JPS595640A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は半導体装置に関する。詳しくは、高速入力信号
に対し多重反射現象の釦生が防止されている半導体装置
に関する。
に対し多重反射現象の釦生が防止されている半導体装置
に関する。
(2)技術の背景
交流回路特に高周波回路においてインピーダンス整合が
必要であることは周知である。半導体装置を使用してな
す高周波回路においてもインピーダンス整合は必要であ
るが、半導体装置に含まれるそれぞれの能動素子、受動
素子は極めて微細であるから、半導体装置にインピーダ
ンス整合を施すことは必ずしも容易ではない。特に、ヒ
化ガリウム(GaAs)等の化合物半導体を使用した電
界効果トランジスタによって構成された超高速論理集積
回路等において、多重反射にもとづく誤動作を防止する
ため、インピーダンス整合の問題は重要である。
必要であることは周知である。半導体装置を使用してな
す高周波回路においてもインピーダンス整合は必要であ
るが、半導体装置に含まれるそれぞれの能動素子、受動
素子は極めて微細であるから、半導体装置にインピーダ
ンス整合を施すことは必ずしも容易ではない。特に、ヒ
化ガリウム(GaAs)等の化合物半導体を使用した電
界効果トランジスタによって構成された超高速論理集積
回路等において、多重反射にもとづく誤動作を防止する
ため、インピーダンス整合の問題は重要である。
(3)従来技術と問題点
半導体装置におけるインピーダンス整合は、従来、第1
図に示す如き構成をもってなされていた。
図に示す如き構成をもってなされていた。
すなわち、接地された固定抵抗Rを入力端子と並列に接
続するものである。図において、1は半導体チップであ
り、2は絶縁体から構成される半導体装置パッケージの
基体である。また3は導電層パターンであり、4は外部
接続端子であり、5はボンディングワイヤである。また
6はプリント基板7上に形成された高速信号入力ブスで
あり、8はインピーダンス整合用終端抵抗、9は前記プ
リント基板7上に形成された接地用導電層Aターンであ
る。前記半導体装置並フびに終端抵抗8は該プリント基
板7上に載置され、終端抵抗8はボンディングワイヤ1
0.10’によって信号入力ブス6及び接地用導電層パ
ターン9に接続される。すなわち、入力ブス6と外部接
続端子4との接続点に終端抵抗8が接続されている。こ
のような従来技術における構成によっては、人カブスフ
と外部接続端子4との接続点より入力側の区間における
人力信号パルスの反射は防止しうるが、この接続点より
出力側、つまり、パッケージ2内に設けられている導電
層パターン2やボンディングワイヤ5等における入力信
号パルスの反射は防止することができない。特に、パッ
ケージ2がセラミックパッケージである場合は、導電層
パターン3における信号伝播速度が遅くなり、入力信号
パルスのパルス周波数が高いときは多重反射を惹起しや
すい。換言すれば、もし、パッケージ基体2を構成する
セラミック材がアルミナ(A1203)であると、アル
ミナ(A1203)の比誘電率(ε)は9.6であり、
信号伝播速度はFに比例するから、導電パターン倍の時
間を要することになる。そのため、導電層パターン3の
電気長は実長の約3倍に延長される結果となる。例えば
、導電層パターン3の実際の長さが約1 (+n +
n )であると仮定すると電気長は3〔1旧n〕となり
、信号がこの導電層パターン3を通過する時間は約10
(ps)となり、20(ps)程度の時間間隔をもって
信号パルスは反射し、多重反射現象を呈することになる
。
続するものである。図において、1は半導体チップであ
り、2は絶縁体から構成される半導体装置パッケージの
基体である。また3は導電層パターンであり、4は外部
接続端子であり、5はボンディングワイヤである。また
6はプリント基板7上に形成された高速信号入力ブスで
あり、8はインピーダンス整合用終端抵抗、9は前記プ
リント基板7上に形成された接地用導電層Aターンであ
る。前記半導体装置並フびに終端抵抗8は該プリント基
板7上に載置され、終端抵抗8はボンディングワイヤ1
0.10’によって信号入力ブス6及び接地用導電層パ
ターン9に接続される。すなわち、入力ブス6と外部接
続端子4との接続点に終端抵抗8が接続されている。こ
のような従来技術における構成によっては、人カブスフ
と外部接続端子4との接続点より入力側の区間における
人力信号パルスの反射は防止しうるが、この接続点より
出力側、つまり、パッケージ2内に設けられている導電
層パターン2やボンディングワイヤ5等における入力信
号パルスの反射は防止することができない。特に、パッ
ケージ2がセラミックパッケージである場合は、導電層
パターン3における信号伝播速度が遅くなり、入力信号
パルスのパルス周波数が高いときは多重反射を惹起しや
すい。換言すれば、もし、パッケージ基体2を構成する
セラミック材がアルミナ(A1203)であると、アル
ミナ(A1203)の比誘電率(ε)は9.6であり、
信号伝播速度はFに比例するから、導電パターン倍の時
間を要することになる。そのため、導電層パターン3の
電気長は実長の約3倍に延長される結果となる。例えば
、導電層パターン3の実際の長さが約1 (+n +
n )であると仮定すると電気長は3〔1旧n〕となり
、信号がこの導電層パターン3を通過する時間は約10
(ps)となり、20(ps)程度の時間間隔をもって
信号パルスは反射し、多重反射現象を呈することになる
。
この多重反射の問題は、スイッチング速度が比較的遅い
場合はそれ程重大な問題とはならないが、例えばヒ化ガ
リウム(Ga As)等の化合物半導体を使用した電界
効果トランジスタによって構成された超高速論理集積回
路等スイッチング時間が100rpsl程度であるもの
に対しては十分誤動作の原因となり、重大な欠点となる
。
場合はそれ程重大な問題とはならないが、例えばヒ化ガ
リウム(Ga As)等の化合物半導体を使用した電界
効果トランジスタによって構成された超高速論理集積回
路等スイッチング時間が100rpsl程度であるもの
に対しては十分誤動作の原因となり、重大な欠点となる
。
(4)会も明の目的
本発明の目的は、Cの欠点を解消することにあり、数G
H2以上の高速入力信号に対し多重反射現象の光生が防
止されている半導体装置を提供することにある。
H2以上の高速入力信号に対し多重反射現象の光生が防
止されている半導体装置を提供することにある。
(5)発明の構成
本発明によれば、絶縁基板と該絶縁基板上に載置された
半導体素子と、該半導体素子周囲の絶縁基板上1こ配設
された複数の導電層とを備え、前記半導体素子の入力端
子に接続される第1の導電層が、終端抵抗に接続される
第2の導電層に電気的に接続されてなることを特徴とす
る半導体装置が提供される。
半導体素子と、該半導体素子周囲の絶縁基板上1こ配設
された複数の導電層とを備え、前記半導体素子の入力端
子に接続される第1の導電層が、終端抵抗に接続される
第2の導電層に電気的に接続されてなることを特徴とす
る半導体装置が提供される。
本発明は、上記の多重反射現象の釦主の原因が、終端抵
抗の接続される位置の選択が必ずしも適当でないことに
ある点に着目して、終端抵抗を第2図の等価回路に示す
位置に終端抵抗を移動することとしたものである。第2
図において、zlは入力端のインピーダンスであり、A
2は導電パターン3のインピーダンスであり、几は終端
抵抗7であり、9は高速入力信号の入力されるポンディ
ングパッドである。このような接続となすことにより一
点鎖線10によって囲まれるパッケージ内において多重
反射は発生せず、人力パルス信号は終端抵抗7で吸収さ
れることになる。
抗の接続される位置の選択が必ずしも適当でないことに
ある点に着目して、終端抵抗を第2図の等価回路に示す
位置に終端抵抗を移動することとしたものである。第2
図において、zlは入力端のインピーダンスであり、A
2は導電パターン3のインピーダンスであり、几は終端
抵抗7であり、9は高速入力信号の入力されるポンディ
ングパッドである。このような接続となすことにより一
点鎖線10によって囲まれるパッケージ内において多重
反射は発生せず、人力パルス信号は終端抵抗7で吸収さ
れることになる。
(6)発明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施例にかかる半
導体装置について説明し、本発明の構成と特有の効果と
を明らかにする。
導体装置について説明し、本発明の構成と特有の効果と
を明らかにする。
第3図は本発明の一実施例に係る、セラミックパッケー
ジに素子が封入されてなる半導体装置において、高速人
力信号入力端子部とインピーダンス整合部とを示した図
である。図において、1.2.3.4.5.6.7.8
.9.10.10′は、第1図に示Vところと同様、そ
れぞれ、半導体チップ、半導体装置用セラミックパッケ
ージ基体、導電層パターン、外部接続端子、ボンディン
グワイヤ、高速信号入カブス、プリント配線板インピー
ダンス整合用終゛端抵抗、接地用導電層パターン、ボン
ディングワイヤである。導電層パターン3はパッケージ
2のセラミック基体の表面にモリブデン、マンガン(M
o −Mn )をメタライズして形成すれており、その
一端にはコバール製外部接続端子4がろう付けされ、導
電層パターン3と外部接続端子4とは金メッキされてい
る。3と4とは、それぞれ、インピーダンス整合用の導
電層パターンと外部接続端子とであり、インピーダンス
整合用端子を構成し、その1端は終端抵抗7に接続され
、他端はボンディングワイヤ5′を介して半導体チップ
1の人力信号用ポンディングパッド10に接続される。
ジに素子が封入されてなる半導体装置において、高速人
力信号入力端子部とインピーダンス整合部とを示した図
である。図において、1.2.3.4.5.6.7.8
.9.10.10′は、第1図に示Vところと同様、そ
れぞれ、半導体チップ、半導体装置用セラミックパッケ
ージ基体、導電層パターン、外部接続端子、ボンディン
グワイヤ、高速信号入カブス、プリント配線板インピー
ダンス整合用終゛端抵抗、接地用導電層パターン、ボン
ディングワイヤである。導電層パターン3はパッケージ
2のセラミック基体の表面にモリブデン、マンガン(M
o −Mn )をメタライズして形成すれており、その
一端にはコバール製外部接続端子4がろう付けされ、導
電層パターン3と外部接続端子4とは金メッキされてい
る。3と4とは、それぞれ、インピーダンス整合用の導
電層パターンと外部接続端子とであり、インピーダンス
整合用端子を構成し、その1端は終端抵抗7に接続され
、他端はボンディングワイヤ5′を介して半導体チップ
1の人力信号用ポンディングパッド10に接続される。
以上の構成によって、第2図に示す等価回路が実現され
る。すなわち、高速信号人力はパッケージ内において多
重反射されることなく、終端抵抗7の中で吸収される。
る。すなわち、高速信号人力はパッケージ内において多
重反射されることなく、終端抵抗7の中で吸収される。
なお、本発明の池の実施例によれば、第4図に示される
如く導電層パターン3.3′間をボンディングワイヤ5
番こよって直接接続しても実用上さしつかえない。
如く導電層パターン3.3′間をボンディングワイヤ5
番こよって直接接続しても実用上さしつかえない。
又、本発明が論理回路のみならず、リニヤ回路にも適用
しうることはいうまでもない。
しうることはいうまでもない。
(7)発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によれば、GH2以上の高速
人力1こ対し多重反射現象の発生が防止さ
人力1こ対し多重反射現象の発生が防止さ
第1図は従来技術における半導体装置のインピーダンス
整合部の模式的構造図である。第21劇は発明の技術的
思想を説明するブロック図である。 第3図及び第4図は本鈍明の実施例に係る半導体装置の
インピーダンス整合部の構造を示す平面図である。 1・・・・・・半導体チップ、2・・・・・・半導体装
置パッケージ、3・・・・・・導電層パターン、4・・
・・・・外部接続端子、5・・・・・・ボンディングワ
イヤ、6・・・・・・信号入力ブス、7・・・・・・プ
リント配線板、8・・・・・・インピーダンス整合用接
地抵抗(終端抵抗)、9・・・・・・接地用導電層パタ
ーン、10・・・・・・入力信号の入力されるポンディ
ングパッド、3′・・・・・・インピーダンス整合用導
電層パターン、4′・・・・・・インピーダンス整合用
外部接続端子、5′、5″・・・・・・インピーダンス
整合用ホンディングワイヤ、Zl・・・・・・入力端イ
ンピーダンス、z2・・・・・・導電層パターンのイン
ピーダンス。 Lr′−A・]
整合部の模式的構造図である。第21劇は発明の技術的
思想を説明するブロック図である。 第3図及び第4図は本鈍明の実施例に係る半導体装置の
インピーダンス整合部の構造を示す平面図である。 1・・・・・・半導体チップ、2・・・・・・半導体装
置パッケージ、3・・・・・・導電層パターン、4・・
・・・・外部接続端子、5・・・・・・ボンディングワ
イヤ、6・・・・・・信号入力ブス、7・・・・・・プ
リント配線板、8・・・・・・インピーダンス整合用接
地抵抗(終端抵抗)、9・・・・・・接地用導電層パタ
ーン、10・・・・・・入力信号の入力されるポンディ
ングパッド、3′・・・・・・インピーダンス整合用導
電層パターン、4′・・・・・・インピーダンス整合用
外部接続端子、5′、5″・・・・・・インピーダンス
整合用ホンディングワイヤ、Zl・・・・・・入力端イ
ンピーダンス、z2・・・・・・導電層パターンのイン
ピーダンス。 Lr′−A・]
Claims (1)
- 絶縁基板と該絶縁基板上に載置された半導体素子と、該
半導体素子周囲の絶縁基板上に配設された複数の導電層
とを備え、前記半導体素子の入力端子に接続される第1
の導電層が、終端抵抗に接続される第2の導電層に電気
的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57115115A JPS595640A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57115115A JPS595640A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS595640A true JPS595640A (ja) | 1984-01-12 |
JPH0423827B2 JPH0423827B2 (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=14654609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57115115A Granted JPS595640A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS595640A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01180813A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Shiseido Co Ltd | 毛髪化粧料 |
JPH02501350A (ja) * | 1987-01-02 | 1990-05-17 | インジエクト スター ペケルマシネン ゲゼルシヤフト エム.ベー.ハー. | 骨に附着の肉片を分離する装置 |
US5393521A (en) * | 1989-12-21 | 1995-02-28 | Dep Corporation | Hair treatments utilizing polymethylalkylsiloxanes |
DE19712292A1 (de) * | 1997-03-24 | 1998-10-01 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Flanscheinheit zur aktiven Schwingungsunterdrückung |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57115115A patent/JPS595640A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02501350A (ja) * | 1987-01-02 | 1990-05-17 | インジエクト スター ペケルマシネン ゲゼルシヤフト エム.ベー.ハー. | 骨に附着の肉片を分離する装置 |
JPH0411178B2 (ja) * | 1987-01-02 | 1992-02-27 | ||
JPH01180813A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-18 | Shiseido Co Ltd | 毛髪化粧料 |
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US5393521A (en) * | 1989-12-21 | 1995-02-28 | Dep Corporation | Hair treatments utilizing polymethylalkylsiloxanes |
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