JPS5958306A - 距離計 - Google Patents

距離計

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JPS5958306A
JPS5958306A JP58150906A JP15090683A JPS5958306A JP S5958306 A JPS5958306 A JP S5958306A JP 58150906 A JP58150906 A JP 58150906A JP 15090683 A JP15090683 A JP 15090683A JP S5958306 A JPS5958306 A JP S5958306A
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JP
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signal
array
light
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scene
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JP58150906A
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コンスタンチン・ニコラス・アナグノストポウロス
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Eastman Kodak Co
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Eastman Kodak Co
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Publication date
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    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/30Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
    • G02B7/32Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06Systems determining position data of a target
    • G01S17/46Indirect determination of position data
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14825Linear CCD imagers

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  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は自動距離計に、史に詳しくは、場景に光のビ
ームを投射して被写体に光のスポラトラ形成し、その1
易景の鐵における光スボソ]・の位置を光検出器の組立
体により検出してその1易景における被写体重での距離
を決定するようにした形式の自動距離ぎ−1に関する。
従来技術 光のビームを場景中の被写体に投射してこの被写体に光
のスボソl−を形成1〜るようにした自動距前訓は園、
仄[1である。この光スポットを含むJ場景の像は光検
出器の線形配列体上に形成される。この線形配列体に沿
っての光スポットの像の位置は場景中の被写体重での距
離の関数として測定され且つf9y川される。このよう
な11“l−1離旧装置は例えば自動焦点カメラに使用
されている。
この種の距離語装置の一般的な素子配列及び動作方法を
第1図を参照して説明する。光のビームを投射するため
の装置は、例として、発光ダイオード(LJ−;D )
 10及びレンズ12とし7て示しである。ビームは経
路14に沿って投射されて場景中の被写体01上に光の
スボソトヲ形成する。この場景は第2のレンズ16″’
によって光検出器の線形配列体18」−に結像させられ
る。光検出器により発生された信けを:l1lJ御電子
装[N20にJ、って解析して場1テ(中の光スポット
の位置を決定して被写体重での距11((を表1−倍号
を発生1−る。
第1図に示したように、」場景中の光スポットの見掛は
十の[立置は経路14に沿っての被写体1での距離の関
数である。距離h1装置から距1iiIII)1  に
f立置゛rる岐写体01に関してt」\光スボントの像
はム装置S1において検出器配列体に入射することにな
る。更に遠い距1?ilc D  にある被写体02に
関しては、スポットの像は装置S2において検出器配列
体に入射することになる。検出器配列体の出力を試1験
することによって、制(3)j電子装置は(例えは、諸
素子の出力を比較して最大である1」」力を決定するこ
とにより)場景に3ける光スポットの(U置を測定し、
これによって被写体までの距離を測定する。
片;]囲の照明が比較曲間るい場合には場景自体が光ス
ポットに関係なく光検出器配列体を実質上変調すること
になる。このような環境下では、単に光検出器の出力を
試験することによっては光スポットの1g、置を測定す
ることはできないことがある。
しかしながら、周囲楊址光の影ta;は、ビームをオフ
にしたりオンにしたりして検出器を動1乍させ、これに
より発生された信号を減算1−ることによって除去する
ことができる。この差信号の情報は単に光スポットから
のものである。この減/jA−を行う一つの方法−二米
国特許第4274765号に記載されている。これには
配列体の谷う′C検出器に関連した一対の記憶コンデン
サを備えた装置が記載されている。このコンデンサは電
界効果トランジスタ(1イ” ]9号1゛スイッチによ
って光検出器に選択的に接続可能であり、又6対のもの
は関連の差動増幅器に更に接続可能である。動作時には
、光検出器はまずコンデンサの一方に接続されて光ビー
ムはオフにされる。次にこの光検出器は他方のコンデン
サに接続されて光ビームはオンにされる。両方のコンデ
ンサは次に差動増幅器に接続されて背景情報のない信号
を発生する1、このイ菖シ:iは比較器の配列体におい
て比較され、差動増幅器の配列体によって発生された最
大の差信号を検出することによって光スポットのM置か
測定さJ7.る。
光スポットによる比較的小さい信褐から比較的大きい背
景信号を効果的に除去1−るためには、各差動増幅器に
J、非′畠に良好な同相成分除去時V1−を有しなりれ
ばな0ない、更に、増幅器自体は、圧倒的なパターンノ
イズ全信号に専入しないように、非常に厳密に整合しな
けれにVならない。複数の厳密に整合した差動増幅器が
必要であるといつことは装置のSN比を増大させようと
すると高価になることである。更に、差動増幅器からの
最大差信号を決定′Tるために比較器の配列体を2Jl
]すると信号処理回路の梠成が複雑になる。
それゆえ、距離計の信号処理電子装置全1′ハ〕単にす
ると共にこの装置で達成1.]J能なSNJ:Isを改
善することが必要であったっ 発明の開示 この発明の目的は前述の必安全61へた1゛ことである
q この発明のl」的は、一対のアナログシフトレゾスクと
光検IJj器の配列体からの侶−けをシフトレジスタの
一方又は他方へ選択的に転送するための転送装置とから
なる固1本イメージセンザによって達成される1、この
ようなイメージセンサを・用いて、光検出器の配列体か
らの信号は距離言1の光ビームがオンのときには一方の
シフトレジスタに送られ且つ又ビームがオフのときには
他方のシフトレジスタに送られる。これらのシフトレジ
スタに記憶された信号は順次並列に差分回路に送られる
。この差分回路は光スポットの像が入射している検出器
の表示をI−jえる。
実施例 第2図はこの発明による固体イメージセンサ18を示す
。このイメージセンサし1光検出器、すなわちこの実施
例においてはホトダイオード220線形配列体と、一対
の電荷結合素子(CCD)シフトレジスタ24及び24
′とからなっている。
この二つのCCD7フトレジスタの対応する素子にiJ
寸t]じ参照数字が施さItでいるが、レジスタ24′
の各素子か;[プライム(′)の使用によって区別され
ている。ホトダイオード22の配列体とCC])7フト
レソスク24との間の転送ケゞ−ト26を動作さぜると
、ホトダイオードから77トレゾスタ24の(矢印Aの
方向に)lb訛f庖転送することができる。ホトダイオ
ード22の配列体と第2のシフトレジスタ24′との間
の第2転送ケゞ〜)26’ffi動作さぜると、ホトダ
イオードから第2シフトレソスタ24′へ(矢印A′の
方向に)電荷を転送ツーることかできる。この実施例で
dl、CCDCCシフトレジスタJ、その転送効率を最
大にする、従って装置のSNN合金最大するために埋込
みチャネル形のものであり、又転送ケゞ−ト26及び2
6′によって発生される転送チャネルは表m1チャネル
であり、従って単一の低電圧電源(例えば5ボルト)を
用いて装置に電力を供給することができる。
CCDンフシフトレジスタにおける信号はそれの転送電
極に四相クロンク信号の1へ・Φ4を加えることによっ
てlJj力ダイオード28才で11追次矢印Bの方向に
移動される。この信号はυ)カダイオードにおいて前置
増幅器30によって検出さノするが、この前置増幅器は
、以下に説明するように、単一の低電圧電源で動作する
ように特別に構成されている。
i3+aは線形ホトダイオード配列体及び関連のCCI
) 読(B Lシフトレジスタの電極及びチャネル構造
全図解した部分平面図である。CCDシフトレジスタ2
4に対する埋込みチャネルは、例えd:p形ンリコン基
板における1〕形領域62つへらなっており、点線で示
されている。CCDシフトレジスタの外縁を制限してい
るチャネル停止領域64は、例え目、厚くなった電界酸
化物の下のp十形領域からなっており、@線で示されて
いる。ホトダイオード22は装置の中央のあれい形チャ
ネル停止領域36の間に規定された部分におけるn十形
拡散部によって形成されている。
チャネルの1−にある二つの段のポリシリコンは素子の
7し極構造全規定している。第1段のポリシリコン&j
 CCI)シフトレジスタの位相2及び位相4電極(そ
れぞ′11ろ8及び40)を規定し、又第2段のものに
j: CODシフトレジスタの1立相1及び位相6並び
に転送ケゞ−ト26及び26′を規定している。(M相
2電極及び転送ケ+−1・はホトダイオ−)’ 22 
’f CCDシフトレジスタに結合する表向チャネルを
形成している0 第4図は第6図の4−4線に711って取られたイメー
ジセンサの部分断面図であって、イメージセンサのチャ
ネル構造を示している。
イメージセンサ18id:p形/リコン基板46に形成
されている。CCD埋込みチャネルはn影領域、52に
よって規定されている。ホトダイオード22は11+形
領域によって形成されているO二酸化7リコンの層48
は素子のドープ領域の上にある。鉛線5Dは転送ケゞ−
ト26及び26′に0ボルトヲ印加し且つ(V相2電極
38及び68′に5ボルト合印加したときの素子におけ
る電位分布を示している。電位障壁52及び52′はホ
トダイオードで発生した電荷がCCDシフトレジスタの
いずれにも流れないようにする。転送ケ゛−1・26又
は26′のいずれかに5ポルトを力1jえると、それの
丁の電[立障壁52又117J:52’はそれぞれ点線
54又は54′で示した位置に低下し、ホトダイオード
の電IFが1立相2電極の下に生じた表面チャネルによ
りこの電極の下へと各CCDシフトレジスタに流れ込む
ことができる。転送ケ゛−1・及び1q相2電(愼ろ8
又は38’から5ポルト電位が除去されると、この電極
の1:の電位の井戸は破線56及び56′で示したよう
に浅くなる。シフトレジスタの電荷は、CCDシ;yl
・レジスタの電荷を移動させるための通常の方法で四相
転送電極にパルスを与えることによって図面の平面に垂
直な方向に移動される。
ホ]・タイオード22を埋込みチャネルCCDシントレ
ゾスタと結合させるのに表面チャネルを便用1−ると、
センサを単一の低電圧(例えば5ボルト)で動作させる
ことができ、これによって素子の電源要件を簡単化する
ことができる。
今度は第5図について述べると、距離計の全体の制御は
フ0ログラム式マイクロプロセソザ100により通常の
可動器回路102を介して、!−jえられる。このマイ
クUフ″ロセソーナにはクロック回路104からタイミ
ング信号が供給され且つ電池108から主車ゆjLスイ
ッチ106¥C−介して屯カが供給される。四相クロッ
ク信号Φ□〜の4並びに転送信号T1及びT2はマイク
ロブロセッザ100の:li制御の下で可動器回路10
2からイメージセンサ18に供給されて、このセンサの
CCDシフトレジスタからの11)力信−号を生じさぜ
る。CCDシフトレジスタがらのこの信号は差分回路1
10に供給される。差分回路110にょジ発生された差
信号はピーク検出器回路114に供給される。このピー
ク検出器回路の出力はラッチ回路116に供給される。
ランチ回路116はディジタルミー1数器118の出力
に接続されている。計数器118はリセット信号1え、
及び四相クロック信号の1〜の4と同じ周波数を有する
タイミング信号のT を受ける。ラッチ回路116の出
力はマイクロッ0ロセツサ100の入力ボートに供給さ
れる、 可動器回路102は又LED 10と、距離表示装置又
は距離ザーボのようなIJ」刃装置120とに7し力を
供給する。
第6図は第5図に示した信号処理電子装置の更に詳細な
回路図である。出カケ+−1・122及び122′並び
に出力ダイオード28及び28′を會むCCD7フトレ
ソスタ24及び24′の一部分が図示されている1、 前置J1.η幅D30は検1」」lイ゛E’l’124
及びリセットF E ’l” 126を會むオンチップ
検出及びリセソ1−IW i’M 器である。検出FE
T124id:表Iイ11チー11.ネル素子であり且
つリセソ)FET126は埋込みチャネル素子であるの
で、単一の低電圧電源を用いて装置&1に電力を供給す
ることができる□ダイオード28における検出電荷を節
点Aにおける電圧に変換するためにFET124のドレ
インと接地との間にtJ、定電流形態で埋込みチャネル
FET128が接続されている。
差分回路110は、節点A及びA′における出力を標本
化するための多重化FET150及び132、検出コン
デンサ134、クランク0用FETス(7チ136、並
ひにp、:r1幅H’4138 f備えている1、シー
′分回路110に11、標本化F” E ’l” 14
0、記憶コ/ヂンーリ142及O・増幅器144からな
る標本化〒呆j、′r(ザンブル及びボールド)7り1
−分を備えている。
ビ′−り検出器回路114ば、差動増幅器146、基7
1.C!コンデンーリ148.4票本化FJ元′1゛ス
イッチ150、及びタイミングFETスイッチ152を
備えている。このピーク検出回路にはコンデンサ148
を接地−j−るブリセンl−1・’ ]づ]′J゛スイ
ングー154及び5ポルト電源を抵抗158紅由でコン
デンサ148に接続づ−るしきい値(スレ/ミルド)設
定用FETスイッチ156からなるしきい値設定部分が
ある。
今度i/J:第7図、第8図及び第9図を参照して距離
訓の動作を説明する。第7図はマイクロブロセソザ10
0(第5図参照)に対する制徊1フ0ロダラムを示す流
れ図である。最初に、例えは時点t。
て主′亀源スイッチ106ffi閉じると(第8図参照
)、マイクロブ狛センサは、転送ケゞ−ト26にT1転
送パルスを加える(第8図g)と共に四相クロンク信号
のbγ相2(Φ2)を高く保持することによってホトダ
イオード22からのすべての蓄積電荷をンフトレジスタ
24に転送し、その後両方のCCDシフ(・レジスタに
四相クロンク信号の1〜の4を加えてそれにおける残留
lLL召」をすべて空にする(第8図C)ことによって
光検出器配列体を初期設定する。その間、時点t1でマ
イクロブロセツザは光検出器配列体において周囲場景照
明による背景電荷を蓄積1−るために時間遅延τ1を実
?Jするn時間遅延τ1後に時点t2 において、Φ2
を高く保ぢ且つ又転送ゲート26にパルスを!jえるこ
とによって背景電荷が1lccDシントレジスタ24に
転送される(第8図g及び第8図C参照)。
次に、時点L3においてマイクロッ0ロセソザはL E
 D 10をオンにするが、Φ2は高く保たれている(
第8図C及び第8図C参照)。L、lCDl0は期間τ
1の間オンに保たれており、この期間中に信号処理回路
は初期設定されてピーク検出器のしきい値を設定するn
 FETスイッチ154(第6図参照)は、Φpres
ct  パルス(第8図C参照)を発生することによつ
−rlt4間的にオンにされてコンデンサ148を接地
゛rる。次に、FET140がJυJ間τ2の間オンに
さf′+、で、コンデンサ14Bが抵抗158どコンデ
ンサ148との時定数によって決定される値1で充電さ
れる。時点L4において、LEDがオフにされ、且つ検
出器配列体によって発生された背景プ′ラスL E D
光信号は、パルスT2ヲ転送ケゞ−ト26′に加えるこ
とによって(第8図す参照)第2 CCI) /フトレ
ジスタ24′に転送される。両方のCCI)シフトレジ
゛スク24,24’は次に、四相転送電極38,40.
42及び44に四相りIjツク信号Φ1〜Φ4 を加え
ることによって(第8図C参照)、同時に読み出されて
距離信号を発生する。
今度C」、第9図全参照してCCDからの信号の処理に
ついて説明する。四相クロック信号の1〜の4は第9図
gないし第9図dに示されている。信号電荷が位相6電
(壺44及び位相4電極40の下にあるときには(Φ3
及びの4は同時に高)、リセットパルスΦIくが埋込み
チャネル1(’ET126及び126′に7JIIえら
れて、出力ダイオードが信号電荷を受けるように準備さ
れる。この時点においで、CCDCDシフトレジスタ力
A及びA′は高レベルになる(第9図f及び第9(シ1
gの200)i〜′1′、相6転送ケ゛−1−が低レベ
ルになると、信号電荷のあるものは1イ」カケ”−1−
を介して出力ダイオードに与えられ、出力は第9図f及
び第9図gにおける中間レベル202になる。最後に、
(I’を相4転送ケゞ−1・の電圧が低くなると、丁べ
てのイ1.弓電<::jが出力ダイオード28及び28
′に移動されてA及びA′における出力信号は第9図f
及び第9図gに示したようにその最終信号レベル204
になる。
最終信号レベルが節点A及びA′にイj゛在している1
01間のW期部分の間、パルスΦE1が標本化、多重化
F E T 1ろOに/J11えられ、これにより節点
Aに存在する背景レベルがコンデンサ1ろ4に記憶され
る(第9図1〕参照)。ΦE1パルスの1け1間中、パ
ルスΦCLがクランク0用FETスイツチ166に加え
られて、節点Aに存在Tる電圧がコンデンサ1ろ4にJ
、(−準として設定袋れる。最終信号レベルが存そ「し
ているlす1間の後期部分のIJI間中、)々ルスΦ■
c2が標本化、多重化1i” E T 1ろ2に加えら
れる。
結果と17て生じるコンテ゛ンザにおける電圧は「背j
;j Jイ1.シJと[、/′i′以プラスL F21
) J信−号との差である。増幅’d:: 138の節
点Cにおける出力は第9図1(に71、したようにこの
差になっている。差レベル206iに、FET140に
標本化パルスのS/IT(第9図1.&照)を加えるこ
とにJ:って狛j点りにおけるハ′1幅2:・;144
の出力において標本化されて保持′iNれる1、 節点I〕における電圧は差信刊の連続した値を表す階段
状のS1スたんな曲線である(第9ン1m参照)。
差動11j7111j+! 器146は最初の標本をコ
ンテゞンサ14Bに記憶されたしきい値VTR(hg 
9図m参照)と比較する。標本値がこのしきい値、Jニ
ジ小さい場合には節点Eにおける増幅器146の出力は
低レベルの一1寸であるが、しかし、標本値がしきい値
を越えると節点Eにおける出力は尚レベルになる。標本
化期間中のある時点VCおいて、標本化信号ΦS(第9
図11参照)がタイiングF I’、 ’rスイッチ1
52に加えられる。節点Eにおける電圧がこの時点にお
いて低い場合には、この低い?L圧が標本化F’ b 
T150のケゞ−トに加えられることになるが、これは
回路の状態には影響を及はさない。しか]−ながら、1
1111点における電月二が高い場合((は、この高い
′電圧がIi’ET150のケゞ−1・に加えられるの
で、コンデンサ1718にはより高いIrLい基準電圧
が加えられる。この新しい、A(Iv−値は節点りにお
ける入力に吟しいのて、バー動j冑幅器146の節点E
における出力は低くなる(第9図0参照)。
この過(4j゛が続行されて、より大きい肋しい差信号
が差分回路110から受信されるたびごとに節点Eにパ
ルスが発生する。
この順序の開始時に計数器118は初期設定されている
。¥f[シい電荷パケットがCCDシフトレジスタから
読み取られるたびごとに、計数器118は進められる(
第5図参照)。ピーク検出器によって節点Eに発生され
たパルス列はラッチ回路116に加えられるが、このラ
ンチ回路は新しいパルスがピーク検出器によってづソ1
−されるたびに1数器118の出力を保持1−るn C
CI)シフトレジスタにおける3−べての′山、イ町バ
ケットがjjノj:み出されてし」つだ後には、ラッチ
回路116により保持された刷数−しきい値より、6い
]、 E Dからの最大照[υj4:イj′jる検出器
素子のr曾−置を示している。
この時点において、マイクロッ0ロセソザはそれの入力
ボートに質問することによってラッチ回路からの距離デ
ータを検索する。
次に11°1槽11データは距1h[1表示装置又はb
’lJtη(fザーポのような出力装置を駆動1−るた
めに既知の方法でf専用される。
このように、こ11寸で開示してきた距離、NI装置は
改良形イメージセンサと1111単化された信号処理電
子装置とを備えていてSN比を改善することができると
共にjp−の低電圧電源により動作さぜることかでき、
従って装置の?li諒要件t M単化1−ることができ
るものである。
発明の効果及び利点 一対のシフトレジスタを設けて検出器からの信+′3を
それに選択的に転送し且つ又それから信号を順次01り
列に敗り出すようにしたため・信号処理電子装置が著し
く簡単化され、これに伴って製造費が低減り−る。
4〔図iA7 )fAJ単な説す]〕 第1図はこの発明が属1−る形式の既知の距離言1の概
略図である。
第2図はこの発明の一態様による、光検出器配列(K<
及び−7・」のアナログ/フトレジスクからなるイメー
ジセンサの似、略図である。
第6図は第2図に示したイメージセンサの電極及びチャ
ネル構造を示す部分乎面図である。
第4図は第6図の4−4線に沿って取られたイメージセ
ンサの部分断1hj図である。
第5図はこの発明の別の態様による距Pjf/、削の信
号処理及び制御電子装置を示す概略的構成図である0 第6図は差分及びビーク検出のための信号処理電子装置
を示1−概略的′亀気回路図である。
第7図1lSj−第5図の距離計の一般的動作を示す流
れ図である。
第8図及び第9図tよ第5図の距離旧の動作を説明する
のにイ1効な時間図である。
こハ2らの図面において、10.12は光投射装置、1
8ir;I−固f4’ 4 メV セy−’す、221
J)Y;検出g=の自己タリト13.2/1.24’は
アナロダシフトレジスタ、26.26’は転送装置、i
 i o tqx伯号信号(11装置、114.116
,118はスボントf立置検出装置全示−j”D 猶″5′1出原+゛i人  イーストマン・コダック・
カンパニーj −: 代 4″1° 4  弁理士  湯 浅 恭 ]ソ」(
外4名) m9 .  ’TH−−−−−− り  ^   F 手  続  袖  正  書 王事件の表示 昭和58年特許願第150906号 2、発明の名称 距離計 6、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 名称(707)イーストマン・コダック・カンパニー4
、代理人 (1)明細1!4第21頁第1ろh及び第14行の記載
全文を」ノ、下の通りに補正する。
1°第4図は、第ろ図の4−4線に渚って得られイ)、
光検出:(;:配列と読出されろシフト・レジスタを示
すイメージ・センサの部分断面図と電位分布図である。
、1 (2)第6図に:1′、代・て、参照数字[−641(
図面左方」1端)を(′ろ4Ijに補正する。
(3)第4図、第6図、第8図を添(=Jの通りに補正
する。
Z添伺吉類の目録

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  入射光にLじ答して信号を発・′J:するた
    めの光検出器の線形配列体、前記の配列体から並列に信
    号を受けてこれを順次出力(q直に供給するためへ前記
    の検出器の配列体に近接した一対のアナログ7フトレジ
    スタ、及び前記の配列体の光検出器によって発生された
    信号を前記のシフトレジスタの一方又は他方に選択的に
    転送するための転送装[6、からなる固体イメージ七ン
    サ全備えた距#H1゜f21  Kのビーム全投射して
    場景中の被写体に元のスポットを形成1−るよつにする
    ためのう゛C投射装置、場景からの光音検出してこれを
    表す信号を発生するためのイメージセンサ、並びに前記
    の信号にtrs答して場景中の光のスポットのf+Z置
    を検出して被写体までの距離を測定するようにテるため
    のスボンI−位置検出装置全備えた距離刷において、光
    ビームをオンにして場景を検出し且つ又元ビームをオフ
    にして場景を検出して、これにより発生される光信号か
    ら差信号を形成することによって、イメージセンサによ
    って発生さねた信号からビームの光によジ1(Il、−
    )れたものジノ、り)の成分を除去するための信号処理
    装置を設け、1」′つ前記のイメージ七ンーリ−を、1
    )入射光の振1viiに関係した信号を発生するための
    光検出器の配列1本、2)複数の信号を並列に受けてこ
    の1言号全順次出力(S’t、置に移動するための、光
    検出器の配列体に近接した第1及び第2のアナログシフ
    トレジスタ、並びにろ)光検出器によって発生された信
    号音それぞれのシフトレジスタに選択的に転送するため
    に光検出器の配列体と第1及び第2のアナログ7フトレ
    ジスタとの間にそれぞれ配置された第1及び第2の転送
    ケゞ−ト、により+:’を成し、これによジ光ビーム全
    オンにして<1′:牛された信号が第17フトレジスタ
    に転送され11つ光ビームをオフにして発生された信号
    が第27フトレジスタに転送され且つ両シフトレジスタ
    が同時に読み出されて両イ^号が差分回路に供給さね、
    るようになっている前記の距hIL言−I。
JP58150906A 1982-08-18 1983-08-18 距離計 Pending JPS5958306A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US409256 1982-08-18
US06/409,256 US4490036A (en) 1982-08-18 1982-08-18 Image sensor and rangefinder device having background subtraction with paired analog shift registers

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JPS5958306A true JPS5958306A (ja) 1984-04-04

Family

ID=23619729

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JP58150906A Pending JPS5958306A (ja) 1982-08-18 1983-08-18 距離計

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JP (1) JPS5958306A (ja)
GB (1) GB2125651B (ja)
HK (1) HK88786A (ja)

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GB2125651A (en) 1984-03-07
US4490036A (en) 1984-12-25
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