JPS5956717A - 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5956717A JPS5956717A JP16660182A JP16660182A JPS5956717A JP S5956717 A JPS5956717 A JP S5956717A JP 16660182 A JP16660182 A JP 16660182A JP 16660182 A JP16660182 A JP 16660182A JP S5956717 A JPS5956717 A JP S5956717A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- permalloy
- substrate
- permalloy thin
- magnetic head
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ヘット′用パーマロイ薄膜の製造方法に
関する。
関する。
一軸異方性金有する薄膜磁気ヘッドは、透磁率が大きい
こと、保磁力Hcが小さくできることの利点を持つ。か
かる−軸異方性を有するパーマロイ薄膜の製造方法を第
1図で説明する。図で、1はカソード、2はパーマロイ
ターゲット、3は基板、4は基板ホルダー、5はペルジ
ャー、6はプラズマ収束用磁石を示す。基板ホルダー4
はアース電位とし、カソードIKは通常のスパッタ装置
tsみの電圧(例えば、最大で3〜4 KV )を印加
する。
こと、保磁力Hcが小さくできることの利点を持つ。か
かる−軸異方性を有するパーマロイ薄膜の製造方法を第
1図で説明する。図で、1はカソード、2はパーマロイ
ターゲット、3は基板、4は基板ホルダー、5はペルジ
ャー、6はプラズマ収束用磁石を示す。基板ホルダー4
はアース電位とし、カソードIKは通常のスパッタ装置
tsみの電圧(例えば、最大で3〜4 KV )を印加
する。
これによって、基板3にはパーマロイ薄膜を形成する。
尚、図で点線矢印は、磁石6によって生ずる磁力線を模
式的に示している。
式的に示している。
然るに、プラズマ収束用磁界の水平方向成分のため、形
成されたパーマロイ薄膜には、必然的に第2図に示した
如き磁化容易軸す分散が生ずる。
成されたパーマロイ薄膜には、必然的に第2図に示した
如き磁化容易軸す分散が生ずる。
良好な一軸異方性を得ることができない欠点を持つ0
本発明の目的は、良好な一軸異方性を有するパーマロイ
薄膜の製造方法を提出するものである。
薄膜の製造方法を提出するものである。
本発明の要旨は、DC対向スパッタリング法を改良して
パーマロイ薄膜を形成した点にある。
パーマロイ薄膜を形成した点にある。
以下、図面により本発明を詳述する。
第3図は、DC対向スパッタリング装置の断面図を示す
。J4はツルジャー、8は永久磁石、9は基板、lOは
基板ホルダー、11はシールド電極、12は鉄製のカソ
ード、13はスペーサである。
。J4はツルジャー、8は永久磁石、9は基板、lOは
基板ホルダー、11はシールド電極、12は鉄製のカソ
ード、13はスペーサである。
ペルジャー14内に、Ari 3XIO−1l−5X1
0 torrの圧力になるまで導入し、対向するカソ
ード12に800 V −1500Vの負の直流(DC
)電圧を印加する。
0 torrの圧力になるまで導入し、対向するカソ
ード12に800 V −1500Vの負の直流(DC
)電圧を印加する。
これにより、ターゲット7の間にグロー放電が生ずる。
グロー放電のAr+により、ターゲット構成原子(Ni
、 Fe )がたたき出され、基板4上に付着し、薄
膜形成ができる。尚、ターゲット7相互の中央部の磁界
強度は約300ガウスである。
、 Fe )がたたき出され、基板4上に付着し、薄
膜形成ができる。尚、ターゲット7相互の中央部の磁界
強度は約300ガウスである。
以上のDC対向スパッタリング装置を改良し、本実施例
では、基板ボルダ−10を導体で形成して電極10Aと
する。この基板tlI極10Aに負バイアス直流電圧V
dcを印加する。第4図に、その実施例を示す。図で、
カソード12には、共通に負の直流電圧V (−600
V〜−1000V )を印加する。シールド電極11は
アース電位に設定しておく。中央部の矢印は磁界の方向
を示す。
では、基板ボルダ−10を導体で形成して電極10Aと
する。この基板tlI極10Aに負バイアス直流電圧V
dcを印加する。第4図に、その実施例を示す。図で、
カソード12には、共通に負の直流電圧V (−600
V〜−1000V )を印加する。シールド電極11は
アース電位に設定しておく。中央部の矢印は磁界の方向
を示す。
第5図に、第4図の構成でのバイアス電圧Vdcと保磁
力HC,異方性磁界の大きさHKとの関係を示す。この
関係は出願人による実験値である。図から次のことが明
らかとなる。バイアス電圧Vdcを大きくしてゆくに従
って、保持力HCが零に近ずく方向に向って低下し、異
方性磁界HKが上昇から一定値に飽和する方向に向かう
。この時の異方性の方向は、第4図に示した矢印磁界方
向と一致する。
力HC,異方性磁界の大きさHKとの関係を示す。この
関係は出願人による実験値である。図から次のことが明
らかとなる。バイアス電圧Vdcを大きくしてゆくに従
って、保持力HCが零に近ずく方向に向って低下し、異
方性磁界HKが上昇から一定値に飽和する方向に向かう
。この時の異方性の方向は、第4図に示した矢印磁界方
向と一致する。
従って、バイアス電圧Vdcを大きく選ぶことによって
、良好な一軸異方性のパーマロイ薄膜全形成できる。
、良好な一軸異方性のパーマロイ薄膜全形成できる。
(実施例)
基板9をソーダガラスで形成した。ターゲット7のパー
マロイ薄膜物質は、Ni (81重量%)、Fe (1
9重量%)とした。スパッタリングガスはArでガス圧
は8 X 1O−1ITorrとした。基板電極10人
に印力口する負バイアス電圧Vdcは、150vとした
。カソード7への印加電圧Vは、l KVとした。
マロイ薄膜物質は、Ni (81重量%)、Fe (1
9重量%)とした。スパッタリングガスはArでガス圧
は8 X 1O−1ITorrとした。基板電極10人
に印力口する負バイアス電圧Vdcは、150vとした
。カソード7への印加電圧Vは、l KVとした。
更に、ターゲット7相互の間のターゲット間の磁界強度
は、300ガウスとした。
は、300ガウスとした。
以上の前提で前述したDC対向バイアススパッタリング
法で5μm / h の析出速度で基板9上に膜厚4μ
mのパーマロイ薄膜を形成した。このパーマロイ薄膜の
磁気特性を測定した結果、保持力50mエルステッド(
oe)、異方性磁界3エルステツド(oe)の良好な一
軸異方性を有することがわかった。この時の容易軸の分
散角は、±1%以内であった。
法で5μm / h の析出速度で基板9上に膜厚4μ
mのパーマロイ薄膜を形成した。このパーマロイ薄膜の
磁気特性を測定した結果、保持力50mエルステッド(
oe)、異方性磁界3エルステツド(oe)の良好な一
軸異方性を有することがわかった。この時の容易軸の分
散角は、±1%以内であった。
以上の結果を従来例と比較すると、第1図の従来例では
保磁力1エルステツド、異方性磁界5エルステツドとな
る。第3図の従来のDC対向スパッタリング方法では保
磁力0.3エルステツド、異方性磁界3エルステツドで
あった。いずれの従来例と比較しても、本実施例の薄膜
パーマロイは、良好な一軸異方性を有する。
保磁力1エルステツド、異方性磁界5エルステツドとな
る。第3図の従来のDC対向スパッタリング方法では保
磁力0.3エルステツド、異方性磁界3エルステツドで
あった。いずれの従来例と比較しても、本実施例の薄膜
パーマロイは、良好な一軸異方性を有する。
本実施例によれば、基板側に負のバイアス電圧を印加し
たことにより、磁化容易軸の小さい一軸異方性を有する
パーマロイ薄膜を形成できた。このパーマロイ薄膜は、
薄膜磁気ヘッドに使用して好適となる。
たことにより、磁化容易軸の小さい一軸異方性を有する
パーマロイ薄膜を形成できた。このパーマロイ薄膜は、
薄膜磁気ヘッドに使用して好適となる。
第1図は従来のスパッタリング装置の断面図、第2図に
ウェハー内の磁化容易軸の分散を示す模式図、第3図は
従来のDC対向スパッタリング装置の断面図、第4図は
本発明のDC対向バイアススパッタリング装置の実施例
図、第5図は保磁力と異方性磁界のバイアス電圧依存性
を示す実験特性図である。 8・・・永久磁界、9・・・基板、IOA・・・基板電
極、11・・・シールド電極、]2・・ターゲット電極
、7・・・ターゲット、Vdc・・・直流負バイアス電
圧。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第−1図 第2図 第3図 第4図
ウェハー内の磁化容易軸の分散を示す模式図、第3図は
従来のDC対向スパッタリング装置の断面図、第4図は
本発明のDC対向バイアススパッタリング装置の実施例
図、第5図は保磁力と異方性磁界のバイアス電圧依存性
を示す実験特性図である。 8・・・永久磁界、9・・・基板、IOA・・・基板電
極、11・・・シールド電極、]2・・ターゲット電極
、7・・・ターゲット、Vdc・・・直流負バイアス電
圧。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第−1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 磁気ヘッド用パーマロイ薄膜をDC対向スパッタリング
法により形成すると共に、DC対向スパッタリング時に
パーマロイ形成基板に負バイアス電圧を印加してなる磁
気ヘッド用パーマロイ薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16660182A JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16660182A JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5956717A true JPS5956717A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15834312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16660182A Pending JPS5956717A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5956717A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61240434A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5641697A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Discharge lamp starter |
JPS57157511A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Teijin Ltd | Opposite target type sputtering device |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16660182A patent/JPS5956717A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5641697A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Discharge lamp starter |
JPS57157511A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Teijin Ltd | Opposite target type sputtering device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61240434A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
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