JPS5957563A - 固体リニアイメ−ジセンサ - Google Patents
固体リニアイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS5957563A JPS5957563A JP57168145A JP16814582A JPS5957563A JP S5957563 A JPS5957563 A JP S5957563A JP 57168145 A JP57168145 A JP 57168145A JP 16814582 A JP16814582 A JP 16814582A JP S5957563 A JPS5957563 A JP S5957563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- image sensor
- unit light
- light receiving
- elements
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、固体リニアイメージセンサに関する。
特に、複数の受光素子チップを直線状に配列してなるい
わゆるマルチヂツゾ形リニアイメージセンサに関するも
のであり、複写装置、ファクシミリ、ＯＣＲ等に用いら
れる。
わゆるマルチヂツゾ形リニアイメージセンサに関するも
のであり、複写装置、ファクシミリ、ＯＣＲ等に用いら
れる。
固体リニアイメージセンサは、複数の光電変換素子を直
線状に配列し、各ｉ電変換素子を１画素に対応させ、元
に応答して発生する信号電荷を周知の方法で読出すこと
により原稿し」像を読み取るものである。
線状に配列し、各ｉ電変換素子を１画素に対応させ、元
に応答して発生する信号電荷を周知の方法で読出すこと
により原稿し」像を読み取るものである。
第１図に従来のマルチチップ形イメージセンサの例を示
す。１゛はイメージセンサを示しており、基板２上に複
数の受光素子チップ３〜６が直線上に配列されている。
す。１゛はイメージセンサを示しており、基板２上に複
数の受光素子チップ３〜６が直線上に配列されている。
受光素子チップ３〜Ｇは例えばＣＯＤリニアイメージセ
ンサであり、具体的には２０〜３０闘程度の長さを有す
る。図かられかるように、隣接する受光素子の端部にお
いて光電変換素子配列１０〜１３相互間には間隙かでき
てしまり。これは各素子３〜６において光電変換素子配
列１０〜１３を端部近くまで延在させて設けることが技
術上困難であることに起因する。そこで、従来では各端
部に対応する部分に副イメージセンサ７〜９を１４〜１
６は副イメージセンサ７〜９０九電変換素子配列を示し
ている。
ンサであり、具体的には２０〜３０闘程度の長さを有す
る。図かられかるように、隣接する受光素子の端部にお
いて光電変換素子配列１０〜１３相互間には間隙かでき
てしまり。これは各素子３〜６において光電変換素子配
列１０〜１３を端部近くまで延在させて設けることが技
術上困難であることに起因する。そこで、従来では各端
部に対応する部分に副イメージセンサ７〜９を１４〜１
６は副イメージセンサ７〜９０九電変換素子配列を示し
ている。
読取動作においては、原セ８）をｙ方向に移動させたと
き、各受光素子３〜６からの出力信号と副イメージセン
サ７〜９かもの出力信号をメモリに蓄積しておき、全体
として一つの画像を形成して出力するものである。
き、各受光素子３〜６からの出力信号と副イメージセン
サ７〜９かもの出力信号をメモリに蓄積しておき、全体
として一つの画像を形成して出力するものである。
かかる従来のイメージセンサにおいては、同一半導体基
板上に副イメージセンサ７〜９を形成しなければならな
いので製造が複雑化し、かつ価格も高価となる。さらに
は不足画素を補なって完全な画像を形成するために大容
量のメモリが必要となり、部品点数の増大や構成の複雑
化を招く。また、メモリを用いることは信号処理時間を
それだけ多く必要とし、特性面でも問題がある、〔発明
の目的〕 そこで、本発明は隣接する受光素子を極力近接させ、し
かも太ぎな容量のメモリを必要としない密着形リニアイ
メージセンサを提供することを目的とする。
板上に副イメージセンサ７〜９を形成しなければならな
いので製造が複雑化し、かつ価格も高価となる。さらに
は不足画素を補なって完全な画像を形成するために大容
量のメモリが必要となり、部品点数の増大や構成の複雑
化を招く。また、メモリを用いることは信号処理時間を
それだけ多く必要とし、特性面でも問題がある、〔発明
の目的〕 そこで、本発明は隣接する受光素子を極力近接させ、し
かも太ぎな容量のメモリを必要としない密着形リニアイ
メージセンサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のイメージセンサは
、直線配列された各受光素子の端部における光電変換素
子相互の中心間隔りを各光電変換素子のピッチＰの３．
５倍以下の距離となるように配列した点に特徴を有する
。
、直線配列された各受光素子の端部における光電変換素
子相互の中心間隔りを各光電変換素子のピッチＰの３．
５倍以下の距離となるように配列した点に特徴を有する
。
このように配列することによって、依然として端部にお
ける画素の欠落は生じるもののその近傍の光電変換素子
の出力信号によって光分な精度で補正することができる
。
ける画素の欠落は生じるもののその近傍の光電変換素子
の出力信号によって光分な精度で補正することができる
。
かかる本発明の構成によｈば、たとえ画素の欠落が生じ
たとしても補正することができるため、従来のように補
償用の副イメージセンサを必要とせず、したがって大容
量のメモリを必要としない。
たとしても補正することができるため、従来のように補
償用の副イメージセンサを必要とせず、したがって大容
量のメモリを必要としない。
つまり、欠落画素近傍の光電変換素子の情報により補正
する分だけあれば足りるからである。さらには、メモリ
容態を少な（できる分だけ処理時間も短縮でき読取りの
高速化に寄与するＣととなる。
する分だけあれば足りるからである。さらには、メモリ
容態を少な（できる分だけ処理時間も短縮でき読取りの
高速化に寄与するＣととなる。
以下、本発明を図示する実施例によって詳述する。
まず、第２図に本発明のイメージセンサの単位受光素子
かの構造を示す。第２図において、半導体基板２１上に
は光電変換素子であるＰＮ接合フォトダイオード（以下
、フォトダイオード） ２２ａ〜２２ｇが直線状に配列
されており、その近傍には垂直電倚転送部部と電荷転送
形シフトレジスタ器が設けられている。２４は出力部で
ある。
かの構造を示す。第２図において、半導体基板２１上に
は光電変換素子であるＰＮ接合フォトダイオード（以下
、フォトダイオード） ２２ａ〜２２ｇが直線状に配列
されており、その近傍には垂直電倚転送部部と電荷転送
形シフトレジスタ器が設けられている。２４は出力部で
ある。
ここで、注目すべきはフォトダイオードアレイ２２ａ〜
２２ｇが半導体基板２１の端部近くまで延在して設けら
れていることである。この点に関し、従来では信号電荷
の読取し部や配Ｉ腺の関係上フォトダイオードアレイは
どうしても端部より内側に配置せざるを得なかつ１こ。
２２ｇが半導体基板２１の端部近くまで延在して設けら
れていることである。この点に関し、従来では信号電荷
の読取し部や配Ｉ腺の関係上フォトダイオードアレイは
どうしても端部より内側に配置せざるを得なかつ１こ。
そこで、本発明に係る単位受光素子２０においてはフォ
トダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇのピッチよりも電荷
転送形シフトレジスタおの転送段ピッチを小さくして出
力部２４トシフトレジスタ囚をＸ方向（フォトダイオー
ドアレイ２２ａ〜２２ｇの配列方向と同じ）に収納され
ている。一方、フォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇ
はウェハを切１ｉ、ｌｉしてチップ２１に分割する際に
発生する端部付近の欠陥領域を避けてぎりぎりの端まで
配列する。例えば、チップ２１の切断端面から四〜７０
「μｍＪ＆！度の近さとする。フォトダイオードアレイ
２２ａ〜２２ｇの各ピッチよりシフトレジスタおの転送
段ピッチは小さく、垂直電荷転送部５でピッチの差を補
うように信号電荷を転送してからシフトレジスタ田で読
出すようにする。この垂直電荷転送部にはチャネルがフ
ォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇト対応するシフト
レジスタ乙の転送段を結ぶように斜めに設けである。ま
ｆこ、図示しないが垂直電荷転送部５には転送電極が設
けである。
トダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇのピッチよりも電荷
転送形シフトレジスタおの転送段ピッチを小さくして出
力部２４トシフトレジスタ囚をＸ方向（フォトダイオー
ドアレイ２２ａ〜２２ｇの配列方向と同じ）に収納され
ている。一方、フォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇ
はウェハを切１ｉ、ｌｉしてチップ２１に分割する際に
発生する端部付近の欠陥領域を避けてぎりぎりの端まで
配列する。例えば、チップ２１の切断端面から四〜７０
「μｍＪ＆！度の近さとする。フォトダイオードアレイ
２２ａ〜２２ｇの各ピッチよりシフトレジスタおの転送
段ピッチは小さく、垂直電荷転送部５でピッチの差を補
うように信号電荷を転送してからシフトレジスタ田で読
出すようにする。この垂直電荷転送部にはチャネルがフ
ォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇト対応するシフト
レジスタ乙の転送段を結ぶように斜めに設けである。ま
ｆこ、図示しないが垂直電荷転送部５には転送電極が設
けである。
この転送電極にクロック・ξルスを印加して通常の電荷
転送動作により信号電荷をフォトダイオードアレイ２２
ａ〜２２ｇからシフトレジスタ乙へ転送するかあるいは
シフトレジスタ乙に向かってＩｌｉ次′ｉｔ位の井戸が
深くなるような直流電圧を印加する。
転送動作により信号電荷をフォトダイオードアレイ２２
ａ〜２２ｇからシフトレジスタ乙へ転送するかあるいは
シフトレジスタ乙に向かってＩｌｉ次′ｉｔ位の井戸が
深くなるような直流電圧を印加する。
第３図は単位受光素子の他の例を示すもので、各部の符
号は第２図と同じものを使用する。第２図のものと異な
るところはシフトレジスタ２３の端部を屈曲させ、その
端部に出力部２Ａを設けたものである。このようにする
ことで７オトダイオ一ドアレイ２２ａ〜２２ｇをチップ
端部に接近して設けることかできる。
号は第２図と同じものを使用する。第２図のものと異な
るところはシフトレジスタ２３の端部を屈曲させ、その
端部に出力部２Ａを設けたものである。このようにする
ことで７オトダイオ一ドアレイ２２ａ〜２２ｇをチップ
端部に接近して設けることかできる。
次に、以上のような単位受光素子を用いた本発明に係る
マルチチップ形イメージセンザの天施例を第４図に示す
。第４図において、マルチチップ形のイメージセンサ３
０は、基板３１上に第２図又は第３図に示す如ぎ複数の
単位受光素子３２〜３５がそのフォトダイオードアレイ
３６〜３９カー直細状となるように配列さＪｌている（
Ｘ方向）。Ｘ方向は原稿移動方向である。もつとも原稿
が竪動するかイメージセンサが移動するかは応用装置に
よって異なイ）問題である。
マルチチップ形イメージセンザの天施例を第４図に示す
。第４図において、マルチチップ形のイメージセンサ３
０は、基板３１上に第２図又は第３図に示す如ぎ複数の
単位受光素子３２〜３５がそのフォトダイオードアレイ
３６〜３９カー直細状となるように配列さＪｌている（
Ｘ方向）。Ｘ方向は原稿移動方向である。もつとも原稿
が竪動するかイメージセンサが移動するかは応用装置に
よって異なイ）問題である。
ここで、各単位受光素子３２〜３５の相隣接する素子の
端部においては、８Ｆ１５図に示すように、単位受光素
子、例えば、３２と３３の終端フォトダイオード３６ａ
と始ｉ＞＋！４ダイオード３７ａの中心間隔りがフォト
ダイオードアレイのピッチＰの３．５倍以下の長さとさ
れでいる。この３．５倍という値は後述するように端部
のフォトダイオードアレイ３６ａと３７ａ間の間隙によ
り生ずる画素の欠落を補正し５る限度を示している。
端部においては、８Ｆ１５図に示すように、単位受光素
子、例えば、３２と３３の終端フォトダイオード３６ａ
と始ｉ＞＋！４ダイオード３７ａの中心間隔りがフォト
ダイオードアレイのピッチＰの３．５倍以下の長さとさ
れでいる。この３．５倍という値は後述するように端部
のフォトダイオードアレイ３６ａと３７ａ間の間隙によ
り生ずる画素の欠落を補正し５る限度を示している。
次に勲作ケ説明ｔ−々＝、 ｃ （１’；−ｆｉ、−４
−ジセンサ３０はいわゆる密漸センザとして使用される
ものであり、１：１の結実光学系で原稿画像を読取るも
のである。その場合、各単位受光素子３２〜３５からの
出力信号は同時に並列的に読出してもよいし、各単位受
光素子ごとに読出してもよい。
−ジセンサ３０はいわゆる密漸センザとして使用される
ものであり、１：１の結実光学系で原稿画像を読取るも
のである。その場合、各単位受光素子３２〜３５からの
出力信号は同時に並列的に読出してもよいし、各単位受
光素子ごとに読出してもよい。
さて、各単位受光素子３２〜３５の７オトダイオードア
レイ３６〜３９は第２図または第３図のように端部近く
まで延在されてはいるものの全く間隙がなくなった訳で
はない。そこで、本発明では次に述べるような信号補正
を行う。
レイ３６〜３９は第２図または第３図のように端部近く
まで延在されてはいるものの全く間隙がなくなった訳で
はない。そこで、本発明では次に述べるような信号補正
を行う。
中間間隔りがフォトダイオードのピッチＰの１．５倍以
下（以下、Ｌ≦１．５Ｐのように表わす。）のととには
、端部間隙すなわち不感元部Ｎは１／２画素分の最さ以
下であるから、単位受光素子３２〜３５の出力信号をそ
のまま接続すればよい。その場合の１／２画素分の欠落
による画像の歪は実用上問題とならない。この場合の出
力信号状態は次のよう°に表わされる。
下（以下、Ｌ≦１．５Ｐのように表わす。）のととには
、端部間隙すなわち不感元部Ｎは１／２画素分の最さ以
下であるから、単位受光素子３２〜３５の出力信号をそ
のまま接続すればよい。その場合の１／２画素分の欠落
による画像の歪は実用上問題とならない。この場合の出
力信号状態は次のよう°に表わされる。
フォトダイオード
３６Ｇ 、 ３６ｂ 、 ３６ａ 、 ３７ａ 、 ３
７ｂ 、 ３７ｃの出力信号をそれぞれ順に Ｘｌ ｇ Ｘ２ Ｉ Ｘ３ ツ Ｘ５ す Ｘ６ ν
Ｘ７とするとき、合成信号は Ｘｌ・Ｘ２・Ｘ３．Ｘ５９Ｘ６９Ｘ７ となる。
７ｂ 、 ３７ｃの出力信号をそれぞれ順に Ｘｌ ｇ Ｘ２ Ｉ Ｘ３ ツ Ｘ５ す Ｘ６ ν
Ｘ７とするとき、合成信号は Ｘｌ・Ｘ２・Ｘ３．Ｘ５９Ｘ６９Ｘ７ となる。
次に、１．５Ｐ≦Ｌ≦２．５Ｐの場合には不感元部Ｎの
長さは約１画素分となるので、この不感光部Ｎに相当す
る出力信号を隣りの信号Ｘ３もしくはＸ４で置き換える
か、または両者Ｘ３とＸ４の平均値（Ｘ３＋Ｘ４）／２
で補正をする。この場合の合成信号は、 Ｘ１ンＸ２９Ｘ３ｇｈシＸ４りｘ５． ｘ６もしくば Ｘｌ・Ｘ２ＩＸ３ｊＸ４・Ｘ４・Ｘ５ツＸ６または Ｘ□、Ｘ２．Ｘ３．（Ｘ３＋Ｘ４）／２．Ｘ４．Ｘ５．
Ｘ６となる。
長さは約１画素分となるので、この不感光部Ｎに相当す
る出力信号を隣りの信号Ｘ３もしくはＸ４で置き換える
か、または両者Ｘ３とＸ４の平均値（Ｘ３＋Ｘ４）／２
で補正をする。この場合の合成信号は、 Ｘ１ンＸ２９Ｘ３ｇｈシＸ４りｘ５． ｘ６もしくば Ｘｌ・Ｘ２ＩＸ３ｊＸ４・Ｘ４・Ｘ５ツＸ６または Ｘ□、Ｘ２．Ｘ３．（Ｘ３＋Ｘ４）／２．Ｘ４．Ｘ５．
Ｘ６となる。
次に、２．５Ｐ≦Ｌ≦３゜５Ｐの場合は、不感光部Ｎの
長さが約２画素分となるので、不感元部Ｎに相当する出
力信号を両１宵りの信号Ｘ３．Ｘ４を用いて置き換える
。すなわち、合成信号は Ｘ□、Ｘ２．Ｘ３．Ｘ３．Ｘ４．Ｘ４．Ｘ５．Ｘ６また
は ＸＩ ｒ Ｘ２ ＋ Ｘ３＋ （Ｘ３ ＋Ｘ４ ）／２
＋ ＣＸ３ ＋Ｘ４ ）／２ 。
長さが約２画素分となるので、不感元部Ｎに相当する出
力信号を両１宵りの信号Ｘ３．Ｘ４を用いて置き換える
。すなわち、合成信号は Ｘ□、Ｘ２．Ｘ３．Ｘ３．Ｘ４．Ｘ４．Ｘ５．Ｘ６また
は ＸＩ ｒ Ｘ２ ＋ Ｘ３＋ （Ｘ３ ＋Ｘ４ ）／２
＋ ＣＸ３ ＋Ｘ４ ）／２ 。
Ｘ４．Ｘ５．Ｘ６
となる。
単位受光素子の例として第２図、第３図に示したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
例工ば、イメージセンサとして電荷転送形イメージセン
サ以外にフォトダイオードとＭＯＳ）ランジスクのスイ
ッチ回路を組合せたものでもよい。また、シフトレジス
フ器はフォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇの両側に
設けてもよい。
サ以外にフォトダイオードとＭＯＳ）ランジスクのスイ
ッチ回路を組合せたものでもよい。また、シフトレジス
フ器はフォトダイオードアレイ２２ａ〜２２ｇの両側に
設けてもよい。
以上の説明では光電変換素子としての白黒のフォトダイ
オードを用いた例を示したが、例えば赤、緑、青の針元
感度特性を有するものを使用し、第６図のように各フォ
トダイオードを繰返し配列状態としたイメージセンサを
用いる場合でも次のような合成信号の補正をすることが
できる。なお１．３６ｅ 、３６ｈ ｓ ３６ｋ ｐ
３７ｇ ｓ ３７Ｊは赤に感度をもつフォトダイオード
、３６ｆ 、 ３６ｉ 、 ３７ｅ 、 ３７１ｉ 、
３７には緑に感既をもつフォトダイオード、３６ｇ、
３６ｊ。
オードを用いた例を示したが、例えば赤、緑、青の針元
感度特性を有するものを使用し、第６図のように各フォ
トダイオードを繰返し配列状態としたイメージセンサを
用いる場合でも次のような合成信号の補正をすることが
できる。なお１．３６ｅ 、３６ｈ ｓ ３６ｋ ｐ
３７ｇ ｓ ３７Ｊは赤に感度をもつフォトダイオード
、３６ｆ 、 ３６ｉ 、 ３７ｅ 、 ３７１ｉ 、
３７には緑に感既をもつフォトダイオード、３６ｇ、
３６ｊ。
３７ｆ 、 ３７ｉは青に感度をもつフォトダイオード
である。ここに、３色のフォトダイオードのピッチをＰ
、単位受光素子３２ 、３３の接続部の端部にあるそれ
ぞれの３色のフォトダイオードを１組としたときの中心
間隔をＬとして（Ｌ≦１．５Ｐ） 、 （１，５Ｐ≦Ｌ
≦２．５Ｐ）、（２，５Ｐ≦Ｌ≦３．５ Ｐ ） のと
きの信号補正は上述した６例と同じに行うことかできる
。
である。ここに、３色のフォトダイオードのピッチをＰ
、単位受光素子３２ 、３３の接続部の端部にあるそれ
ぞれの３色のフォトダイオードを１組としたときの中心
間隔をＬとして（Ｌ≦１．５Ｐ） 、 （１，５Ｐ≦Ｌ
≦２．５Ｐ）、（２，５Ｐ≦Ｌ≦３．５ Ｐ ） のと
きの信号補正は上述した６例と同じに行うことかできる
。
第１図は従来のマルチチップ形固体すニアイメージセン
ザの構成を示す平面図、 第２図は本発明によるマルチチップ形固体すニアイメー
ジセンザに用いられる単位受光素子の構成を示す一部省
略平面図、 第３図は他の７１３位受元素子の構成を示す一部省略平
面図、 第４図を１、本発明によるマルチチップ形固体すニアイ
メージセンザの実施例を示す平面図、第５図は隣接する
単位受光素子の端部の接続部を示す部分拡大図、 第６図は光電変換素子として分ｙｅ感度特性を有するも
のを用いた単位受光素子の端部の接続部を示す部分拡大
図である。 ３０・・・マルチチップ形固定すニアイメージセンザ、
３１・・・基板、３２〜３５・・・単位受光素子、３６
〜３９・・・７オトダイオードアレイ、 ３６ａ 、
３７ａ・・・端部のフォトダイオード、Ｐ・・・フォト
ダイオードのピッチ、Ｌ・・・中心間隔、Ｎ・・・不感
ｙＣ部。
ザの構成を示す平面図、 第２図は本発明によるマルチチップ形固体すニアイメー
ジセンザに用いられる単位受光素子の構成を示す一部省
略平面図、 第３図は他の７１３位受元素子の構成を示す一部省略平
面図、 第４図を１、本発明によるマルチチップ形固体すニアイ
メージセンザの実施例を示す平面図、第５図は隣接する
単位受光素子の端部の接続部を示す部分拡大図、 第６図は光電変換素子として分ｙｅ感度特性を有するも
のを用いた単位受光素子の端部の接続部を示す部分拡大
図である。 ３０・・・マルチチップ形固定すニアイメージセンザ、
３１・・・基板、３２〜３５・・・単位受光素子、３６
〜３９・・・７オトダイオードアレイ、 ３６ａ 、
３７ａ・・・端部のフォトダイオード、Ｐ・・・フォト
ダイオードのピッチ、Ｌ・・・中心間隔、Ｎ・・・不感
ｙＣ部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、元に応答して信号電荷を発生する１画素分の光電変
換累子が半導体基板上に直線状に配列されてなる単位受
光素子を、各光電変換素子が一方向に直線状になるよ５
複数配列させるとともに、各隣接する単位受光素子の端
部における光電変換素子相互の中心間隔りが各光電変換
素子のピッチの３．５倍以下となるように配列したこと
を特徴とする固体リニアイメージセンサ。 ２、特許請求の範囲第１項記載のセンサにおいて、前記
光電変換素子は所定の分光感度特性を有し、中心間隔り
は光電変換素子のピッチの３．５倍以下であることを％
徴とする固体リニアイメージセンサ。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載のセンサに
おいて光電変換素子は同一の分光感度特性を有すること
を特徴とする固体リニアイメージセンサ。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
センサにおいて、前記中心間隔りは光電変換素子のピッ
チＰの１．５倍以下に設定され、各単位受光素子の出力
信号は各単位受光素子の現実の配列位置に１：１で対応
するものとして信号処理されることを特徴とする同体リ
ニアイメージセンサ。 ５、％肝請求の範囲第１項または第３項のセンサにおい
て、前記中心間隔りは光電変換素子のピッチＰの１．５
倍〜２．５倍に設定され、各単位受′ＭＳ素子の隣接端
部において欠除する１画素分の出力信号は隣接する一方
の単位受光素子の端部における光電変換素子の出力信号
、または隣接する両方の単位受光素子の端部における光
電変換素子の出力信号の平均値により補正されることを
特徴とする固体リニアイメージセンサ。 ６、特許請求の範囲第１項または第３項記載のセンサに
おいて、中心間隔りは光電変換素子のビッチＰの２．５
倍〜３．５倍に設定され、各単位受光素子の隣接端部に
おいて欠除する２画素分の信号は隣接する両方の光電変
換素子の端部における出力信号により補正されることを
特徴とする固体リニアイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168145A JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168145A JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957563A true JPS5957563A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0211193B2 JPH0211193B2 (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=15862657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168145A Granted JPS5957563A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 固体リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957563A (ja) |
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| EP0468255A2 (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-29 | SEIKO INSTRUMENTS & ELECTRONICS LTD. | Linear image sensor of the contact type |
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1982
- 1982-09-27 JP JP57168145A patent/JPS5957563A/ja active Granted
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| EP0975143A3 (en) * | 1998-07-22 | 2000-12-20 | Hewlett-Packard Company | Multi-segment linear photosensor assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0211193B2 (ja) | 1990-03-13 |
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