の光の磁気
光学効果手段１４への入射レベルを共にＰｏとして同一
としていたが、これは実質的に調整がかなり困難であシ
、さらに光フ、γイバ１２についても光ファイバ１６と
同様温度変化で伝搬特性の変動をうける。この場合単に
光１言号レベルの変化については２つの波長がある程度
近似していればその影響は相殺的に働くため問題は少い
といえるが、光ファイバ１２における偏波面の回転等の
影響は測定結果に直接影響する。
の実施例は特に測定精度を向上させるだめのものである
。すなわち、前記の４図の例では２つの波長の光の磁気
光学効果手段１４への入射レベルを共にＰｏとして同一
としていたが、これは実質的に調整がかなり困難であシ
、さらに光フ、γイバ１２についても光ファイバ１６と
同様温度変化で伝搬特性の変動をうける。この場合単に
光１言号レベルの変化については２つの波長がある程度
近似していればその影響は相殺的に働くため問題は少い
といえるが、光ファイバ１２における偏波面の回転等の
影響は測定結果に直接影響する。
従ってこの第８図の実施例ではこうした問題を排除する
ために、磁気光学効果手段１４の入力側にて入射光を分
岐４１で分岐し、そのレベルをモニターするモニタ光検
出手段４２を取付け、このデータを演算手段４３に入力
する。演算手段４３では光検出手段１８の出力をモニタ
光検出手段４２の出力で割ってこれを正規化し、この正
規化した値から磁界Ｈを求めるようにしたものである。
ために、磁気光学効果手段１４の入力側にて入射光を分
岐４１で分岐し、そのレベルをモニターするモニタ光検
出手段４２を取付け、このデータを演算手段４３に入力
する。演算手段４３では光検出手段１８の出力をモニタ
光検出手段４２の出力で割ってこれを正規化し、この正
規化した値から磁界Ｈを求めるようにしたものである。
ここでモニタ光検出手段４２としては制御手段１７の信
号に対応して光検出手段１８と同様の構成により２波長
λｌ 、λ２を独立に検出できるものが望ましいが、要
求される測定精度によってはλｌ。
号に対応して光検出手段１８と同様の構成により２波長
λｌ 、λ２を独立に検出できるものが望ましいが、要
求される測定精度によってはλｌ。
λ２のいずれか一波長かあるいはその和としての平均レ
ベルを検出して用いることも可能である。
ベルを検出して用いることも可能である。
第９図は本発明の更に他の実施例の構成を示した図であ
る。この種の装置を超高圧の電力設備の計測に用いると
きは、偏光子１３．磁気光学効果素子１４．および検光
子１５は一体化して高圧部分に設置する。したがって光
ファイバ１２によって生じる偏光特性の劣化を承知の上
で、磁気光学効果手段１４の入射側ではなく光源５２の
出力側に配置し、この分岐５１にモニタ光検出手段５３
を配置したものである。この構成では勿論測定精度は光
ファイバ１２の分だけ低下するが、先に述べたように光
源１１自体がＬＤのように一定の偏光特性を有し、光フ
ァイバ１２が偏光保存性を有する場合には、測定精度の
低下は僅かで済むのでこの構成は有効である。しかもこ
の場合は偏光子１３は設けなくてもよい。
る。この種の装置を超高圧の電力設備の計測に用いると
きは、偏光子１３．磁気光学効果素子１４．および検光
子１５は一体化して高圧部分に設置する。したがって光
ファイバ１２によって生じる偏光特性の劣化を承知の上
で、磁気光学効果手段１４の入射側ではなく光源５２の
出力側に配置し、この分岐５１にモニタ光検出手段５３
を配置したものである。この構成では勿論測定精度は光
ファイバ１２の分だけ低下するが、先に述べたように光
源１１自体がＬＤのように一定の偏光特性を有し、光フ
ァイバ１２が偏光保存性を有する場合には、測定精度の
低下は僅かで済むのでこの構成は有効である。しかもこ
の場合は偏光子１３は設けなくてもよい。
第１０図は本発明の別の実施例の構成を示した図である
。第１０図の装置において、検光子手段６１の直交する
２つの出力光を例えばＶ偏波光とＨ偏波光に分け、それ
ぞれ別の光フアイバ手段６２ａおよび６２ｂを経て、制
御手段１７により制御される２組の光検出手段６３ａ
、６３ｂへ伝送し、λ１．λ２のそれぞれのＶ偏波、Ｈ
偏波成分のデータを得てこれまだ制御手段１７によ多制
御される演算手段６４にて処理し、磁界Ｈが求められる
。
。第１０図の装置において、検光子手段６１の直交する
２つの出力光を例えばＶ偏波光とＨ偏波光に分け、それ
ぞれ別の光フアイバ手段６２ａおよび６２ｂを経て、制
御手段１７により制御される２組の光検出手段６３ａ
、６３ｂへ伝送し、λ１．λ２のそれぞれのＶ偏波、Ｈ
偏波成分のデータを得てこれまだ制御手段１７によ多制
御される演算手段６４にて処理し、磁界Ｈが求められる
。
以上の説明では説明の都合上波長はλ１．λ２の２つと
したが実用に適した範囲で波長数を増大し、演算入力デ
ータを増加させることは測定精度の向上に有益であり本
発明の主旨に沿うものである。
したが実用に適した範囲で波長数を増大し、演算入力デ
ータを増加させることは測定精度の向上に有益であり本
発明の主旨に沿うものである。
なお９本発明の説明に直接関係のないレンズや光学位相
板等については記述を省略した。また本発明の構成はノ
・−ドウエアの選択と光波長の発生のタイミングと各光
検出手段の信号出力や演算回路のタイミングとの組合せ
により多様な形式を採用できる。
板等については記述を省略した。また本発明の構成はノ
・−ドウエアの選択と光波長の発生のタイミングと各光
検出手段の信号出力や演算回路のタイミングとの組合せ
により多様な形式を採用できる。
また以上の説明では磁気光学効果手段として鉛ガラスブ
ロックを例として示したが、これはその他の材料のもの
および光ファイバの如く上記の例とは異なった構造・形
態のものであっても本質的に本発明に含まれるものであ
る。また第４図についての説明で述べたように、偏光子
は必ずしも必要としないものである。
ロックを例として示したが、これはその他の材料のもの
および光ファイバの如く上記の例とは異なった構造・形
態のものであっても本質的に本発明に含まれるものであ
る。また第４図についての説明で述べたように、偏光子
は必ずしも必要としないものである。
第１図は従来の光フアイバ磁界センサの轟ｉ嘔構成の一
例を示す図、第２図は上記の磁界センサにおける磁気光
学効果を説明する図、第３図は本発明の詳細な説明する
図、第４図は本発明の一実施例の構成を示す図、第５図
は本発明に適した光源手段の構成の一例を説明する図、
第６図は本発明に適した光検出手段の構成の一例を説明
する図、第７図は本発明に適した光検出手段の構成の他
の例を説明する図、第８図は本発明の他の実施例の構成
を示す図、第９図は本発明の更に他の実施例の構成を示
す図、第１０図は本発明の別の実施例の構成を示す図で
ある。
例を示す図、第２図は上記の磁界センサにおける磁気光
学効果を説明する図、第３図は本発明の詳細な説明する
図、第４図は本発明の一実施例の構成を示す図、第５図
は本発明に適した光源手段の構成の一例を説明する図、
第６図は本発明に適した光検出手段の構成の一例を説明
する図、第７図は本発明に適した光検出手段の構成の他
の例を説明する図、第８図は本発明の他の実施例の構成
を示す図、第９図は本発明の更に他の実施例の構成を示
す図、第１０図は本発明の別の実施例の構成を示す図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数の波長の偏光を時分割的に送出する手段と、
外部磁界の変化に対応してその内部を通過する偏光に変
化を与える磁気光学効果手段と、検光子手段と、光フア
イバ手段と、光検出手段と。 この光検出手段の出力電気信号を前記光波長との対応の
もとに演算処理して前記磁界を求める演算手段とを順次
配設して成る光フアイバ磁界センサ。 ２、複数の波長の偏光を時分割に送出する光送出手段と
、外部磁界の変化に対応してその内部を通過する偏光に
変化を与える磁気光学効果手段と。 検光子手段と、光フアイバ手段と、光検出手段と。 前記光送出手段の出力または内部における光の一部を分
岐する光分岐手段と１分岐された一部の光を検出するモ
ニタ光検出手段と、このモニタ光検出手段の検出した出
力電気信号と前記光検出手段の発する出力電気信号を用
いて演算処理して前記磁界を求める演算手段とを有する
光フアイバ磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109140A JPS59670A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109140A JPS59670A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59670A true JPS59670A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14502608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109140A Pending JPS59670A (ja) | 1982-06-26 | 1982-06-26 | 光フアイバ磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59670A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149917A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 光応用計測装置 |
| WO1989003046A1 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fiberoptic sensor |
| CN107449471A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-08 | 中国计量大学 | 一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置 |
-
1982
- 1982-06-26 JP JP57109140A patent/JPS59670A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149917A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 光応用計測装置 |
| WO1989003046A1 (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fiberoptic sensor |
| US5021647A (en) * | 1987-09-30 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical fiber sensor having function of compensating for all drifting components |
| CN107449471A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-08 | 中国计量大学 | 一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置 |
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