JPS596611A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS596611A JPS596611A JP11565982A JP11565982A JPS596611A JP S596611 A JPS596611 A JP S596611A JP 11565982 A JP11565982 A JP 11565982A JP 11565982 A JP11565982 A JP 11565982A JP S596611 A JPS596611 A JP S596611A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、共通基板上に弾性表面波素子およびこれに必
畳な整合回路を形成するようにした弾性光11IJ波装
置に関するものである。
畳な整合回路を形成するようにした弾性光11IJ波装
置に関するものである。
水晶、LiNbOa (ニオブ酸リチウム)等の圧電単
結晶材料、圧電セラミックス材料、非圧″岨基板上に設
けられた圧電薄膜材料等によって弾性表面彼装置が製造
されるが−この弾性表面波装置を回路部品として使用す
るには外部回路との間に整合回路が必要となる。
結晶材料、圧電セラミックス材料、非圧″岨基板上に設
けられた圧電薄膜材料等によって弾性表面彼装置が製造
されるが−この弾性表面波装置を回路部品として使用す
るには外部回路との間に整合回路が必要となる。
第1図は弾性衣…1波装置を回路部品として用いる場合
の従来の構成を示すもので、圧電性基板1上に入力用ト
ランスジューサ2および出力用トランスジューサ3を備
える弾性表面波装置40入力側および出力側には各々整
合回路5.6が接続され、各整合回路5.6には信号源
7および゛負荷8が接続される。以上において上記信号
源7から整合回路5を介して入力用トランスジューサ2
に加えられた電気信号は入力用トランスジューサ2によ
って弾性表面波に変換され、圧電性基板表面を伝播して
出力用トランスジューサ3に到達するとこの出力用トラ
ンスジューサ3によって再び電気信号にf換され整合回
1EI6を介して負荷8に加えられる。この場合上It
1合回路5.6は電気信号と弾性表向波信号相互の変換
損失を低減させるために不可欠であり少くとも一方側に
は接続さね、るように構成される。
の従来の構成を示すもので、圧電性基板1上に入力用ト
ランスジューサ2および出力用トランスジューサ3を備
える弾性表面波装置40入力側および出力側には各々整
合回路5.6が接続され、各整合回路5.6には信号源
7および゛負荷8が接続される。以上において上記信号
源7から整合回路5を介して入力用トランスジューサ2
に加えられた電気信号は入力用トランスジューサ2によ
って弾性表面波に変換され、圧電性基板表面を伝播して
出力用トランスジューサ3に到達するとこの出力用トラ
ンスジューサ3によって再び電気信号にf換され整合回
1EI6を介して負荷8に加えられる。この場合上It
1合回路5.6は電気信号と弾性表向波信号相互の変換
損失を低減させるために不可欠であり少くとも一方側に
は接続さね、るように構成される。
ここで上記整合回路5.6はコイル等の誘導性等価素子
、コンデンサ等の容量性等価素子等の独立した部品を用
いて構成されるが、これら部品による整合回路部分の容
積は弾性表面波装置自身の値に比べて大きくなってし1
うので回路部品としての弾性表面波装置の寸法は結果的
に大さくなってしまう。1だ整合回路は上記コイルやコ
ンデンサ等の独立部品を必要とするので部品点数が増加
し、さらにこれら部品を組み込むための工程が必要とな
る。さらにまた部品組み込与後に整合回路を調整するた
めの工程を必要とするために、総じてコストアップは避
けられなかった。
、コンデンサ等の容量性等価素子等の独立した部品を用
いて構成されるが、これら部品による整合回路部分の容
積は弾性表面波装置自身の値に比べて大きくなってし1
うので回路部品としての弾性表面波装置の寸法は結果的
に大さくなってしまう。1だ整合回路は上記コイルやコ
ンデンサ等の独立部品を必要とするので部品点数が増加
し、さらにこれら部品を組み込むための工程が必要とな
る。さらにまた部品組み込与後に整合回路を調整するた
めの工程を必要とするために、総じてコストアップは避
けられなかった。
本発明は以上の問題に対処してなされたもので、弾性体
基板上に土竜薄膜が設けられて成る圧電性基板の一部に
トランスジューサおよび整合回路を有する弾性衣l1l
il阪装置において、土肥圧電薄膜上にあるいは圧電薄
膜と弾性体基板間に導電薄膜を設け、この導電薄膜を上
記整合回路の構成装作となるように構成して従来欠点を
除去するようにした弾性表面波装置を提供することを目
的と1−るものである。以下図面を参照して本発明実施
例を説明する。
基板上に土竜薄膜が設けられて成る圧電性基板の一部に
トランスジューサおよび整合回路を有する弾性衣l1l
il阪装置において、土肥圧電薄膜上にあるいは圧電薄
膜と弾性体基板間に導電薄膜を設け、この導電薄膜を上
記整合回路の構成装作となるように構成して従来欠点を
除去するようにした弾性表面波装置を提供することを目
的と1−るものである。以下図面を参照して本発明実施
例を説明する。
第2図は本発明の一実施例によるl5ip性表面lEL
装置を示す概略斜視図で、9は圧゛敵性基板で弾性体基
板lO1この上に設けられた導電薄膜11およびこの上
に設けられた圧′屯薄膜12とから構成され、この圧′
電性基板9の最上j覧である上記土竜薄膜12上には4
篭薄膜による矩形パターン13およびストリップライン
14がノl?成される。なお7は信号源、Ygは信号源
内部アドミタンス、a、a′は信号源7の端子である。
装置を示す概略斜視図で、9は圧゛敵性基板で弾性体基
板lO1この上に設けられた導電薄膜11およびこの上
に設けられた圧′屯薄膜12とから構成され、この圧′
電性基板9の最上j覧である上記土竜薄膜12上には4
篭薄膜による矩形パターン13およびストリップライン
14がノl?成される。なお7は信号源、Ygは信号源
内部アドミタンス、a、a′は信号源7の端子である。
第3図は第2因の等価回路を示すもので、Lは上記スト
リップライン14によって構成されたインダクタンス(
誘導性等価素子)、Cは矩形パターン13、圧電薄[1
2および導電薄膜11とによって構成されたキャパシタ
ンス(容量性等価素子)である。またGa、Bは−f:
れぞれ入力用トランスジューサ2の放射コンダクタンヌ
および放射サセプタンヌと電極指間容量によるサセプタ
ンヌの和を示している。信号源端子a 、 a/から右
側を見た時のアドミタンスをYaとすると、上記インダ
クタンスLおよびキャパシタンスCの匝を適当に調整す
ることにより、弾性表向波素子と外部回路との整合条件
Ya−Ygを満た丁ことかできる。
リップライン14によって構成されたインダクタンス(
誘導性等価素子)、Cは矩形パターン13、圧電薄[1
2および導電薄膜11とによって構成されたキャパシタ
ンス(容量性等価素子)である。またGa、Bは−f:
れぞれ入力用トランスジューサ2の放射コンダクタンヌ
および放射サセプタンヌと電極指間容量によるサセプタ
ンヌの和を示している。信号源端子a 、 a/から右
側を見た時のアドミタンスをYaとすると、上記インダ
クタンスLおよびキャパシタンスCの匝を適当に調整す
ることにより、弾性表向波素子と外部回路との整合条件
Ya−Ygを満た丁ことかできる。
上記インダクタンスLおよび゛キャパシタンスCの調整
は、圧電薄膜12上に導電薄膜によるストリップライン
14を形成テる時最適のマヌクノ(ターンを設計し、フ
ォトリソグラフィー技術を利用することにより容易に行
うCとができる。またこのストリップライン14および
矩形)(ターン13の形成は上記入力用トランスジュー
サ2と同時に行うことができる。
は、圧電薄膜12上に導電薄膜によるストリップライン
14を形成テる時最適のマヌクノ(ターンを設計し、フ
ォトリソグラフィー技術を利用することにより容易に行
うCとができる。またこのストリップライン14および
矩形)(ターン13の形成は上記入力用トランスジュー
サ2と同時に行うことができる。
したがって上iCストリップライン14および矩形パタ
ーン13を弾性表向波素子に対してインダクタンスLお
よびキャパシタンスCを含む整合回路として動作させる
ことができる。この場合インダクタンスしは上記ストリ
ップライン14によって構成され、キャパシタンスCは
矩形)くターン13、圧電薄膜12および導゛亀薄膜1
1とによって構成される。なお第2図の構造においては
物に弾性表面彼電子を入力用トランスジューサ2を宮む
入力側のみを示したが、出力用トランスジューサ3を含
む出力側に対しても同様に適用することができる。
ーン13を弾性表向波素子に対してインダクタンスLお
よびキャパシタンスCを含む整合回路として動作させる
ことができる。この場合インダクタンスしは上記ストリ
ップライン14によって構成され、キャパシタンスCは
矩形)くターン13、圧電薄膜12および導゛亀薄膜1
1とによって構成される。なお第2図の構造においては
物に弾性表面彼電子を入力用トランスジューサ2を宮む
入力側のみを示したが、出力用トランスジューサ3を含
む出力側に対しても同様に適用することができる。
第4図は本発明の池の実施例を示すもので、導電薄膜に
よる矩形パターン13およびストリップライン14を圧
死薄膜12と弾性体基板10間に形成し、導電薄膜11
を圧電N膜12上に形成した構造を示すものでるる。本
実施例構造によっても第2図の構造の場合と同様な効果
を得ることができる。
よる矩形パターン13およびストリップライン14を圧
死薄膜12と弾性体基板10間に形成し、導電薄膜11
を圧電N膜12上に形成した構造を示すものでるる。本
実施例構造によっても第2図の構造の場合と同様な効果
を得ることができる。
また整合回路のインダクタンスLを構成する上記ストリ
ップライン14の形状は、第5図および゛第6図のよう
なヌバイラルパターンを選ぶことができ、あるいは第7
図のようにボンディング用ワイヤ15でもって成すこと
もできる。
ップライン14の形状は、第5図および゛第6図のよう
なヌバイラルパターンを選ぶことができ、あるいは第7
図のようにボンディング用ワイヤ15でもって成すこと
もできる。
第8図(al、(blは本発明のその他の実施例を示す
もので特にインダクタンスLを構成するための構造を示
し、圧電性基板上にストリップ2イン14を形成しこの
ストリップライン140表mをaうように磁性体膜16
を形成したW造を提供するものでるる。
もので特にインダクタンスLを構成するための構造を示
し、圧電性基板上にストリップ2イン14を形成しこの
ストリップライン140表mをaうように磁性体膜16
を形成したW造を提供するものでるる。
第9図(a)、fb)は本発明のその池の実施例を示す
もので、立体的なコイル状にストリップライン14を形
成し、このコイルの芯となるように磁性体膜16を形成
することにより有心ソレノイド型のインダクタンスLを
構成テるようにしたものである。
もので、立体的なコイル状にストリップライン14を形
成し、このコイルの芯となるように磁性体膜16を形成
することにより有心ソレノイド型のインダクタンスLを
構成テるようにしたものである。
以上の実施例構造のようにストリップライン14単独で
なく磁性体膜16と組み合わせてインダクタンスLを構
成することにより、その直を大幅に増加させることがで
きる。次に第9図の構造の製法の一例を説明する。
なく磁性体膜16と組み合わせてインダクタンスLを構
成することにより、その直を大幅に増加させることがで
きる。次に第9図の構造の製法の一例を説明する。
第10図(al、+b+、(clは第9図の構造を製造
する場合に用いられるマスクを示すもので、これらマス
クを)@次相いることにより第11図fa)、(bl、
+c+のようなパターンが順次圧電性基板上に重ね合わ
される。先ず第10図ta+のよりなパターンaを有す
るマスクAを用いることにより、基板上に第11図ta
>のような土Bじパターンaに基づきストリップライン
14の下側に位置する導電rmx4aを形成する。次に
第10図(blのようなパターンbを有するマスクBを
用いることにより、上記導゛峨層14a上に第11図(
blのような上記パターンb[基づき磁性体膜]6を形
成する。続いて第10図(C1のようなパターンCを有
するマスクCを用いることにより、上記磁性体膜16上
に上記4竜層14aと連続されるように第11図(C)
のような上記パターンCに基づきストリップ2イン14
の上側に位置する導電層14bを形成する。以上によっ
て第9図の有心ソレノイド型インダクタンスを得ること
ができる。
する場合に用いられるマスクを示すもので、これらマス
クを)@次相いることにより第11図fa)、(bl、
+c+のようなパターンが順次圧電性基板上に重ね合わ
される。先ず第10図ta+のよりなパターンaを有す
るマスクAを用いることにより、基板上に第11図ta
>のような土Bじパターンaに基づきストリップライン
14の下側に位置する導電rmx4aを形成する。次に
第10図(blのようなパターンbを有するマスクBを
用いることにより、上記導゛峨層14a上に第11図(
blのような上記パターンb[基づき磁性体膜]6を形
成する。続いて第10図(C1のようなパターンCを有
するマスクCを用いることにより、上記磁性体膜16上
に上記4竜層14aと連続されるように第11図(C)
のような上記パターンCに基づきストリップ2イン14
の上側に位置する導電層14bを形成する。以上によっ
て第9図の有心ソレノイド型インダクタンスを得ること
ができる。
前記弾性体基&10としてシリコン、ガリウム砒素(G
aAs)、SO8(Si −0n−8apphier
)等の半導体材料を用いることがでさ、また土竜薄膜1
2としては酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(A
7N)等を用いることができる。上記半導体基板表面の
少くとも前記矩形パターン13に対向した部分に低抵抗
層を形成することにより、この低抵抗層をキャパシタン
スCの一方の電極として働かせることができる。
aAs)、SO8(Si −0n−8apphier
)等の半導体材料を用いることがでさ、また土竜薄膜1
2としては酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(A
7N)等を用いることができる。上記半導体基板表面の
少くとも前記矩形パターン13に対向した部分に低抵抗
層を形成することにより、この低抵抗層をキャパシタン
スCの一方の電極として働かせることができる。
上記のように特に(圧電薄膜/半導体基板)構造にする
ことにより、半導体基板上にIC,LSI等の電子回路
素子と弾性表面仮素子とを集積化することが回わしとな
る。
ことにより、半導体基板上にIC,LSI等の電子回路
素子と弾性表面仮素子とを集積化することが回わしとな
る。
なお本文実施例で示したキャパシタンスを!成するだめ
の矩形パターン、4電薄膜形状、圧電薄膜および絶縁薄
膜の厚さ等、あるいはインダクタンスを構成するための
ストリップラインの形状等は一例を示したものでろり、
何らこれらに限定されることなく目的、用途等に応じて
七の他の任意の条件を選択できるものである。
の矩形パターン、4電薄膜形状、圧電薄膜および絶縁薄
膜の厚さ等、あるいはインダクタンスを構成するための
ストリップラインの形状等は一例を示したものでろり、
何らこれらに限定されることなく目的、用途等に応じて
七の他の任意の条件を選択できるものである。
1だ整合回路を構fJy!、テるキャバ・ラタンス(容
量性等価素子)およびインダクタンス(誘導性等価素子
)は、常に両省が備わっている必要はなく少くともいず
れか一方の与が備わっているだけでも目的を達成するこ
とができる。
量性等価素子)およびインダクタンス(誘導性等価素子
)は、常に両省が備わっている必要はなく少くともいず
れか一方の与が備わっているだけでも目的を達成するこ
とができる。
以上説明して明らかなように本発明によれば、弾性体基
板上に圧電薄膜が設けられて成る圧電性基板の一部にト
ランスジューサおよび整合回路を有する弾性表向波装置
において、上記圧電薄膜上にあるいは圧電薄膜と弾性体
基板間に導電薄膜を設け、この導電薄膜を上記整合回路
の構成要件となるように構成したものであるから、従来
欠点を除去するCとができる。
板上に圧電薄膜が設けられて成る圧電性基板の一部にト
ランスジューサおよび整合回路を有する弾性表向波装置
において、上記圧電薄膜上にあるいは圧電薄膜と弾性体
基板間に導電薄膜を設け、この導電薄膜を上記整合回路
の構成要件となるように構成したものであるから、従来
欠点を除去するCとができる。
すなわち、共通の圧電性基板上に弾性表面波素子および
これに必装な整合回路が形成できるので小型な弾性表面
tEi、装置を実現することができる。
これに必装な整合回路が形成できるので小型な弾性表面
tEi、装置を実現することができる。
これに伴い整合回路の部品点数を低減することができ、
1だ整合回路の組立は不安となるので製造工程を少くす
ることができる。さらに整合回路は予め最適条件に設計
されて弾性表面波装置と一体的に組み込まれるので!#
7整作業を不要となすことができる。
1だ整合回路の組立は不安となるので製造工程を少くす
ることができる。さらに整合回路は予め最適条件に設計
されて弾性表面波装置と一体的に組み込まれるので!#
7整作業を不要となすことができる。
よってコストダウンを計ることができるので安価な弾性
表面波装置を得ることができる。
表面波装置を得ることができる。
第1図は従来例を示す構成図、第2図は本発明実施例を
示す概V@斜視図、第3図は本発明を説明するための等
価回路、$4図は本発明実施例を示す概略透視図、第5
図乃至第7図はいずれも本発明実施例を示す概略上面図
、第8図(al、(blおよび゛第9図(al、tbl
はそれぞれ本発明実施例を示す上面図および断面図、第
10図(a)〜iclおよび第11図1al〜telは
それぞれ本発明実施例を示す上面図である。 2・・入力用トランスジユーザ、3・・・出力用トラン
スジューサ、7・−・信号源、9・・・圧電性基板、1
0・・・弾性体基板、11.13.14.14 a、
14 t)−in’鴫薄膜、12・・・圧電薄膜、15
・・・ボンデインク用ワイヤ、16・・・磁性体膜。 %奸出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 水 1)武三部 禁4刃 ζ 第5囮 稟6囮 第7図 デ8図 (G) (b) 4 孝9図 (b) 第10図 第11図 (Q) (C1)(b
) (b)−」 (C) (C)旦
示す概V@斜視図、第3図は本発明を説明するための等
価回路、$4図は本発明実施例を示す概略透視図、第5
図乃至第7図はいずれも本発明実施例を示す概略上面図
、第8図(al、(blおよび゛第9図(al、tbl
はそれぞれ本発明実施例を示す上面図および断面図、第
10図(a)〜iclおよび第11図1al〜telは
それぞれ本発明実施例を示す上面図である。 2・・入力用トランスジユーザ、3・・・出力用トラン
スジューサ、7・−・信号源、9・・・圧電性基板、1
0・・・弾性体基板、11.13.14.14 a、
14 t)−in’鴫薄膜、12・・・圧電薄膜、15
・・・ボンデインク用ワイヤ、16・・・磁性体膜。 %奸出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 水 1)武三部 禁4刃 ζ 第5囮 稟6囮 第7図 デ8図 (G) (b) 4 孝9図 (b) 第10図 第11図 (Q) (C1)(b
) (b)−」 (C) (C)旦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 弾性体基板上に圧電薄膜が設けられて成る圧電性
基板の一部にトランヌジューサおよび整合回路を有する
弾性表面波装置において、上記圧電薄膜上にあるいは圧
電薄膜と弾性体基板間に導電薄膜が設けられ、上記整合
回路がこの導電薄膜を構成要件とすることを特徴とする
弾性表面波装置。 2、 上記整合回路が上記導電薄膜を構成要件とする容
量性等価素子および誘導性等価素子の少くとも一方を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表
面波装置。 3、 上記容量性等価素子が上記圧電薄膜上におよび圧
電薄膜と弾性体基板間に各々設けられた導電薄膜の一方
の導電薄膜と圧電薄膜およびこの圧電薄膜を介して少く
とも上記導電に膜のパターンに対向した部分に設けられ
た他方の導′峨薄膜とから構成されることを特徴とする
請求 2項記載の弾性表面波装置。 4、上記紡導1!+:等価素子が上記導電薄膜および少
くともこの導電#朕の一部表面を覆うように段重られた
磁性体膜から構成されることを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の弾性表面波装置。 5、土記籾専性等価素子がコイル状に立体的に設けられ
た導電薄膜およびこの導電薄膜のコイルの芯となるよう
に設けられた磁性体膜から構成されることを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の弾性表面波装置。 6、上記弾性体基板が半導体材料から成ることを特徴と
する特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載
の弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11565982A JPS596611A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 弾性表面波装置 |
US06/508,397 US4625184A (en) | 1982-07-02 | 1983-06-27 | Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon |
GB08317638A GB2126034B (en) | 1982-07-02 | 1983-06-29 | Surface acoustic wave device |
DE19833323612 DE3323612A1 (de) | 1982-07-02 | 1983-06-30 | Oberflaechenschallwellenvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11565982A JPS596611A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS596611A true JPS596611A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14668117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11565982A Pending JPS596611A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS596611A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5533382A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Toshiba Corp | Surface wave element |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11565982A patent/JPS596611A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5533382A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Toshiba Corp | Surface wave element |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
KR100850861B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2008-08-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치 |
US7486001B2 (en) | 2004-01-19 | 2009-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
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