JPS5964830A - 照明装置 - Google Patents
照明装置Info
- Publication number
- JPS5964830A JPS5964830A JP57175848A JP17584882A JPS5964830A JP S5964830 A JPS5964830 A JP S5964830A JP 57175848 A JP57175848 A JP 57175848A JP 17584882 A JP17584882 A JP 17584882A JP S5964830 A JPS5964830 A JP S5964830A
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- JP
- Japan
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- aperture
- shielding plate
- light shielding
- light
- mirror
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定形状の被照面を良好な性能で照明するため
の光学装置に関し、殊に半導体集積回路用パターンを焼
付けるだめの装置のマスク照明系に適する。
の光学装置に関し、殊に半導体集積回路用パターンを焼
付けるだめの装置のマスク照明系に適する。
近年、集積回路製造用微細パターン焼付は装置に等倍の
結像倍率を有する、ミラー投影光学系が用いられるよう
になって来た。
結像倍率を有する、ミラー投影光学系が用いられるよう
になって来た。
このミラー投影光学系は細い円弧状の良像域を有してい
る。従ってこの光学系によって集積回路パターンの焼付
け゛を行う際に必要となる照明光学系も同様に細い円弧
状の領域を効率良く照明するものでなければならない。
る。従ってこの光学系によって集積回路パターンの焼付
け゛を行う際に必要となる照明光学系も同様に細い円弧
状の領域を効率良く照明するものでなければならない。
この目的にかなう照明光学系として、先に特開昭５４−
１２３８７６号が提案されている。′ その概要を第１図により説明する。
１２３８７６号が提案されている。′ その概要を第１図により説明する。
１．２．３は凹状球面ミラーでそれらの球心は一本の光
軸６の上に配置されている。４はスリット板で第２図に
示すように、その開口は、円弧状に形成され、光軸６に
垂直に配置される。
軸６の上に配置されている。４はスリット板で第２図に
示すように、その開口は、円弧状に形成され、光軸６に
垂直に配置される。
５は超高圧水銀ランプ等の点状光源で、既光源から発し
た光束は球面ミラー１で反射され、ス３により反射され
、スリット開口の像７を形成する。この光学系は点状光
源を用いて、円弧状照明領域を形成する為の、簡便で有
効な手段であるが球面ミラー２，３による収差の為に、
開口像にボケを生じる。パターン焼付は用ミラー投影光
学系の性能を最大限に発揮させる為には、既開口像のボ
ケは十分に小さくする必要がある。
た光束は球面ミラー１で反射され、ス３により反射され
、スリット開口の像７を形成する。この光学系は点状光
源を用いて、円弧状照明領域を形成する為の、簡便で有
効な手段であるが球面ミラー２，３による収差の為に、
開口像にボケを生じる。パターン焼付は用ミラー投影光
学系の性能を最大限に発揮させる為には、既開口像のボ
ケは十分に小さくする必要がある。
不発明の目的は球面ミラーを使用した照明系に於いて開
口像のボケを減少させることにあり、よって以降の系の
性能を最大限に発揮させることを可能にする。
口像のボケを減少させることにあり、よって以降の系の
性能を最大限に発揮させることを可能にする。
以下、図面に従って本発明を詳説することとし、第３図
に一実施例を示す。図中、１１．１２．１３は各々同一
半径の凹状球面ミラーで、それらの球心は一本の光軸１
６上の点０．に一致する様に配置する。また１５は超高
圧水！ランプ等の点状光源で光軸１６上に配される。１
８は円弧状スリット開口を構成する遮光板で、第４図に
光軸方向の形状を描く通り、凹状の切欠きを有する遮光
板１８Ａと凸状の部分を有する遮光板１８Ｂから成る。
に一実施例を示す。図中、１１．１２．１３は各々同一
半径の凹状球面ミラーで、それらの球心は一本の光軸１
６上の点０．に一致する様に配置する。また１５は超高
圧水！ランプ等の点状光源で光軸１６上に配される。１
８は円弧状スリット開口を構成する遮光板で、第４図に
光軸方向の形状を描く通り、凹状の切欠きを有する遮光
板１８Ａと凸状の部分を有する遮光板１８Ｂから成る。
そして２つの遮光板１８Ａと１８Ｂは球面ミラー、１１
によって光源像の形へ 樵される位置の前後で、光軸と垂直な面内に分離配置さ
れ、凸状の部分を有する遮光板１８Ｂは他方より光源に
近く、また光軸側に配される。
によって光源像の形へ 樵される位置の前後で、光軸と垂直な面内に分離配置さ
れ、凸状の部分を有する遮光板１８Ｂは他方より光源に
近く、また光軸側に配される。
そして、上側の遮光板１８Ａの端部Ｐ、の凹状球面ミラ
ー１２．１３による結像点Ｓ、と、下側の遮光板１８Ｂ
の端部Ｐ、の結像点Ｓ、とは光軸に垂直な同一平面に上
に形成される様に定める。
ー１２．１３による結像点Ｓ、と、下側の遮光板１８Ｂ
の端部Ｐ、の結像点Ｓ、とは光軸に垂直な同一平面に上
に形成される様に定める。
以上の如く構成された光学系に於いて、点状光源５を発
した光束は凹状球面ミラー１で反射収斂され、遮光板１
８Ａと１８Ｂが構成する円弧状開口に集束する。続いて
遮光板１８Ａの凹状端縁の下側と遮光板１８Ｂの凸状端
縁の上側を通過した光束は凹状球面ミラー１２と１３に
順次、反射収斂され、光軸６に垂直な平面に上に集束す
る。即ち、円弧状開口の像が平面に上に形成されるわけ
であるが、この時、遮光板１８Ａの端部Ｐ、の結像点Ｓ
、と、遮光板１８Ｂの端部Ｐ、の結像点Ｓ、が同一平面
に上に形成されるので、この平面上に作られる凹状端縁
と凸状端縁のボケは極めて小さくなる。
した光束は凹状球面ミラー１で反射収斂され、遮光板１
８Ａと１８Ｂが構成する円弧状開口に集束する。続いて
遮光板１８Ａの凹状端縁の下側と遮光板１８Ｂの凸状端
縁の上側を通過した光束は凹状球面ミラー１２と１３に
順次、反射収斂され、光軸６に垂直な平面に上に集束す
る。即ち、円弧状開口の像が平面に上に形成されるわけ
であるが、この時、遮光板１８Ａの端部Ｐ、の結像点Ｓ
、と、遮光板１８Ｂの端部Ｐ、の結像点Ｓ、が同一平面
に上に形成されるので、この平面上に作られる凹状端縁
と凸状端縁のボケは極めて小さくなる。
第５図と第６図は、スリット結像面に上における開口像
の円弧半径方向の光強度分布を示している。第５図は従
来技術による開口像の光強度分布で、第６図は上記実施
例による開口像の光強度分布である。本発明の場合は光
強度分布のエッチが急峻で、ボケが小さいことがわかる
０第７図に他の実施例を示す。本実施例は前記実施例と
は凹状球面ミラー１３の配置が異っている。凹状球面ミ
ラー１３０球心位置へは光軸１６上には在るものの、凹
状球面ミラー１１及び１２の球心位置０１とは異ってい
る。両球心位置は、凹状球面ミラー１２．１３の曲率半
径をそれぞれ鳥、鳥とすると、（Ｒ１−１−Ｒｔ）／、
／’Ｔだけ隔っている。このように凹状球面ミラー１３
を配置した場合でも円弧状スリット開口１８を結像させ
ることが可能であり、この場合も遮光板１８Ａと遮光板
１８Ｂとを光軸１６に垂直に互いに離間して配置するこ
とにより、前記実施例と同様の効果を得、上下端におけ
るボケが少い良好なスリット像１７を形成することがで
きる。
の円弧半径方向の光強度分布を示している。第５図は従
来技術による開口像の光強度分布で、第６図は上記実施
例による開口像の光強度分布である。本発明の場合は光
強度分布のエッチが急峻で、ボケが小さいことがわかる
０第７図に他の実施例を示す。本実施例は前記実施例と
は凹状球面ミラー１３の配置が異っている。凹状球面ミ
ラー１３０球心位置へは光軸１６上には在るものの、凹
状球面ミラー１１及び１２の球心位置０１とは異ってい
る。両球心位置は、凹状球面ミラー１２．１３の曲率半
径をそれぞれ鳥、鳥とすると、（Ｒ１−１−Ｒｔ）／、
／’Ｔだけ隔っている。このように凹状球面ミラー１３
を配置した場合でも円弧状スリット開口１８を結像させ
ることが可能であり、この場合も遮光板１８Ａと遮光板
１８Ｂとを光軸１６に垂直に互いに離間して配置するこ
とにより、前記実施例と同様の効果を得、上下端におけ
るボケが少い良好なスリット像１７を形成することがで
きる。
本実施例によればスリット像１７は光源１５より離れた
位置に形成されるので、本光学系に組合わせて使用され
るミラ゛−投影光学系と、光源１５との距離も大きくで
き、ミラー光学系に対する光源からの熱の影響を軽減さ
せられるという利点を有する。
位置に形成されるので、本光学系に組合わせて使用され
るミラ゛−投影光学系と、光源１５との距離も大きくで
き、ミラー光学系に対する光源からの熱の影響を軽減さ
せられるという利点を有する。
第８図に更に他の実施例を示す。本実施例では凹状球面
ミー）−１９は凹状球面ミラー１２とは異った曲率半径
を有する。各り曲率半径をＲ１゜Ｒ，とすると、既球面
ミラーの球心０． 、０． はｌ Ｒ，−Ｒ１ｌ ／７
Ｔだけ離間して配置される。この場合、スリット像とス
リットの円弧半径の比率はＲ１／ Ｒｔとなる。従って
凹状球面ミラー１２の曲率半径で決まるスリットの円弧
半径とは異る半径を有するスリット像を形成させる必要
が有る場合に本実施例が有効となる。本実施例において
もスリット部材１８Ａとスリット部材１８Ｂとを光軸方
向に互いに離間して配置することの効果は全く同じであ
る。
ミー）−１９は凹状球面ミラー１２とは異った曲率半径
を有する。各り曲率半径をＲ１゜Ｒ，とすると、既球面
ミラーの球心０． 、０． はｌ Ｒ，−Ｒ１ｌ ／７
Ｔだけ離間して配置される。この場合、スリット像とス
リットの円弧半径の比率はＲ１／ Ｒｔとなる。従って
凹状球面ミラー１２の曲率半径で決まるスリットの円弧
半径とは異る半径を有するスリット像を形成させる必要
が有る場合に本実施例が有効となる。本実施例において
もスリット部材１８Ａとスリット部材１８Ｂとを光軸方
向に互いに離間して配置することの効果は全く同じであ
る。
前記実施例において光路中に適宜、平面ミラーを配置し
て光路を曲折することは、スリット像の像性能を損うこ
とは無く、スリット像を所定の向き、及び位置に形成す
るのに有効な手段である。
て光路を曲折することは、スリット像の像性能を損うこ
とは無く、スリット像を所定の向き、及び位置に形成す
るのに有効な手段である。
第９図は上述の照明系を半導体製造装置に適用した例を
示す。図中、光源１５、凹状球面ミラー１１．１２．１
３そして円弧状スリット開８ ０を構成する遮光板１８Ａと１８Ｂは上述の通へ りである。次に２０は集積回路パターンを備えるマスク
、２１は感光層を具えるウェハー、２２と２５は光路な
折曲げるだめのミラー、２３は凹状球面ミラー、２４は
凸状球面ミラーで、ミラー２４の半径はミラー２３０半
径の半分であり、両者の球心は位置をずらして配置する
。なお、マスク２０とウェハー２１は矢印方向に一体に
走査される。
示す。図中、光源１５、凹状球面ミラー１１．１２．１
３そして円弧状スリット開８ ０を構成する遮光板１８Ａと１８Ｂは上述の通へ りである。次に２０は集積回路パターンを備えるマスク
、２１は感光層を具えるウェハー、２２と２５は光路な
折曲げるだめのミラー、２３は凹状球面ミラー、２４は
凸状球面ミラーで、ミラー２４の半径はミラー２３０半
径の半分であり、両者の球心は位置をずらして配置する
。なお、マスク２０とウェハー２１は矢印方向に一体に
走査される。
以上の構成で、光源１５からの光束は円弧状開口を構成
する遮光板１８Ａと１８Ｂで整形され、凹状球面ミラー
１２と１３によりマスク２０上に明瞭な円弧状の被照面
を形成する。マスク２０は走査されることで被照面に遂
次照明され、マスク２０を通過した光束は平面ミラー２
２で反射し、凹状球面ミラー２３で反射して収斂作用を
受け、凸状球面ミラー２４で反射した後、再び凹状球面
ミラー２３で反射し、平面ミラー２５で反射してウェハ
ー２１上にパターン像を連続的に形成する。そして被照
面が鮮明になることにより、投影像の性能も向上する。
する遮光板１８Ａと１８Ｂで整形され、凹状球面ミラー
１２と１３によりマスク２０上に明瞭な円弧状の被照面
を形成する。マスク２０は走査されることで被照面に遂
次照明され、マスク２０を通過した光束は平面ミラー２
２で反射し、凹状球面ミラー２３で反射して収斂作用を
受け、凸状球面ミラー２４で反射した後、再び凹状球面
ミラー２３で反射し、平面ミラー２５で反射してウェハ
ー２１上にパターン像を連続的に形成する。そして被照
面が鮮明になることにより、投影像の性能も向上する。
以上説明した通り、本発明によれば極めて簡単な構成で
ありなから被照面上の性能を向上させることができ、更
には以降の系の特性を向上させるのに役立つ効果がある
。
ありなから被照面上の性能を向上させることができ、更
には以降の系の特性を向上させるのに役立つ効果がある
。
第１図は従来の照明系を示す光学断面図。第２図は円弧
状開口を備える遮光板の平面図。第３図は本発明の実施
例を示す光学断面図。第４図は実施例に係る遮光板を光
軸方向から見た図。 第５図は従来の光分布を示す図。第６図は実施例の光分
布を示す図。第７図と第８図はそれぞれ別の実施例を示
す光学断面図。第９区は本発明を半導体製造装置に適用
した場合の光学断面図。 図中、１１・１２・１３は凹状球面ミラー、Ｏｌは球心
、１５は光源、１６は光軸、１８Ａは凹部を有する遮光
板、１８Ｂは凸部を有する遮光板、Ｋは被照面である。 出願人 キャノン株式会社 １旧
状開口を備える遮光板の平面図。第３図は本発明の実施
例を示す光学断面図。第４図は実施例に係る遮光板を光
軸方向から見た図。 第５図は従来の光分布を示す図。第６図は実施例の光分
布を示す図。第７図と第８図はそれぞれ別の実施例を示
す光学断面図。第９区は本発明を半導体製造装置に適用
した場合の光学断面図。 図中、１１・１２・１３は凹状球面ミラー、Ｏｌは球心
、１５は光源、１６は光軸、１８Ａは凹部を有する遮光
板、１８Ｂは凸部を有する遮光板、Ｋは被照面である。 出願人 キャノン株式会社 １旧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 球面ミラーの球心を通る光軸から隔った位置に円弧状の
開口を配置した装置において、前記開口の四端縁を構成
する部材と凸端縁を構成する部材を光軸方向に分離した
ことを特徴とする照明装置。 （２） 前記四端縁を構成する部材である第１遮光板
は前記凸端縁を構成する部材である第２蓮光板より被照
面側に配量される特許請求の範囲第（１）項に記載する
照明装置。 （３） 前記開口と被照面を結ぶ光路内に第１と第２
の凹状球面ミラーが配置され、第１の凹状球面ミラーと
第２の凹状球面ミラーの球心が合致している特許請求の
範囲第（１）項に記載する照明装置。 （４） 前記開口と被照面を結ぶ光路内に第１と第の
凹状球面ミラーが配置され、第１の凹状球面ミラーの球
心と第２の凹状球面ミラーの球心が隔っている特許請求
の範囲第０）項に記載する照明装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175848A JPS5964830A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 照明装置 |
| US06/538,743 US4572659A (en) | 1982-10-05 | 1983-10-03 | Illuminating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175848A JPS5964830A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 照明装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964830A true JPS5964830A (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=16003262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175848A Pending JPS5964830A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 照明装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4572659A (ja) |
| JP (1) | JPS5964830A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805002A (en) * | 1986-06-13 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Exposure apparatus |
| NL8700496A (nl) * | 1987-02-27 | 1988-09-16 | Stichting Tech Wetenschapp | Continu variabel microdiafragma. |
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| US5003345A (en) * | 1989-12-27 | 1991-03-26 | General Signal Corporation | Apparatus and method for aligning and focusing an image of a reticle onto a semiconductor wafer |
| JPH05333268A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円弧照明装置 |
| JPH07281095A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Nikon Corp | 照明光学装置 |
| US6859328B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
| US20050002090A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a folding geometry |
| JP3658209B2 (ja) * | 1998-10-08 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 円弧照明光学系及びそれを用いた露光装置 |
| DE50014428D1 (de) | 1999-07-30 | 2007-08-02 | Zeiss Carl Smt Ag | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
| DE19935568A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-15 | Zeiss Carl Fa | Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems |
| US6648483B1 (en) | 2000-07-07 | 2003-11-18 | Umax Data Systems, Inc. | Concave mirror optical system for scanner |
| JP4510399B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 反射光学系、及びそれを用いた投影装置 |
| TWI739685B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-09-11 | 香港商正揚科技有限公司 | 用於光刻系統之螺旋式紫外光源裝置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5557877A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Fujitsu Ltd | Making method of hologram |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453867A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Canon Inc | Printing device |
| DE2910280C2 (de) * | 1978-03-18 | 1993-10-28 | Canon Kk | Optische Abbildungssysteme |
| US4362384A (en) * | 1981-05-01 | 1982-12-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Means for providing uniform illumination to a light sensitive element |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP57175848A patent/JPS5964830A/ja active Pending
-
1983
- 1983-10-03 US US06/538,743 patent/US4572659A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5557877A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Fujitsu Ltd | Making method of hologram |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4572659A (en) | 1986-02-25 |
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