JPS5965490A - 半導体発光素子アレイの製造方法 - Google Patents
半導体発光素子アレイの製造方法Info
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- JPS5965490A JPS5965490A JP57175160A JP17516082A JPS5965490A JP S5965490 A JPS5965490 A JP S5965490A JP 57175160 A JP57175160 A JP 57175160A JP 17516082 A JP17516082 A JP 17516082A JP S5965490 A JPS5965490 A JP S5965490A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体発光素子アレイの製造方法に関する。
半導体発光素子として代表的な発光ダイオード(Lig
ht’ Emitting’ Diode、以下LFi
Dという)はペレット単体のものをマトリックヌ状に形
成してアレイとし、デイヌブレイとして使用されること
がある。LE’Dは、小型に製作でき、応答速度が速く
、高輝度でしかも多色表示が可能である点でディスプレ
イ装置に適しているが、アレイを構成するためにtiL
KD素子を規則的に位置精度良くしかも局密度に配置す
る必要がある。
ht’ Emitting’ Diode、以下LFi
Dという)はペレット単体のものをマトリックヌ状に形
成してアレイとし、デイヌブレイとして使用されること
がある。LE’Dは、小型に製作でき、応答速度が速く
、高輝度でしかも多色表示が可能である点でディスプレ
イ装置に適しているが、アレイを構成するためにtiL
KD素子を規則的に位置精度良くしかも局密度に配置す
る必要がある。
このための従来技術としては例えば特開昭56−184
80に示された技術がある。こitは、LEDペレット
を塔載するアルミナ等のセラミックの基板上にドライフ
ィルム等のフォトレジスト膜を貼り付け、写真技術によ
pLKDペレットを塔載する部分にエツチングによる開
口を行い、その開口部に釧ベーヌト等の導電性接着剤を
塗布して・1.、 FiDペレット(i=上向きに固定
するダイボンディングを行い、配線後に7オトレジヌl
を除去することによりLEDペレットを規則的に位置精
度良く配列することができるものである。
80に示された技術がある。こitは、LEDペレット
を塔載するアルミナ等のセラミックの基板上にドライフ
ィルム等のフォトレジスト膜を貼り付け、写真技術によ
pLKDペレットを塔載する部分にエツチングによる開
口を行い、その開口部に釧ベーヌト等の導電性接着剤を
塗布して・1.、 FiDペレット(i=上向きに固定
するダイボンディングを行い、配線後に7オトレジヌl
を除去することによりLEDペレットを規則的に位置精
度良く配列することができるものである。
ところが、この方法はLEDベレット同士の間隔が広い
場合には良好な結果が得られるが、間隔が狭くなった場
合は問題が生ずる。第1図はこのような例を示した例で
あって、基板3の上にスクリーン印刷、ヌタンビング等
の方法で塗布された導電性接着剤2の上にLIDベレッ
ト1を圧着して熱処理を行うことによ勺ダイボンディン
グを行った際、圧着時の圧力あるいは熱処理時の熱によ
り接着剤が軟化し、フォトレジスト族を越え、隣接する
ベレット間の隙間に接着剤が押し上げられた回り込み部
分4が生じている。このような状態では回り込んだ導電
性接着剤4により隣接するLEDベレット間でのショー
ト、LEDベレット内のPN接合のショートなどが発生
することがめシ、歩留りを減少させる原因となっている
にの対策としてはフォトレジストの厚さを増加させるこ
と、及び接着剤の量を減少させることが考えら詐るが、
フォトレジストの厚さについてはエツチングを行うため
に数μmの厚さに押える必要があり、また接着剤の量は
接着強度の低下を避けるために一定量以下に減少させる
ことはできない。
場合には良好な結果が得られるが、間隔が狭くなった場
合は問題が生ずる。第1図はこのような例を示した例で
あって、基板3の上にスクリーン印刷、ヌタンビング等
の方法で塗布された導電性接着剤2の上にLIDベレッ
ト1を圧着して熱処理を行うことによ勺ダイボンディン
グを行った際、圧着時の圧力あるいは熱処理時の熱によ
り接着剤が軟化し、フォトレジスト族を越え、隣接する
ベレット間の隙間に接着剤が押し上げられた回り込み部
分4が生じている。このような状態では回り込んだ導電
性接着剤4により隣接するLEDベレット間でのショー
ト、LEDベレット内のPN接合のショートなどが発生
することがめシ、歩留りを減少させる原因となっている
にの対策としてはフォトレジストの厚さを増加させるこ
と、及び接着剤の量を減少させることが考えら詐るが、
フォトレジストの厚さについてはエツチングを行うため
に数μmの厚さに押える必要があり、また接着剤の量は
接着強度の低下を避けるために一定量以下に減少させる
ことはできない。
そこで本発明は、基板上にLFfDペレットを導電性接
着剤によりダイボンディングする際に接着剤の回り込み
等を防止し、歩留りの高い半導体発光素子アレイの製造
法を提供することを目的とする。
着剤によりダイボンディングする際に接着剤の回り込み
等を防止し、歩留りの高い半導体発光素子アレイの製造
法を提供することを目的とする。
以下、第2図ないし第4図を参照しながら本発明のいく
つかの実施例を説明する。
つかの実施例を説明する。
第2図は基板3のLEDペレット配置部の間隙部にrI
45を設ける工程を有する実施例であって、基板3には
まずLEDペレット配置部の間隙部に溝5が設けられる
。次にこの溝5を除いた基板3のLEDペレット配置部
に導電性接着剤2をスクリーン印刷等により塗布し、L
EDペレット1を圧着によりマウントする。次にLFf
Dペレットlがマウントされた基板3を例えば150
Cの雰囲気に置き、4′#L性接着剤の加熱硬化を行う
。この方法によれば圧着時の圧力や加熱時の熱により軟
化流動化した導電性接着剤29は溝5の中に垂れ下シ、
LEDペレット1の側面にまで回り込むことはない。
45を設ける工程を有する実施例であって、基板3には
まずLEDペレット配置部の間隙部に溝5が設けられる
。次にこの溝5を除いた基板3のLEDペレット配置部
に導電性接着剤2をスクリーン印刷等により塗布し、L
EDペレット1を圧着によりマウントする。次にLFf
Dペレットlがマウントされた基板3を例えば150
Cの雰囲気に置き、4′#L性接着剤の加熱硬化を行う
。この方法によれば圧着時の圧力や加熱時の熱により軟
化流動化した導電性接着剤29は溝5の中に垂れ下シ、
LEDペレット1の側面にまで回り込むことはない。
第3図は、基板3のLFiDペレット配置11部の間隙
部に2本の溝5aおよび5bを設けた実施例を示す。こ
の実施例ではLEDベレットlをマウントした場合、隣
シ合った半導体発光素子ベレット1の下からはみ出した
導電性接着剤2はそれぞれ異った゛溝内に垂れ下るため
、よりショート等の発生の可能性が少ないという利点を
有する。
部に2本の溝5aおよび5bを設けた実施例を示す。こ
の実施例ではLEDベレットlをマウントした場合、隣
シ合った半導体発光素子ベレット1の下からはみ出した
導電性接着剤2はそれぞれ異った゛溝内に垂れ下るため
、よりショート等の発生の可能性が少ないという利点を
有する。
第4図は、基板3のIFjDベレットlの間隙部に溝5
を設け、LEDペレット1の下部にも溝6を設けた本発
明の池の実施例を示す。このようにすることにより、余
分な導電性接着剤をより多く吸収することができる。
を設け、LEDペレット1の下部にも溝6を設けた本発
明の池の実施例を示す。このようにすることにより、余
分な導電性接着剤をより多く吸収することができる。
以上の実施例において、半導体基板上に設ける溝の幅、
深さなどは、塗布する導電性接着剤の量、LEiDペレ
ットの大きさ、IKDペレット間の間隔の大きさなどか
ら適宜定めればよい。
深さなどは、塗布する導電性接着剤の量、LEiDペレ
ットの大きさ、IKDペレット間の間隔の大きさなどか
ら適宜定めればよい。
本発明にかかる半導体発光素子アレイの製造方法によれ
ば、基板上にLIICDペレットの配置位置に対応した
複数の溝を設けることにより、ダイボンディングの際に
軟化し流動化した余分な導電性接着剤を吸収し、LED
ペレット間の間隙への導電性接着剤の回り込みを防止す
ることができるので、導電1性接着剤がLEDベレット
間に存在することによるベレット同士のショート、LI
IXDペレット上に存在することによるPN接合のショ
ートなどの発生を防止し、歩留りの向上、信頼性の向上
などを図ることができる。
ば、基板上にLIICDペレットの配置位置に対応した
複数の溝を設けることにより、ダイボンディングの際に
軟化し流動化した余分な導電性接着剤を吸収し、LED
ペレット間の間隙への導電性接着剤の回り込みを防止す
ることができるので、導電1性接着剤がLEDベレット
間に存在することによるベレット同士のショート、LI
IXDペレット上に存在することによるPN接合のショ
ートなどの発生を防止し、歩留りの向上、信頼性の向上
などを図ることができる。
第1図は従来の半導体発光素子アレイの製造方法を示す
断面図、第2図は本発明にかかる半導体発光素子アレイ
の製造方法の一実施例を示す断面図、第3図および第4
図は本発明にかかる半導体発光素子プレイの製造方法の
池の実施例を示す断面図である。 l・・・半導体発光素子ペレット、2・・・導電性接着
剤、3・・・基板、4・・・回夛込み部分、5.5a、
5b、6・・・溝。 出願人代理人 猪 股 清
断面図、第2図は本発明にかかる半導体発光素子アレイ
の製造方法の一実施例を示す断面図、第3図および第4
図は本発明にかかる半導体発光素子プレイの製造方法の
池の実施例を示す断面図である。 l・・・半導体発光素子ペレット、2・・・導電性接着
剤、3・・・基板、4・・・回夛込み部分、5.5a、
5b、6・・・溝。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に熱硬化性の導電性接着剤を所定の場所に塗
布した後複数の半導体発光素子ペレットを規則的に配置
しダイボンディングを行う半導体発光素子プレイの製造
方法に8いて、前記基板上に前記半導体発光素子ペレッ
トの配置位置に対応した複数の溝を設ける工程と、前記
溝を除いた前記基板上に前記導電性接着剤を塗布する工
程と、 前記半導体発光素子ペレットを所定位置にマウントする
工程と、 加熱により接着剤を硬化きせる工程を有する半導体発光
素子アレイの製造方法。 2、複数の溝を設ける工程が、基板の半導体発光素子ペ
レット配置部の間隙部に溝を設けるものである特許請求
の範囲第1項記載の半導体発光素子アレイの製造方法。 3、半導体発光素子ベレット配置部の間隙部に設ける溝
が複数である特許請求の範囲第2項記載の半導体発光素
子アレイの製造方法。 先祖数の溝を設ける工程が、基板の半導体発光素子ベレ
ット配置部および間隙部にそれぞれ溝を設けるものであ
る特許請求の範囲第1項記載の半導体発光素子アレイの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175160A JPS5965490A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体発光素子アレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175160A JPS5965490A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体発光素子アレイの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5965490A true JPS5965490A (ja) | 1984-04-13 |
Family
ID=15991308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57175160A Pending JPS5965490A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体発光素子アレイの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5965490A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2009054896A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
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US9831383B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-11-28 | Apple Inc. | LED array |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP57175160A patent/JPS5965490A/ja active Pending
Cited By (19)
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EP2197045A4 (en) * | 2007-08-28 | 2013-05-29 | Panasonic Corp | DEVICE EMITTING LIGHT |
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US10297712B2 (en) | 2011-11-18 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro LED display |
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US11552046B2 (en) | 2011-11-18 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Micro device transfer head assembly |
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