JPS5960439A - フオト・マスク - Google Patents
フオト・マスクInfo
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- JPS5960439A JPS5960439A JP57171220A JP17122082A JPS5960439A JP S5960439 A JPS5960439 A JP S5960439A JP 57171220 A JP57171220 A JP 57171220A JP 17122082 A JP17122082 A JP 17122082A JP S5960439 A JPS5960439 A JP S5960439A
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- JP
- Japan
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- pattern
- area
- monitor
- photomask
- main chip
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（、Ｉ） 発明の技術分野
本発明はフォト・マスクに係り、特にフォト・マスクに
於けるパターンの（１り成に関する。
於けるパターンの（１り成に関する。
（ｈ） 従来技術と問題点
従来フォト・マスク（ワーキング・マスク）のτ１法保
証は、該フォト・マスクに形成されたメインパターンの
寸法を検査することによってなされていた。
証は、該フォト・マスクに形成されたメインパターンの
寸法を検査することによってなされていた。
即ち、例えばマスク・マスクからのレジスト膜へのか１
光、レジスト膜の現像、該レジスト１１′″！をマスク
にしての遮光膜の選択エツチング、前記レジスト川：ｌ
の除去等を終ってマスク・パターンが形成された時点で
、パターンのｆ＋Ｊｆ ９が変るごとに該フォト・マス
ク（ワーキング・マスク）を用いて拡大図面を作成し、
該拡大図面にマスク・パターンの特性に適応して股引部
門が意図する寸法検査場所及び倹イｉ：寸法の記入指示
を受け、紘場所及び寸法の指示に基づいて寸法検査がな
されていた。
光、レジスト膜の現像、該レジスト１１′″！をマスク
にしての遮光膜の選択エツチング、前記レジスト川：ｌ
の除去等を終ってマスク・パターンが形成された時点で
、パターンのｆ＋Ｊｆ ９が変るごとに該フォト・マス
ク（ワーキング・マスク）を用いて拡大図面を作成し、
該拡大図面にマスク・パターンの特性に適応して股引部
門が意図する寸法検査場所及び倹イｉ：寸法の記入指示
を受け、紘場所及び寸法の指示に基づいて寸法検査がな
されていた。
しかし上記従来の方法に於ては、検査資料作成のだめの
余分な工程が必要となり、製造■の増加に伴ってその所
要工数や停滞手番が大きな問題となってくる。
余分な工程が必要となり、製造■の増加に伴ってその所
要工数や停滞手番が大きな問題となってくる。
又パターンの棟類が歩舒るごどに寸法渇１１定を行う、
場所が異なるので検査作ブたが煩雑になるという問題も
あり、更に前記資料に検査場所及び寸法の記入ミス等が
あった。（１）合に（は工程の大きな混乱を招き、１礎
造歩留寸りの低下、納期遅延等の問題を生する。
場所が異なるので検査作ブたが煩雑になるという問題も
あり、更に前記資料に検査場所及び寸法の記入ミス等が
あった。（１）合に（は工程の大きな混乱を招き、１礎
造歩留寸りの低下、納期遅延等の問題を生する。
更に又拡大図面作成に際してフメト・マスクを′４［１
傷し製造歩留オリを低下・Ｗしめることもある。
傷し製造歩留オリを低下・Ｗしめることもある。
（Ｃ）発明の目的
不発明け、あらゆるパターン↑か性に適応する各品１内
共通の寸法１１１１定用モニタ・パターンをフォト・マ
スク基板上に配設したフ（ト・マスクを提供するもので
あり、その目的とするところけ上記問題点全除去してフ
ォト・マスクの製造工数の削減。
共通の寸法１１１１定用モニタ・パターンをフォト・マ
スク基板上に配設したフ（ト・マスクを提供するもので
あり、その目的とするところけ上記問題点全除去してフ
ォト・マスクの製造工数の削減。
製造手番の短縮、製造歩留まりの向上等を図るにある。
（ｄ） 発明の４．’＆成
即ち本発明Ｇ、Ｆフ＋ト・マスクに於て、ウーｎ−ハｂ
’９光領域を含む予め規定された複数の場所に、高ε 密度パターン及び分散パターンの遮光パターンｌｊ透光
パターン等からなる寸法測定用モニタ・パターンのみを
具備するモニタ・パターン領域が配設されてなることを
特徴どする。
’９光領域を含む予め規定された複数の場所に、高ε 密度パターン及び分散パターンの遮光パターンｌｊ透光
パターン等からなる寸法測定用モニタ・パターンのみを
具備するモニタ・パターン領域が配設されてなることを
特徴どする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明？ｉ：、第１図（イ）及び（ロ）に示す二つ
の実施Ｂ’ｌｌに於けるモニタ・パターン領Ｊｊνの配
置ｍ−、第２［ν１に示す同実施例に於ける一ｊ法測測
定用モニタパターンの（潰、１７ ｔｉ、及び第３１）
Ｊ （（’）乃至（→に示す同％ ｂ？＋ｉ 例に於け
る寸法測定用モニタ・パターンの形状図７１・用いて詳
に′Ｉ１１に説明する。
の実施Ｂ’ｌｌに於けるモニタ・パターン領Ｊｊνの配
置ｍ−、第２［ν１に示す同実施例に於ける一ｊ法測測
定用モニタパターンの（潰、１７ ｔｉ、及び第３１）
Ｊ （（’）乃至（→に示す同％ ｂ？＋ｉ 例に於け
る寸法測定用モニタ・パターンの形状図７１・用いて詳
に′Ｉ１１に説明する。
）埼ト・マスクに於て、そのメイン・パターンに、品：
ｌ’ｉｉｊの違い成るいは１か１の違いによって高密度
の４；叔めてネ、す雑なものから分散して形成さすまた
単純なものまで種々含−まれで分り、パターン寸法、パ
ターン間隔等も種々に異っている。
ｌ’ｉｉｊの違い成るいは１か１の違いによって高密度
の４；叔めてネ、す雑なものから分散して形成さすまた
単純なものまで種々含−まれで分り、パターン寸法、パ
ターン間隔等も種々に異っている。
そこで各品イ１凱各層に−Ｊｔ−通する寸法１ｆｌｌｌ
定用のモニタ・パターン全役ケる際に該モニタ、・パタ
ーンｄ、各伸メイン・パターンの特性をふ寸えた、即ち
メイン・パターンの複雑性と単純性に対応できるメイン
・パターンの各村の幅及間隔τｊ法を具備したものでな
ければならない。又もう一つの争件としては測定が容易
であること、即ち場所の検出が容易で、且つ指定寸法が
直ぐわかるものである必要がある。
定用のモニタ・パターン全役ケる際に該モニタ、・パタ
ーンｄ、各伸メイン・パターンの特性をふ寸えた、即ち
メイン・パターンの複雑性と単純性に対応できるメイン
・パターンの各村の幅及間隔τｊ法を具備したものでな
ければならない。又もう一つの争件としては測定が容易
であること、即ち場所の検出が容易で、且つ指定寸法が
直ぐわかるものである必要がある。
本発明に於−Ｃｌよ上記８卯１′、件をふまえて、下記
実施（テ１１に示すような棹／１の取り決めがかされる
。
実施（テ１１に示すような棹／１の取り決めがかされる
。
先ず本発明に於てけ、寸法測定用のモニタ・パターンと
メインパターンの品質を等しくするため、該モニターパ
ターンヲ有するモニタ・パターン願力ρは川（則どして
ウェーハ１２号光領域内に設けることが９寸しく、又該
モニタ・パターン領域は測定者によ〕検出が容易な、す
）盾に設けられる８歴がある。
メインパターンの品質を等しくするため、該モニターパ
ターンヲ有するモニタ・パターン願力ρは川（則どして
ウェーハ１２号光領域内に設けることが９寸しく、又該
モニタ・パターン領域は測定者によ〕検出が容易な、す
）盾に設けられる８歴がある。
そこでモニタ・パターン領域は例えば第１図（イ）に示
す第１の実施例若しくは第１１岡（ロ）に示す第２の実
施例の場所に配設される。
す第１の実施例若しくは第１１岡（ロ）に示す第２の実
施例の場所に配設される。
即ち第１の実施例に於ては、第１図（イ）に示すように
例えばモニタ・チップ領域１を該フォト・マスクに於１
．−Ｊるウェーハｈ光領域２のＸ及びＹ方向中心線上の
最外周に位１１１する４個のメイン・チップ領域３′に
Ｊｒ＋、定（７、眩領域にメイン・チップパターンの代
りに寸法測定用のモニタ・パターン間隔股する（［パり
中３はメイン・チップ領域）。
例えばモニタ・チップ領域１を該フォト・マスクに於１
．−Ｊるウェーハｈ光領域２のＸ及びＹ方向中心線上の
最外周に位１１１する４個のメイン・チップ領域３′に
Ｊｒ＋、定（７、眩領域にメイン・チップパターンの代
りに寸法測定用のモニタ・パターン間隔股する（［パり
中３はメイン・チップ領域）。
但し１個のメイン・チップ領域が大きい場合にｔ」、上
記のように４個のメイン・チップ領域をモニタ・パター
ン領域としてつぶすことが半導体装１’、？ｆの歩１．
１７剪りに大きく影響してくるので、該歩留′まりに対
す影的を熱視し得る程ｐｊ−のデツプ取イ：Ｊ数が得ら
れる１個のメイン・チップ領域２が１．２〔順角〕未満
のフォト・マスクについて上記規定が適用される。
記のように４個のメイン・チップ領域をモニタ・パター
ン領域としてつぶすことが半導体装１’、？ｆの歩１．
１７剪りに大きく影響してくるので、該歩留′まりに対
す影的を熱視し得る程ｐｊ−のデツプ取イ：Ｊ数が得ら
れる１個のメイン・チップ領域２が１．２〔順角〕未満
のフォト・マスクについて上記規定が適用される。
なお第１図は構成図であるため、メイン・デツプｆｉ’
ｉ城３の砺は少なりト］示されているが、実際に例メば
５ｒつ半導体基板に於て、１．２（：龍角〕未満のチッ
プの取得数は５０００個以上であり、前記のように４〔
個〕のメイン・チップ領域全モニタ・パターン領域に転
用した際の歩留まり低下は０．０２〔係〕以下の無視出
来る程度６）値である。
ｉ城３の砺は少なりト］示されているが、実際に例メば
５ｒつ半導体基板に於て、１．２（：龍角〕未満のチッ
プの取得数は５０００個以上であり、前記のように４〔
個〕のメイン・チップ領域全モニタ・パターン領域に転
用した際の歩留まり低下は０．０２〔係〕以下の無視出
来る程度６）値である。
又】２〔朋角〕以上のメイン・チップ領域をｆｌするフ
ォト・マスクについては第１図（ロ）に示す第２０）実
症例のように、例えばウェーハ露光９域２のＸ及Ｙ方向
中心社鴇（−の最外周メイン・チノプト口」・・Ｊ：１
′の両１１］］に、該最外周メ・イン・チップ領域３′
の側辺と、前最夕１周メイン・チップｌｉ’ｉ域３′の
一列内側のメイン・チップ領域３の」二辺に接してモニ
タ・パターン（、、ｌ域１が配設さＲＬる。ぞしで；１
・２モニタ・パターン（ｉＩｉ；ＨＱ ］がウェーハｒ
・′、光領域２からは・矢高さないために、その−辺に
メイン・チップ領（・謹之３゜３′の）以下、例えば０
．６ Ｃｖ＋ｍ ：］程匙に規定される。
ォト・マスクについては第１図（ロ）に示す第２０）実
症例のように、例えばウェーハ露光９域２のＸ及Ｙ方向
中心社鴇（−の最外周メイン・チノプト口」・・Ｊ：１
′の両１１］］に、該最外周メ・イン・チップ領域３′
の側辺と、前最夕１周メイン・チップｌｉ’ｉ域３′の
一列内側のメイン・チップ領域３の」二辺に接してモニ
タ・パターン（、、ｌ域１が配設さＲＬる。ぞしで；１
・２モニタ・パターン（ｉＩｉ；ＨＱ ］がウェーハｒ
・′、光領域２からは・矢高さないために、その−辺に
メイン・チップ領（・謹之３゜３′の）以下、例えば０
．６ Ｃｖ＋ｍ ：］程匙に規定される。
以上ｆｌＴ １ 、 ；ｉ’ｘ ２の界施例に於て配設
されるモニタ・パターン領域１には、防フ（ト・マスク
に於けるメイン・パターンのあらゆる形成（に件に対応
しイ（Ｊるように例え＋、］： ａｔ”； ２１層に示
・Ｔように、高密）ノーー辿光パターン配設領域Ａ、該
パターンの７７３白反転パターン即ち高密Ｍ〔・刃先パ
ターン配役領域に、及び分１ｉｋ、 （低１１８度）遮
光パターン配役領域Ｂ、該パターンのＩＹ’、’ｊ白反
転パターン叩ち分１ｉＪｉｆ光ハターン配設領（）・υ
Ｂ′の四領％、Ｑ、が１１）トけられる。
されるモニタ・パターン領域１には、防フ（ト・マスク
に於けるメイン・パターンのあらゆる形成（に件に対応
しイ（Ｊるように例え＋、］： ａｔ”； ２１層に示
・Ｔように、高密）ノーー辿光パターン配設領域Ａ、該
パターンの７７３白反転パターン即ち高密Ｍ〔・刃先パ
ターン配役領域に、及び分１ｉｋ、 （低１１８度）遮
光パターン配役領域Ｂ、該パターンのＩＹ’、’ｊ白反
転パターン叩ち分１ｉＪｉｆ光ハターン配設領（）・υ
Ｂ′の四領％、Ｑ、が１１）トけられる。
ぞし’ＣＡ （’） ｊｉｉｉ域ニＶｉ［！ｉｌえば第
３図（ｆ） ニｊ７、スヨウに、外側の辺長が例えば５
０〔μｓｎＪ稈１ｆＨの幅の異なるかぎ形の寸法測定用
遮光パターンａ１＋ａ２１ｂ］＋ ｂ２＊ ＣＩ＋ Ｃ
２＋ ｄ１＋ ｄ２＋ Ｃ１ｒ Ｃ２ｙ ’１＋ ’２
が異なる間隔て高！１１川に形成される。不実１壱例に
於て、バター：’ 幅ハａｌ ：３２ 、＝ｌ ２［μ
ｍ〕、 ＋３１ ＝ｂ２ ＝＝１０ ［１１１１１］
、 ＣＩ ＝Ｃ２＝：８ ［μｍ’Ｊ 、 ｄｌ ＝＝
ｄ２−＝６ Ｌμｌｌｌ’ＬｅＩ＝ｆ！２ ＝４［／Ｉ
ＩＩＩＩＩＩＪ、 ｆ） ＝ｆ２＝２〔７ｇ１１）テ
、ハターン間ｉｉ’％ ａｌ 〜ａ２ ＝１２［： μ
ｎｌ 〕、 ａ２〜ｂｌ ”Ｉ Ｏ（μ＋ｎ：Ｌ
ｂｌ〜ｂ ２ ＝１０ Ｌ： μ＋ｎ：）、 ｂ２〜
ｅｘ ＝８ ［ｔｕｎ）、 ＣＩ−Ｃ２六〇〔μ用〕、
Ｃ２〜ｄ１：６ （／１ｍ〕、 ＋１１〜ｄ２ ＝６
［μ用Ｊ。
３図（ｆ） ニｊ７、スヨウに、外側の辺長が例えば５
０〔μｓｎＪ稈１ｆＨの幅の異なるかぎ形の寸法測定用
遮光パターンａ１＋ａ２１ｂ］＋ ｂ２＊ ＣＩ＋ Ｃ
２＋ ｄ１＋ ｄ２＋ Ｃ１ｒ Ｃ２ｙ ’１＋ ’２
が異なる間隔て高！１１川に形成される。不実１壱例に
於て、バター：’ 幅ハａｌ ：３２ 、＝ｌ ２［μ
ｍ〕、 ＋３１ ＝ｂ２ ＝＝１０ ［１１１１１］
、 ＣＩ ＝Ｃ２＝：８ ［μｍ’Ｊ 、 ｄｌ ＝＝
ｄ２−＝６ Ｌμｌｌｌ’ＬｅＩ＝ｆ！２ ＝４［／Ｉ
ＩＩＩＩＩＩＪ、 ｆ） ＝ｆ２＝２〔７ｇ１１）テ
、ハターン間ｉｉ’％ ａｌ 〜ａ２ ＝１２［： μ
ｎｌ 〕、 ａ２〜ｂｌ ”Ｉ Ｏ（μ＋ｎ：Ｌ
ｂｌ〜ｂ ２ ＝１０ Ｌ： μ＋ｎ：）、 ｂ２〜
ｅｘ ＝８ ［ｔｕｎ）、 ＣＩ−Ｃ２六〇〔μ用〕、
Ｃ２〜ｄ１：６ （／１ｍ〕、 ＋１１〜ｄ２ ＝６
［μ用Ｊ。
ｄ２〜（！ｌ ：’＝／ｌ （μＩＴｌ）、 Ｅｌ ＝
Ｃ２＝４ ［／Ａｌ１１〕、 ｅ ２〜ｒ ｌ：２［／
ｌ＋ｎ〕、 ｒ１〜ｒ２：２（μｍ］に形成される。そ
して１・：Ｌにパターン幅を直かに誌上′とし得るよう
に、各パターンの近びｙに図示のようにパターン’ｉ；
ｉ”ｌの耗）′６６層が形成される。
Ｃ２＝４ ［／Ａｌ１１〕、 ｅ ２〜ｒ ｌ：２［／
ｌ＋ｎ〕、 ｒ１〜ｒ２：２（μｍ］に形成される。そ
して１・：Ｌにパターン幅を直かに誌上′とし得るよう
に、各パターンの近びｙに図示のようにパターン’ｉ；
ｉ”ｌの耗）′６６層が形成される。
そして高密す［透光パターン配設領域にには、第３図（
ロ）に示すように、上記高密度、１．ｆ、ｉ光パターン
が７１、％白反転した寸法測定用透光パターンｄｌ＋”
２＋ｂＬ Ｄｒ ＣＬ ”２１ ｄＳｒ ｄＬ ｅＬ
ｅ’２＊ ’Ｓ＋ ”２が形成される。これらパターン
の幅及び間隔は上記遮光パターンの場合と同じである。
ロ）に示すように、上記高密度、１．ｆ、ｉ光パターン
が７１、％白反転した寸法測定用透光パターンｄｌ＋”
２＋ｂＬ Ｄｒ ＣＬ ”２１ ｄＳｒ ｄＬ ｅＬ
ｅ’２＊ ’Ｓ＋ ”２が形成される。これらパターン
の幅及び間隔は上記遮光パターンの場合と同じである。
又該領域λに於′Ｃは送元数字により各パターン幅の表
示がなされる。
示がなされる。
又分散（低密度）遮光パターン配設り【′１域Ｉ３にけ
、例メーげ第３図（ハ）に示すように、辺長５０ ［ｚ
ｕｎ’Ｊ 程度のかぎ形を有し、例えＶｘｅｉｉ １２
Ｃｚ＋ｍ］、８Ｌμｌｌｌ］４１：μ＋ｎ〕、２［μ
ｍ］の四種の寸法測定郷党パターンｇ＋ ’Ｉ＋
’＋ Ｊが５０〔μｍ ’） ［杖上の広い相互間隔
を悶いて分１７ｙ配（ｒｌさ〕１ろ。そしてこブしら・
々クーンσ）近傍には、図のように遮光数字による・（
ターン幅の表示がなされる。
、例メーげ第３図（ハ）に示すように、辺長５０ ［ｚ
ｕｎ’Ｊ 程度のかぎ形を有し、例えＶｘｅｉｉ １２
Ｃｚ＋ｍ］、８Ｌμｌｌｌ］４１：μ＋ｎ〕、２［μ
ｍ］の四種の寸法測定郷党パターンｇ＋ ’Ｉ＋
’＋ Ｊが５０〔μｍ ’） ［杖上の広い相互間隔
を悶いて分１７ｙ配（ｒｌさ〕１ろ。そしてこブしら・
々クーンσ）近傍には、図のように遮光数字による・（
ターン幅の表示がなされる。
又分ｊｆｌ （低密度）透光パターン配設領域Ｂ′にｔ
ま、第３図（ロ）に示すように−」二記Ｂ領域の黒白反
転パターンであるかぎ形の寸法測定用透光パターンｇ：
１＋’、 ｉ’、 ｊ’、が形成される。そしてこ
れら・；ターンの寸法及びオ目万間隔は上記ｎ（・Ｉｊ
域の１′）合と同じで、（ｈる。又パターン幅表示は遺
う′ｒ：数字に］二つてなさノＬ Ｚ）。
ま、第３図（ロ）に示すように−」二記Ｂ領域の黒白反
転パターンであるかぎ形の寸法測定用透光パターンｇ：
１＋’、 ｉ’、 ｊ’、が形成される。そしてこ
れら・；ターンの寸法及びオ目万間隔は上記ｎ（・Ｉｊ
域の１′）合と同じで、（ｈる。又パターン幅表示は遺
う′ｒ：数字に］二つてなさノＬ Ｚ）。
（「）発明の効集
上記実施例に示した寸法測定用モニタ・パターン”１
＋ １２． ｂｌ、 ｂ２． Ｃ１ｒ Ｃ２ｙ ”］＋
”２＋ Ｃ１ｒ ｅ２＋’＋ ＋ ’２＋ ｇｔ ”
ｒ ’ｌ及びａＩＺ ａＺ ｒ ｂｌ ＋ １〕２＋
ＣＩ ＋（？！＋ ”１＋ ”２＋ ”Ｉｔ
ｅ；＋ ’Ｓ！ ’２１ １！’ ＋ ”’
＊ ”＋Ｊ’にけメイン・パターンと同様な製造会
件、１１１」ち露光時の光の千渉１分散、パターンユン
グ時のオーバ・エツチング等が総で含壕れている。
＋ １２． ｂｌ、 ｂ２． Ｃ１ｒ Ｃ２ｙ ”］＋
”２＋ Ｃ１ｒ ｅ２＋’＋ ＋ ’２＋ ｇｔ ”
ｒ ’ｌ及びａＩＺ ａＺ ｒ ｂｌ ＋ １〕２＋
ＣＩ ＋（？！＋ ”１＋ ”２＋ ”Ｉｔ
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＊ ”＋Ｊ’にけメイン・パターンと同様な製造会
件、１１１」ち露光時の光の千渉１分散、パターンユン
グ時のオーバ・エツチング等が総で含壕れている。
本発明に於てけこのような幅寸法の表示されたτＪ法測
測定用モニタパターンのみを具備するモニタ・バタ・−
ン（ｉ！’ｉ域が、各品種、各層に共通に総ての〕十ト
・マスクの露光領域内の予め規定された場所に配設され
る。。
測定用モニタパターンのみを具備するモニタ・バタ・−
ン（ｉ！’ｉ域が、各品種、各層に共通に総ての〕十ト
・マスクの露光領域内の予め規定された場所に配設され
る。。
従って設計者、がフォト・マスクごとに、メイン・パタ
ーンに対応する被測定パターンを、モニタ・パターン領
域の場所、高密度９分散（低密灰）領、１−夕の別、ｉ
咋光、透光パターンの別、及びモニタ・パターン寸法に
よって予め規定して督くことにより、フォト・マスク８
！造工稈に於て、検査担尚者は品評取るいは層が変るご
とに設計者から個々に検査場所及び寸法の指示を受ける
ことなく、独自に寸法（Ｑ査を行うことができると同時
に測定場所及び寸法の指示ミス１）々くηる３、従って
検査資料作ｒ、９のための余分な工数は削減され、且つ
工ｌｅａの流プ１が円７けになるので、製造手番の病な
イが図れる。
ーンに対応する被測定パターンを、モニタ・パターン領
域の場所、高密度９分散（低密灰）領、１−夕の別、ｉ
咋光、透光パターンの別、及びモニタ・パターン寸法に
よって予め規定して督くことにより、フォト・マスク８
！造工稈に於て、検査担尚者は品評取るいは層が変るご
とに設計者から個々に検査場所及び寸法の指示を受ける
ことなく、独自に寸法（Ｑ査を行うことができると同時
に測定場所及び寸法の指示ミス１）々くηる３、従って
検査資料作ｒ、９のための余分な工数は削減され、且つ
工ｌｅａの流プ１が円７けになるので、製造手番の病な
イが図れる。
更に」；記実施例のような寸法測定用モニタ・パターン
ｇ（域の場所の規定及びモニタ・パターンの寸法表示に
より検査作票は大幅に簡略化され、作業能率の向上及び
検査ミスの防止が図れる。
ｇ（域の場所の規定及びモニタ・パターンの寸法表示に
より検査作票は大幅に簡略化され、作業能率の向上及び
検査ミスの防止が図れる。
そして又、検査資料作成のために、）＋ト・マスクを使
用することがかくなるので、フォト・マスクをＪｔ’！
（；、−せしめることがなくなり、フォト・マスクの
吏゛！端歩留まりは向上する。
用することがかくなるので、フォト・マスクをＪｔ’！
（；、−せしめることがなくなり、フォト・マスクの
吏゛！端歩留まりは向上する。
以上のように本発明け（・６々の効、！１ｉを有するも
のでアシ、本発明によれば、フォト・マスクの製造手番
の蝮拍、釧遣原価の低減、製遺歩留まりの向上が可能と
なる。
のでアシ、本発明によれば、フォト・マスクの製造手番
の蝮拍、釧遣原価の低減、製遺歩留まりの向上が可能と
なる。
なお寸法ＩｒＩＩＩ定用モニタ・パターンの形１１ζ２
寸法等ｔよ上ｔ１１．”＋実施例に限らない１．
寸法等ｔよ上ｔ１１．”＋実施例に限らない１．
第１図（イ）、（ロ）は本発明の二つの実施例に於ける
モニタ・パターン領域の配置図、第２図Ｖよ同実施例に
於ける寸法測定用モニタ・パターンの構成図、でｔｌ）
３図（イ）乃至←）Ｆｉ回実施例に於ける寸法測定用モ
ニタ・パターンの形状図で；ｌ−）る。 図に於て、ｌはモ、＝夕・パターン領域、２はウェーハ
露光領域、３及び３′はメイン・チップ領犀ζＡＣ」高
密ＬｒＪ、筋元パターン配設領域、Ａ′は同５７号光パ
ａ２，１月＊ ｂ２＋ Ｃ１＋ Ｃ２＋ ｄ１
＋ ”２＊ ”１＋ ”２＋ ’ｌｐ’２ｖ
Ｌ ”＋ ’ｒ Ｊ ｕ寸法１）ｉ！ｌ定川ｈ用ｑ光パ
ターン、ａｆ。 ”４ｖ ｂ’１１ ｂ’２． ｃ′１＋ ”２＋ ”’
１ ｒ ｄ’ｌｒ ｅ′ｌ＊ ｅ’２＋ ”ｌｅｆシＨ
ＦＺ’ ｇ ＩＩ’ 、 Ｉ’ 、 Ｊ’ ｆ；ｆ寸法
イ１１１１定用透光パターンを示’ｊ’−ｎ □〆 一 矛ｚ図 半３図 （勺 須’−３［４＜ロン 第 ゴ図 （ハ） 第３図 （ニ）
モニタ・パターン領域の配置図、第２図Ｖよ同実施例に
於ける寸法測定用モニタ・パターンの構成図、でｔｌ）
３図（イ）乃至←）Ｆｉ回実施例に於ける寸法測定用モ
ニタ・パターンの形状図で；ｌ−）る。 図に於て、ｌはモ、＝夕・パターン領域、２はウェーハ
露光領域、３及び３′はメイン・チップ領犀ζＡＣ」高
密ＬｒＪ、筋元パターン配設領域、Ａ′は同５７号光パ
ａ２，１月＊ ｂ２＋ Ｃ１＋ Ｃ２＋ ｄ１
＋ ”２＊ ”１＋ ”２＋ ’ｌｐ’２ｖ
Ｌ ”＋ ’ｒ Ｊ ｕ寸法１）ｉ！ｌ定川ｈ用ｑ光パ
ターン、ａｆ。 ”４ｖ ｂ’１１ ｂ’２． ｃ′１＋ ”２＋ ”’
１ ｒ ｄ’ｌｒ ｅ′ｌ＊ ｅ’２＋ ”ｌｅｆシＨ
ＦＺ’ ｇ ＩＩ’ 、 Ｉ’ 、 Ｊ’ ｆ；ｆ寸法
イ１１１１定用透光パターンを示’ｊ’−ｎ □〆 一 矛ｚ図 半３図 （勺 須’−３［４＜ロン 第 ゴ図 （ハ） 第３図 （ニ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、あらかじめ規定された複数の場所に寸法測定用のモ
ニタ・パターンのみを具備するモニタ・パターン領域が
配役さｉしてなることを特徴どするフォト・マスク。 ２、前記規定された口数の±１）所が、ウェー ／％
ｆｉ光光域域内あることを特徴とする１′、′を許請求
の範囲２６１項記載のフォト・マスク。 ３、前記モニタ・パターン領域に設けられる寸法らなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の７１ト・
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171220A JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171220A JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960439A true JPS5960439A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0473576B2 JPH0473576B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15919262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171220A Granted JPS5960439A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | フオト・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960439A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647043A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Photomask |
| EP0715209A2 (en) | 1994-11-25 | 1996-06-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat-developable color light-sensitive material |
| EP0772087A1 (en) | 1995-10-31 | 1997-05-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Pyrazolylazophenol dye |
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| JP2015191088A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
Citations (3)
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| JPS5640242A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask for semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171220A patent/JPS5960439A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7794903B2 (en) | 2006-08-15 | 2010-09-14 | Infineon Technologies Ag | Metrology systems and methods for lithography processes |
| US8067135B2 (en) | 2006-08-15 | 2011-11-29 | Infineon Technologies Ag | Metrology systems and methods for lithography processes |
| US8394574B2 (en) | 2006-08-15 | 2013-03-12 | Infineon Technologies Ag | Metrology systems and methods for lithography processes |
| JP2015191088A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473576B2 (ja) | 1992-11-24 |
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